JPH0431578Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0431578Y2 JPH0431578Y2 JP1984135163U JP13516384U JPH0431578Y2 JP H0431578 Y2 JPH0431578 Y2 JP H0431578Y2 JP 1984135163 U JP1984135163 U JP 1984135163U JP 13516384 U JP13516384 U JP 13516384U JP H0431578 Y2 JPH0431578 Y2 JP H0431578Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ejector
- passage
- sampling device
- suction pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、電気化学式ガスセンサを備えた負
圧制限機構付ガスサンプリング装置に関するもの
である。
圧制限機構付ガスサンプリング装置に関するもの
である。
第３図は電気化学式ガスセンサを備えた従来の
ガスサンプリング装置を示す概略構成図、第４図
はガスセンサの要部を示す側断面図である。
ガスサンプリング装置を示す概略構成図、第４図
はガスセンサの要部を示す側断面図である。
第３図において、１はガスサンプリング装置の
全体を示すもので、ガス検知器、ガ分析計等に使
用されるものである。２は電気化学式のガスセン
サ、３はガス通路、４は前記ガスサンプリング装
置１の吸気口、５は排気口、６は吸引ポンプ、７
は前記吸引ポンプ６の吸引側、８は吐出側、Ｇは
被検ガスである。また、第４図において、９は撥
水性の多孔質膜、１０は電解液である。
全体を示すもので、ガス検知器、ガ分析計等に使
用されるものである。２は電気化学式のガスセン
サ、３はガス通路、４は前記ガスサンプリング装
置１の吸気口、５は排気口、６は吸引ポンプ、７
は前記吸引ポンプ６の吸引側、８は吐出側、Ｇは
被検ガスである。また、第４図において、９は撥
水性の多孔質膜、１０は電解液である。
上記ガスセンサ２は通常の状態では、多孔質膜
９によりガス通路３と電解液１０とが隔離されて
いるが、ガス通路３内の負圧が一定の圧力以下に
なると、電解液１０が多孔質膜９を透過してガス
通路３内に漏れるため、一般にはガスセンサ２を
第３図に示すように吸引ポンプ６の吐出側８に設
けて使用されることが多くなつている。
９によりガス通路３と電解液１０とが隔離されて
いるが、ガス通路３内の負圧が一定の圧力以下に
なると、電解液１０が多孔質膜９を透過してガス
通路３内に漏れるため、一般にはガスセンサ２を
第３図に示すように吸引ポンプ６の吐出側８に設
けて使用されることが多くなつている。
ところで、ガス検知器およびガス分析計は、一
般に吸引ポンプ６にダイヤフラムポンプが使用さ
れているが、上記のようにガスセンサ２を吸引ポ
ンプ６の吐出側８に設けた場合、被検ガスＧのア
ンモニア、塩素あるいは塩化水素のようなダイヤ
フラムのゴムやガス通路３等その等の材質に吸着
性の高いガスであると、上記ダイヤフラムやガス
通路３の内壁に被検ガスＧが吸着して応答速度が
非常に遅くなつたり、または全く検知できない場
合があつた。また、ベンゼン、トルエン、アルコ
ール類等が干渉ガスとして存在する場合には、吸
引ポンプ６のダイヤフラム等にこれらのガスが吸
着した後に、徐々に放出されるため指示値や零点
が狂つて正しい値を指示しないという欠点があつ
た。さらに、ガスセンサ２を吸引ポンプ６の吸引
側７に設けた場合は、上記のように吸引側にほこ
り等で目詰りを起すとガス通路３の負圧が所定の
値以上になつて、ガスセンサ２内の電解液１０が
多孔質膜９を通して漏れるため、ガスセンサ２が
故障するばかりでなく、被検ガスＧの通る吸引ポ
ンプ６のダイヤフラムその他の機器が電解液１０
に侵かされて使用不能になつたり寿命が短かくな
るという問題点があつた。
般に吸引ポンプ６にダイヤフラムポンプが使用さ
れているが、上記のようにガスセンサ２を吸引ポ
ンプ６の吐出側８に設けた場合、被検ガスＧのア
ンモニア、塩素あるいは塩化水素のようなダイヤ
フラムのゴムやガス通路３等その等の材質に吸着
性の高いガスであると、上記ダイヤフラムやガス
通路３の内壁に被検ガスＧが吸着して応答速度が
非常に遅くなつたり、または全く検知できない場
合があつた。また、ベンゼン、トルエン、アルコ
ール類等が干渉ガスとして存在する場合には、吸
引ポンプ６のダイヤフラム等にこれらのガスが吸
着した後に、徐々に放出されるため指示値や零点
が狂つて正しい値を指示しないという欠点があつ
た。さらに、ガスセンサ２を吸引ポンプ６の吸引
側７に設けた場合は、上記のように吸引側にほこ
り等で目詰りを起すとガス通路３の負圧が所定の
値以上になつて、ガスセンサ２内の電解液１０が
多孔質膜９を通して漏れるため、ガスセンサ２が
故障するばかりでなく、被検ガスＧの通る吸引ポ
ンプ６のダイヤフラムその他の機器が電解液１０
に侵かされて使用不能になつたり寿命が短かくな
るという問題点があつた。
この考案は、上記の問題点を解決するためにな
されたもので、被検ガスの吸着による応答速度の
劣化や、指示値の狂い、あるいは電解液による寿
命の劣化等を防止することを目的とする。
されたもので、被検ガスの吸着による応答速度の
劣化や、指示値の狂い、あるいは電解液による寿
命の劣化等を防止することを目的とする。
この考案のガスサンプリング装置は、被検ガス
のガス通路に、吸気口、Ｔ形継手、吸引ポンプ、
絞り弁を備えたエゼクタ、および排気口とを順次
直列に配設し、かつＴ形継手から分岐しエゼクタ
に形成した接続口との間にガス通路と並列にバイ
パス通路を設けてガスサンプリング装置の本体を
形成し、さらに被検ガスを検知する電気化学式の
ガスセンサを吸気口の前段に設けたものである。
のガス通路に、吸気口、Ｔ形継手、吸引ポンプ、
絞り弁を備えたエゼクタ、および排気口とを順次
直列に配設し、かつＴ形継手から分岐しエゼクタ
に形成した接続口との間にガス通路と並列にバイ
パス通路を設けてガスサンプリング装置の本体を
形成し、さらに被検ガスを検知する電気化学式の
ガスセンサを吸気口の前段に設けたものである。
ガスセンサが吸引ポンプの吸引側に設けられて
いるので、ダイヤフラムやその他の機器の被検ガ
スの吸着が小さくなり、また、吸引ポンプの吸込
側が閉塞しても、そのときはエゼクタ作用が停止
するので、バイパス通路を通つて吸引ポンプの吸
引側に被検ガスが戻されるためガス通路内の負圧
が所定値以上にならない。
いるので、ダイヤフラムやその他の機器の被検ガ
スの吸着が小さくなり、また、吸引ポンプの吸込
側が閉塞しても、そのときはエゼクタ作用が停止
するので、バイパス通路を通つて吸引ポンプの吸
引側に被検ガスが戻されるためガス通路内の負圧
が所定値以上にならない。
第１図はこの考案の一実施例を示す概略構成図
で、第３図と同一符号は同一構成部分を示し、１
１はガスサンプリング装置の本体を示し、１２は
Ｔ形継手、１３はエゼクタ、１４は前記エゼクタ
１３内に設けた絞り弁、１５は前記Ｔ形継手１２
から分岐したバイパス通路、１６は前記エゼクタ
１３に形成されバイパス通路１５内の被検ガスＧ
と合流する接続口である。
で、第３図と同一符号は同一構成部分を示し、１
１はガスサンプリング装置の本体を示し、１２は
Ｔ形継手、１３はエゼクタ、１４は前記エゼクタ
１３内に設けた絞り弁、１５は前記Ｔ形継手１２
から分岐したバイパス通路、１６は前記エゼクタ
１３に形成されバイパス通路１５内の被検ガスＧ
と合流する接続口である。
このように、この考案のガスサンプリング装置
は、ガスセンサ２をガスサンプリング装置の本体
１１の前段に設け、被検ガスＧのガス通路３に吸
気口４、Ｔ形継手１２、吸引ポンプ６、エゼクタ
１３、排気口５を順次直列に配設し、かつＴ形継
手１２とエゼクタ１３の接続口１６との間にバイ
パス通路１５をガス通路３と並列に設けて負圧制
限機構１７を形成した構成である。
は、ガスセンサ２をガスサンプリング装置の本体
１１の前段に設け、被検ガスＧのガス通路３に吸
気口４、Ｔ形継手１２、吸引ポンプ６、エゼクタ
１３、排気口５を順次直列に配設し、かつＴ形継
手１２とエゼクタ１３の接続口１６との間にバイ
パス通路１５をガス通路３と並列に設けて負圧制
限機構１７を形成した構成である。
次に、動作について説明する。
ガス通路３内の被検ガスＧは、ガスセンサ２を
通り、吸気口４、Ｔ形継手１２を経て吸引ポンプ
６の吸引側７に吸引され吐出側８から吐出してエ
ゼクタ１３に入り、絞り弁１４で噴出されて排気
口５から排出される。一方、被検ガスＧの一部は
エゼクタ１３の作用で、Ｔ形継手１２から負圧制
限機構１７のバイパス通路１５を経てエゼクタ１
３の接続口１６からエゼクタ１３内に吸引され被
検ガスＧの本流と合流し排気口５から排出され
る。
通り、吸気口４、Ｔ形継手１２を経て吸引ポンプ
６の吸引側７に吸引され吐出側８から吐出してエ
ゼクタ１３に入り、絞り弁１４で噴出されて排気
口５から排出される。一方、被検ガスＧの一部は
エゼクタ１３の作用で、Ｔ形継手１２から負圧制
限機構１７のバイパス通路１５を経てエゼクタ１
３の接続口１６からエゼクタ１３内に吸引され被
検ガスＧの本流と合流し排気口５から排出され
る。
通常の動作においては、バイパス通路１５を通
る被検ガスＧはエゼクタ１３の作用で矢印Ａ方向
のみに流れ、矢印Ａ方向と逆方向には流れないの
で吸引作用を損うことはない。
る被検ガスＧはエゼクタ１３の作用で矢印Ａ方向
のみに流れ、矢印Ａ方向と逆方向には流れないの
で吸引作用を損うことはない。
ところで、ガスセンサ２の手前でガス通路３が
目詰り等のため閉塞した場合は、エゼクタ１３の
絞り弁１４を通る被検ガスＧの量がきわめて少な
くなるので、エゼクタ作用の消滅により被検ガス
Ｇは、エゼクタ１３の接続口１６からバイパス通
路１５を矢印Ａ方向と反対方向に逆流してＴ形継
手１２に戻つて循環するようになる。したがつ
て、吸引ポンプ６の吸引側７の吸引圧力が、例え
ば−2000mmAqであつてもガスサンプリング装置
の本体１１の吸気口４における圧力は最大−100
mmAq程度になるため、ガス通路３内の負圧が小
さくなつてガスセンサ２の電解液１０が多孔質膜
９を透過してガス通路３内に漏れることがない。
目詰り等のため閉塞した場合は、エゼクタ１３の
絞り弁１４を通る被検ガスＧの量がきわめて少な
くなるので、エゼクタ作用の消滅により被検ガス
Ｇは、エゼクタ１３の接続口１６からバイパス通
路１５を矢印Ａ方向と反対方向に逆流してＴ形継
手１２に戻つて循環するようになる。したがつ
て、吸引ポンプ６の吸引側７の吸引圧力が、例え
ば−2000mmAqであつてもガスサンプリング装置
の本体１１の吸気口４における圧力は最大−100
mmAq程度になるため、ガス通路３内の負圧が小
さくなつてガスセンサ２の電解液１０が多孔質膜
９を透過してガス通路３内に漏れることがない。
第２図はこの考案の他の実施例を示す概略構成
図で、第１図と同一符号は同一構成部分を示し、
１８は前記バイパス通路１５に設けた調整弁で、
吸気口４の圧力を任意の圧力に調整できるように
したものである。この場合、ガスサンプリング装
置の本体１１の吸気口４が閉塞したときの圧力
が、例えば−100mmAqとして吸引ポンプ６の吸引
側７の圧力が−2000mmAqまでの間で調整弁１８
を操作することにより任意の圧力に調整すること
ができる。
図で、第１図と同一符号は同一構成部分を示し、
１８は前記バイパス通路１５に設けた調整弁で、
吸気口４の圧力を任意の圧力に調整できるように
したものである。この場合、ガスサンプリング装
置の本体１１の吸気口４が閉塞したときの圧力
が、例えば−100mmAqとして吸引ポンプ６の吸引
側７の圧力が−2000mmAqまでの間で調整弁１８
を操作することにより任意の圧力に調整すること
ができる。
以上説明したようにこの考案は、被検ガスのガ
ス通路に吸気口とＴ形継手と吸引ポンプと絞り弁
を備えたエゼクタと排気口とを順次直列に配設
し、かつＴ形継手から分岐してエゼクタに形成し
た接続口との間にガス通路と並列にバイパス通路
を設けてガスサンプリング装置の本体を形成し、
さらに、被検ガスを検知する電気化学式ガスセン
サを吸気口の前段に設けたので、ガスセンサの手
前で目詰りした場合でもガス通路の負圧が所定の
値以上にならないためガスセンサの電解液がガス
通路内に漏れることがない。また、被検ガスがガ
ス通路や吸引ポンプ等の機器に付着してもガスセ
ンサの指示値や零点の位置が狂うことがなく、装
置が簡単な構成で小形である等の利点を有する。
ス通路に吸気口とＴ形継手と吸引ポンプと絞り弁
を備えたエゼクタと排気口とを順次直列に配設
し、かつＴ形継手から分岐してエゼクタに形成し
た接続口との間にガス通路と並列にバイパス通路
を設けてガスサンプリング装置の本体を形成し、
さらに、被検ガスを検知する電気化学式ガスセン
サを吸気口の前段に設けたので、ガスセンサの手
前で目詰りした場合でもガス通路の負圧が所定の
値以上にならないためガスセンサの電解液がガス
通路内に漏れることがない。また、被検ガスがガ
ス通路や吸引ポンプ等の機器に付着してもガスセ
ンサの指示値や零点の位置が狂うことがなく、装
置が簡単な構成で小形である等の利点を有する。
第１図はこの考案の一実施例を示す概略構成
図、第２図はこの考案の他の実施例を示す概略構
成図、第３図は従来のガスサンプリング装置を示
す概略構成図、第４図はガスセンサの要部を示す
側断面図である。 図中、２はガスセンサ、３はガス通路、４は吸
気口、５は排気口、６は吸引ポンプ、１１はガス
サンプリング装置の本体、１２はＴ形継手、１３
はエゼクタ、１４は絞り弁、１５はバイパス通
路、１６は接続口、１７は負圧制限機構である。
図、第２図はこの考案の他の実施例を示す概略構
成図、第３図は従来のガスサンプリング装置を示
す概略構成図、第４図はガスセンサの要部を示す
側断面図である。 図中、２はガスセンサ、３はガス通路、４は吸
気口、５は排気口、６は吸引ポンプ、１１はガス
サンプリング装置の本体、１２はＴ形継手、１３
はエゼクタ、１４は絞り弁、１５はバイパス通
路、１６は接続口、１７は負圧制限機構である。
Claims (1)
- 被検ガスのガス通路に、吸気口、Ｔ形継手、吸
引ポンプ、絞り弁を備えたエゼクタ、および排気
口とを順次直列に配設し、かつ前記Ｔ形継手から
分岐し前記エゼクタに形成した接続口との間に前
記ガス通路と並列にバイパス通路を設けてガスサ
ンプリング装置の本体を形成し、さらに前記被検
ガスを検知する電気化学式のガスセンサを前記吸
気口の前段に設けたことを特徴とする負圧制限機
構付ガスサンプリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984135163U JPH0431578Y2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984135163U JPH0431578Y2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150248U JPS6150248U (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0431578Y2 true JPH0431578Y2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=30693662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984135163U Expired JPH0431578Y2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431578Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1494451A (en) * | 1975-02-12 | 1977-12-07 | Smidth & Co As F L | Apparatus for measuring the content of dust in gases |
| JPS57146131A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Sampling device |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP1984135163U patent/JPH0431578Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150248U (ja) | 1986-04-04 |
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