JPH04319927A - 電子閃光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はカメラのフラッシュ撮影
等に使用され、発光量が適性に得られる電子閃光装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近時のカメラのフラッシュ撮影等に使用
する自動調光電子閃光装置は閃光放電管のオン・オフ制
御にサイリスタやＦＥＴを用いた構成が用いられている
。サイリスタを採用した装置では、閃光放電管をオフす
るような制御を行っても閃光放電管のオフが遅延してフ
ラッシュ発光量がオーバーすることが知られている。 また、ＦＥＴを用いた装置は閃光放電管の発光時の大電
流に対応するため大型のＦＥＴ素子が必要であり、装置
全体が大型化してしまう。このため比較的小型で閃光放
電管のオン・オフの大電流スイッチングが可能なＩＧＢ
Ｔ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　ＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒ　Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｅｒ（絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ）このＩＧＢＴについては「日経エレクトロニクス
１９８６年５月１９日号　　Ｎｏ３９５　　Ｐ１８２〜
Ｐ１８５に、その詳細が掲載されている。）　を閃光放
電管の発光制御に用いた自動調光式フラッシュ装置（特
開昭６４ー１７０３３号公報）が提案されている。この
ようなＩＧＢＴを利用する場合、閃光放電管に、例えば
、２８０Ｖの直流電圧が充電されたメインコンデンサが
接続されるとともに、そのカソードがＩＧＢＴのコレク
タと接続されている。またＩＧＢＴのゲートに、例えば
、３０Ｖの発光駆動電圧が供給されて、ＩＧＢＴが導通
（オン）し、同時に周知のトリガーにより閃光放電管が
発光する。また、ＩＧＢＴのゲートに発光駆動電圧が与
えられなくなるとＩＧＢＴのコレクタとエミッタ間が非
導通（オフ）となり閃光放電管の発光が停止する。この
ようにしてＩＧＢＴのスイッチングによりフラッシュ発
光制御が行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来例のようなＩＧＢＴを用いた装置では、例えば、図
５（ａ）に示すＩＧＢＴのゲートに方形波状の電圧が与
えられるがＩＧＢＴのゲート、エミッタ間の静電容量等
のため方形波状の電圧の立ち上がり、立ち下がりに対し
て、ＩＧＢＴのコレクタとエミッタ間のオン（導通）、
オフ（非導通）が図５（ｂ）に示すように遅延を生じ、
フラッシュ発光量は図５（ｃ）に示すようになる。この
ようにフラッシュ発光量はＩＧＢＴのオン・オフにより
制御されるが静電容量は個々のＩＧＢＴや、その他の条
件でばらつくため、一様な発光制御信号で所望の発光量
を得ることが難しいという欠点がある。

【０００４】本発明は上記の課題に鑑みてなされ、発光
制御信号に対し、ＩＧＢＴのオン・オフが遅延すること
なく、閃光放電管のフラッシュ発光制御特性が向上する
優れた電子閃光装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の電子閃光装置で
は、上記目的を達成するために、閃光放電管と、該閃光
放電管に接続されて発光制御するためのＩＧＢＴと、前
記閃光放電管を発光駆動するためのトリガー手段と、前
記ＩＧＢＴの駆動電圧を発生するためのＩＧＢＴ駆動電
圧発生手段と、該ＩＧＢＴ駆動電圧発生手段と前記ＩＧ
ＢＴのゲートとの間に接続される第１の抵抗器と、前記
ＩＧＢＴ制御信号源に一端が接続され前記ＩＧＢＴのゲ
ートとエミッタ間の静電容量より大きい値のコンデンサ
と、このコンデンサの他端に一端が接続されるとともに
他端が前記ＩＧＢＴのゲートに接続される前記第１の抵
抗器より小さい抵抗値の第２の抵抗器と、前記ＩＧＢＴ
駆動電圧発生手段と前記第１の抵抗器との接続端と接地
間に接続される第３の抵抗器とを備えるものである。

【０００６】

【作用】本発明の電子閃光装置によれば、ＩＧＢＴがオ
ン（導通）となる立ち上がり動作時には駆動信号源から
ゲートに第２の抵抗器とコンデンサを通じて発光開始電
圧が供給され、このコンデンサの充電後に第１の抵抗器
を通じて発光開始電圧が供給される。さらに、ＩＧＢＴ
がオフ（非導通）となる立ち下がり動作時にはコンデン
サの電荷が第３の抵抗器、第２の抵抗器を流れて、ＩＧ
ＢＴのゲートに逆バイアスが印加されることにより、Ｉ
ＧＢＴのゲートとエミッタ間の遊浮容量の電荷が放電す
る。

【０００７】これによって、発光制御信号に対し、ＩＧ
ＢＴのオン・オフが遅延することなく、閃光放電管のフ
ラッシュ発光制御特性が向上する。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の電子閃光装置の一実施例を図
面を参照して詳細に説明する。

【０００９】図１は本発明の電子閃光装置の実施例が適
用されるカメラの電気的構成を示している。

【００１０】この例は、装置全体の制御を行うための周
知のワーキングＲＡＭ、プログラムが格納されたＲＯＭ
、Ｉ／０等を有するＣＰＵ１０を備えている。このＣＰ
Ｕ１０には、周知の被写体の距離を検出する測距回路１
２と、被写体等の光量を検出する測光回路１４と、本発
明に係る電子閃光装置としてのエレクトロフラッシュ（
ＥＦ）回路１６が接続されている。ＣＰＵ１０とＥＦ回
路１６との間はトリガーラインＴＲＧ　、メインコンデ
ンサ充電完了検知ラインＦＵＬＬ、発振停止ラインＳＴ
ＯＰおよび発振開始ラインＳＴＡＲＴ　で接続されてい
る。さらに、測距回路１２、測光回路１４からの夫々の
検知信号がＣＰＵ１０に供給され、この値に基づく制御
信号がモータドライブ回路１８に供給される。このモー
タドライブ回路１８には、例えば、レンズ駆動用モータ
１８ａ、シャッタ駆動用モータ１８ｂ、フイルム巻き上
げ用モータ１８ｃ等が接続されている。

【００１１】また、ＣＰＵ１０にはバリア（レンズカバ
ー）スイッチＳＷおよび撮影に先立って行われる測距、
測光、フラッシュ発光のための充電等を行わせるスイッ
チＳ１と、このスイッチＳ１の押下に続いて動作、例え
ば、ＥＦ回路１６におけるプリチャージ、シャッタ作動
やフィルム巻き上げ等の撮影動作を行うためのスイッチ
Ｓ２が設けられている。

【００１２】さらに、ＥＦ回路１６にはフラッシュ発光
の電源となる電圧Ｖを印加する電池Ｅが接続されるとと
もに、この電池ＥからＣＰＵ１０に安定化した電圧を供
給する３端子レギュレータ２０が設けられている。

【００１３】図２はＥＦ回路１６の詳細な構成を示して
いる。

【００１４】このＥＦ回路１６は電池Ｅの電圧Ｖから高
電圧を得るための発振部３０と、メインコンデンサ充電
完了検知ラインＦＵＬＬを通じて、メインコンデンサ充
電完了検知信号をＣＰＵ１０に送出するメインコンデン
サ充電完了検知部３２とが設けられ、さらにトリガーラ
インＴＲＧ　によりＣＰＵ１０と接続されて発光制御を
行う発光制御部３４と、この発光制御部３４の制御によ
りフラッシュ発光を行うための発光部３６とで概略構成
されている。

【００１５】以下、これらの各部を詳細に説明する。

【００１６】発振部３０は発振用トランジスタＱ１と発
振トランスＴＦを主体に構成される周知のリンギングチ
ョークコンバータ（ＲＣＣ、自励式ＤＣーＤＣコンバー
タ）である。ここで、発振トランスＴＦは一次側コイル
ＴＦａ、補助コイルＴＦｂと二次コイルＴＦｃを有して
いる。一次側コイルＴＦａの一端は電圧Ｖラインと接続
され、他端は発振用トランジスタＱ１のコレクタに接続
されている。この他端と発振用トランジスタＱ１のベー
ス間にツェナーダイオードＺＤ３が接続されている。ま
た、補助コイルＴＦｂの一端と発振用トランジスタＱ１
のベース間に発振出力を設定するためのフイードバック
（帰還）用コンデンサＣ１と抵抗器Ｒ１が直列接続され
、補助コイルＴＦｂの他端は接地されている。また、こ
の発振用トランジスタＱ１のベースと接地間に帰還用の
ダイオードＤ１と発振安定用の抵抗器Ｒ３が接続されて
いる。

【００１７】さらに発振起動用トランジスタＱ２が設け
られている。この発振起動用トランジスタＱ２のベース
は発光開始ラインＳＴＡＲＴ　に接続され、エミッタは
電圧Ｖラインと接続されており、また、コレクタが抵抗
器Ｒ２を通じて発振用トランジスタＱ１のベースに接続
されている。

【００１８】また、発振停止用トランジスタＱ３が設け
られている。この発振停止用トランジスタＱ３のベース
は発振停止ラインＳＴＯＰと接続されるとともに、エミ
ッタが電圧Ｖラインに接続されている。さらにコレクタ
が抵抗器Ｒ４を通じて、発振停止スイッチング用トラン
ジスタＱ４のベースに接続されている。発振停止スイッ
チング用トランジスタＱ４の、エミッタが接地されると
ともに、コレクタが発振用トランジスタＱ１のベースに
接続されている。

【００１９】発振トランスＴＦの二次コイルＴＦｃの一
端にはフラッシュ発光用の電源（電圧）を生成するため
の整流用ダイオードＤ２が接続され、ここでは、例えば
、直流電圧２８０Ｖを得る。また、発振トランスＴＦの
二次コイルＴＦｃの他端は接地されている。さらに発振
用トランジスタＱ１のコレクタ、すなわち、一次側コイ
ルＴＦａの逆起電圧発生端に整流用ダイオードＤ３が接
続され、さらにフィルタ用抵抗器Ｒ６が直列接続されて
いる。ここで以降に説明するＩＧＢＴのゲート駆動電圧
、例えば、直流電圧３０Ｖを得る。

【００２０】また、電圧Ｖラインと接地ＧＮＤ　との間
に電源フィルタ用の電解コンデンサＣ２が接続されてい
る。

【００２１】メインコンデンサ充電完了検知部３２は整
流用ダイオードＤ２のカソードに以降に説明するメイン
コンデンサＭＣの充電が完了した場合の、例えば、２８
０Ｖを検知してオン（導通）する高電圧基準用ツェナー
ダイオードＺＤ１と保護兼フィルタ用抵抗器Ｒ７が直列
接続されている。この保護兼フィルタ用抵抗器Ｒ７はメ
インコンデンサ充電完了検知ラインＦＵＬＬを通じて充
電完了の検知信号をＣＰＵ１０と図示しない増幅回路等
に供給する。増幅回路には負荷としてのＬＥＤ等が設け
られており、充電完了を示すように点灯表示するように
なっている。

【００２２】発光制御部３４はフィルタ用抵抗器Ｒ６か
らの電圧、すなわち、ＩＧＢＴのゲート駆動電圧である
、例えば、直流電圧３０Ｖが充電される電解コンデンサ
Ｃ３が設けられている。さらに、この電圧のＩＧＢＴの
ゲートへの印加をオン・オフするためのスイッチングト
ランジスタＱ５が設けられている。このスイッチングト
ランジスタＱ５のエミッタは電解コンデンサＣ３に接続
され、さらにベースは、スイッチングトランジスタＱ６
のコレクタに接続されている。スイッチングトランジス
タＱ６のベースは電圧Ｖラインと接続されて、エミッタ
はトリガーラインＴＲＧ　に接続されており、このトリ
ガーラインＴＲＧ　がオン、すなわち、接地されると電
解コンデンサＣ３に充電された電圧がＩＧＢＴのゲート
駆動電圧としてスイッチングトランジスタＱ５のコレク
タから出力されるようになっている。またスイッチング
トランジスタＱ６のベースとエミッタ間にダイオードＤ
４が接続されている。

【００２３】このスイッチングトランジスタＱ５のコレ
クタとＩＧＢＴのゲート間に給電用抵抗器Ｒ８が接続さ
れ、さらに、コンデンサＣ４と、抵抗器Ｒ９が直列接続
され、このコンデンサＣ４と、抵抗器Ｒ９の両端が、給
電用抵抗器Ｒ８の両端、すなわち、スイッチングトラン
ジスタＱ５のコレクタとＩＧＢＴのゲート間に接続され
ている。ここでは、以降に詳細に説明する動作を行うよ
うに抵抗器Ｒ９の抵抗値は給電用抵抗器Ｒ８の抵抗値よ
り小さく設定され、また、コンデンサＣ４の静電容量は
ＩＧＢＴのゲートとエミッタ間の容量より大きい値に設
定されている。またスイッチングトランジスタＱ５のコ
レクタと接地間に抵抗器１０が接続されている。給電用
抵抗器Ｒ８と抵抗器Ｒ９の接続端、すなわち、ＩＧＢＴ
のゲートと接地間にＩＧＢＴのゲート電圧クランプ用の
ツェナーダイオードＺＤ２が設けられている。

【００２４】発光部３６は、発振部３０の整流用ダイオ
ードＤ２の出力電圧をフラッシュ発光のための電源とす
るために充電するメインコンデンサＭＣがダイオードＤ
２のカソードと接地間に接続されている。

【００２５】メインコンデンサＭＣのプラス端には周知
の閃光放電管Ｘｅのアノードが接続され、閃光放電管Ｘ
ｅのカソードには逆バイアス印加用のコンデンサＣ５と
ダイオードＤ５の一端が接続されており、コンデンサＣ
５とダイオードＤ５の並列回路の他端がＩＧＢＴのコレ
クタに接続されている。ＩＧＢＴのエミッタは接地され
、またゲートが、前記の発光制御部３４のツェナーダイ
オードＺＤ２に接続されている。

【００２６】ＩＧＢＴのコレクタとトリガートランスＴ
Ｃの間にトリガー用コンデンサＣ６が接続されるととも
に、トリガートランスＴＣの一端が閃光放電管Ｘｅのト
リガー電極に接続され、また他端が接地されている。閃
光放電管ＸｅのカソードにコンデンサＣ５、トリガー用
コンデンサＣ６の充電用抵抗器Ｒ１１とダイオードＤ５
の一端が接続されている。コンデンサＣ５とダイオード
Ｄ５の他端がＩＧＢＴのコレクタに接続され、また充電
用抵抗器Ｒ１１の他端は接地されている。また、充電用
抵抗器Ｒ１２の一端はダイオードＤ５の他端に接続され
、他端は閃光放電管Ｘｅのアノードと接続されている。

【００２７】次に、閃光放電管Ｘｅのフラッシュ発光時
のＩＧＢＴのオン・オフ制御の動作を詳細に説明する。

【００２８】図３は発光制御部３４と発光部３６のフラ
ッシュ発光制御動作時の電流の流れを示している。図４
はトリガーラインＴＲＧ　（発光制御信号）の波形とＩ
ＧＢＴのコレクタ電圧および閃光放電管Ｘｅの発光量を
示している。

【００２９】先ず、電解コンデンサＣ３の充電が完了し
、且つ、図４（ａ）に示すようにトリガーラインＴＲＧ
　がオンになる。ここで電解コンデンサＣ３に充電され
た電圧がスイッチングトランジスタＱ５のコレクタから
出力される。この出力はコンデンサＣ４と抵抗器Ｒ９を
流れてＩＧＢＴのゲートに供給される（図３に示す実線
（ａ））。続いて、コンデンサＣ４の充電が完了すると
給電用抵抗器Ｒ８を介してＩＧＢＴのゲートに供給され
る（図４に示す一点鎖線（ｂ））。このように、図４（
ｂ）に示すように、当初に給電用抵抗器Ｒ８の抵抗値よ
り小さい抵抗器Ｒ９を通じてＩＧＢＴのゲートにベース
駆動電圧を印加するためＩＧＢＴのオンの動作が速くな
る。

【００３０】そして、図４（ａ）に示すようにトリガー
ラインＴＲＧ　がオフになるとコンデンサＣ４の電荷が
抵抗器Ｒ９、Ｒ１０を介して放電する（図３に示す二点
鎖線（ｃ））ためＩＧＢＴのゲートに逆バイアスが発生
し、ＩＧＢＴのゲートとエミッタ間の遊浮容量の電荷が
急速に放電するので、発光制御信号に対してＩＧＢＴの
立ち下がり動作が遅延しないものとなり、発光量は図４
（ｃ）に示すようになる。

【００３１】なお、上記実施例では本発明の電子閃光装
置をカメラに適用して説明したが、これに限定されない
。例えば、同様の構成をＩＣ製造プロセス工程用の露光
装置あるいは写真写植機用光源に用いて同様の作用効果
を得ることも本発明に含まれる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子閃光
装置によれば、ＩＧＢＴがオン（導通）となる立ち上が
り動作時には駆動信号源からゲートに第２の抵抗器とコ
ンデンサを通じて発光開始電圧が供給され、このコンデ
ンサの充電後に第１の抵抗器を通じて発光開始電圧が供
給される。さらに、ＩＧＢＴがオフ（非導通）となる立
ち下がり動作時にはコンデンサの電荷が第３の抵抗器、
第２の抵抗器を流れて、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアス
が印加されることにより、ＩＧＢＴのゲートとエミッタ
間の遊浮容量の電荷が放電するため、発光制御信号に対
し、ＩＧＢＴのオン・オフが遅延することなく、閃光放
電管のフラッシュ発光制御特性が向上するという効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子閃光装置が適用されるカメラの電
気的構成を示すブロック図である。

【図２】図１におけるＥＦ回路の構成を詳細に示す回路
図である。

【図３】図２に示す発光制御部と発光部の動作説明に供
される回路図である。

【図４】実施例の動作説明に供され、処理信号と発光に
係るタイミングチャートである。

【図５】従来例の動作説明に供され、処理信号と発光に
係るタイミングチャートである。

【符号の説明】

１６　　ＥＦ回路 ３０　　発振部 ３２　　メインコンデンサ充電完了検知部３４　　発光
制御部 ３６　　発光部 Ｃ３　　電解コンデンサ Ｃ４　　コンデンサ ＩＧＢＴ　　絶縁ゲート型パイポーラトランジスタＭＣ
　　メインコンデンサ Ｒ８　　給電用抵抗器 Ｒ９、Ｒ１０　　抵抗器 Ｘｅ　　閃光放電管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　閃光放電管と、該閃光放電管に接続さ
   れて発光制御するためのＩＧＢＴと、前記閃光放電管を
   発光駆動するためのトリガー手段と、前記ＩＧＢＴの駆
   動電圧を発生するためのＩＧＢＴ駆動電圧発生手段と、
   該ＩＧＢＴ駆動電圧発生手段と前記ＩＧＢＴのゲートと
   の間に接続される第１の抵抗器と、前記ＩＧＢＴ制御信
   号源に一端が接続され前記ＩＧＢＴのゲートとエミッタ
   間の静電容量より大きい値のコンデンサと、このコンデ
   ンサの他端に一端が接続されるとともに他端が前記ＩＧ
   ＢＴのゲートに接続される前記第１の抵抗器より小さい
   抵抗値の第２の抵抗器と、前記ＩＧＢＴ駆動電圧発生手
   段と前記第１の抵抗器との接続端と接地間に接続される
   第３の抵抗器とを備えることを特徴とする電子閃光装置
   。