JPH04320507A - アクティブフィルタ装置 - Google Patents
アクティブフィルタ装置Info
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- JPH04320507A JPH04320507A JP8858391A JP8858391A JPH04320507A JP H04320507 A JPH04320507 A JP H04320507A JP 8858391 A JP8858391 A JP 8858391A JP 8858391 A JP8858391 A JP 8858391A JP H04320507 A JPH04320507 A JP H04320507A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブフィルタ装置
に関し、特にリアクタに流れる電流を制御するアクティ
ブフィルタ装置に関する。
に関し、特にリアクタに流れる電流を制御するアクティ
ブフィルタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、整流電源のノイズ対策の点からア
クティブフィルタが注目されている。一般的なアクティ
ブフィルタを図７を参照して説明する。このアクティブ
フィルタは、ダイオードＤ１〜Ｄ４からなるブリッジ整
流回路、ブリッジ整流回路の正の直流出力端に一端が接
続されるリアクタＬ、このリアクタＬの他端とグランド
間にコレクタ、エミッタがそれぞれ接続されるトランジ
スタＱ、このトランジスタＱのコレクタにアノードが接
続されるダンパ・ダイオードＤ５、このダンパ・ダイオ
ードＤ５のカソードとグランド間に接続される平滑コン
デンサＣｄおよびトランジスタＱのベースに制御パルス
φを供給する制御回路ＣＯＭから構成される。
クティブフィルタが注目されている。一般的なアクティ
ブフィルタを図７を参照して説明する。このアクティブ
フィルタは、ダイオードＤ１〜Ｄ４からなるブリッジ整
流回路、ブリッジ整流回路の正の直流出力端に一端が接
続されるリアクタＬ、このリアクタＬの他端とグランド
間にコレクタ、エミッタがそれぞれ接続されるトランジ
スタＱ、このトランジスタＱのコレクタにアノードが接
続されるダンパ・ダイオードＤ５、このダンパ・ダイオ
ードＤ５のカソードとグランド間に接続される平滑コン
デンサＣｄおよびトランジスタＱのベースに制御パルス
φを供給する制御回路ＣＯＭから構成される。
【０００３】制御回路ＣＯＭの主回路はマイクロコンピ
ュータ等により構成されて、１５ＫＨｚ以上の周波数の
制御パルスφを出力している。次に、このアクティブフ
ィルタの動作を説明する。商用交流のダイオードＤ１と
Ｄ２の接続点電位が正となる半周期では、制御回路ＣＯ
Ｍから出力される１５ＫＨｚ以上の周波数の制御パルス
φがハイレベルのときトランジスタＱがオンし、ダイオ
ードＤ１−リアクタＬ−トランジスタＱ−ダイオードＤ
４の閉回路が形成されてリアクタＬに電流ＩＬが流れる
。 そして、制御パルスφがローレベルのときトランジスタ
Ｑがオフして先の閉回路が開路されると、リアクタＬは
それ以前の電気的状態を接続させようとして逆起電力を
発生する。このリアクタＬの逆起電力とブリッジ整流回
路出力とが加算された電圧はコンデンサ入力型の整流回
路に比較して長い期間において平滑コンデンサＣｄの充
電電圧を上回り、ダンパ・ダイオードＤ５を介して平滑
コンデンサＣｄを充電する。
ュータ等により構成されて、１５ＫＨｚ以上の周波数の
制御パルスφを出力している。次に、このアクティブフ
ィルタの動作を説明する。商用交流のダイオードＤ１と
Ｄ２の接続点電位が正となる半周期では、制御回路ＣＯ
Ｍから出力される１５ＫＨｚ以上の周波数の制御パルス
φがハイレベルのときトランジスタＱがオンし、ダイオ
ードＤ１−リアクタＬ−トランジスタＱ−ダイオードＤ
４の閉回路が形成されてリアクタＬに電流ＩＬが流れる
。 そして、制御パルスφがローレベルのときトランジスタ
Ｑがオフして先の閉回路が開路されると、リアクタＬは
それ以前の電気的状態を接続させようとして逆起電力を
発生する。このリアクタＬの逆起電力とブリッジ整流回
路出力とが加算された電圧はコンデンサ入力型の整流回
路に比較して長い期間において平滑コンデンサＣｄの充
電電圧を上回り、ダンパ・ダイオードＤ５を介して平滑
コンデンサＣｄを充電する。
【０００４】また、商用交流のダイオードＤ１とＤ２の
接続点電位が負となる半周期では、制御パルスφがハイ
レベルのときトランジスタＱがオンし、ダイオードＤ３
−リアクタＬ−トランジスタＱ−ダイオードＤ２の閉回
路が形成されてリアクタＬに電流ＩＬが流れる。そして
、制御パルスφがローレベルとなってトランジスタＱが
オフし、先の閉回路が開路されると、先と同様にリアク
タＬに逆起電力を生じ、逆起電力とブリッジ整流回路出
力とが加算された電圧により平滑コンデンサＣｄが充電
される。
接続点電位が負となる半周期では、制御パルスφがハイ
レベルのときトランジスタＱがオンし、ダイオードＤ３
−リアクタＬ−トランジスタＱ−ダイオードＤ２の閉回
路が形成されてリアクタＬに電流ＩＬが流れる。そして
、制御パルスφがローレベルとなってトランジスタＱが
オフし、先の閉回路が開路されると、先と同様にリアク
タＬに逆起電力を生じ、逆起電力とブリッジ整流回路出
力とが加算された電圧により平滑コンデンサＣｄが充電
される。
【０００５】斯上したアクティブフィルタでは、制御回
路ＣＯＭからの制御パルスφでトランジスタＱのオンオ
フを制御している。即ち、この制御パルスφはリアクタ
Ｌに流れるコイル電流ＩＬの制御を行っている。図７に
示すアクティブフィルタでは、補助巻線（１）によるコ
イル電流の検出を行う制御方式を採用している。補助巻
線（１）はリアクタＬに磁気結合して巻かれ、リアクタ
Ｌを流れるコイル電流ＩＬの極性を検出する。つまり、
トランジスタＱがオンしコイル電流ＩＬが流れて、リア
クタＬにエネルギが蓄積されている期間は補助巻線（１
）からは負の電圧が出力され、トランジスタＱがオフし
リアクタＬのエネルギが放出されている期間は補助巻線
（１）からは正の電圧が出力され、コイル電流ＩＬがゼ
ロになると補助巻線（１）はゼロ電圧となる。この波形
を図８に示している。制御回路ＣＯＭはこのゼロ電圧を
検知して次の一定期間の制御パルスφを出力し、リアク
タＬにコイル電流ＩＬを流す。
路ＣＯＭからの制御パルスφでトランジスタＱのオンオ
フを制御している。即ち、この制御パルスφはリアクタ
Ｌに流れるコイル電流ＩＬの制御を行っている。図７に
示すアクティブフィルタでは、補助巻線（１）によるコ
イル電流の検出を行う制御方式を採用している。補助巻
線（１）はリアクタＬに磁気結合して巻かれ、リアクタ
Ｌを流れるコイル電流ＩＬの極性を検出する。つまり、
トランジスタＱがオンしコイル電流ＩＬが流れて、リア
クタＬにエネルギが蓄積されている期間は補助巻線（１
）からは負の電圧が出力され、トランジスタＱがオフし
リアクタＬのエネルギが放出されている期間は補助巻線
（１）からは正の電圧が出力され、コイル電流ＩＬがゼ
ロになると補助巻線（１）はゼロ電圧となる。この波形
を図８に示している。制御回路ＣＯＭはこのゼロ電圧を
検知して次の一定期間の制御パルスφを出力し、リアク
タＬにコイル電流ＩＬを流す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】斯上したアクティブフ
ィルタ装置では以下の問題点を有している。第１に、リ
アクタＬは補助巻線（１）を巻く必要があり、リアクタ
Ｌが複雑な構造となり、高価格となる問題点がある。第
２に、補助巻線（１）の巻数の設定を制御回路ＣＯＭお
よび２次出力電圧とマッチングする必要があり、アクテ
ィブフィルタの設計が複雑化する問題点がある。
ィルタ装置では以下の問題点を有している。第１に、リ
アクタＬは補助巻線（１）を巻く必要があり、リアクタ
Ｌが複雑な構造となり、高価格となる問題点がある。第
２に、補助巻線（１）の巻数の設定を制御回路ＣＯＭお
よび２次出力電圧とマッチングする必要があり、アクテ
ィブフィルタの設計が複雑化する問題点がある。
【０００７】第３に、整流回路の整流電圧と充電電圧と
の差が小さくなると、補助巻線（１）の出力電圧が非常
に小さくなり、制御回路ＣＯＭを正常に動作させること
ができない問題点がある。
の差が小さくなると、補助巻線（１）の出力電圧が非常
に小さくなり、制御回路ＣＯＭを正常に動作させること
ができない問題点がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は斯上した諸々の
問題点に鑑みて為され、リアクタに流れる電流を低抵抗
の金属抵抗体で検出し且つ金属抵抗体の温度係数を補正
することができる検出回路を設けることにより、従来の
問題点を解決したアクティブフィルタ装置を実現するも
のである。
問題点に鑑みて為され、リアクタに流れる電流を低抵抗
の金属抵抗体で検出し且つ金属抵抗体の温度係数を補正
することができる検出回路を設けることにより、従来の
問題点を解決したアクティブフィルタ装置を実現するも
のである。
【０００９】
【作用】本発明に依れば、リアクタに流れる電流を低抵
抗の金属抵抗体を検出抵抗とし且つ金属抵抗体の温度変
化による補正を行うことができる検出回路で直接検出し
ているため、従来の如き、補助巻線を不要とし、且つ温
度変化に対応し電流検出レベルの変化に対応した電流検
出をすることができ、検出回路の検出出力で制御回路よ
り制御パルスφを出力でき、スイッチング素子のスイッ
チングを制御できる。
抗の金属抵抗体を検出抵抗とし且つ金属抵抗体の温度変
化による補正を行うことができる検出回路で直接検出し
ているため、従来の如き、補助巻線を不要とし、且つ温
度変化に対応し電流検出レベルの変化に対応した電流検
出をすることができ、検出回路の検出出力で制御回路よ
り制御パルスφを出力でき、スイッチング素子のスイッ
チングを制御できる。
【００１０】
【実施例】本発明に依るアクティブフィルタ装置を図１
乃至図６を参照して詳細に説明する。本発明のアクティ
ブフィルタは、図１に示すように、ダイオードＤ１〜Ｄ
４からなるブリッジ整流回路、ブリッジ整流回路の正の
直流出力端に一端が接続されるリアクタＬ、このリアク
タＬの他端とグランド間にコレクタ、エミッタがそれぞ
れ接続されるトランジスタＱ０、 このトランジスタＱ
０のコレクタにアノードが接続されるダンパ・ダイオー
ドＤ５、このダンパ・ダイオードＤ５のカソードとグラ
ンド間に接続される平滑コンデンサＣｄおよびトランジ
スタＱ０のベースに制御パルスφを供給する制御回路Ｃ
ＯＭ、本発明の特徴とするリアクタに流れる電流を検出
する低抵抗の金属抵抗体を検出抵抗体として備えた検出
回路ＤＥＣから構成されている。
乃至図６を参照して詳細に説明する。本発明のアクティ
ブフィルタは、図１に示すように、ダイオードＤ１〜Ｄ
４からなるブリッジ整流回路、ブリッジ整流回路の正の
直流出力端に一端が接続されるリアクタＬ、このリアク
タＬの他端とグランド間にコレクタ、エミッタがそれぞ
れ接続されるトランジスタＱ０、 このトランジスタＱ
０のコレクタにアノードが接続されるダンパ・ダイオー
ドＤ５、このダンパ・ダイオードＤ５のカソードとグラ
ンド間に接続される平滑コンデンサＣｄおよびトランジ
スタＱ０のベースに制御パルスφを供給する制御回路Ｃ
ＯＭ、本発明の特徴とするリアクタに流れる電流を検出
する低抵抗の金属抵抗体を検出抵抗体として備えた検出
回路ＤＥＣから構成されている。
【００１１】制御回路ＣＯＭの主回路はマイクロコンピ
ュータにより構成されて、可聴域外の１５ＫＨｚ以上の
周波数の制御パルスφを出力している。本発明の特徴と
する検出回路ＤＥＣはリアクタＬにトランジスタＱ０が
オン時に流れるコイル電流Ｉ０を検出する金属抵抗体か
らなる検出抵抗Ｒ０に流し、その電圧降下によって得ら
れる電圧信号を発生する。その電圧信号が制御回路にて
定められた所定値、即ち、電源電圧と同期した正弦波状
のレベル以下のときにトランジスタＱ０をオンさせ、リ
アクタＬに電流を流す。この電流が所定の設定レベルに
なると、オペアンプＯＰの出力信号に基づいてトランジ
スタＱ０がオフされ、リアクタＬに流れる電流を遮断す
る。このようにトランジスタＱ０を順次オン・オフをく
り返えして正弦波状の電流を流すようにする。
ュータにより構成されて、可聴域外の１５ＫＨｚ以上の
周波数の制御パルスφを出力している。本発明の特徴と
する検出回路ＤＥＣはリアクタＬにトランジスタＱ０が
オン時に流れるコイル電流Ｉ０を検出する金属抵抗体か
らなる検出抵抗Ｒ０に流し、その電圧降下によって得ら
れる電圧信号を発生する。その電圧信号が制御回路にて
定められた所定値、即ち、電源電圧と同期した正弦波状
のレベル以下のときにトランジスタＱ０をオンさせ、リ
アクタＬに電流を流す。この電流が所定の設定レベルに
なると、オペアンプＯＰの出力信号に基づいてトランジ
スタＱ０がオフされ、リアクタＬに流れる電流を遮断す
る。このようにトランジスタＱ０を順次オン・オフをく
り返えして正弦波状の電流を流すようにする。
【００１２】図２を参照して具体化された本発明の検出
回路を説明する。この検出回路は、トランジスタＱ０の
エミッタと接地ラインに接続されリアクタＬに流れる電
流を検出する金属の抵抗体からなる検出抵抗Ｒ０と、検
出抵抗Ｒ０とトランジスタＱ０との接続点と＋入力端子
が接続されたオペアンプＯＰと、検出抵抗Ｒ０（接地ラ
イン側）とオペアンプＯＰの−入力端子間に接続された
正特性を有するサーミスタＲ１と、オペアンプＯＰの−
端子とオペアンプＯＰの出力端子間に接続された抵抗Ｒ
２とから構成される。
回路を説明する。この検出回路は、トランジスタＱ０の
エミッタと接地ラインに接続されリアクタＬに流れる電
流を検出する金属の抵抗体からなる検出抵抗Ｒ０と、検
出抵抗Ｒ０とトランジスタＱ０との接続点と＋入力端子
が接続されたオペアンプＯＰと、検出抵抗Ｒ０（接地ラ
イン側）とオペアンプＯＰの−入力端子間に接続された
正特性を有するサーミスタＲ１と、オペアンプＯＰの−
端子とオペアンプＯＰの出力端子間に接続された抵抗Ｒ
２とから構成される。
【００１３】本発明では検出抵抗Ｒ０として銅箔あるい
はＡｇペースト等の低抵抗の金属抵抗体を検出抵抗とし
て用いる。本実施例では、銅箔を用いるものとする。一
般にそれらの金属は溶断電流が大きいために大電流を検
出するに適応している。しかし、それらは、抵抗温度係
数（ＴＣＲ）が３８００±２００ＰＰｍ、２１５０±１
５０ＰＰｍと非常に高いため大電流時による温度変化等
の周囲の温度変化があった場合には電流検出が正確に行
えない欠点があり、積極的に使用できないという欠点が
ある。
はＡｇペースト等の低抵抗の金属抵抗体を検出抵抗とし
て用いる。本実施例では、銅箔を用いるものとする。一
般にそれらの金属は溶断電流が大きいために大電流を検
出するに適応している。しかし、それらは、抵抗温度係
数（ＴＣＲ）が３８００±２００ＰＰｍ、２１５０±１
５０ＰＰｍと非常に高いため大電流時による温度変化等
の周囲の温度変化があった場合には電流検出が正確に行
えない欠点があり、積極的に使用できないという欠点が
ある。
【００１４】しかし、本発明では、オペアンプＯＰの−
端子（ＶＲＥＦ）と検出抵抗Ｒ０間にサーミスタＲ１を
接続することによって検出抵抗Ｒ０の温度変化に対応す
るように補正を行う。サーミスタは周知の如く、温度上
昇にともなって抵抗値が下がる、負特性のものと、逆に
温度上昇にともなって抵抗値が上がる、正特性のものが
あり、本発明はその特性を利用して検出抵抗Ｒ０の温度
変化に対する補正を行うものである。
端子（ＶＲＥＦ）と検出抵抗Ｒ０間にサーミスタＲ１を
接続することによって検出抵抗Ｒ０の温度変化に対応す
るように補正を行う。サーミスタは周知の如く、温度上
昇にともなって抵抗値が下がる、負特性のものと、逆に
温度上昇にともなって抵抗値が上がる、正特性のものが
あり、本発明はその特性を利用して検出抵抗Ｒ０の温度
変化に対する補正を行うものである。
【００１５】図３は、検出抵抗Ｒ０の電流検出レベルＩ
が変化したときのオペアンプＯＰの＋入力端子電圧Ｖｓ
が所定温度（Ｔ＝２５℃）のときと温度上昇（Ｔ＝１０
０℃）したときの特性を示す特性図であり、図４は検出
抵抗Ｒ０の電流検出レベルＩが変化したときのオペアン
プＯＰの−入力端子電圧ＶＲＥＦがＴ＝２５℃のときと
、Ｔ＝１００℃のときの特性を示す特性図である。
が変化したときのオペアンプＯＰの＋入力端子電圧Ｖｓ
が所定温度（Ｔ＝２５℃）のときと温度上昇（Ｔ＝１０
０℃）したときの特性を示す特性図であり、図４は検出
抵抗Ｒ０の電流検出レベルＩが変化したときのオペアン
プＯＰの−入力端子電圧ＶＲＥＦがＴ＝２５℃のときと
、Ｔ＝１００℃のときの特性を示す特性図である。
【００１６】図３、図４から明らかな如く、オペアンプ
ＯＰの＋入力端子電圧Ｖｓの温度変化に対応して−入力
端子電圧ＶＲＥＦも同じように変化することが明らかで
ある。従って、サーミスタの抵抗値をあらかじめ検出抵
抗Ｒ０との温度変化に対するように設定すれば、検出抵
抗Ｒ０の電流検出レベルが変化したとしてもＶｓ、ＶＲ
ＥＦ両電圧が温度変化に対して同様に変化するために温
度変化に関係なく電流検出レベルの任意の点で安定した
電流検出を行うことができる。
ＯＰの＋入力端子電圧Ｖｓの温度変化に対応して−入力
端子電圧ＶＲＥＦも同じように変化することが明らかで
ある。従って、サーミスタの抵抗値をあらかじめ検出抵
抗Ｒ０との温度変化に対するように設定すれば、検出抵
抗Ｒ０の電流検出レベルが変化したとしてもＶｓ、ＶＲ
ＥＦ両電圧が温度変化に対して同様に変化するために温
度変化に関係なく電流検出レベルの任意の点で安定した
電流検出を行うことができる。
【００１７】本実施例では、正特性のサーミスタを用い
たが負特性のサーミスタを用いて同様のことができる。 この場合は図２において、抵抗Ｒ２をサーミスタとすれ
ばよい。また、検出回路として、図５の如く接続しても
同様の検出効果を有する。次に図６を参照して、上記し
たアクティブフィルタ装置をリアクタＬおよび平滑コン
デンサＣｄを除いて、絶縁金属基板よりなる混成集積回
路基板上に実装した実施例の具体構造を説明する。
たが負特性のサーミスタを用いて同様のことができる。 この場合は図２において、抵抗Ｒ２をサーミスタとすれ
ばよい。また、検出回路として、図５の如く接続しても
同様の検出効果を有する。次に図６を参照して、上記し
たアクティブフィルタ装置をリアクタＬおよび平滑コン
デンサＣｄを除いて、絶縁金属基板よりなる混成集積回
路基板上に実装した実施例の具体構造を説明する。
【００１８】斜線が施された回路パターンはグランド・
パターンであり、回路基板はそのグランド・パターンの
一部により、図面の略上半分の空白部分に対応する小信
号回路ブロックと図面の下半分に対応する大電流回路ブ
ロックに２分割される。本実施例では小信号回路ブロッ
クから大電流回路ブロックに供給される制御パルスφの
配線、リアクタＬの出力側から検出回路ＤＥＣへの配線
、あるいは大電流回路ブロックから小信号回路ブロック
へ供給されるトランジスタＱ０のエミッタ電位の配線は
前記グランド・パターンの一部を迂回するように形成さ
れているが、これに限定されるものではなく、例えば、
トランジスタＱ０のエミッタ電位の配線は小信号回路ブ
ロックの所定の位置へボンディングワイアによって接続
（ジャンピングワイア接続）してもよい。
パターンであり、回路基板はそのグランド・パターンの
一部により、図面の略上半分の空白部分に対応する小信
号回路ブロックと図面の下半分に対応する大電流回路ブ
ロックに２分割される。本実施例では小信号回路ブロッ
クから大電流回路ブロックに供給される制御パルスφの
配線、リアクタＬの出力側から検出回路ＤＥＣへの配線
、あるいは大電流回路ブロックから小信号回路ブロック
へ供給されるトランジスタＱ０のエミッタ電位の配線は
前記グランド・パターンの一部を迂回するように形成さ
れているが、これに限定されるものではなく、例えば、
トランジスタＱ０のエミッタ電位の配線は小信号回路ブ
ロックの所定の位置へボンディングワイアによって接続
（ジャンピングワイア接続）してもよい。
【００１９】更に、このグランド・パターンは高周波、
大電流が流れるトランジスタＱ０のエミッタに最も近い
位置でアルミニウム基板にボンディングワイアＷで接続
されて、アルミニウム基板電位をグランド・パターン電
位と等電位にしている。大電流回路ブロックには、ブリ
ッジ整流回路を構成するダイオードＤ１〜Ｄ４、ダンパ
・ダイオードＤ５、トランジスタＱ０がヒートシンクを
介して表面実装され、更にトランジスタＱ０のエミッタ
電流を制限し、またその値を計測するための銅箔からな
る検出抵抗Ｒ０が形成される。これら素子は先の小信号
回路ブロックと大電流回路ブロックを分割するグランド
・パターン部に大電流が流れないようにそれぞれ配置さ
れる。大電流回路ブロックと外部回路とを接続する外部
リード端子と小信号回路ブロックの外部リード端子は互
いの結合が疎になるように回路基板の相対する周端辺に
配置される。
大電流が流れるトランジスタＱ０のエミッタに最も近い
位置でアルミニウム基板にボンディングワイアＷで接続
されて、アルミニウム基板電位をグランド・パターン電
位と等電位にしている。大電流回路ブロックには、ブリ
ッジ整流回路を構成するダイオードＤ１〜Ｄ４、ダンパ
・ダイオードＤ５、トランジスタＱ０がヒートシンクを
介して表面実装され、更にトランジスタＱ０のエミッタ
電流を制限し、またその値を計測するための銅箔からな
る検出抵抗Ｒ０が形成される。これら素子は先の小信号
回路ブロックと大電流回路ブロックを分割するグランド
・パターン部に大電流が流れないようにそれぞれ配置さ
れる。大電流回路ブロックと外部回路とを接続する外部
リード端子と小信号回路ブロックの外部リード端子は互
いの結合が疎になるように回路基板の相対する周端辺に
配置される。
【００２０】また、外部接続される平滑コンデンサＣｄ
とダンパ・ダイオードＤ５の距離は平滑コンデンサＣｄ
の充放電能に大きく影響するため、ダンパ・ダイオード
Ｄ５は図５にＶ＋で示す端子に近接して配置される。ま
た、同様な理由によりこのＶ＋で示す端子とグランド端
子ＧＮＤは隣接配置される。小信号回路ブロックには、
制御回路ＣＯＭと銅箔よりなる金属抵抗体Ｒ０と接続さ
れる検出回路ＤＥＣとが図示されないが実装配置されて
いる。
とダンパ・ダイオードＤ５の距離は平滑コンデンサＣｄ
の充放電能に大きく影響するため、ダンパ・ダイオード
Ｄ５は図５にＶ＋で示す端子に近接して配置される。ま
た、同様な理由によりこのＶ＋で示す端子とグランド端
子ＧＮＤは隣接配置される。小信号回路ブロックには、
制御回路ＣＯＭと銅箔よりなる金属抵抗体Ｒ０と接続さ
れる検出回路ＤＥＣとが図示されないが実装配置されて
いる。
【００２１】
【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
低抵抗の金属抵抗体でリアクタＬのコイル電流を検出す
るために、従来の如き、補助巻線を不要とでき、リアク
タＬの構造を簡略化できる利点を有する。また、補助巻
線と制御回路ＣＯＭとのマッチング設計も不要となる。
低抵抗の金属抵抗体でリアクタＬのコイル電流を検出す
るために、従来の如き、補助巻線を不要とでき、リアク
タＬの構造を簡略化できる利点を有する。また、補助巻
線と制御回路ＣＯＭとのマッチング設計も不要となる。
【００２２】また、本発明では、検出回路にサーミスタ
を用いて検出抵抗Ｒ０の温度に対応して補正を行ってい
るため、温度上昇変化に対応して電流検出レベルの任意
点で確実に検出を行えることができる。更に、本発明で
は、補助巻線を不要とするために、検出回路を同一の混
成集積回路基板上に実装できる様且つ検出抵抗Ｒ０を銅
箔として用いているために、極めて小型化且つ高信頼性
の混成集積回路装置を実現することができる。
を用いて検出抵抗Ｒ０の温度に対応して補正を行ってい
るため、温度上昇変化に対応して電流検出レベルの任意
点で確実に検出を行えることができる。更に、本発明で
は、補助巻線を不要とするために、検出回路を同一の混
成集積回路基板上に実装できる様且つ検出抵抗Ｒ０を銅
箔として用いているために、極めて小型化且つ高信頼性
の混成集積回路装置を実現することができる。
【図１】図１は本発明に依るアクティブフィルタ装置を
説明する回路図である。
説明する回路図である。
【図２】図２は本発明に用いる検出回路ＤＥＣを説明す
る回路図である。
る回路図である。
【図３】図３は検出電流レベルの変化に対応するＶｓの
変化を示す特性図である。
変化を示す特性図である。
【図４】図４は検出電流レベルの変化に対するＶＲＥＦ
の変化を示す特性図である。
の変化を示す特性図である。
【図５】図５は他の検出回路ＤＥＣを説明する回路図で
ある。
ある。
【図６】図６は本発明のアクティブフィルタを混成集積
回路基板に実装した状態を説明する上面図である。
回路基板に実装した状態を説明する上面図である。
【図７】図７は従来のアクティブフィルタ装置を説明す
る回路図である。
る回路図である。
【図８】図８は従来のアクティブフィルタ装置の動作を
説明する波形図である。
説明する波形図である。
Ｌ リアクタ
Ｄ１〜Ｄ５ ダイオード
Ｃｄ 平滑コンデンサ
Ｑ０ トランジスタ
ＣＯＭ 制御回路
ＤＥＣ 検出回路
Ｒ０ 検出抵抗
ＯＰ オペアンプ
Claims (4)
- 【請求項１】 整流回路とスイッチング素子とリアク
タと前記リアクタより充電電圧を取り出すダイオードと
充電電圧を充電されるコンデンサと前記スイッチング素
子のスイッチングを制御する制御回路とを具備し、前記
整流回路で交流電源を整流交流電圧に変換した後前記ス
イッチング素子で前記リアクタに断続的にコイル電流を
流すように構成したアクティブフィルタ装置において、
前記リアクタに流れる電流を検出する低抵抗の金属抵抗
体と前記低抵抗の金属抵抗体の温度係数を補正するサー
ミスタを備えた検出回路を設け、この検出出力を前記制
御回路に印加し、前記電流を検出することを特徴とする
アクティブフィルタ装置。 - 【請求項２】 前記検出回路は、前記低抵抗の金属の
検出抵抗の一端と＋入力端子が接続されたオペアンプと
前記低抵抗の金属の検出抵抗の他端と前記オペアンプの
−入力端子間に接続されたサーミスタ（あるいは抵抗）
と前記比較器の−入力端子と出力端子間に接続された抵
抗（あるいはサーミスタ）とを備えたことを特徴とする
請求項１記載のアクティブフィルタ装置。 - 【請求項３】 前記低抵抗の金属抵抗体として銅箔を
用いたことを特徴とする請求項１記載のアクティブフィ
ルタ装置。 - 【請求項４】 前記整流回路、前記スイッチング素子
、前記ダイオード、前記制御回路を同一の混成集積回路
基板上に実装することを特徴とする請求項１記載のアク
ティブフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8858391A JPH04320507A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブフィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8858391A JPH04320507A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブフィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320507A true JPH04320507A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13946866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8858391A Pending JPH04320507A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | アクティブフィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320507A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326206B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2002-06-20 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 직류전원장치 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP8858391A patent/JPH04320507A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326206B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2002-06-20 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 직류전원장치 |
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