JPH04315764A - ランプ - Google Patents
ランプInfo
- Publication number
- JPH04315764A JPH04315764A JP10887291A JP10887291A JPH04315764A JP H04315764 A JPH04315764 A JP H04315764A JP 10887291 A JP10887291 A JP 10887291A JP 10887291 A JP10887291 A JP 10887291A JP H04315764 A JPH04315764 A JP H04315764A
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- Japan
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- layer
- refractive index
- bulb
- coating
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバルブ表面に赤外線カッ
トフィルタ等の被膜を形成したランプに関する。
トフィルタ等の被膜を形成したランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】バルブの表面に蒸着法やディッピング法
によって、酸化チタン等の高屈折率誘電体層と酸化珪素
等の低屈折率誘電体層とを交互に積層し、所定の波長領
域の光（赤外線）の透過を阻止するようにしたランプが
、特開昭５７−１１９４５４号公報或いは特開昭６１−
１９０８５３号公報等に提案されている。
によって、酸化チタン等の高屈折率誘電体層と酸化珪素
等の低屈折率誘電体層とを交互に積層し、所定の波長領
域の光（赤外線）の透過を阻止するようにしたランプが
、特開昭５７−１１９４５４号公報或いは特開昭６１−
１９０８５３号公報等に提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したランプにおい
て、所定波長の光の選択透過性或いは選択反射性等の光
学特性を高めるには、被膜を構成する誘電体層の層数を
増すことが必要になる。しかしながら、層数を増すとバ
ルブ表面と第１層目の高屈折率誘電体層との間で剥離が
生じやすい。
て、所定波長の光の選択透過性或いは選択反射性等の光
学特性を高めるには、被膜を構成する誘電体層の層数を
増すことが必要になる。しかしながら、層数を増すとバ
ルブ表面と第１層目の高屈折率誘電体層との間で剥離が
生じやすい。
【０００４】そこで、誘電体層を形成するための塗布液
中に燐（Ｐ）を添加することが考えられているが、この
ようにすると高屈折率誘電体層の屈折率が下がり、所期
の光学特性が得られなくなる。
中に燐（Ｐ）を添加することが考えられているが、この
ようにすると高屈折率誘電体層の屈折率が下がり、所期
の光学特性が得られなくなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、石英或いはガラスからなるバルブ表面に高屈折
率の透明誘電体層と低屈折率の透明誘電体層とを積層し
た被膜を形成したランプにおいて、前記バルブ表面と被
膜の第１層目を構成する高屈折率の透明誘電体層との間
には、バルブ表面との間に発生する応力がバルブ表面に
直接高屈折率の透明誘電体層を形成した場合に発生する
応力よりも小さくなるバッファ層を介設した。
発明は、石英或いはガラスからなるバルブ表面に高屈折
率の透明誘電体層と低屈折率の透明誘電体層とを積層し
た被膜を形成したランプにおいて、前記バルブ表面と被
膜の第１層目を構成する高屈折率の透明誘電体層との間
には、バルブ表面との間に発生する応力がバルブ表面に
直接高屈折率の透明誘電体層を形成した場合に発生する
応力よりも小さくなるバッファ層を介設した。
【０００６】
【作用】バルブ表面と被膜の第１層目を構成する高屈折
率の透明誘電体層との間に、バッファ層を介設すること
で、バルブと誘電体層の熱膨張率の差等に起因して生じ
る応力を緩和することができる。
率の透明誘電体層との間に、バッファ層を介設すること
で、バルブと誘電体層の熱膨張率の差等に起因して生じ
る応力を緩和することができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面を参照して
説明する。ここで、図１は本発明に係るランプの全体図
、図２は同ランプの要部拡大断面図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係るランプの全体図
、図２は同ランプの要部拡大断面図である。
【０００８】ランプ１（ハロゲンランプ）は石英或いは
ガラスからなるバルブ２内にフィラメント３、内部リー
ド線４及びビーズ５を設け、内部リード線４と外部リー
ド線６とをモリブデン箔７で接続している。
ガラスからなるバルブ２内にフィラメント３、内部リー
ド線４及びビーズ５を設け、内部リード線４と外部リー
ド線６とをモリブデン箔７で接続している。
【０００９】そして、バルブ２の外側にはバッファ層８
を介して誘電体多層被膜９を蒸着法或いはディッピング
法等によって形成している。ディッピング法の場合にお
いて、その塗布後の焼成処理は、塗布後バルブを点灯し
て電圧制御することによって温度をコントロールし、エ
ージングを兼ねる方法を講じることもできる。
を介して誘電体多層被膜９を蒸着法或いはディッピング
法等によって形成している。ディッピング法の場合にお
いて、その塗布後の焼成処理は、塗布後バルブを点灯し
て電圧制御することによって温度をコントロールし、エ
ージングを兼ねる方法を講じることもできる。
【００１０】ここで、バッファ層８はバルブ２表面との
間に発生する応力（引張り応力）がバルブ表面に直接高
屈折率の透明誘電体層を形成した場合に発生する応力よ
りも小さくなるものとする。そのためには、適用するバ
ッファ層の材料、その膜厚、焼成温度、焼成時間を適宜
選択して形成すればよい。
間に発生する応力（引張り応力）がバルブ表面に直接高
屈折率の透明誘電体層を形成した場合に発生する応力よ
りも小さくなるものとする。そのためには、適用するバ
ッファ層の材料、その膜厚、焼成温度、焼成時間を適宜
選択して形成すればよい。
【００１１】また誘電体多層被膜９は高屈折率の透明誘
電体層９ａと低屈折率の透明誘電体層９ｂとを積層して
なり、高屈折率の透明誘電体層９ａとしては酸化チタン
（ＴｉＯ２）、低屈折率の透明誘電体層９ｂとしては酸
化珪素（ＳｉＯ２）が挙げられる。
電体層９ａと低屈折率の透明誘電体層９ｂとを積層して
なり、高屈折率の透明誘電体層９ａとしては酸化チタン
（ＴｉＯ２）、低屈折率の透明誘電体層９ｂとしては酸
化珪素（ＳｉＯ２）が挙げられる。
【００１２】次に具体的な実施例と比較例を挙げて本発
明の効果を明確にする。
明の効果を明確にする。
【００１３】（実施例１）酸化珪素膜形成用の塗布液（
東京応化工業製ＭＯＦ）を使用し、ディッピング法で膜
厚２００ｎｍの膜を石英バルブ表面に形成した後、焼成
炉内において５００℃で３０分間加熱分解してバッファ
層を得た。そして、このバッファ層の表面に同じくディ
ッピング法によって第１層目として屈折率が２．２０の
酸化チタンを１２５ｎｍの厚さで形成し、焼成炉内にお
いて５００℃で３０分間焼成した。次いで、同様にして
第２層目として屈折率が１．４５の酸化珪素を１９０ｎ
ｍの厚さで形成し、焼成炉内において５００℃で３０分
間焼成した。そしてこの組み合わせを第７層目の酸化チ
タンまで繰返し、第８層目の酸化珪素の厚みを９５ｎｍ
として誘電体多層被膜を完成させた。以上の層構造を（
表１）に示す。
東京応化工業製ＭＯＦ）を使用し、ディッピング法で膜
厚２００ｎｍの膜を石英バルブ表面に形成した後、焼成
炉内において５００℃で３０分間加熱分解してバッファ
層を得た。そして、このバッファ層の表面に同じくディ
ッピング法によって第１層目として屈折率が２．２０の
酸化チタンを１２５ｎｍの厚さで形成し、焼成炉内にお
いて５００℃で３０分間焼成した。次いで、同様にして
第２層目として屈折率が１．４５の酸化珪素を１９０ｎ
ｍの厚さで形成し、焼成炉内において５００℃で３０分
間焼成した。そしてこの組み合わせを第７層目の酸化チ
タンまで繰返し、第８層目の酸化珪素の厚みを９５ｎｍ
として誘電体多層被膜を完成させた。以上の層構造を（
表１）に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】尚、（表１）において中心波長とは反射率
が最も１に近くなる波長をいう。そして、（表１）の層
構造の誘電体多層被膜については剥離が見られず、更に
分光反射率は図３に示すように赤外線反射膜として良好
な特性を有していることが分る。
が最も１に近くなる波長をいう。そして、（表１）の層
構造の誘電体多層被膜については剥離が見られず、更に
分光反射率は図３に示すように赤外線反射膜として良好
な特性を有していることが分る。
【００１６】（実施例２）酸化珪素膜形成用の塗布液（
東京応化工業製ＭＯＦ）を使用し、ディッピング法で膜
厚１９０ｎｍの膜を石英バルブ表面に形成した後、焼成
炉内において５００℃で３０分間加熱分解してバッファ
層を得た。そして、このバッファ層の表面に（表２）に
示すような層構造の誘電体多層被膜を形成した。尚、形
成した誘電体多層被膜は第１層から第８層までを中心波
長が１１００ｎｍの赤外線反射用とし、第９層から第１
６層までを中心波長が６００ｎｍの可視光制御用として
いる。このようにして得られた誘電体多層被膜は剥離し
にくく且つ分光特性は図４に示すように良好であった。
東京応化工業製ＭＯＦ）を使用し、ディッピング法で膜
厚１９０ｎｍの膜を石英バルブ表面に形成した後、焼成
炉内において５００℃で３０分間加熱分解してバッファ
層を得た。そして、このバッファ層の表面に（表２）に
示すような層構造の誘電体多層被膜を形成した。尚、形
成した誘電体多層被膜は第１層から第８層までを中心波
長が１１００ｎｍの赤外線反射用とし、第９層から第１
６層までを中心波長が６００ｎｍの可視光制御用として
いる。このようにして得られた誘電体多層被膜は剥離し
にくく且つ分光特性は図４に示すように良好であった。
【００１７】
【表２】
【００１８】（実施例３）バッファ層を形成する塗布液
として酸化珪素膜形成用の塗布液（東京応化工業（株）
製、ＯＣＤ Ｔ−７）を用い、厚さ３００ｎｍのバッ
ファ層を形成し、このバッファ層の上に実施例１と同様
の８層構造の誘電体多層被膜を形成した。このようにし
て得られた誘電体多層被膜は剥離もなく、分光特性も図
３に示すように良好であった。
として酸化珪素膜形成用の塗布液（東京応化工業（株）
製、ＯＣＤ Ｔ−７）を用い、厚さ３００ｎｍのバッ
ファ層を形成し、このバッファ層の上に実施例１と同様
の８層構造の誘電体多層被膜を形成した。このようにし
て得られた誘電体多層被膜は剥離もなく、分光特性も図
３に示すように良好であった。
【００１９】（実施例４）前記実施例３と同様のバッフ
ァ層を形成した上に、実施例２と同様の１６層構造の誘
電体多層被膜を形成した。このようにして得られた誘電
体多層被膜は剥離もなく、分光特性も図４に示すように
良好であった。
ァ層を形成した上に、実施例２と同様の１６層構造の誘
電体多層被膜を形成した。このようにして得られた誘電
体多層被膜は剥離もなく、分光特性も図４に示すように
良好であった。
【００２０】（実施例５）焼成温度を１４０℃、焼成時
間を１５分間とした以外は実施例１と同様にしてバッフ
ァ層を形成した後、実施例２と同様にして１６層構造の
誘電体多層被膜を形成したところ、剥離現象は見られず
、分光特性も図３と同等の良好な結果であった。
間を１５分間とした以外は実施例１と同様にしてバッフ
ァ層を形成した後、実施例２と同様にして１６層構造の
誘電体多層被膜を形成したところ、剥離現象は見られず
、分光特性も図３と同等の良好な結果であった。
【００２１】（比較例１）バッファ層を形成せずに実施
例１と同じ８層構造の誘電体多層被膜を形成しようとし
たところ、第６層目の酸化珪素層を形成し、５００℃か
らの冷却時に石英バルブと第１層との界面から剥離が生
じ、それ以上積層することができなかった。
例１と同じ８層構造の誘電体多層被膜を形成しようとし
たところ、第６層目の酸化珪素層を形成し、５００℃か
らの冷却時に石英バルブと第１層との界面から剥離が生
じ、それ以上積層することができなかった。
【００２２】（比較例２）酸化珪素膜形成用塗布液及び
酸化チタン膜形成用塗布液として、それぞれリン（Ｐ）
を添加して成る東京応化工業（株）製、ＭＯＦ Ｐ−
Ｓｉ−Ｆｉｌｍ Ｐ−８０２１０及びＭＯＦ Ｐ−
Ｔｉ−Ｆｉｌｍ Ｐ−６０２１０を使用し、（表３）
に示すような８層構造で中心波長が１１００ｎｍになる
誘電体多層被膜を形成した。この時、酸化珪素膜の屈折
率は１．４６、酸化チタンの屈折率は２．０５に低下し
ていた。
酸化チタン膜形成用塗布液として、それぞれリン（Ｐ）
を添加して成る東京応化工業（株）製、ＭＯＦ Ｐ−
Ｓｉ−Ｆｉｌｍ Ｐ−８０２１０及びＭＯＦ Ｐ−
Ｔｉ−Ｆｉｌｍ Ｐ−６０２１０を使用し、（表３）
に示すような８層構造で中心波長が１１００ｎｍになる
誘電体多層被膜を形成した。この時、酸化珪素膜の屈折
率は１．４６、酸化チタンの屈折率は２．０５に低下し
ていた。
【００２３】
【表３】
【００２４】上記によって得られた誘電体多層被膜の光
学特性は図３に示すように実施例１に比較して赤外線反
射特性において、劣るものであった。また、実施例１と
同様の特性を得るには更に２層加えて１０層にする必要
があった。
学特性は図３に示すように実施例１に比較して赤外線反
射特性において、劣るものであった。また、実施例１と
同様の特性を得るには更に２層加えて１０層にする必要
があった。
【００２５】（比較例３）酸化珪素膜形成用塗布液にリ
ン（Ｐ）を添加して成る東京応化工業（株）製、ＯＣＤ
−８０２１０を使用して、バルブ表面に直接実施例２と
同様の１６層構造の誘電体多層被膜を形成しようとした
ところ、第１２層目の酸化珪素層を形成し、５００℃か
らの冷却時に石英バルブと第１層との界面から剥離が生
じ、それ以上積層することができなかった。尚、この時
に石英バルブの表面を荒す等の処理を行ってみたが、剥
離を防ぐことはできなかった。
ン（Ｐ）を添加して成る東京応化工業（株）製、ＯＣＤ
−８０２１０を使用して、バルブ表面に直接実施例２と
同様の１６層構造の誘電体多層被膜を形成しようとした
ところ、第１２層目の酸化珪素層を形成し、５００℃か
らの冷却時に石英バルブと第１層との界面から剥離が生
じ、それ以上積層することができなかった。尚、この時
に石英バルブの表面を荒す等の処理を行ってみたが、剥
離を防ぐことはできなかった。
【００２６】（比較例４）バッファ層を形成する塗布液
としてジクロロシランとアンモニアの反応で得られるポ
リマー（東燃（株）製のポリシラザン）を用い、石英バ
ルブ上に厚さ２００ｎｍの膜を形成し、この膜の上に実
施例１と同様の８層構造の誘電体多層被膜を形成しよう
としたところ、第４層目の酸化珪素膜を塗布し、５００
℃からの冷却時に石英バルブとバッファ層との界面から
両膜が剥離し、それ以上積層することができなかった。
としてジクロロシランとアンモニアの反応で得られるポ
リマー（東燃（株）製のポリシラザン）を用い、石英バ
ルブ上に厚さ２００ｎｍの膜を形成し、この膜の上に実
施例１と同様の８層構造の誘電体多層被膜を形成しよう
としたところ、第４層目の酸化珪素膜を塗布し、５００
℃からの冷却時に石英バルブとバッファ層との界面から
両膜が剥離し、それ以上積層することができなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
バルブ表面と被膜の第１層目を構成する高屈折率の透明
誘電体層との間に、バルブ表面との間に発生する応力が
バルブ表面に直接高屈折率の透明誘電体層を形成した場
合に発生する応力よりも小さくなる層、具体的には熱膨
張係数がバルブよりも大きく且つ第１層目の高屈折率の
透明誘電体層よりも小さい層をバッファ層として介設し
たので、光学特性に影響を与えることなくバルブ表面か
ら誘電体多層被膜の剥離を防ぐことができる。
バルブ表面と被膜の第１層目を構成する高屈折率の透明
誘電体層との間に、バルブ表面との間に発生する応力が
バルブ表面に直接高屈折率の透明誘電体層を形成した場
合に発生する応力よりも小さくなる層、具体的には熱膨
張係数がバルブよりも大きく且つ第１層目の高屈折率の
透明誘電体層よりも小さい層をバッファ層として介設し
たので、光学特性に影響を与えることなくバルブ表面か
ら誘電体多層被膜の剥離を防ぐことができる。
【図１】本発明に係るランプの全体図
【図２】同ランプの要部拡大断面図
【図３】波長と反射率との関係を示すグラフ
【図４】波
長と反射率との関係を示すグラフ
長と反射率との関係を示すグラフ
１…ランプ、２…バルブ、８…バッファ層、９…誘電体
多層被膜、９ａ…高屈折率の透明誘電体層、９ｂ…低屈
折率の透明誘電体層。
多層被膜、９ａ…高屈折率の透明誘電体層、９ｂ…低屈
折率の透明誘電体層。
Claims (2)
- 【請求項１】 石英或いはガラスからなるバルブ表面
に高屈折率の透明誘電体層と低屈折率の透明誘電体層と
を積層した被膜を形成したランプにおいて、前記バルブ
表面と被膜の第１層目を構成する高屈折率の透明誘電体
層との間には、バルブ表面との間に発生する応力がバル
ブ表面に直接高屈折率の透明誘電体層を形成した場合に
発生する応力よりも小さくなるバッファ層を介設したこ
とを特徴とするランプ。 - 【請求項２】 前記バッファ層を構成する材料は屈折
率がバルブの屈折率にほぼ等しいものを選定したことを
特徴とする請求項１に記載のランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10887291A JPH04315764A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10887291A JPH04315764A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315764A true JPH04315764A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14495732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10887291A Withdrawn JPH04315764A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3229259A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-11 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Halogen lamp |
| JP2017188415A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 東芝ライテック株式会社 | ハロゲンランプ |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP10887291A patent/JPH04315764A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3229259A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-11 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Halogen lamp |
| JP2017188415A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 東芝ライテック株式会社 | ハロゲンランプ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |