JPH04322227A - 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子 - Google Patents
強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子Info
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- JPH04322227A JPH04322227A JP11667591A JP11667591A JPH04322227A JP H04322227 A JPH04322227 A JP H04322227A JP 11667591 A JP11667591 A JP 11667591A JP 11667591 A JP11667591 A JP 11667591A JP H04322227 A JPH04322227 A JP H04322227A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイや広告媒
体に好適な強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子に
関する。
体に好適な強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の表示方式には大きく分け
て2通りある。予め文字、数字、模様などの形に透明電
極をパターニングしておき、幾つかの電極を選択して特
定の表示を行う方式(セグメント方式)と、縦横にスト
ライプ状の電極を設け、任意の点を選択して文字、数字
、模様等を表示する方式(ドットマトリクス方式)であ
る。このうち、セグメント方式ではネマチック液晶を用
いて電卓、時計、卓上ゲーム機などのデジタル表示等に
広く用いられている。セグメント方式は静止画、文字を
表示するのに向いている。電極のパターンの工夫や駆動
回路側の工夫により擬似的な動画表示も可能であるが、
動画表示を得るには駆動回路側を複雑にする必要がある
。一方、ドットマトリクス方式では前者と同様にネマチ
ック液晶を用いてパソコンの表示画面や卓上液晶テレビ
などに応用されており、任意の表示ができるという利点
を有しているものの、元来ネマチック液晶は電界応答速
度が遅く、また時分割駆動時に発生するクロストークの
ため画素密度を高くできないこと、駆動回路が複雑にな
ること等の欠点を有している。また、どちらの方式でも
液晶セルを組み立てる工程が複雑なため大面積の表示が
できないという欠点を有している。
て2通りある。予め文字、数字、模様などの形に透明電
極をパターニングしておき、幾つかの電極を選択して特
定の表示を行う方式(セグメント方式)と、縦横にスト
ライプ状の電極を設け、任意の点を選択して文字、数字
、模様等を表示する方式(ドットマトリクス方式)であ
る。このうち、セグメント方式ではネマチック液晶を用
いて電卓、時計、卓上ゲーム機などのデジタル表示等に
広く用いられている。セグメント方式は静止画、文字を
表示するのに向いている。電極のパターンの工夫や駆動
回路側の工夫により擬似的な動画表示も可能であるが、
動画表示を得るには駆動回路側を複雑にする必要がある
。一方、ドットマトリクス方式では前者と同様にネマチ
ック液晶を用いてパソコンの表示画面や卓上液晶テレビ
などに応用されており、任意の表示ができるという利点
を有しているものの、元来ネマチック液晶は電界応答速
度が遅く、また時分割駆動時に発生するクロストークの
ため画素密度を高くできないこと、駆動回路が複雑にな
ること等の欠点を有している。また、どちらの方式でも
液晶セルを組み立てる工程が複雑なため大面積の表示が
できないという欠点を有している。
【0003】また、液晶の電界変化に対する応答時間を
速くするために強誘電性液晶を用いる研究が活発になさ
れており、クラークとラゲルバルによる表示方式(特開
昭56−107216号公報、特開昭63−15352
1号公報)などが提案されている。しかしながら、強誘
電性液晶もネマチック液晶にもましてセル組み立て工程
が複雑であるため大面積の表示を得ることは難しい。
速くするために強誘電性液晶を用いる研究が活発になさ
れており、クラークとラゲルバルによる表示方式(特開
昭56−107216号公報、特開昭63−15352
1号公報)などが提案されている。しかしながら、強誘
電性液晶もネマチック液晶にもましてセル組み立て工程
が複雑であるため大面積の表示を得ることは難しい。
【0004】大面積の表示素子を得るために強誘電性液
晶を高分子化する試みがなされ、これを用いた表示素子
が考案された(特開昭63−318526号公報、特開
昭64−6922号公報など)。しかし、強誘電性高分
子液晶のみを用いた素子では大面積化は容易に得られる
ものの応答速度が遅く、ドットマトリクス表示をするの
が難しいこと、セグメント方式では駆動回路を複雑にし
ないと動画表示を行えないことなどの問題点を有してい
る。
晶を高分子化する試みがなされ、これを用いた表示素子
が考案された(特開昭63−318526号公報、特開
昭64−6922号公報など)。しかし、強誘電性高分
子液晶のみを用いた素子では大面積化は容易に得られる
ものの応答速度が遅く、ドットマトリクス表示をするの
が難しいこと、セグメント方式では駆動回路を複雑にし
ないと動画表示を行えないことなどの問題点を有してい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は強誘電性高分
子液晶を用い、強誘電性高分子液晶の電界変化に対する
応答時間が平均分子量に依存するという性質(Mol.
Cryst.Liq.Cryst.1988,vol.
155,p93−102,第15回液晶討論会講演予稿
集2B08〜09)を利用し、セグメント方式でも擬似
的な動画表示を大面積でかつ簡単な駆動回路を用いて行
うことのできる強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素
子を得ようとするものである。
子液晶を用い、強誘電性高分子液晶の電界変化に対する
応答時間が平均分子量に依存するという性質(Mol.
Cryst.Liq.Cryst.1988,vol.
155,p93−102,第15回液晶討論会講演予稿
集2B08〜09)を利用し、セグメント方式でも擬似
的な動画表示を大面積でかつ簡単な駆動回路を用いて行
うことのできる強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素
子を得ようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するため鋭意検討を行ったところ、強誘電性高分子
液晶の平均分子量が液晶光学素子平面内で位置によって
異なる液晶光学素子により課題が解決されることを見出
し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、電
極付基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる液晶光
学素子において、強誘電性高分子液晶が分子量に分布を
持つものであり、液晶光学素子平面内で強誘電性高分子
液晶の平均分子量が位置によって異なっていることを特
徴とする強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子を提
供するものである。
解決するため鋭意検討を行ったところ、強誘電性高分子
液晶の平均分子量が液晶光学素子平面内で位置によって
異なる液晶光学素子により課題が解決されることを見出
し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、電
極付基板間に強誘電性高分子液晶を挟持してなる液晶光
学素子において、強誘電性高分子液晶が分子量に分布を
持つものであり、液晶光学素子平面内で強誘電性高分子
液晶の平均分子量が位置によって異なっていることを特
徴とする強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子を提
供するものである。
【0007】本発明の液晶光学素子は電極付基板間に強
誘電性高分子液晶を挟持してなる。図1は、本発明の液
晶光学素子の構成の一例を示す断面説明図である。強誘
電性高分子液晶1は2枚の電極2付基板3により挟持さ
れており、基板3の両外側には偏光板4が配置されてい
る。
誘電性高分子液晶を挟持してなる。図1は、本発明の液
晶光学素子の構成の一例を示す断面説明図である。強誘
電性高分子液晶1は2枚の電極2付基板3により挟持さ
れており、基板3の両外側には偏光板4が配置されてい
る。
【0008】偏光板は必要に応じて電極付基板の両外側
又は片外側に設けられ、通常の液晶光学素子に使用され
る偏光板が好適に用いられる。偏光軸方向としては特に
制限はないが、基板の両外側に偏光板を設ける場合、2
枚の偏光板の偏光軸が互いに直交していることが好まし
い。また、一方の偏光板の偏光軸が液晶層に正又は負の
電界を印加したときの液晶分子軸すなわち光学軸に一致
しているか、あるいは強誘電性高分子液晶のスメクチッ
ク層法線方向(配向方向)に一致していることが好まし
い。
又は片外側に設けられ、通常の液晶光学素子に使用され
る偏光板が好適に用いられる。偏光軸方向としては特に
制限はないが、基板の両外側に偏光板を設ける場合、2
枚の偏光板の偏光軸が互いに直交していることが好まし
い。また、一方の偏光板の偏光軸が液晶層に正又は負の
電界を印加したときの液晶分子軸すなわち光学軸に一致
しているか、あるいは強誘電性高分子液晶のスメクチッ
ク層法線方向(配向方向)に一致していることが好まし
い。
【0009】電極付基板の基板としては、透明性の材料
からなるものであれば特に制限はない。例えば、ガラス
、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテ
ルスルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)など
のプラスチックフィルムなどが挙げられる。本発明では
高分子液晶を用いているので生産性を向上させるためプ
ラスチックフィルムのような可撓性基板を用いることが
好ましい。基板の厚さとしては10μm〜数mmが好ま
しい。
からなるものであれば特に制限はない。例えば、ガラス
、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテ
ルスルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)など
のプラスチックフィルムなどが挙げられる。本発明では
高分子液晶を用いているので生産性を向上させるためプ
ラスチックフィルムのような可撓性基板を用いることが
好ましい。基板の厚さとしては10μm〜数mmが好ま
しい。
【0010】電極としては、酸化インジウム又は酸化イ
ンジウムと酸化スズとの混合物からなるITO等の透明
電極を基板に蒸着したものなどが好ましい。上記の電極
付基板間に挟持される強誘電性高分子液晶としては、使
用温度で強誘電相を示す高分子液晶であれば特に制限は
ない。例えば、ポリアクリレート系、ポリメタクリレー
ト系、ポリクロロアクリレート系、ポリオキシラン系、
ポリシロキサン系、ポリエステル系等の強誘電性高分子
液晶が挙げられる。
ンジウムと酸化スズとの混合物からなるITO等の透明
電極を基板に蒸着したものなどが好ましい。上記の電極
付基板間に挟持される強誘電性高分子液晶としては、使
用温度で強誘電相を示す高分子液晶であれば特に制限は
ない。例えば、ポリアクリレート系、ポリメタクリレー
ト系、ポリクロロアクリレート系、ポリオキシラン系、
ポリシロキサン系、ポリエステル系等の強誘電性高分子
液晶が挙げられる。
【0011】ポリアクリレート系強誘電性高分子液晶の
繰り返し単位としては、例えば、
繰り返し単位としては、例えば、
【化1】
などが挙げられる。
【0012】ポリメタクリレート系強誘電性高分子液晶
の繰り返し単位としては、例えば、
の繰り返し単位としては、例えば、
【化2】
などが挙げられる。
【0013】ポリクロロアクリレート系強誘電性高分子
液晶の繰り返し単位としては、例えば、
液晶の繰り返し単位としては、例えば、
【化3】
などが挙げられる。
【0014】ポリオキシラン系強誘電性高分子液晶の繰
り返し単位としては、例えば、
り返し単位としては、例えば、
【化4】
などが挙げられる。
【0015】ポリシロキサン系強誘電性高分子液晶の繰
り返し単位としては、例えば、
り返し単位としては、例えば、
【化5】
などが挙げられる。
【0016】ポリエステル系強誘電性高分子液晶の繰り
返し単位としては、例えば、
返し単位としては、例えば、
【化6】
などが挙げられる。
【0017】なお、上記の強誘電性高分子液晶の繰り返
し単位は、側鎖の骨格がビフェニル骨格、フェニルベン
ゾエート骨格、ビフェニルベンゾエート骨格、フェニル
−4−フェニルベンゾエート骨格で置き換えられてもよ
く、これらの骨格中のベンゼン環がピリミジン環、ピリ
ジン環、ピリダジン環、ピラジン環、テトラジン環、シ
クロヘキサン環、ジオキサン環、ジオキサボリナン環で
置き換えられてもよく、フッ素、塩素などのハロゲン基
あるいはシアノ基で置換されてもよく、1−メチルアル
キル基、2−フルオロアルキル基、2−クロロアルキル
基、2−クロロ−3−メチルアルキル基、2−トリフル
オロメチルアルキル基、1−アルコキシカルボニルエチ
ル基、2−アルコキシ−1−メチルエチル基、2−アル
コキシプロピル基、2−クロロ−1−メチルアルキル基
、2−アルコキシカルボニル−1−トリフルオロメチル
プロピル基などの光学活性基で、あるいはエーテル結合
、エステル結合を介してこれらの光学活性基で置換され
ていてもよく、またスペーサの長さは、メチレン鎖長が
2〜30の範囲で変化してもよい。
し単位は、側鎖の骨格がビフェニル骨格、フェニルベン
ゾエート骨格、ビフェニルベンゾエート骨格、フェニル
−4−フェニルベンゾエート骨格で置き換えられてもよ
く、これらの骨格中のベンゼン環がピリミジン環、ピリ
ジン環、ピリダジン環、ピラジン環、テトラジン環、シ
クロヘキサン環、ジオキサン環、ジオキサボリナン環で
置き換えられてもよく、フッ素、塩素などのハロゲン基
あるいはシアノ基で置換されてもよく、1−メチルアル
キル基、2−フルオロアルキル基、2−クロロアルキル
基、2−クロロ−3−メチルアルキル基、2−トリフル
オロメチルアルキル基、1−アルコキシカルボニルエチ
ル基、2−アルコキシ−1−メチルエチル基、2−アル
コキシプロピル基、2−クロロ−1−メチルアルキル基
、2−アルコキシカルボニル−1−トリフルオロメチル
プロピル基などの光学活性基で、あるいはエーテル結合
、エステル結合を介してこれらの光学活性基で置換され
ていてもよく、またスペーサの長さは、メチレン鎖長が
2〜30の範囲で変化してもよい。
【0018】また、次に示す液晶共重合体も使用可能で
ある。
ある。
【化7】
【化8】
【化9】
【0019】強誘電性高分子液晶の数平均分子量として
は、1000〜20万が好適である。また、強誘電性高
分子液晶には必要に応じて各種添加物が含まれていても
よい。
は、1000〜20万が好適である。また、強誘電性高
分子液晶には必要に応じて各種添加物が含まれていても
よい。
【0020】本発明では、このような強誘電性高分子液
晶であって、分子量に分布を持つものを用いる。そして
、分子量の異なるものを液晶光学素子平面上に分散させ
て、液晶光学素子平面内で強誘電性高分子液晶の平均分
子量が位置によって異なるようにしている。分子量の異
なる強誘電性高分子液晶の分散のしかたとしては、液晶
光学素子平面内の位置によって電界変化に対する応答時
間が異なるように液晶光学素子平面内で強誘電性高分子
液晶の平均分子量が位置によって異なっていればよく、
特に制限はないが、光学素子平面内の特定の1cm×1
cmの面内の高分子液晶の数平均分子量Mnを考えたと
き、光学素子内で最大の値Mnmaxと最小の値Mnm
inの比がMnmax/Mnmin>1.5であること
が好ましい。また、強誘電性高分子液晶の平均分子量が
液晶光学素子の一方の端から他方の端に向って連続的に
変化していることが好ましい。平均分子量が連続的に変
化する態様としては、例えば、液晶光学素子の一方の端
で平均分子量が低く、他方の端に向って高くなるように
連続的に変化させたり、液晶光学素子の一方の端で平均
分子量が低く、中央部が高く、他方の端に向って再び低
くなるように連続的に変化させたりする例が挙げられる
。
晶であって、分子量に分布を持つものを用いる。そして
、分子量の異なるものを液晶光学素子平面上に分散させ
て、液晶光学素子平面内で強誘電性高分子液晶の平均分
子量が位置によって異なるようにしている。分子量の異
なる強誘電性高分子液晶の分散のしかたとしては、液晶
光学素子平面内の位置によって電界変化に対する応答時
間が異なるように液晶光学素子平面内で強誘電性高分子
液晶の平均分子量が位置によって異なっていればよく、
特に制限はないが、光学素子平面内の特定の1cm×1
cmの面内の高分子液晶の数平均分子量Mnを考えたと
き、光学素子内で最大の値Mnmaxと最小の値Mnm
inの比がMnmax/Mnmin>1.5であること
が好ましい。また、強誘電性高分子液晶の平均分子量が
液晶光学素子の一方の端から他方の端に向って連続的に
変化していることが好ましい。平均分子量が連続的に変
化する態様としては、例えば、液晶光学素子の一方の端
で平均分子量が低く、他方の端に向って高くなるように
連続的に変化させたり、液晶光学素子の一方の端で平均
分子量が低く、中央部が高く、他方の端に向って再び低
くなるように連続的に変化させたりする例が挙げられる
。
【0021】本発明の強誘電性高分子液晶を用いた液晶
光学素子は、例えば以下の方法により好適に製造するこ
とができる。先ず、電極付基板として電極付可撓性プラ
スチック基板を用い、ロールコーター、グラビアコータ
ー等を用いて電極付可撓性プラスチック基板の電極面に
溶媒に溶解した状態の強誘電性高分子液晶を塗布、製膜
する。
光学素子は、例えば以下の方法により好適に製造するこ
とができる。先ず、電極付基板として電極付可撓性プラ
スチック基板を用い、ロールコーター、グラビアコータ
ー等を用いて電極付可撓性プラスチック基板の電極面に
溶媒に溶解した状態の強誘電性高分子液晶を塗布、製膜
する。
【0022】図2及び図3は、強誘電性高分子液晶の塗
布方法を示す説明図である。図2では、電極付基板5の
電極面にノズル6から供給される強誘電性高分子液晶溶
液7を塗布する方法を示す。また、図3では、回転する
ロールコーター8表面に付着して上がってきた強誘電性
高分子液晶溶液7をドクターナイフ9で厚みを整えて電
極付基板5の電極面に塗布する方法を示す。
布方法を示す説明図である。図2では、電極付基板5の
電極面にノズル6から供給される強誘電性高分子液晶溶
液7を塗布する方法を示す。また、図3では、回転する
ロールコーター8表面に付着して上がってきた強誘電性
高分子液晶溶液7をドクターナイフ9で厚みを整えて電
極付基板5の電極面に塗布する方法を示す。
【0023】このとき、強誘電性高分子液晶の平均分子
量を連続的に変化させて塗布するためには、強誘電性液
晶溶液の供給方法を以下のようにすると好適である。例
えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GP
C)カラムを用いて使用する強誘電性高分子液晶から分
子量の異なるものを分取しつつ、直接図2に示したノズ
ル6の上部又は図3に示したドクターナイフ9の下部に
供給する。あるいは、GPCを用いて使用する強誘電性
高分子液晶から予め高分子量をもつ材料、低分子量をも
つ材料等を分取して異なる分子量を有する材料を2〜3
種類用意し、これらの溶液の割合を少しづつ変えながら
混合して、この混合物を図2に示したノズル6の上部又
は図3に示したドクターナイフ9の下部に供給すること
も好適である。用いる溶媒としては、例えばジクロロメ
タン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン(TH
F)等が挙げられる。次いで、上記のように強誘電性高
分子液晶溶液を塗布し溶媒を乾燥した後、対向基板をラ
ミネートして液晶セルを作製する。
量を連続的に変化させて塗布するためには、強誘電性液
晶溶液の供給方法を以下のようにすると好適である。例
えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GP
C)カラムを用いて使用する強誘電性高分子液晶から分
子量の異なるものを分取しつつ、直接図2に示したノズ
ル6の上部又は図3に示したドクターナイフ9の下部に
供給する。あるいは、GPCを用いて使用する強誘電性
高分子液晶から予め高分子量をもつ材料、低分子量をも
つ材料等を分取して異なる分子量を有する材料を2〜3
種類用意し、これらの溶液の割合を少しづつ変えながら
混合して、この混合物を図2に示したノズル6の上部又
は図3に示したドクターナイフ9の下部に供給すること
も好適である。用いる溶媒としては、例えばジクロロメ
タン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン(TH
F)等が挙げられる。次いで、上記のように強誘電性高
分子液晶溶液を塗布し溶媒を乾燥した後、対向基板をラ
ミネートして液晶セルを作製する。
【0024】本発明の液晶光学素子構成では配向膜を設
けていないため、通常強誘電性高分子液晶を塗布しただ
けでは十分な均一配向が得られず、光学素子としての役
割を果さない。そこで、強誘電性高分子液晶を塗布乾燥
し対向基板をラミネートした後、配向処理を行うことが
望ましい。本発明では高分子液晶を用いるので、剪断法
と呼ばれる方法で簡便に配向処理を行うことができる。
けていないため、通常強誘電性高分子液晶を塗布しただ
けでは十分な均一配向が得られず、光学素子としての役
割を果さない。そこで、強誘電性高分子液晶を塗布乾燥
し対向基板をラミネートした後、配向処理を行うことが
望ましい。本発明では高分子液晶を用いるので、剪断法
と呼ばれる方法で簡便に配向処理を行うことができる。
【0025】図4は剪断法による配向処理の方法を表す
略示図である。上下の電極付基板5に剪断応力をかける
。更に上下の電極付基板5に逆方向に剪断を1〜数回か
けることにより液晶層10を構成する強誘電性高分子液
晶の均一配向が得られる。電極付基板としてフィルム状
の電極付可撓性基板を用いる場合には、一組のロール群
を用いて曲げ変形により配向処理すると、生産性良く均
一配向を得ることができて好ましい。なお、このような
曲げ変形による配向処理は、強誘電性高分子液晶を製膜
し電極付基板に挟持しないで強誘電性高分子液晶単独に
適用してもよい。
略示図である。上下の電極付基板5に剪断応力をかける
。更に上下の電極付基板5に逆方向に剪断を1〜数回か
けることにより液晶層10を構成する強誘電性高分子液
晶の均一配向が得られる。電極付基板としてフィルム状
の電極付可撓性基板を用いる場合には、一組のロール群
を用いて曲げ変形により配向処理すると、生産性良く均
一配向を得ることができて好ましい。なお、このような
曲げ変形による配向処理は、強誘電性高分子液晶を製膜
し電極付基板に挟持しないで強誘電性高分子液晶単独に
適用してもよい。
【0026】図5は、曲げ変形による配向装置の一例で
ある。加熱装置13で加熱された液晶光学素子11は、
一組の自由回転ロール12により曲げ変形され配向処理
される。加熱装置の代りに加熱ロールを用いて液晶光学
素子を加熱してもよい。その後、所望の長さに切出して
目的とする液晶光学素子を得ることができる。必要に応
じて切出す前又は後に偏光板を電極付基板の両外側又は
片外側に設けることが好ましい。
ある。加熱装置13で加熱された液晶光学素子11は、
一組の自由回転ロール12により曲げ変形され配向処理
される。加熱装置の代りに加熱ロールを用いて液晶光学
素子を加熱してもよい。その後、所望の長さに切出して
目的とする液晶光学素子を得ることができる。必要に応
じて切出す前又は後に偏光板を電極付基板の両外側又は
片外側に設けることが好ましい。
【0027】
【作用】強誘電性高分子液晶の電界変化に対する応答時
間は、強誘電性高分子液晶の平均分子量に依存する。一
般に、数平均分子量Mn又は重量平均分子量Mwと電界
変化に対する応答時間τとの関係は、Mn又はMwが大
きくなるとき、τも大きくなり、電界変化に対する応答
が遅くなる。そこで、液晶光学素子平面内で強誘電性高
分子液晶の平均分子量が位置によって異なっている本発
明の液晶光学素子を用いると、例えば以下のような表示
を行うことができる。
間は、強誘電性高分子液晶の平均分子量に依存する。一
般に、数平均分子量Mn又は重量平均分子量Mwと電界
変化に対する応答時間τとの関係は、Mn又はMwが大
きくなるとき、τも大きくなり、電界変化に対する応答
が遅くなる。そこで、液晶光学素子平面内で強誘電性高
分子液晶の平均分子量が位置によって異なっている本発
明の液晶光学素子を用いると、例えば以下のような表示
を行うことができる。
【0028】図6(a)及び(b)に示すように、矢印
16とその引き出し部17からなるセグメント状電極が
形成された上側電極付基板14及び下側電極付基板15
を用意し、これらを上下基板で矢印の電極が重なり引き
出し部の電極が重ならないように電極面を内側にして対
向させて配し、その間に強誘電性高分子液晶を挟持する
。このとき、強誘電性高分子液晶の平均分子量は、図中
左端が小さく、右端に向って次第に大きくなるように連
続的に変化させる。更に、上下電極付基板の両外側に偏
光板を配置する。このとき、上下の偏光板の偏光軸を互
いに直交させて、図7(a)に示すようにその一方の偏
光軸18を液晶層に正又は負の電界を印加したときの液
晶分子19に一致させるか、あるいは、図7(b)に示
すように一方の偏光軸18を強誘電性高分子液晶のスメ
クチック層法線方向に一致させることが好ましい。矢印
20は電界の方向を示す。
16とその引き出し部17からなるセグメント状電極が
形成された上側電極付基板14及び下側電極付基板15
を用意し、これらを上下基板で矢印の電極が重なり引き
出し部の電極が重ならないように電極面を内側にして対
向させて配し、その間に強誘電性高分子液晶を挟持する
。このとき、強誘電性高分子液晶の平均分子量は、図中
左端が小さく、右端に向って次第に大きくなるように連
続的に変化させる。更に、上下電極付基板の両外側に偏
光板を配置する。このとき、上下の偏光板の偏光軸を互
いに直交させて、図7(a)に示すようにその一方の偏
光軸18を液晶層に正又は負の電界を印加したときの液
晶分子19に一致させるか、あるいは、図7(b)に示
すように一方の偏光軸18を強誘電性高分子液晶のスメ
クチック層法線方向に一致させることが好ましい。矢印
20は電界の方向を示す。
【0029】このような液晶光学素子を用いて電極間に
電圧を印加し、図8(c)に示すように電極間の電界を
下向きから上向きに変化させると、矢印の部分は、偏光
板の偏光軸方向を図7(a)に示したように設置した場
合には、図8(a)に示すように暗状態から明状態に変
化する。また偏光板の偏光軸方向を図7(b)に示した
ように設置した場合には、図8(b)に示すように明状
態から暗状態へ変化し更に明状態に変化する。
電圧を印加し、図8(c)に示すように電極間の電界を
下向きから上向きに変化させると、矢印の部分は、偏光
板の偏光軸方向を図7(a)に示したように設置した場
合には、図8(a)に示すように暗状態から明状態に変
化する。また偏光板の偏光軸方向を図7(b)に示した
ように設置した場合には、図8(b)に示すように明状
態から暗状態へ変化し更に明状態に変化する。
【0030】この液晶光学素子の電極間に矩形波状の電
圧を1回反転させるように印加すると、偏光板の偏光軸
方向を図7(a)に示したように設置した場合には、左
方より徐々に明状態になり、また偏光板の偏光軸方向を
図7(b)に示したように設置した場合には、左方より
暗状態が移動するように見える。
圧を1回反転させるように印加すると、偏光板の偏光軸
方向を図7(a)に示したように設置した場合には、左
方より徐々に明状態になり、また偏光板の偏光軸方向を
図7(b)に示したように設置した場合には、左方より
暗状態が移動するように見える。
【0031】このように、従来のセグメント状電極を用
いた液晶光学素子で動いて見えるような表示をするには
各セグメントに印加する電圧波形を徐々にずらすなど駆
動回路側で制御しなければならず複雑な駆動回路が必要
であったが、本発明の液晶光学素子では液晶光学素子平
面内で強誘電性高分子液晶の平均分子量が位置によって
異なっていることにより、1回の単純な電圧波形で動い
て見えるような画面を作ることが可能となる。
いた液晶光学素子で動いて見えるような表示をするには
各セグメントに印加する電圧波形を徐々にずらすなど駆
動回路側で制御しなければならず複雑な駆動回路が必要
であったが、本発明の液晶光学素子では液晶光学素子平
面内で強誘電性高分子液晶の平均分子量が位置によって
異なっていることにより、1回の単純な電圧波形で動い
て見えるような画面を作ることが可能となる。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明するが
、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 下記の繰り返し単位を有する強誘電性高分子液晶−1を
用いた。
、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 下記の繰り返し単位を有する強誘電性高分子液晶−1を
用いた。
【0033】
【化10】
相転移挙動
(glass:ガラス状態、SmC*:カイラルスメク
チックC相、Iso:等方相)
チックC相、Iso:等方相)
【0034】この強誘電性高分子液晶の数平均分子量M
nは、GPC測定により13000であった。この液晶
3gをGPCカラムを用いて高分子量側と低分子量側の
2種類のサンプルに分けた。それぞれを液晶−1H、液
晶−1Lと呼ぶ。液晶−1Hと液晶−1Lの平均分子量
を測定したところ、以下のとおりであった。 液晶−1H:Mn=20000(分取後1.2g)液晶
−1L:Mn= 6700(分取後1.6g)
nは、GPC測定により13000であった。この液晶
3gをGPCカラムを用いて高分子量側と低分子量側の
2種類のサンプルに分けた。それぞれを液晶−1H、液
晶−1Lと呼ぶ。液晶−1Hと液晶−1Lの平均分子量
を測定したところ、以下のとおりであった。 液晶−1H:Mn=20000(分取後1.2g)液晶
−1L:Mn= 6700(分取後1.6g)
【00
35】それぞれの液晶を20重量%のトルエン溶液とし
、図3に示したロールコーターを用いてITO電極付の
ポリエステルスルホン(PES)基板のITO電極面上
に厚み4.0μmに製膜した。このとき、各液晶溶液の
供給速度は図9に示す通りとし、初めは液晶−1Hの溶
液のみ、その後液晶−1Hの溶液の量を次第に減らすと
同時に液晶−1Lの溶液の量を増やし、最後には液晶−
1Lの溶液のみとなるように各液晶溶液の供給量を調整
しながら塗布を行った。
35】それぞれの液晶を20重量%のトルエン溶液とし
、図3に示したロールコーターを用いてITO電極付の
ポリエステルスルホン(PES)基板のITO電極面上
に厚み4.0μmに製膜した。このとき、各液晶溶液の
供給速度は図9に示す通りとし、初めは液晶−1Hの溶
液のみ、その後液晶−1Hの溶液の量を次第に減らすと
同時に液晶−1Lの溶液の量を増やし、最後には液晶−
1Lの溶液のみとなるように各液晶溶液の供給量を調整
しながら塗布を行った。
【0036】溶媒乾燥後、直ちに何も塗布していない同
種の電極付基板を液晶層と電極面が接するようにラミネ
ートし、配向処理前の未配向素子原反(幅150mm、
長さ1m)を作製した。ここで、上記ITO電極付PE
S基板は図10に示すように、PES基板21上のIT
O電極22が矢印と引き出し部を有する形状にエッチン
グ処理されているものを用いた。
種の電極付基板を液晶層と電極面が接するようにラミネ
ートし、配向処理前の未配向素子原反(幅150mm、
長さ1m)を作製した。ここで、上記ITO電極付PE
S基板は図10に示すように、PES基板21上のIT
O電極22が矢印と引き出し部を有する形状にエッチン
グ処理されているものを用いた。
【0037】次いで、図11に示すような4本の加熱ロ
ール23群からなる配向装置を用いて上記未配向素子2
4の曲げ配向処理を行った。各加熱ロールは直径80m
mのクロムメッキを施した鉄製であり、幅300mmの
ものを用いた。各ロールの表面温度はT1=115℃、
T2=105℃、T3=95℃、T4=80℃にコント
ロールし、ライン速度はv=4m/分とした。この配向
装置によって未配向素子24の強誘電性高分子液晶は曲
げ変形による剪断を与えられながら等方相から液晶相へ
冷却され、最終的に基板長手方向と垂直な方向に一軸水
平配向し、配向済素子25が得られた。この配向済素子
のうち先端の40cmから後端の10cmに至る長さ5
0cmの部分を切出し、素子上側に基板長手方向に偏光
軸が一致するよう偏光板を配し、素子下側に偏光軸が素
子上側の偏光板の偏光軸と直角方向になるようもう一方
の偏光板を配し、液晶光学素子とした。
ール23群からなる配向装置を用いて上記未配向素子2
4の曲げ配向処理を行った。各加熱ロールは直径80m
mのクロムメッキを施した鉄製であり、幅300mmの
ものを用いた。各ロールの表面温度はT1=115℃、
T2=105℃、T3=95℃、T4=80℃にコント
ロールし、ライン速度はv=4m/分とした。この配向
装置によって未配向素子24の強誘電性高分子液晶は曲
げ変形による剪断を与えられながら等方相から液晶相へ
冷却され、最終的に基板長手方向と垂直な方向に一軸水
平配向し、配向済素子25が得られた。この配向済素子
のうち先端の40cmから後端の10cmに至る長さ5
0cmの部分を切出し、素子上側に基板長手方向に偏光
軸が一致するよう偏光板を配し、素子下側に偏光軸が素
子上側の偏光板の偏光軸と直角方向になるようもう一方
の偏光板を配し、液晶光学素子とした。
【0038】この液晶光学素子の上下電極間に30℃で
±10Vの矩形波電圧を印加したところ、左方(低分子
量側)から右方(高分子量側)に向って矢印が明滅し、
動いているように見える表示装置が得られた。30℃で
の左端の強誘電性高分子液晶の電界変化に対する応答時
間は350ms、右端では1.8sであった。
±10Vの矩形波電圧を印加したところ、左方(低分子
量側)から右方(高分子量側)に向って矢印が明滅し、
動いているように見える表示装置が得られた。30℃で
の左端の強誘電性高分子液晶の電界変化に対する応答時
間は350ms、右端では1.8sであった。
【0039】
【発明の効果】本発明の強誘電性高分子液晶を用いた液
晶光学素子は、セグメント方式でも擬似的な動画表示を
大面積でかつ簡単な駆動回路を用いて表示することがで
きるものである。
晶光学素子は、セグメント方式でも擬似的な動画表示を
大面積でかつ簡単な駆動回路を用いて表示することがで
きるものである。
【図1】本発明の液晶光学素子の構成の一例を示す断面
説明図である。
説明図である。
【図2】強誘電性高分子液晶の塗布方法の例を示す説明
図である。
図である。
【図3】強誘電性高分子液晶の塗布方法の例を示す説明
図である。
図である。
【図4】剪断法による配向処理の方法を表す略示図であ
る。
る。
【図5】曲げ変形による配向装置の一例を示す説明図で
ある。
ある。
【図6】(a)は本発明の液晶光学素子の位置例を示す
平面説明図であり、(b)はその斜視説明図である。
平面説明図であり、(b)はその斜視説明図である。
【図7】(a)及び(b)は、液晶分子と偏光軸との関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図8】(a)及び(b)は、透過光強度の時間変化を
表すグラフであり、(c)は印加電圧を表すグラフであ
る。
表すグラフであり、(c)は印加電圧を表すグラフであ
る。
【図9】実施例1の液晶溶液の供給速度を表すグラフで
ある。
ある。
【図10】実施例1で使用した電極付基板の電極形状を
示す部分説明図である。
示す部分説明図である。
【図11】実施例1で使用した配向装置を示す説明図で
ある。
ある。
1 強誘電性高分子液晶
2 電極
3 基板
4 偏光板
5 電極付基板
6 ノズル
7 強誘電性高分子液晶溶液
8 ロールコーター
9 ドクターナイフ
10 液晶層
11 液晶光学素子
12 自由回転ロール
13 加熱装置
14 上側電極付基板
15 下側電極付基板
16 矢印
17 引き出し部
18 偏光軸
19 液晶分子
20 電界の方向
21 PES基板
22 ITO電極
23 加熱ロール
24 未配向素子
25 配向済素子
Claims (2)
- 【請求項1】 電極付基板間に強誘電性高分子液晶を
挟持してなる液晶光学素子において、強誘電性高分子液
晶が分子量に分布を持つものであり、液晶光学素子平面
内で強誘電性高分子液晶の平均分子量が位置によって異
なっていることを特徴とする強誘電性高分子液晶を用い
た液晶光学素子。 - 【請求項2】 強誘電性高分子液晶の平均分子量が液
晶光学素子の一方の端から他方の端に向って連続的に変
化している請求項1記載の液晶光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11667591A JPH04322227A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11667591A JPH04322227A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04322227A true JPH04322227A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14693102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11667591A Pending JPH04322227A (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04322227A (ja) |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP11667591A patent/JPH04322227A/ja active Pending
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