JPH04318528A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JPH04318528A JPH04318528A JP8559791A JP8559791A JPH04318528A JP H04318528 A JPH04318528 A JP H04318528A JP 8559791 A JP8559791 A JP 8559791A JP 8559791 A JP8559791 A JP 8559791A JP H04318528 A JPH04318528 A JP H04318528A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等
に変換する光波長変換装置、特に詳細には、非線形光学
材料の結晶を用いた光波長変換装置に関するものである
。
に変換する光波長変換装置、特に詳細には、非線形光学
材料の結晶を用いた光波長変換装置に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】従来より、非線形光学材料による第２高
調波等の発生を利用して、レーザー光を波長変換（短波
長化）する試みが種々なされている。このようにして波
長変換を行なう光波長変換素子として具体的には、例え
ば「光エレクトロニクスの基礎」Ａ．ＹＡＲＩＶ著，多
田邦雄，神谷武志訳（丸善株式会社）のｐ２００〜２０
４に示されるようなバルク結晶型のものがよく知られて
いる。
調波等の発生を利用して、レーザー光を波長変換（短波
長化）する試みが種々なされている。このようにして波
長変換を行なう光波長変換素子として具体的には、例え
ば「光エレクトロニクスの基礎」Ａ．ＹＡＲＩＶ著，多
田邦雄，神谷武志訳（丸善株式会社）のｐ２００〜２０
４に示されるようなバルク結晶型のものがよく知られて
いる。
【０００３】ところで上記非線形光学材料の結晶を使用
する場合、基本波と波長変換波とを位相整合させるため
に、結晶温度を比較的狭い許容範囲内で所定温度に制御
しなければならないことが多い。例えば青色領域の波長
変換波を得るために好適に利用されるＫＮｂＯ３ にあ
っては、上記温度許容範囲は約０．３ ℃・ｃｍである
。また、緑色、青色領域の波長変換波を得るために好適
に利用されるＬｉＮｂＯ３ にあっては上記温度許容範
囲は約０．６ ℃・ｃｍである。その他ＢＮＮＢ、ＫＤ
Ｐ等の温度許容範囲の小さい非線形光学材料の結晶があ
る。
する場合、基本波と波長変換波とを位相整合させるため
に、結晶温度を比較的狭い許容範囲内で所定温度に制御
しなければならないことが多い。例えば青色領域の波長
変換波を得るために好適に利用されるＫＮｂＯ３ にあ
っては、上記温度許容範囲は約０．３ ℃・ｃｍである
。また、緑色、青色領域の波長変換波を得るために好適
に利用されるＬｉＮｂＯ３ にあっては上記温度許容範
囲は約０．６ ℃・ｃｍである。その他ＢＮＮＢ、ＫＤ
Ｐ等の温度許容範囲の小さい非線形光学材料の結晶があ
る。
【０００４】そこで従来より、ペルチェ素子等を用いて
、非線形光学材料の結晶を所定温度に温度調節すること
が行なわれている。
、非線形光学材料の結晶を所定温度に温度調節すること
が行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、結晶温度を正
確に位相整合温度Ｔ０ に設定しても、位相整合が取れ
て波長変換波が生じると、この短波長の波長変換波を非
線形光学材料結晶の発振領域が吸収して温度上昇し、そ
の部分が位相整合温度Ｔ０ よりも高温になってしまう
。そうなると、特に前述のＫＮｂＯ３ のように位相整
合の温度許容範囲が狭い結晶を用いている場合は、波長
変換効率が大幅に低下してしまう。
確に位相整合温度Ｔ０ に設定しても、位相整合が取れ
て波長変換波が生じると、この短波長の波長変換波を非
線形光学材料結晶の発振領域が吸収して温度上昇し、そ
の部分が位相整合温度Ｔ０ よりも高温になってしまう
。そうなると、特に前述のＫＮｂＯ３ のように位相整
合の温度許容範囲が狭い結晶を用いている場合は、波長
変換効率が大幅に低下してしまう。
【０００６】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、非線形光学材料結晶の発振領域が波長変
換波を吸収して位相整合温度から外れてしまうことを防
止して、常に高い波長変換効率を得ることができる光波
長変換装置を提供することを目的とするものである。
たものであり、非線形光学材料結晶の発振領域が波長変
換波を吸収して位相整合温度から外れてしまうことを防
止して、常に高い波長変換効率を得ることができる光波
長変換装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の光波
長変換装置は、前述したように非線形光学材料の結晶に
基本波を入射させて、該基本波を第２高調波等に波長変
換する光波長変換装置において、◆非線形光学材料の結
晶の温度を調節する温度調節手段と、◆波長変換波の光
強度を検出する検出手段と、◆この検出手段の出力を受
け、該出力が示す光強度が所定の目標値に収束するよう
に上記温度調節手段の駆動を制御する制御手段とが設け
られたことを特徴とするものである。
長変換装置は、前述したように非線形光学材料の結晶に
基本波を入射させて、該基本波を第２高調波等に波長変
換する光波長変換装置において、◆非線形光学材料の結
晶の温度を調節する温度調節手段と、◆波長変換波の光
強度を検出する検出手段と、◆この検出手段の出力を受
け、該出力が示す光強度が所定の目標値に収束するよう
に上記温度調節手段の駆動を制御する制御手段とが設け
られたことを特徴とするものである。
【０００８】また本発明による第２の光波長変換装置は
、上述と同様に非線形光学材料の結晶により基本波を第
２高調波等に変換する光波長変換装置において、◆非線
形光学材料の結晶を、位相整合温度Ｔ０ に達するまで
加熱してから、次いでＴ１ ＝Ｔ０ −ΔＴ（ただしΔ
Ｔは、結晶の発振領域の波長変換波吸収による温度上昇
分）なる温度Ｔ１ に収束させる温度調節手段が設けら
れたことを特徴とするものである。
、上述と同様に非線形光学材料の結晶により基本波を第
２高調波等に変換する光波長変換装置において、◆非線
形光学材料の結晶を、位相整合温度Ｔ０ に達するまで
加熱してから、次いでＴ１ ＝Ｔ０ −ΔＴ（ただしΔ
Ｔは、結晶の発振領域の波長変換波吸収による温度上昇
分）なる温度Ｔ１ に収束させる温度調節手段が設けら
れたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用および発明の効果】上記構成の第１の光波長変換
装置においては、非線形光学材料の結晶から実際に出射
する波長変換波の光強度が、所定の目標値に収束するよ
うに結晶温度を調節しているから、結果的に結晶温度が
位相整合温度に維持されて、波長変換効率が高く保たれ
る。
装置においては、非線形光学材料の結晶から実際に出射
する波長変換波の光強度が、所定の目標値に収束するよ
うに結晶温度を調節しているから、結果的に結晶温度が
位相整合温度に維持されて、波長変換効率が高く保たれ
る。
【００１０】また上記構成の第２の光波長変換装置にお
いては、最初に結晶を位相整合温度Ｔ０ になるまで温
度上昇させる際、良好に位相整合が取られるまでは波長
変換波吸収による温度分布がほとんど無いから、発振領
域の温度も最終的にＴ０ となり、そこで高効率の下に
波長変換波が発生する。その後結晶温度をＴ１ に収束
させれば、結晶の発振領域の温度がちょうどＴ０ に維
持されるから、高強度の波長変換波が引き続き発生する
ようになる。
いては、最初に結晶を位相整合温度Ｔ０ になるまで温
度上昇させる際、良好に位相整合が取られるまでは波長
変換波吸収による温度分布がほとんど無いから、発振領
域の温度も最終的にＴ０ となり、そこで高効率の下に
波長変換波が発生する。その後結晶温度をＴ１ に収束
させれば、結晶の発振領域の温度がちょうどＴ０ に維
持されるから、高強度の波長変換波が引き続き発生する
ようになる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
波長変換装置を示すものである。この光波長変換装置は
一例として、レーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーに組み込まれたものである。このレーザーダイオード
ポンピング固体レーザーは、ポンピング光としてのレー
ザービーム１３を発する半導体レーザー（フェーズドア
レイレーザー）１４と、発散光である上記レーザービー
ム１３を集束させる集光レンズ１５と、ネオジウム（Ｎ
ｄ）がドーピングされた固体レーザーロッドであるＹＡ
Ｇロッド（以下、Ｎｄ：ＹＡＧロッドと称する）１６と
、このＮｄ：ＹＡＧロッド１６の前方側（図中右方側）
に配されたＫＮｂＯ３結晶１０とからなる。以上述べた
各要素は、共通の筐体（図示せず）にマウントされて一
体化されている。なおフェーズドアレイレーザー１４は
、図示しないペルチェ素子と温調回路により、所定温度
に温調される。 このフェーズドアレイレーザー１４としては、波長λ１
＝８１０ ｎｍのレーザービーム１３を発するものが
用いられている。一方Ｎｄ：ＹＡＧロッド１６は、上記
レーザービーム１３によってネオジウム原子が励起され
ることにより、波長λ２ ＝９４６ｎｍのレーザービー
ム１１を発する。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
波長変換装置を示すものである。この光波長変換装置は
一例として、レーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーに組み込まれたものである。このレーザーダイオード
ポンピング固体レーザーは、ポンピング光としてのレー
ザービーム１３を発する半導体レーザー（フェーズドア
レイレーザー）１４と、発散光である上記レーザービー
ム１３を集束させる集光レンズ１５と、ネオジウム（Ｎ
ｄ）がドーピングされた固体レーザーロッドであるＹＡ
Ｇロッド（以下、Ｎｄ：ＹＡＧロッドと称する）１６と
、このＮｄ：ＹＡＧロッド１６の前方側（図中右方側）
に配されたＫＮｂＯ３結晶１０とからなる。以上述べた
各要素は、共通の筐体（図示せず）にマウントされて一
体化されている。なおフェーズドアレイレーザー１４は
、図示しないペルチェ素子と温調回路により、所定温度
に温調される。 このフェーズドアレイレーザー１４としては、波長λ１
＝８１０ ｎｍのレーザービーム１３を発するものが
用いられている。一方Ｎｄ：ＹＡＧロッド１６は、上記
レーザービーム１３によってネオジウム原子が励起され
ることにより、波長λ２ ＝９４６ｎｍのレーザービー
ム１１を発する。
【００１２】Ｎｄ：ＹＡＧロッド１６の光入射側面１６
ａには、波長９４６ ｎｍのレーザービーム１１は良好
に反射させ（反射率９９．９％以上）、波長８１０ ｎ
ｍのポンピング用レーザービーム１３は良好に透過させ
る（透過率９９％以上）コーティング１８が施されてい
る。一方ＫＮｂＯ３ 結晶１０の前方側の端面１０ａは
球面の一部をなす形状とされ、その表面には、波長８１
０ ｎｍのレーザービーム１３および波長９４６ ｎｍ
のレーザービーム１１は良好に反射させ、そして後述す
る波長４７３ ｎｍの第２高調波１２は良好に透過させ
るコーティング１９が施されている。したがって波長９
４６ ｎｍのレーザービーム１１は、上記の面１６ａ、
１０ａ間に閉じ込められて、レーザー発振を引き起こす
。
ａには、波長９４６ ｎｍのレーザービーム１１は良好
に反射させ（反射率９９．９％以上）、波長８１０ ｎ
ｍのポンピング用レーザービーム１３は良好に透過させ
る（透過率９９％以上）コーティング１８が施されてい
る。一方ＫＮｂＯ３ 結晶１０の前方側の端面１０ａは
球面の一部をなす形状とされ、その表面には、波長８１
０ ｎｍのレーザービーム１３および波長９４６ ｎｍ
のレーザービーム１１は良好に反射させ、そして後述す
る波長４７３ ｎｍの第２高調波１２は良好に透過させ
るコーティング１９が施されている。したがって波長９
４６ ｎｍのレーザービーム１１は、上記の面１６ａ、
１０ａ間に閉じ込められて、レーザー発振を引き起こす
。
【００１３】このレーザービーム１１は非線形光学材料
であるＫＮｂＯ３ 結晶１０により波長が１／２すなわ
ち４７３ ｎｍの第２高調波１２に波長変換される。Ｋ
ＮｂＯ３ 結晶の面１０ａには前述した通りのコーティ
ング１９が施されているので、このＫＮｂＯ３ 結晶１
０からは、ほぼ第２高調波１２のみが取り出される。
であるＫＮｂＯ３ 結晶１０により波長が１／２すなわ
ち４７３ ｎｍの第２高調波１２に波長変換される。Ｋ
ＮｂＯ３ 結晶の面１０ａには前述した通りのコーティ
ング１９が施されているので、このＫＮｂＯ３ 結晶１
０からは、ほぼ第２高調波１２のみが取り出される。
【００１４】図４に詳しく示すように、ＫＮｂＯ３ 結
晶１０は、ＹＺ面をＺ軸周りに３０°回転させたＹ’Ｚ
面でカットされている。この構成においては、矢印Ｐで
示すレーザービーム１１の直線偏光方向とＹ’軸とが一
致する場合に、大きな非線形光学定数ｄ３２が利用され
た上で、基本波としてのレーザービーム１１と第２高調
波１２との間で良好にタイプＩの位相整合が取られ、最
大強度の第２高調波１２（直線偏光方向は矢印Ｑ方向つ
まりＺ軸方向）が得られる。なお上記光学軸Ｙ、Ｚは結
晶軸では各々ｂ軸、ｃ軸であり、Ｘ軸はａ軸である。
晶１０は、ＹＺ面をＺ軸周りに３０°回転させたＹ’Ｚ
面でカットされている。この構成においては、矢印Ｐで
示すレーザービーム１１の直線偏光方向とＹ’軸とが一
致する場合に、大きな非線形光学定数ｄ３２が利用され
た上で、基本波としてのレーザービーム１１と第２高調
波１２との間で良好にタイプＩの位相整合が取られ、最
大強度の第２高調波１２（直線偏光方向は矢印Ｑ方向つ
まりＺ軸方向）が得られる。なお上記光学軸Ｙ、Ｚは結
晶軸では各々ｂ軸、ｃ軸であり、Ｘ軸はａ軸である。
【００１５】またＫＮｂＯ３ 結晶１０の発振領域は、
上記位相整合を果たすために、温度Ｔ０ ＝２０．０°
Ｃに維持されなければならない。そして前述した通り、
ＫＮｂＯ３ の位相整合温度許容範囲は０．３ °Ｃ・
ｃｍであり、本実施例では結晶長が０．５ｃｍ である
ので、ＫＮｂＯ３ 結晶１０の発振領域の温度は、２０
．０±０．３ °Ｃに維持する必要がある。以下、この
温度２０．０±０．３ °Ｃを実現する点について説明
する。
上記位相整合を果たすために、温度Ｔ０ ＝２０．０°
Ｃに維持されなければならない。そして前述した通り、
ＫＮｂＯ３ の位相整合温度許容範囲は０．３ °Ｃ・
ｃｍであり、本実施例では結晶長が０．５ｃｍ である
ので、ＫＮｂＯ３ 結晶１０の発振領域の温度は、２０
．０±０．３ °Ｃに維持する必要がある。以下、この
温度２０．０±０．３ °Ｃを実現する点について説明
する。
【００１６】ＫＮｂＯ３ 結晶１０は、銅ブロック３０
内に保持され、この銅ブロック３０ごとペルチェ素子３
１により温度調節されるようになっている。このペルチ
ェ素子３１は、フィードバックコントローラ３２によっ
て駆動制御される。一方ＫＮｂＯ３ 結晶１０の前方側
には、第２高調波１２を一部反射させるハーフミラー３
３が配されている。このハーフミラー３３で反射した第
２高調波１２の光強度は、例えばフォトダイオード等の
光検出器３４によって検出される。光検出器３４の出力
信号Ｓは、上記フィードバックコントローラ３２に入力
される。
内に保持され、この銅ブロック３０ごとペルチェ素子３
１により温度調節されるようになっている。このペルチ
ェ素子３１は、フィードバックコントローラ３２によっ
て駆動制御される。一方ＫＮｂＯ３ 結晶１０の前方側
には、第２高調波１２を一部反射させるハーフミラー３
３が配されている。このハーフミラー３３で反射した第
２高調波１２の光強度は、例えばフォトダイオード等の
光検出器３４によって検出される。光検出器３４の出力
信号Ｓは、上記フィードバックコントローラ３２に入力
される。
【００１７】フィードバックコントローラ３２は、光検
出器３４の出力信号Ｓが示す第２高調波１２の光強度が
、この構成で得られる最大値Ｐ０ に保たれるようにペ
ルチェ素子３１を駆動制御する。すなわちペルチェ素子
３１は、図２の（１）に示すように時間ｔ０ において
ＯＮされると、そのまま温度上昇するように駆動される
。このとき銅ブロック３０を介してＫＮｂＯ３ 結晶１
０は一様に加熱されるので、ＫＮｂＯ３ 結晶１０内に
おいて顕著な温度分布は発生せず、よってこのＫＮｂＯ
３ 結晶１０の発振領域１０ａ（図３の（１）参照）も
、図２の（３）に示すようにほぼＴ０ まで温度上昇す
る。このようにして発振領域１０ａが温度上昇すると、
その温度がＴ２ に達したところで、第２高調波１２が
発生し始める。そして時間ｔ１ において、ＫＮｂＯ３
結晶１０の発振領域１０ａが温度Ｔ０ に達すると、
第２高調波１２の光強度が最大値のＰ０ に到達する。
出器３４の出力信号Ｓが示す第２高調波１２の光強度が
、この構成で得られる最大値Ｐ０ に保たれるようにペ
ルチェ素子３１を駆動制御する。すなわちペルチェ素子
３１は、図２の（１）に示すように時間ｔ０ において
ＯＮされると、そのまま温度上昇するように駆動される
。このとき銅ブロック３０を介してＫＮｂＯ３ 結晶１
０は一様に加熱されるので、ＫＮｂＯ３ 結晶１０内に
おいて顕著な温度分布は発生せず、よってこのＫＮｂＯ
３ 結晶１０の発振領域１０ａ（図３の（１）参照）も
、図２の（３）に示すようにほぼＴ０ まで温度上昇す
る。このようにして発振領域１０ａが温度上昇すると、
その温度がＴ２ に達したところで、第２高調波１２が
発生し始める。そして時間ｔ１ において、ＫＮｂＯ３
結晶１０の発振領域１０ａが温度Ｔ０ に達すると、
第２高調波１２の光強度が最大値のＰ０ に到達する。
【００１８】ＫＮｂＯ３ 結晶１０が第２高調波１２を
発生するようになると、その発振領域１０ａが短波長の
第２高調波１２を吸収して温度上昇する。こうして発振
領域１０ａの温度がＴ０ よりも高くなると、第２高調
波１２の光強度がＰ０ よりも低下する。フィードバッ
クコントローラ３２は、光検出器３４の出力信号Ｓが示
す第２高調波１２の光強度がＰ０ を下回っている場合
、まずペルチェ素子３１を、微小な所定量だけ温度低下
するように駆動し、この操作により第２高調波１２の光
強度が上昇した場合はこの操作を続ける。そして反対に
、この操作により第２高調波１２の光強度がさらに低下
する場合、フィードバックコントローラ３２は制御の方
向を変えて、ペルチェ素子３１を、微小な所定量だけ温
度上昇するように駆動する。
発生するようになると、その発振領域１０ａが短波長の
第２高調波１２を吸収して温度上昇する。こうして発振
領域１０ａの温度がＴ０ よりも高くなると、第２高調
波１２の光強度がＰ０ よりも低下する。フィードバッ
クコントローラ３２は、光検出器３４の出力信号Ｓが示
す第２高調波１２の光強度がＰ０ を下回っている場合
、まずペルチェ素子３１を、微小な所定量だけ温度低下
するように駆動し、この操作により第２高調波１２の光
強度が上昇した場合はこの操作を続ける。そして反対に
、この操作により第２高調波１２の光強度がさらに低下
する場合、フィードバックコントローラ３２は制御の方
向を変えて、ペルチェ素子３１を、微小な所定量だけ温
度上昇するように駆動する。
【００１９】上述した第２高調波の吸収により第２高調
波１２の光強度がＰ０ よりも低下したときは、ペルチ
ェ素子３１が微小な所定量だけ温度低下するように駆動
されると、第２高調波１２の光強度が上昇するので、こ
の操作が続けられる。そして、この操作により発振領域
１０ａの温度がＴ０ を下回って、そのために第２高調
波１２の光強度がＰ０よりも低下するようになると、上
述のように制御動作するフィードバックコントローラ３
２により、ペルチェ素子３１は今度は温度上昇するよう
に駆動制御され、発振領域１０ａの温度はＴ０ に戻さ
れる。
波１２の光強度がＰ０ よりも低下したときは、ペルチ
ェ素子３１が微小な所定量だけ温度低下するように駆動
されると、第２高調波１２の光強度が上昇するので、こ
の操作が続けられる。そして、この操作により発振領域
１０ａの温度がＴ０ を下回って、そのために第２高調
波１２の光強度がＰ０よりも低下するようになると、上
述のように制御動作するフィードバックコントローラ３
２により、ペルチェ素子３１は今度は温度上昇するよう
に駆動制御され、発振領域１０ａの温度はＴ０ に戻さ
れる。
【００２０】以上の制御がなされることにより、第２高
調波１２の光強度は図２の（２）に示すようにＰ０ に
保たれ、またペルチェ素子３１の温度は図２の（１）に
示すように変化し、そして結果的に発振領域１０ａの温
度は、Ｔ０ ＝２０．０±０．３ °Ｃに維持されるよ
うになる。なお図３は、このときのＫＮｂＯ３ 結晶１
０における温度分布を示している。
調波１２の光強度は図２の（２）に示すようにＰ０ に
保たれ、またペルチェ素子３１の温度は図２の（１）に
示すように変化し、そして結果的に発振領域１０ａの温
度は、Ｔ０ ＝２０．０±０．３ °Ｃに維持されるよ
うになる。なお図３は、このときのＫＮｂＯ３ 結晶１
０における温度分布を示している。
【００２１】次に図５を参照して、本発明の第２実施例
を説明する。この図５の光波長変換装置は、図１の装置
と比べると、ハーフーミラー３３および光検出器３４が
除かれ、そしてフィードバックコントローラ３２に代え
て、プログラマブルコントローラ４０が用いられている
点が異なる。
を説明する。この図５の光波長変換装置は、図１の装置
と比べると、ハーフーミラー３３および光検出器３４が
除かれ、そしてフィードバックコントローラ３２に代え
て、プログラマブルコントローラ４０が用いられている
点が異なる。
【００２２】このプログラマブルコントローラ４０はペ
ルチェ素子３１を、図６の（１）に示す特性で温度変化
するように制御する。つまりペルチェ素子３１は、その
温度が同図のＨで示す時間領域において温度Ｔ１ から
オーバーシュートし、最大で温度Ｔ０ に達してから温
度Ｔ１ に収束するように制御される。これらの温度Ｔ
０ 、Ｔ１ は、第１実施例で説明したものと同じであ
り、Ｔ１ ＝Ｔ０ −ΔＴである。
ルチェ素子３１を、図６の（１）に示す特性で温度変化
するように制御する。つまりペルチェ素子３１は、その
温度が同図のＨで示す時間領域において温度Ｔ１ から
オーバーシュートし、最大で温度Ｔ０ に達してから温
度Ｔ１ に収束するように制御される。これらの温度Ｔ
０ 、Ｔ１ は、第１実施例で説明したものと同じであ
り、Ｔ１ ＝Ｔ０ −ΔＴである。
【００２３】このようにペルチェ素子３１の温度が制御
されることにより、ＫＮｂＯ３ 結晶１０の発振領域１
０ａが温度Ｔ０ まで加熱され、そして第２高調波１２
が発生すると、その吸収により発振領域１０ａが温度上
昇する。上記ΔＴは、この発振領域１０ａの第２高調波
吸収による温度上昇分である。このようにして、発振領
域１０ａの温度は図６の（３）に示すようにＴ０ に制
御され、そして第２高調波１２の光強度は、同図の（２
）に示すようにＰ０ に維持されるようになる。
されることにより、ＫＮｂＯ３ 結晶１０の発振領域１
０ａが温度Ｔ０ まで加熱され、そして第２高調波１２
が発生すると、その吸収により発振領域１０ａが温度上
昇する。上記ΔＴは、この発振領域１０ａの第２高調波
吸収による温度上昇分である。このようにして、発振領
域１０ａの温度は図６の（３）に示すようにＴ０ に制
御され、そして第２高調波１２の光強度は、同図の（２
）に示すようにＰ０ に維持されるようになる。
【図１】本発明の第１実施例装置の概略側面図
【図２】
上記第１実施例装置におけるペルチェ素子温度、第２高
調波の光強度、およびＫＮｂＯ３ の発振領域温度の各
変化特性を示すグラフ
上記第１実施例装置におけるペルチェ素子温度、第２高
調波の光強度、およびＫＮｂＯ３ の発振領域温度の各
変化特性を示すグラフ
【図３】上記第１実施例装置のＫＮｂＯ３ 結晶におけ
る温度分布を示す概略図
る温度分布を示す概略図
【図４】上記第１実施例装置におけるＫＮｂＯ３ 結晶
の光学軸と、基本波の直線偏光方向との関係を説明する
ための概略図
の光学軸と、基本波の直線偏光方向との関係を説明する
ための概略図
【図５】本発明の第２実施例装置の概略側面図
【図６】
上記第２実施例装置におけるペルチェ素子温度、第２高
調波の光強度、およびＫＮｂＯ３ の発振領域温度の各
変化特性を示すグラフ
上記第２実施例装置におけるペルチェ素子温度、第２高
調波の光強度、およびＫＮｂＯ３ の発振領域温度の各
変化特性を示すグラフ
１０ ＫＮｂＯ３ 結晶
１１ レーザービーム（基本波）１２ 第
２高調波 １６ Ｎｄ：ＹＡＧロッド ３０ 銅ブロック ３１ ペルチェ素子 ３２ フィードバックコントローラ３３
ハーフミラー ３４ 光検出器
２高調波 １６ Ｎｄ：ＹＡＧロッド ３０ 銅ブロック ３１ ペルチェ素子 ３２ フィードバックコントローラ３３
ハーフミラー ３４ 光検出器
Claims (2)
- 【請求項１】 非線形光学材料の結晶に基本波を入射
させて波長変換する光波長変換装置において、前記結晶
の温度を調節する温度調節手段と、波長変換波の光強度
を検出する検出手段と、この検出手段の出力を受け、該
出力が示す前記光強度が所定の目標値に収束するように
前記温度調節手段の駆動を制御する制御手段とが設けら
れたことを特徴とする光波長変換装置。 - 【請求項２】 非線形光学材料の結晶に基本波を入射
させて波長変換する光波長変換装置において、前記結晶
を、位相整合温度Ｔ０ に達するまで加熱してから、次
いでＴ１ ＝Ｔ０ −ΔＴ（ただしΔＴは、結晶の発振
領域の波長変換波吸収による温度上昇分）なる温度Ｔ１
に収束させる温度調節手段が設けられたことを特徴と
する光波長変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8559791A JPH04318528A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 光波長変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8559791A JPH04318528A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 光波長変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318528A true JPH04318528A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=13863235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8559791A Withdrawn JPH04318528A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04318528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004698A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Ushio Research Institute Of Technology Inc. | Laser destine a l'usinage laser |
| JP2009042600A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置、及び光源装置の制御方法 |
| WO2009093439A1 (ja) | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Panasonic Corporation | 波長変換レーザ、画像表示装置、及びレーザ加工装置 |
| US7593438B2 (en) | 2006-11-30 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Driving method for laser light source device, laser light source device, image display device, monitor device, and illumination device |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8559791A patent/JPH04318528A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004698A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Ushio Research Institute Of Technology Inc. | Laser destine a l'usinage laser |
| US7593438B2 (en) | 2006-11-30 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Driving method for laser light source device, laser light source device, image display device, monitor device, and illumination device |
| JP2009042600A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置、及び光源装置の制御方法 |
| WO2009093439A1 (ja) | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Panasonic Corporation | 波長変換レーザ、画像表示装置、及びレーザ加工装置 |
| US8014429B2 (en) | 2008-01-21 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Wavelength conversion laser, image display device and laser processing device |
| JP5450101B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 波長変換レーザ、画像表示装置、及びレーザ加工装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |