JPH04322158A - 昇圧回路 - Google Patents
昇圧回路Info
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- JPH04322158A JPH04322158A JP3112221A JP11222191A JPH04322158A JP H04322158 A JPH04322158 A JP H04322158A JP 3112221 A JP3112221 A JP 3112221A JP 11222191 A JP11222191 A JP 11222191A JP H04322158 A JPH04322158 A JP H04322158A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ
の１種である昇圧回路に係り、特に半導体集積回路装置
に内蔵するに際して好適な昇圧回路に関するものである
。
の１種である昇圧回路に係り、特に半導体集積回路装置
に内蔵するに際して好適な昇圧回路に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】従来の昇圧回路を図２に示す。この回路
は、インバータ１、２、コンデンサＣ１、Ｃ２、抵抗Ｒ
１、Ｒ２からなる発振部Ａと、インバータ３、ダイオー
ドＤ１〜Ｄ３、コンデンサＣ３〜Ｃ６からなる昇圧部Ｂ
とで構成されるものである。コンデンサＣ１、Ｃ２は内
蔵であるが、コンデンサＣ３〜Ｃ６は大きな容量が必要
なために外付けである。
は、インバータ１、２、コンデンサＣ１、Ｃ２、抵抗Ｒ
１、Ｒ２からなる発振部Ａと、インバータ３、ダイオー
ドＤ１〜Ｄ３、コンデンサＣ３〜Ｃ６からなる昇圧部Ｂ
とで構成されるものである。コンデンサＣ１、Ｃ２は内
蔵であるが、コンデンサＣ３〜Ｃ６は大きな容量が必要
なために外付けである。
【０００３】この昇圧回路では、次のサイクルで昇圧が
行われる。 （１）．インバータ３の入力側が０、出力側がＶ（電源
電圧）のとき、コンデンサＣ３に電圧Ｖが図示の極性で
充電される。 （２）．インバータ３の入力側がＶ、出力側が０に反転
すると、コンデンサＣ３に上記充電していた電圧Ｖに対
して発振部Ａの出力電圧Ｖが加わり、つまり嵩上げされ
て、その電圧が２Ｖとなる。そして、この２Ｖの電圧が
コンデンサＣ４に転移される。 （３）．更に、インバータ３が反転してその出力がＶに
なると、上記■と同様にコンデンサＣ３に電圧Ｖが充電
されると共に、コンデンサＣ４の電圧にインバータ３の
出力電圧Ｖが嵩上げされて、そのコンデンサＣ４の電圧
が３Ｖとなる。 （４）．以上の（１）〜（３）の動作が繰り返される。 以上から、図２に示す昇圧回路では、コンデンサＣ５に
２倍電圧（２Ｖ）が現れ、コンデンサＣ６に３倍電圧（
３Ｖ）が現れる。
行われる。 （１）．インバータ３の入力側が０、出力側がＶ（電源
電圧）のとき、コンデンサＣ３に電圧Ｖが図示の極性で
充電される。 （２）．インバータ３の入力側がＶ、出力側が０に反転
すると、コンデンサＣ３に上記充電していた電圧Ｖに対
して発振部Ａの出力電圧Ｖが加わり、つまり嵩上げされ
て、その電圧が２Ｖとなる。そして、この２Ｖの電圧が
コンデンサＣ４に転移される。 （３）．更に、インバータ３が反転してその出力がＶに
なると、上記■と同様にコンデンサＣ３に電圧Ｖが充電
されると共に、コンデンサＣ４の電圧にインバータ３の
出力電圧Ｖが嵩上げされて、そのコンデンサＣ４の電圧
が３Ｖとなる。 （４）．以上の（１）〜（３）の動作が繰り返される。 以上から、図２に示す昇圧回路では、コンデンサＣ５に
２倍電圧（２Ｖ）が現れ、コンデンサＣ６に３倍電圧（
３Ｖ）が現れる。
【０００４】ところで、この昇圧回路の負荷としてＭＯ
Ｓ型のドライバーを接続する場合には、それを効率良く
駆動するために、ゲート電圧としては高い電圧が、電源
電圧としては大きな電流が要求される。従来ではこのよ
うなＭＯＳ型ドライバーに電圧と電流の供給を図２に示
すように、１系統で行っていた。
Ｓ型のドライバーを接続する場合には、それを効率良く
駆動するために、ゲート電圧としては高い電圧が、電源
電圧としては大きな電流が要求される。従来ではこのよ
うなＭＯＳ型ドライバーに電圧と電流の供給を図２に示
すように、１系統で行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方式では
、電圧を重点的に供給すると電流駆動能力が低下し、逆
に電流を重点的に供給すると電圧駆動能力が低下すると
いう問題があり、大電流用の用途には適用が困難であっ
た。また、電池を使用する小型の機器では、高いゲート
電圧を供給するのでむだな電流が消費され、電池の寿命
が短くなる。本発明の目的は、昇圧部を電流用供給用と
電圧供給用の少なくとも２系統に分けて、上記した問題
を解決することである。
、電圧を重点的に供給すると電流駆動能力が低下し、逆
に電流を重点的に供給すると電圧駆動能力が低下すると
いう問題があり、大電流用の用途には適用が困難であっ
た。また、電池を使用する小型の機器では、高いゲート
電圧を供給するのでむだな電流が消費され、電池の寿命
が短くなる。本発明の目的は、昇圧部を電流用供給用と
電圧供給用の少なくとも２系統に分けて、上記した問題
を解決することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の昇圧回路は、大
電流出力用の第一昇圧部と、コンデンサ電荷の充電／転
移の動作が上記第一昇圧部から独立した高圧出力用の第
二昇圧部とを少なくとも具備するように構成した。本発
明では、上記第一昇圧部を負荷の電源電圧供給用とし、
上記第二昇圧部を負荷の制御回路用とすることが好まし
い。
電流出力用の第一昇圧部と、コンデンサ電荷の充電／転
移の動作が上記第一昇圧部から独立した高圧出力用の第
二昇圧部とを少なくとも具備するように構成した。本発
明では、上記第一昇圧部を負荷の電源電圧供給用とし、
上記第二昇圧部を負荷の制御回路用とすることが好まし
い。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図を参照して説
明する。図１はその一実施例の昇圧回路の回路図である
。Ｂ１は大電流用昇圧部であって、インバータ４、大容
量のコンデンサＣ７〜Ｃ９、ダイオードＤ４〜Ｄ６で構
成されている。またＢ２は高圧用昇圧部であって、イン
バータ５、小容量のコンデンサＣ１０〜Ｃ１２、ダイオ
ードＤ７〜Ｄ９で構成されている。なお、発振部Ａは図
２に示したものと同じである。
明する。図１はその一実施例の昇圧回路の回路図である
。Ｂ１は大電流用昇圧部であって、インバータ４、大容
量のコンデンサＣ７〜Ｃ９、ダイオードＤ４〜Ｄ６で構
成されている。またＢ２は高圧用昇圧部であって、イン
バータ５、小容量のコンデンサＣ１０〜Ｃ１２、ダイオ
ードＤ７〜Ｄ９で構成されている。なお、発振部Ａは図
２に示したものと同じである。
【０００８】この昇圧回路では、発振部Ａの発振出力に
よって、大電流用昇圧部Ｂ１と高圧用昇圧部Ｂ２が各々
電源電圧の３倍電圧を出力する。昇圧動作は前記した図
２における場合と同様である。
よって、大電流用昇圧部Ｂ１と高圧用昇圧部Ｂ２が各々
電源電圧の３倍電圧を出力する。昇圧動作は前記した図
２における場合と同様である。
【０００９】大電流用昇圧部Ｂ１はそのコンデンサＣ７
〜Ｃ９の容量が大きいので、電流を重点的に供給する必
要のある例えば電源回路等に接続することにより、その
要求される電流を充分供給することができる。また高圧
用昇圧部Ｂ２は上記大電流用昇圧回路Ｂ１から独立して
昇圧動作を行うので、その出力に高圧を重点的に供給す
る必要のある例えばＦＥＴのゲート電圧回路等に接続す
れば、安定的に高圧を供給することができる。そして、
電源に電池を使用する昇圧回路にこれを適用すれば、電
池の寿命を大幅に伸ばすことができる。
〜Ｃ９の容量が大きいので、電流を重点的に供給する必
要のある例えば電源回路等に接続することにより、その
要求される電流を充分供給することができる。また高圧
用昇圧部Ｂ２は上記大電流用昇圧回路Ｂ１から独立して
昇圧動作を行うので、その出力に高圧を重点的に供給す
る必要のある例えばＦＥＴのゲート電圧回路等に接続す
れば、安定的に高圧を供給することができる。そして、
電源に電池を使用する昇圧回路にこれを適用すれば、電
池の寿命を大幅に伸ばすことができる。
【００１０】以上の結果、大電流用昇圧部Ｂ１のコンデ
ンサＣ７〜Ｃ９は外付けとする必要があるが、高圧用昇
圧部Ｂ２のコンデンサＣ１０〜Ｃ１２は小容量でも良い
ので半導体装置に内蔵させることができる。また、この
昇圧部Ｂ２に用いるＦＥＴは、大電流用昇圧部Ｂ１のそ
れに比較して、サイズが小さくて済む。
ンサＣ７〜Ｃ９は外付けとする必要があるが、高圧用昇
圧部Ｂ２のコンデンサＣ１０〜Ｃ１２は小容量でも良い
ので半導体装置に内蔵させることができる。また、この
昇圧部Ｂ２に用いるＦＥＴは、大電流用昇圧部Ｂ１のそ
れに比較して、サイズが小さくて済む。
【００１１】なお、上記実施例では昇圧部を同一の３倍
圧の２系統にしたが、２倍圧と４倍圧のように異なった
倍圧の昇圧部を組み合せることもでき、更に２系統に限
らず３系統以上とすることもできる。また、本実施例で
は昇圧部のコンデンサの電荷充電や他のコンデンサへの
電荷転移の動作をインバータとダイオードを使用して実
現しているが、適宜切り換えるスイッチング素子を使用
して構成することもできる。
圧の２系統にしたが、２倍圧と４倍圧のように異なった
倍圧の昇圧部を組み合せることもでき、更に２系統に限
らず３系統以上とすることもできる。また、本実施例で
は昇圧部のコンデンサの電荷充電や他のコンデンサへの
電荷転移の動作をインバータとダイオードを使用して実
現しているが、適宜切り換えるスイッチング素子を使用
して構成することもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上から本発明によれば、大電流が重点
的に要求される負荷には大電流を安定的に継続して供給
することができ、また高圧が重点的に要求される負荷に
はその高圧を安定的に継続して供給することができる。 更に、電池を電源として使用する小型機器においては電
池の寿命を大幅に伸ばすことができる。
的に要求される負荷には大電流を安定的に継続して供給
することができ、また高圧が重点的に要求される負荷に
はその高圧を安定的に継続して供給することができる。 更に、電池を電源として使用する小型機器においては電
池の寿命を大幅に伸ばすことができる。
【図１】 本発明の一実施例の昇圧回路の回路図
である。
である。
【図２】 従来の昇圧回路の回路図である。
１〜５：インバータ、Ｃ１〜Ｃ１２：コンデンサ、Ｒ１
、Ｒ２：抵抗、Ｄ１〜Ｄ９：ダイオード。
、Ｒ２：抵抗、Ｄ１〜Ｄ９：ダイオード。
Claims (2)
- 【請求項１】 大電流出力用の第一昇圧部と、コンデ
ンサ電荷の充電／転移の動作が上記第一昇圧部から独立
した高圧出力用の第二昇圧部とを少なくとも具備するこ
とを特徴とする昇圧回路。 - 【請求項２】 上記第一昇圧部を負荷の電源電圧供給
用とし、上記第二昇圧部を負荷の制御回路用としたこと
を特徴とする請求項１に記載の昇圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112221A JPH04322158A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 昇圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3112221A JPH04322158A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 昇圧回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04322158A true JPH04322158A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14581286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3112221A Withdrawn JPH04322158A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 昇圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04322158A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020048242A (ko) * | 2000-12-18 | 2002-06-22 | 밍 루 | 풀업 구동부의 고전압 공급장치 |
| JP2014187764A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電圧変換回路および切替制御回路 |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP3112221A patent/JPH04322158A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020048242A (ko) * | 2000-12-18 | 2002-06-22 | 밍 루 | 풀업 구동부의 고전압 공급장치 |
| JP2014187764A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電圧変換回路および切替制御回路 |
| US9350233B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Voltage conversion circuit and switching control circuit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |