JPH04317062A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH04317062A JPH04317062A JP3084057A JP8405791A JPH04317062A JP H04317062 A JPH04317062 A JP H04317062A JP 3084057 A JP3084057 A JP 3084057A JP 8405791 A JP8405791 A JP 8405791A JP H04317062 A JPH04317062 A JP H04317062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase shift
- resist film
- glass substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造におけるリソグラフィプロセスに用いられる位相シ
フトマスクの製造方法に関する。
製造におけるリソグラフィプロセスに用いられる位相シ
フトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光露光の解像度を向上できる位相シフト
マスクを用いたリソグラフィ技術が実用化されつつある
。位相シフトマスクは、例えば図２に示すように、ライ
ンアンドスペース（以下Ｌ／Ｓ）のパターンにおいては
（図２Ａ）、光遮蔽膜８の間に形成されたスリット部の
一つおきに、露光光の位相を１８０°反転させるシフタ
膜９（例えばＳｉＯ２膜）がスリット部を覆うように形
成されている。また、孤立パターンにおいては（図２Ｂ
）、孤立パターン１１の周辺に追加スリット１２を形成
し、この追加スリット１２をシフタ膜が覆っている（Ｓ
ＰＩＥ Ｖｏｌ．１０８８ Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅ
ｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＩＩ １９８
９年、第２５頁乃至第３３頁参照）。そして位相シフト
マスクを用いて基板上に形成したレジストのパターニン
グを行う場合に、シフタ膜９のないスリット部１０を透
過した光とシフタ膜９を通過した光（図２Ａ）とで、ま
た孤立パターン１１を通過した光とシフタ膜で覆われた
追加スリット１２を通過した光（図２Ｂ）とで、夫々位
相が１８０°反転した光の干渉効果により、レジストに
おける露光パターンのコントラストを向上できる。この
ときの位相シフト条件は、露光光の波長、シフタ膜の屈
折率及び膜厚により一義的に定まる。
マスクを用いたリソグラフィ技術が実用化されつつある
。位相シフトマスクは、例えば図２に示すように、ライ
ンアンドスペース（以下Ｌ／Ｓ）のパターンにおいては
（図２Ａ）、光遮蔽膜８の間に形成されたスリット部の
一つおきに、露光光の位相を１８０°反転させるシフタ
膜９（例えばＳｉＯ２膜）がスリット部を覆うように形
成されている。また、孤立パターンにおいては（図２Ｂ
）、孤立パターン１１の周辺に追加スリット１２を形成
し、この追加スリット１２をシフタ膜が覆っている（Ｓ
ＰＩＥ Ｖｏｌ．１０８８ Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅ
ｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＩＩ １９８
９年、第２５頁乃至第３３頁参照）。そして位相シフト
マスクを用いて基板上に形成したレジストのパターニン
グを行う場合に、シフタ膜９のないスリット部１０を透
過した光とシフタ膜９を通過した光（図２Ａ）とで、ま
た孤立パターン１１を通過した光とシフタ膜で覆われた
追加スリット１２を通過した光（図２Ｂ）とで、夫々位
相が１８０°反転した光の干渉効果により、レジストに
おける露光パターンのコントラストを向上できる。この
ときの位相シフト条件は、露光光の波長、シフタ膜の屈
折率及び膜厚により一義的に定まる。
【０００３】位相シフトマスクの作製において、位相シ
フタ膜を作製するときに所定のスリット部だけを覆うよ
うにしなくてはならず、その位置合わせの困難性が実用
化の障害となっていた。
フタ膜を作製するときに所定のスリット部だけを覆うよ
うにしなくてはならず、その位置合わせの困難性が実用
化の障害となっていた。
【０００４】そこで、シフタ膜を自己整合プロセスによ
って形成する技術が開発されている（例えば１９９０年
春季応用物理学会予稿集、２８ａ−ＰＤ−２、２８ａ−
ＰＤ−３、第４７４頁参照）。
って形成する技術が開発されている（例えば１９９０年
春季応用物理学会予稿集、２８ａ−ＰＤ−２、２８ａ−
ＰＤ−３、第４７４頁参照）。
【０００５】図３に自己整合型位相シフトマスクの製造
工程の一例を示す。
工程の一例を示す。
【０００６】まず、光遮蔽膜としてのクロム膜１４が形
成されたガラス基板１３上にレジスト１５を塗布した後
このレジストのパターニングを行い（図３Ａ）、クロム
膜１４をウェットエッチングによりパターニングする（
図３Ｂ）。次に、レジスト１５を除去した後、シフタ膜
としてＰＭＭＡ膜１６を位相が反転する厚さに塗布し、
ガラス基板１３の裏面から露光する（図３Ｃ）。そして
、現像によりＰＭＭＡ膜１６の感光した部分を除去し（
図３Ｄ）、ＰＭＭＡ膜１６をマスクとしてクロム膜１４
のサイドエッチをウェットエッチングにより行って（図
３Ｅ）位相シフトマスクが完成する。
成されたガラス基板１３上にレジスト１５を塗布した後
このレジストのパターニングを行い（図３Ａ）、クロム
膜１４をウェットエッチングによりパターニングする（
図３Ｂ）。次に、レジスト１５を除去した後、シフタ膜
としてＰＭＭＡ膜１６を位相が反転する厚さに塗布し、
ガラス基板１３の裏面から露光する（図３Ｃ）。そして
、現像によりＰＭＭＡ膜１６の感光した部分を除去し（
図３Ｄ）、ＰＭＭＡ膜１６をマスクとしてクロム膜１４
のサイドエッチをウェットエッチングにより行って（図
３Ｅ）位相シフトマスクが完成する。
【０００７】このほか、図３におけるレジスト膜１５に
、ＰＭＭＡを用い、その厚さを位相が反転する厚さに形
成しておいて、図３Ｂの工程の後、図３Ｅの工程、レジ
スト膜１５（ＰＭＭＡ膜）をマスクとしてクロム膜のサ
イドエッチングを行っても、同様の位相シフトマスクの
製造ができる。また、図３Ｂの状態から、レジスト膜１
５をマスクとしてガラス基板１３をＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）により元の厚さのガラス基板を通過する
光に対して１８０°位相が反転する厚さになるようにエ
ッチングし、更にクロム膜１４のサイドエッチングを行
い、その後レジスト膜１５を除去して、自己整合型の位
相シフトマスクを製造する方法もある。このときは、ガ
ラス基板の一方の厚さの部分が他方の厚さの部分に対す
る位相シフタとなり、ガラス基板の厚さの違いで位相シ
フトが起こる。
、ＰＭＭＡを用い、その厚さを位相が反転する厚さに形
成しておいて、図３Ｂの工程の後、図３Ｅの工程、レジ
スト膜１５（ＰＭＭＡ膜）をマスクとしてクロム膜のサ
イドエッチングを行っても、同様の位相シフトマスクの
製造ができる。また、図３Ｂの状態から、レジスト膜１
５をマスクとしてガラス基板１３をＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）により元の厚さのガラス基板を通過する
光に対して１８０°位相が反転する厚さになるようにエ
ッチングし、更にクロム膜１４のサイドエッチングを行
い、その後レジスト膜１５を除去して、自己整合型の位
相シフトマスクを製造する方法もある。このときは、ガ
ラス基板の一方の厚さの部分が他方の厚さの部分に対す
る位相シフタとなり、ガラス基板の厚さの違いで位相シ
フトが起こる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の図３に示す位相
シフトマスクでは、シフタ膜としてレジスト材料である
ＰＭＭＡを用いているので、マスクの耐久性に問題があ
り、また慎重な取扱いをしなければならない。
シフトマスクでは、シフタ膜としてレジスト材料である
ＰＭＭＡを用いているので、マスクの耐久性に問題があ
り、また慎重な取扱いをしなければならない。
【０００９】また、ガラス基板の厚さを部分的に変える
ことで位相シフトを実現する場合、ガラスをエッチング
するのに、ガラス基板に対してＲＩＥを行うために、そ
の工程においてガラス基板を損傷し、損傷により光透過
性が低下する虞がある。
ことで位相シフトを実現する場合、ガラスをエッチング
するのに、ガラス基板に対してＲＩＥを行うために、そ
の工程においてガラス基板を損傷し、損傷により光透過
性が低下する虞がある。
【００１０】本発明は、斯様な点に鑑みて成されたもの
で、ガラス基板を加工することなく、損傷しにくいシフ
ト材を用いて、自己整合によりシフト膜の形成を行う位
相シフトマスクの製造方法を提供するものである。
で、ガラス基板を加工することなく、損傷しにくいシフ
ト材を用いて、自己整合によりシフト膜の形成を行う位
相シフトマスクの製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は自己整合型の位
相シフトマスクの製造方法であって、ガラス基板上に形
成された光遮蔽膜上にレジスト膜を形成する工程と、該
レジスト膜をパターニングする工程と、パターニングさ
れたレジスト膜をマスクとしてレジスト膜下の光遮蔽膜
の一部と共に光遮蔽膜をエッチングする工程と、レジス
ト膜及び露出しているガラス基板上にシフタ膜を堆積す
る工程と、レジスト膜上のシフタ膜と共にレジスト膜を
除去する工程とを含むものである。
相シフトマスクの製造方法であって、ガラス基板上に形
成された光遮蔽膜上にレジスト膜を形成する工程と、該
レジスト膜をパターニングする工程と、パターニングさ
れたレジスト膜をマスクとしてレジスト膜下の光遮蔽膜
の一部と共に光遮蔽膜をエッチングする工程と、レジス
ト膜及び露出しているガラス基板上にシフタ膜を堆積す
る工程と、レジスト膜上のシフタ膜と共にレジスト膜を
除去する工程とを含むものである。
【００１２】
【作用】シフタ膜は、レジスト材のように塗布して形成
するものではなく、ガラス基板上に堆積させて形成する
ものなので、ガラス基板にダメージを与えることなく、
耐久性の優れたシフタ膜が形成される。
するものではなく、ガラス基板上に堆積させて形成する
ものなので、ガラス基板にダメージを与えることなく、
耐久性の優れたシフタ膜が形成される。
【００１３】
【実施例】図１は本発明方法一実施例に係る自己整合型
の位相シフトマスクの製造工程図である。
の位相シフトマスクの製造工程図である。
【００１４】１はマスクの本体となるガラス基板で、そ
の表面にクロムを約８０００Åの膜厚で蒸着して光遮蔽
膜としてのクロム膜２形成する（図１Ａ）。このクロム
膜２上にＰＭＭＡ等のレジスト膜３をスピンコートし、
電子線露光により所望のレジストパターンを描画して現
像し、レジストパターンを形成する（図１Ｂ）。例えば
５倍のレチクルマスクであれば、半導体基板上で０．５
μｍ径のスルーホールに対しては２．５μｍ径のパター
ンが形成される。
の表面にクロムを約８０００Åの膜厚で蒸着して光遮蔽
膜としてのクロム膜２形成する（図１Ａ）。このクロム
膜２上にＰＭＭＡ等のレジスト膜３をスピンコートし、
電子線露光により所望のレジストパターンを描画して現
像し、レジストパターンを形成する（図１Ｂ）。例えば
５倍のレチクルマスクであれば、半導体基板上で０．５
μｍ径のスルーホールに対しては２．５μｍ径のパター
ンが形成される。
【００１５】パターニングされたレジスト膜３をマスク
として、クロム膜２の露出している部分及びレジスト膜
３下の一部をエッチング（クロム膜２のパターニングと
サイドエッチング）する（図１Ｃ）。このエッチングに
は、エッチャントとしてＣｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６
を用いたウェットエッチングで行う。上述の例であれば
サイドエッチ幅は０．３μｍとする。
として、クロム膜２の露出している部分及びレジスト膜
３下の一部をエッチング（クロム膜２のパターニングと
サイドエッチング）する（図１Ｃ）。このエッチングに
は、エッチャントとしてＣｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６
を用いたウェットエッチングで行う。上述の例であれば
サイドエッチ幅は０．３μｍとする。
【００１６】次いで、この上面全面からシフタ材を堆積
する。シフタ材としてＳｉＯ２膜を適用し、ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ（エレクトロンサイクロトロンレゾナンス−ＣＶＤ
）法によりＳｉＯ２膜４を堆積させる（図１Ｄ）。ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ法では、低温でＳｉＯ２膜が形成できるため
、熱によるレジスト膜３のパターン変形が防げる。
する。シフタ材としてＳｉＯ２膜を適用し、ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ（エレクトロンサイクロトロンレゾナンス−ＣＶＤ
）法によりＳｉＯ２膜４を堆積させる（図１Ｄ）。ＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ法では、低温でＳｉＯ２膜が形成できるため
、熱によるレジスト膜３のパターン変形が防げる。
【００１７】また、位相を１８０°反転させるための膜
厚ｔは、ｔ＝λ／（２（ｎ−１））；ｎは屈折率、で与
えられる。露光光の位相を１８０°反転させる位相シフ
ト条件は、露光光の波長、シフタ膜の屈折率及び膜厚に
より一義的に定まるので、シフタ膜の膜厚制御が非常に
重要となる。
厚ｔは、ｔ＝λ／（２（ｎ−１））；ｎは屈折率、で与
えられる。露光光の位相を１８０°反転させる位相シフ
ト条件は、露光光の波長、シフタ膜の屈折率及び膜厚に
より一義的に定まるので、シフタ膜の膜厚制御が非常に
重要となる。
【００１８】光源に水銀ランプを用いたλ＝３６５ｎｍ
のｉ線露光を行う場合、この波長における石英ガラス（
ＳｉＯ２）の屈折率はｎ＝１．４７５５であるので、シ
フタ膜４（ＳｉＯ２膜）は、膜厚ｔ＝３８３．８ｎｍに
形成される。
のｉ線露光を行う場合、この波長における石英ガラス（
ＳｉＯ２）の屈折率はｎ＝１．４７５５であるので、シ
フタ膜４（ＳｉＯ２膜）は、膜厚ｔ＝３８３．８ｎｍに
形成される。
【００１９】そして、レジスト膜３をその上に堆積して
いるＳｉＯ２膜４と共にアセトンでリフトオフして位相
シフトマスクが完成する（図１Ｅ）。尚、その後、アニ
ールによるＳｉＯ２膜４の膜質改善を行ってもよい。
いるＳｉＯ２膜４と共にアセトンでリフトオフして位相
シフトマスクが完成する（図１Ｅ）。尚、その後、アニ
ールによるＳｉＯ２膜４の膜質改善を行ってもよい。
【００２０】斯様にして製造された位相シフトマスクで
は、ガラス基板だけの部分５を通過する露光光と、シフ
タ膜であるＳｉＯ２膜４を通過する露光光とでは、Ｓｉ
Ｏ２膜４により位相が１８０°ずれる。これにより、半
導体装置の製造過程におけるレジストのパターニング工
程で、位相が１８０°反転した光の干渉効果により、レ
ジストの露光パターンのコントラストが向上される。
は、ガラス基板だけの部分５を通過する露光光と、シフ
タ膜であるＳｉＯ２膜４を通過する露光光とでは、Ｓｉ
Ｏ２膜４により位相が１８０°ずれる。これにより、半
導体装置の製造過程におけるレジストのパターニング工
程で、位相が１８０°反転した光の干渉効果により、レ
ジストの露光パターンのコントラストが向上される。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上の説明から明らかなよう
に、光遮蔽膜を形成するためレジスト膜を用いて、露光
パターンの光透過部分にシフタ膜を堆積して形成してい
るので、光遮蔽膜のパターンとシフタ膜のパターンの二
つのパターンの位置合わせ作業が要らない自己整合でマ
スク作製ができる。また、シフタ材として堆積による強
度に強いものを形成できるので、耐久性に優れ取扱いの
容易なマスクを作製っすることができる。更に、位相シ
フトのためにガラス基板を加工しないのでガラス基板に
ダメージを与えることなく、損傷による光透過性の低下
の虞もない。
に、光遮蔽膜を形成するためレジスト膜を用いて、露光
パターンの光透過部分にシフタ膜を堆積して形成してい
るので、光遮蔽膜のパターンとシフタ膜のパターンの二
つのパターンの位置合わせ作業が要らない自己整合でマ
スク作製ができる。また、シフタ材として堆積による強
度に強いものを形成できるので、耐久性に優れ取扱いの
容易なマスクを作製っすることができる。更に、位相シ
フトのためにガラス基板を加工しないのでガラス基板に
ダメージを与えることなく、損傷による光透過性の低下
の虞もない。
【図１】本発明方法一実施例に係る自己整合型の位相シ
フトマスクの製造工程図である。
フトマスクの製造工程図である。
【図２】位相シフトマスクの概略構成図である。
【図３】従来の自己整合型の位相シフトマスクの製造工
程図である。
程図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板上に形成された光遮蔽膜上
にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をパター
ニングする工程と、パターニングされたレジスト膜をマ
スクとしてレジスト膜下の光遮蔽膜の一部と共に光遮蔽
膜をエッチングする工程と、レジスト膜及び露出してい
るガラス基板上にシフタ膜を堆積する工程と、レジスト
膜上のシフタ膜と共にレジスト膜を除去する工程とを含
むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084057A JPH04317062A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084057A JPH04317062A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317062A true JPH04317062A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13819870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084057A Pending JPH04317062A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025049951A (ja) * | 2023-09-22 | 2025-04-04 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3084057A patent/JPH04317062A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025049951A (ja) * | 2023-09-22 | 2025-04-04 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04233541A (ja) | 光学マスクとその欠陥修正方法 | |
| JP2641362B2 (ja) | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 | |
| KR0128827B1 (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
| JP3531666B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2002318449A (ja) | 位相シフト・マスク | |
| KR100217711B1 (ko) | 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법 | |
| JPH1020471A (ja) | 露光マスクの製造方法 | |
| JPH03125150A (ja) | マスク及びマスク作製方法 | |
| JPH04317062A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2624351B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP3998756B2 (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
| JP2734753B2 (ja) | 位相シフトマスクの形成方法 | |
| JP3427604B2 (ja) | 位相シフト露光マスクの製造方法 | |
| JPH0378747A (ja) | マスク及びマスク製造方法 | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH07152146A (ja) | 位相シフトマスクの作製方法 | |
| EP0766138A2 (en) | Spun-on glass layer as a dry etch-mask, for fabricating a metallic mask by means of a bi-level process | |
| JPH0413141A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR960011465B1 (ko) | 반도체 제조용 위상반전 마스크 제조방법 | |
| JPH05134386A (ja) | 位相シフトフオトマスク | |
| KR100524630B1 (ko) | 선택적 감쇄형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR0143339B1 (ko) | 위상반전 마스크 제조방법 | |
| KR100249725B1 (ko) | 위상쉬프트포토마스크 | |
| JPH06148862A (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| KR950010195B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 |