JPH04315896A - 光メモリ - Google Patents
光メモリInfo
- Publication number
- JPH04315896A JPH04315896A JP3108783A JP10878391A JPH04315896A JP H04315896 A JPH04315896 A JP H04315896A JP 3108783 A JP3108783 A JP 3108783A JP 10878391 A JP10878391 A JP 10878391A JP H04315896 A JPH04315896 A JP H04315896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- information
- thin film
- light receiving
- receiving section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光メモリに係り、特に
読み出し、書き込み可能な光メモリに関する。
読み出し、書き込み可能な光メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】光信号よりなる情報を記録するデバイス
として従来光ディスクが知られている。そして読み出し
、書き込みが可能な光ディスクとしては光磁気ディスク
が最も有力であり、標準化の準備も進められている。 （日経エレクトロニクス９１−２−４、ｐ７５、技術速
報）
として従来光ディスクが知られている。そして読み出し
、書き込みが可能な光ディスクとしては光磁気ディスク
が最も有力であり、標準化の準備も進められている。 （日経エレクトロニクス９１−２−４、ｐ７５、技術速
報）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光ディスクの
情報は磁気ヘッドに対してシーケンシャルにレイアウト
されるものであり、その読み出し、書き込みもシーケン
シャルである。このためそのアクセスタイムは数１０ｍ
ｓｅｃと、メモリＩＣの約１、０００倍となる。すなわ
ちアクセス速度が極めて遅く、また２次元情報のランダ
ムアクセスには本来適していない。この発明はこのよう
な従来の問題点を解消すべく創案されたもので、高速読
み出し、書き込みが可能な光メモリを提供することを目
的とする。
情報は磁気ヘッドに対してシーケンシャルにレイアウト
されるものであり、その読み出し、書き込みもシーケン
シャルである。このためそのアクセスタイムは数１０ｍ
ｓｅｃと、メモリＩＣの約１、０００倍となる。すなわ
ちアクセス速度が極めて遅く、また２次元情報のランダ
ムアクセスには本来適していない。この発明はこのよう
な従来の問題点を解消すべく創案されたもので、高速読
み出し、書き込みが可能な光メモリを提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決する手段】この発明に係る光メモリは、強
誘電性液晶の双安定特性を利用し、光起電力効果による
液晶のドライブ、あるいは、光導電効果によるスイッチ
ングを用いた液晶のドライブによって、液晶の状態とし
て光情報を保持し、また強誘電性液晶に逆方向の電界を
加えることにより、メモリの一括クリアを行う。
誘電性液晶の双安定特性を利用し、光起電力効果による
液晶のドライブ、あるいは、光導電効果によるスイッチ
ングを用いた液晶のドライブによって、液晶の状態とし
て光情報を保持し、また強誘電性液晶に逆方向の電界を
加えることにより、メモリの一括クリアを行う。
【０００５】この発明に係る光メモリによれば、書き込
み時間は電気的なアドレッシング時間と液晶の状態変化
のための時間の和であり、読み出しは液晶の状態を面情
報として取り出す時間である。
み時間は電気的なアドレッシング時間と液晶の状態変化
のための時間の和であり、読み出しは液晶の状態を面情
報として取り出す時間である。
【０００６】
【実施例】次にこの発明に係る光メモリの１実施例を図
面に基づいて説明する。図１において、光メモリは光起
電力効果を有する物質、例えばａ−ＳｉＨよりなる薄膜
１、増幅器４と強誘電性液晶パネル２からなる。。図２
は液晶パネル２、増幅器４と薄膜１との電気的接続状態
を示すものであり、液晶パネル２のパーツ３（液晶パネ
ルにおいて１画素の表示に使用されるユニット）は、そ
の電極５が増幅器４を通じて薄膜１の対応部分Ｐに接続
されている。薄膜１は光入力Ｌによって起電力を生じる
。この薄膜１は太陽電池から構成され、パーツ３に対す
る電力は、パーツ３に対応した太陽電池の微小領域にお
いて生じる。ここで生じた電圧は、次に増幅器４により
増幅される。そしてこの増幅器により、液晶パネルを駆
動させるに充分な電圧が確保され、比較的発生電圧の低
い太陽電池の使用が可能となる。また、液晶パネルの双
極子モーメントが大きい場合、液晶パネルの状態を遷移
するためには高い電圧を必要とするが、この増幅器によ
り比較的双極子モーメントの大きい液晶パネルの駆動も
可能となる。図２では、光入力による起電力の発生をス
イッチＳＷ１によって表現している。
面に基づいて説明する。図１において、光メモリは光起
電力効果を有する物質、例えばａ−ＳｉＨよりなる薄膜
１、増幅器４と強誘電性液晶パネル２からなる。。図２
は液晶パネル２、増幅器４と薄膜１との電気的接続状態
を示すものであり、液晶パネル２のパーツ３（液晶パネ
ルにおいて１画素の表示に使用されるユニット）は、そ
の電極５が増幅器４を通じて薄膜１の対応部分Ｐに接続
されている。薄膜１は光入力Ｌによって起電力を生じる
。この薄膜１は太陽電池から構成され、パーツ３に対す
る電力は、パーツ３に対応した太陽電池の微小領域にお
いて生じる。ここで生じた電圧は、次に増幅器４により
増幅される。そしてこの増幅器により、液晶パネルを駆
動させるに充分な電圧が確保され、比較的発生電圧の低
い太陽電池の使用が可能となる。また、液晶パネルの双
極子モーメントが大きい場合、液晶パネルの状態を遷移
するためには高い電圧を必要とするが、この増幅器によ
り比較的双極子モーメントの大きい液晶パネルの駆動も
可能となる。図２では、光入力による起電力の発生をス
イッチＳＷ１によって表現している。
【０００７】前記薄膜１、増幅器４および液晶パネル２
を両側から挟む形で透明電極５、５が密着配置され、光
入力による状態遷移時には、この透明電極５にバイアス
電圧Ｅ０が印加される。このバイアス電圧は光入力の入
力条件に応じて調整される。光メモリは、さらに両面を
ガラス板６、６によって被服され、全体の保護が為され
ている。
を両側から挟む形で透明電極５、５が密着配置され、光
入力による状態遷移時には、この透明電極５にバイアス
電圧Ｅ０が印加される。このバイアス電圧は光入力の入
力条件に応じて調整される。光メモリは、さらに両面を
ガラス板６、６によって被服され、全体の保護が為され
ている。
【０００８】光メモリの書き込みに際しては、画像等の
２次元光情報を薄膜１に入力する。これによって、光エ
ネルギを受けた部分Ｐに生じた電力は増幅器４で増幅さ
れ、バイアス電圧Ｅ０と相俟って液晶に状態遷移を生じ
させるに充分な起電力が発生し、対応したパーツ３の液
晶の状態が変化する。各パーツ３の状態は、薄膜１の反
対側から２次元画像として光学的に読み取ることが可能
であり、その読み取り手段としてはイメージスキャナを
使用し得る。
２次元光情報を薄膜１に入力する。これによって、光エ
ネルギを受けた部分Ｐに生じた電力は増幅器４で増幅さ
れ、バイアス電圧Ｅ０と相俟って液晶に状態遷移を生じ
させるに充分な起電力が発生し、対応したパーツ３の液
晶の状態が変化する。各パーツ３の状態は、薄膜１の反
対側から２次元画像として光学的に読み取ることが可能
であり、その読み取り手段としてはイメージスキャナを
使用し得る。
【０００９】このように光メモリは２次元光情報を直接
書き込み、読み出しすることができ、また、その書き込
み時間は液晶の状態遷移に要する時間のみである。状態
遷移に必要な時間は、量産レベルで１００μｓｅｃのオ
ーダーと予想される。光メモリに一旦情報を書き込んだ
後に新たな情報を書き込むためには、光メモリのクリア
が必要である。このため透明電極５には、逆バイアス用
の電源ＥｒおよびスイッチＳＷ２が接続され、スイッチ
２の閉成により、全てのパーツの液晶を一括して初期状
態に復元する。
書き込み、読み出しすることができ、また、その書き込
み時間は液晶の状態遷移に要する時間のみである。状態
遷移に必要な時間は、量産レベルで１００μｓｅｃのオ
ーダーと予想される。光メモリに一旦情報を書き込んだ
後に新たな情報を書き込むためには、光メモリのクリア
が必要である。このため透明電極５には、逆バイアス用
の電源ＥｒおよびスイッチＳＷ２が接続され、スイッチ
２の閉成により、全てのパーツの液晶を一括して初期状
態に復元する。
【００１０】次に、図３に基づいてこの発明の第２実施
例を説明する。図３は、第２実施例の断面図であり、前
記光起電力効果を有する薄膜に替えて、光導電効果を有
する薄膜７を用いている。図４の等価回路において、薄
膜７は可変抵抗で表現されており、光導電効果によって
薄膜７の抵抗値が低下することにより、透明電極５のバ
イアス電圧Ｅ０によるパーツ３に対する起電力が増大し
、更に増幅器４により充分増幅された電力によりパーツ
３の液晶に状態遷移が生じる。この実施例においても、
メモリクリアは電源Ｅｒの逆起電力を用いる。
例を説明する。図３は、第２実施例の断面図であり、前
記光起電力効果を有する薄膜に替えて、光導電効果を有
する薄膜７を用いている。図４の等価回路において、薄
膜７は可変抵抗で表現されており、光導電効果によって
薄膜７の抵抗値が低下することにより、透明電極５のバ
イアス電圧Ｅ０によるパーツ３に対する起電力が増大し
、更に増幅器４により充分増幅された電力によりパーツ
３の液晶に状態遷移が生じる。この実施例においても、
メモリクリアは電源Ｅｒの逆起電力を用いる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アクセス
速度が速く、２次元情報量のランダムアクセスに適した
高速読み出し、書き込みが可能という効果を得ることが
可能である。
速度が速く、２次元情報量のランダムアクセスに適した
高速読み出し、書き込みが可能という効果を得ることが
可能である。
【図１】光起電力効果を有する薄膜を用いた光メモリの
断面図である。
断面図である。
【図２】液晶パネルと光起電力効果を有する薄膜との電
気的接続状態を示す回路図である。
気的接続状態を示す回路図である。
【図３】光導電効果を有する薄膜を用いた光メモリの断
面図である。
面図である。
【図４】液晶パネルと光導電効果を有する薄膜との電気
的接続状態を示す回路図である。
的接続状態を示す回路図である。
１ 薄膜（光起電力効果を有する受光部
）２ 強誘電性液晶パネル３
パーツ ４ 増幅器 ５ 電極 ７ 薄膜（光導電効果を有する受光部）
ＷＳ１ スイッチ ＷＳ２ スイッチ
）２ 強誘電性液晶パネル３
パーツ ４ 増幅器 ５ 電極 ７ 薄膜（光導電効果を有する受光部）
ＷＳ１ スイッチ ＷＳ２ スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 光起電力効果を有する物質よりなる受
光部と、この受光部の微小領域ごとにパーツが電気的に
接続された強誘電性液晶パネルと、前記受光部と前記パ
ーツの間に接続された増幅器と、前記受光部の起電力と
は逆方向の電界を前記パーツに印加する電極と、この電
極と前記パーツとを開閉可能に接続するスイッチとを備
えている光メモリ。 - 【請求項２】 光導電性物質よりなる受光部と、この
受光部の微小領域ごとにパーツが電気的に接続された強
誘電性液晶パネルと、前記パーツに電界を与えるように
、前記微小領域に対する電界をパーツに印加する第１電
極と、前記受光部と前記パーツの間に接続された増幅器
と、前記電界とは逆方向の電界を前記パーツに印加する
第２電極と、前記第１、第２電極と前記パーツとを開閉
可能に接続する第１、第２スイッチとを備えている光メ
モリ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108783A JPH04315896A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 光メモリ |
| US07/865,273 US5359565A (en) | 1991-04-12 | 1992-04-08 | Optical memory |
| DE69214992T DE69214992T2 (de) | 1991-04-12 | 1992-04-10 | Optischer Speicher |
| EP92106266A EP0509418B1 (en) | 1991-04-12 | 1992-04-10 | Optical memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108783A JPH04315896A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 光メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315896A true JPH04315896A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14493369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108783A Pending JPH04315896A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 光メモリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359565A (ja) |
| EP (1) | EP0509418B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04315896A (ja) |
| DE (1) | DE69214992T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1214714A1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-06-19 | Optidisc International Limited | Recordable volumetric data store with fluid medium |
| JP4110380B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2008-07-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 表示記録媒体及び情報書き込み装置 |
| US7397624B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-07-08 | Seagate Technology Llc | Transducers for ferroelectric storage medium |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3747075A (en) * | 1970-04-03 | 1973-07-17 | Rca Corp | Electro-optical storage device |
| US3681765A (en) * | 1971-03-01 | 1972-08-01 | Ibm | Ferroelectric/photoconductor memory element |
| JPS5327938B2 (ja) * | 1971-12-17 | 1978-08-11 | ||
| DD120726A1 (ja) * | 1975-06-09 | 1976-06-20 | ||
| JPS59216126A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Canon Inc | 液晶装置 |
| US4622654A (en) * | 1984-01-16 | 1986-11-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Liquid crystal light valve with memory |
| GB2181263B (en) * | 1985-10-02 | 1989-09-27 | Stc Plc | Optical storage medium |
| US4832456A (en) * | 1986-03-04 | 1989-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal disc memory with circular grooves for auto-focusing of write-in beam |
| US5029983A (en) * | 1986-12-06 | 1991-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a smectic chiral liquid crystal |
| GB2205173B (en) * | 1987-05-29 | 1991-06-19 | Stephen William Hurrell | Three dimensional optical memory |
| JPS6418130A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal light valve |
| JPH0240197A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 光記憶回路 |
| JP2693514B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | 情報記録媒体 |
| DE3906527A1 (de) * | 1989-03-02 | 1990-09-06 | Basf Ag | Polymere diskotisch fluessigkristalline ladungsuebertragungs(charge transfer)-komplexe, ihre herstellung und ihre verwendung |
| JPH02260198A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Tokyo Noukou Univ | 液晶電気光学メモリーデバイス |
| EP0402944A3 (en) * | 1989-06-16 | 1992-05-27 | Seiko Instruments Inc. | Light addressed liquid crystal light valve |
| JPH07104519B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1995-11-13 | セイコー電子工業株式会社 | 光書込型液晶ライトバルブ装置の駆動方法 |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3108783A patent/JPH04315896A/ja active Pending
-
1992
- 1992-04-08 US US07/865,273 patent/US5359565A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-10 DE DE69214992T patent/DE69214992T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-10 EP EP92106266A patent/EP0509418B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0509418A1 (en) | 1992-10-21 |
| EP0509418B1 (en) | 1996-11-06 |
| DE69214992D1 (de) | 1996-12-12 |
| US5359565A (en) | 1994-10-25 |
| DE69214992T2 (de) | 1997-03-06 |
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