JPH0432229A - ウエハ貼付方法 - Google Patents
ウエハ貼付方法Info
- Publication number
- JPH0432229A JPH0432229A JP13940690A JP13940690A JPH0432229A JP H0432229 A JPH0432229 A JP H0432229A JP 13940690 A JP13940690 A JP 13940690A JP 13940690 A JP13940690 A JP 13940690A JP H0432229 A JPH0432229 A JP H0432229A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wax
- vacuum
- support substrate
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体ウェハ特にGa Asウェハのように
割れやすいウェハを薄く加工する際にウェハを支持基板
に貼付けるウェハ貼付方法に関するものである。
割れやすいウェハを薄く加工する際にウェハを支持基板
に貼付けるウェハ貼付方法に関するものである。
第3図は従来のウェハ貼付装置の断面図で、図において
、(1)はウェハ、(2)は支持基板、(3)はウェハ
(1)と支持基板(2)を貼付けるためのワックス、(
4)はウェハ(1)、支持基板(2)を真空にするため
の第1真空室、(5)はウェハ(1)と支持基板(2)
とを貼付けるワックスを加熱し溶解するためのヒーター
、(6)はウェハ(1)と支持基板(2)を貼付ける際
に大気圧で加圧するための第2真空室、(7)は第1真
空室(4)と第2真空室(6)を分離するためのラバー
、(8)は第1真空室(4)と第2真空室(6)を外部
と分離するための隔壁、(9)は第1真空室(4)及び
第2真空室(6)を真空に排気するための真空ポンプ、
(10)は第1真空室(4)を真空にする際及びリーク
する際に開閉する第1バルブ、(11)は第1真空室(
4)をリークする際及び真空に引く際に開閉する第2バ
ルブ、(12)は第2真空室(6)を真空にする際及び
リークする際に開閉する第3パルプ、(13)は第2真
空室(6)をリークする際及び真空に引く際に開閉する
第4バルブ、(14)はウェハを冷却するための冷却パ
イプであ&次に動作について説明する。第1真空室(4
)内にあるヒーター(5)の上に支持基板(2)を置く
。この時ヒーター(5)は加熱されていない。次に1ワ
ツクス(3)を塗布したウェハ(1)を支持基板(2)
の上に、ワックス(3)側と支持基板(2)が接するよ
うに置く。次糺第1真空室(4)と第2真空室(6)を
真空に真空ポンプ(9)を用いて排気する。その際、第
1パルプ(10)及び第3パルプ(12)を開いて置く
。所定の真空度に到達した後、ヒーター(5)により使
用しているワックスの融点まで加熱する。次に、第3パ
ルプ(12)を閉じ第4バルブ(13)を開き、第2真
空室(6)をリークし、フパー(7)を通して大気圧で
支持基板(2)上のウェハ(1)を加圧する。ついでヒ
ーター(5)を切り、冷却バイブ(14)に水を流して
ワックス(3)を固化させる。次に、第4バルブ(13
)を閉1′、、第3パルプ(12)を開き、第2真空室
(6)を真空に引き、第1パルプ(10)を閉じ、第2
バルブ(11)を開き、第1真空室を大気にて、支持基
板に貼付けられたウェハ(1)を取り出す。
、(1)はウェハ、(2)は支持基板、(3)はウェハ
(1)と支持基板(2)を貼付けるためのワックス、(
4)はウェハ(1)、支持基板(2)を真空にするため
の第1真空室、(5)はウェハ(1)と支持基板(2)
とを貼付けるワックスを加熱し溶解するためのヒーター
、(6)はウェハ(1)と支持基板(2)を貼付ける際
に大気圧で加圧するための第2真空室、(7)は第1真
空室(4)と第2真空室(6)を分離するためのラバー
、(8)は第1真空室(4)と第2真空室(6)を外部
と分離するための隔壁、(9)は第1真空室(4)及び
第2真空室(6)を真空に排気するための真空ポンプ、
(10)は第1真空室(4)を真空にする際及びリーク
する際に開閉する第1バルブ、(11)は第1真空室(
4)をリークする際及び真空に引く際に開閉する第2バ
ルブ、(12)は第2真空室(6)を真空にする際及び
リークする際に開閉する第3パルプ、(13)は第2真
空室(6)をリークする際及び真空に引く際に開閉する
第4バルブ、(14)はウェハを冷却するための冷却パ
イプであ&次に動作について説明する。第1真空室(4
)内にあるヒーター(5)の上に支持基板(2)を置く
。この時ヒーター(5)は加熱されていない。次に1ワ
ツクス(3)を塗布したウェハ(1)を支持基板(2)
の上に、ワックス(3)側と支持基板(2)が接するよ
うに置く。次糺第1真空室(4)と第2真空室(6)を
真空に真空ポンプ(9)を用いて排気する。その際、第
1パルプ(10)及び第3パルプ(12)を開いて置く
。所定の真空度に到達した後、ヒーター(5)により使
用しているワックスの融点まで加熱する。次に、第3パ
ルプ(12)を閉じ第4バルブ(13)を開き、第2真
空室(6)をリークし、フパー(7)を通して大気圧で
支持基板(2)上のウェハ(1)を加圧する。ついでヒ
ーター(5)を切り、冷却バイブ(14)に水を流して
ワックス(3)を固化させる。次に、第4バルブ(13
)を閉1′、、第3パルプ(12)を開き、第2真空室
(6)を真空に引き、第1パルプ(10)を閉じ、第2
バルブ(11)を開き、第1真空室を大気にて、支持基
板に貼付けられたウェハ(1)を取り出す。
従来のウェハ貼付装置は以上のように行なわれていたの
で、ウェハ自体がプロセスを通過する時に生じる反りを
十分矯正することができず、ウニ八面内でのワックス厚
のばらつきが大きくな抄。
で、ウェハ自体がプロセスを通過する時に生じる反りを
十分矯正することができず、ウニ八面内でのワックス厚
のばらつきが大きくな抄。
後に行なうウェハの薄板加工の際のウェハ厚のばちつき
が生じ、また、ウェハ厚が不均一になる丸め、製品の性
能面でのばらつき、ストレスの局在によるウェハ割れの
発生などの問題点があった。
が生じ、また、ウェハ厚が不均一になる丸め、製品の性
能面でのばらつき、ストレスの局在によるウェハ割れの
発生などの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためKなされ
たもので、ウェハの反りを矯正できるようにするととも
に、ワックスの加熱方法を光エネルギーを用いることK
より、貼付けた際のワックス分布を減少させることがで
きるウェハ貼付方法を得ることを目的とする。
たもので、ウェハの反りを矯正できるようにするととも
に、ワックスの加熱方法を光エネルギーを用いることK
より、貼付けた際のワックス分布を減少させることがで
きるウェハ貼付方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るウェハ貼付方法は、ワックスを塗布した
ウェハを真空チャックによって吸着し、ワックスを光(
ランプ)を用いて溶解することにより、ウェハと支持基
板を接着するようにしたものである。
ウェハを真空チャックによって吸着し、ワックスを光(
ランプ)を用いて溶解することにより、ウェハと支持基
板を接着するようにしたものである。
この発明におけるウェハを吸着するための真空チャック
は、ウェハがプロセス途上種々の絶縁膜あるいは金属膜
等を積層することにより生じるストレスにより反るため
、その反りを矯正し、さらにウェハを支持基板にワック
ス厚を一定に接着するために、ヒーター加熱のかわりに
光を用いることにより、光を加えたたとえば支持基板と
その支持基板と接するウェハ表面上のワックスの極表面
のみが溶解することにより、接着した後冷却するまでに
ワックスが再分布することを防ぎ、接着後のワックスの
均一性を保つことができ、安定したワックス厚を得るこ
とができる。
は、ウェハがプロセス途上種々の絶縁膜あるいは金属膜
等を積層することにより生じるストレスにより反るため
、その反りを矯正し、さらにウェハを支持基板にワック
ス厚を一定に接着するために、ヒーター加熱のかわりに
光を用いることにより、光を加えたたとえば支持基板と
その支持基板と接するウェハ表面上のワックスの極表面
のみが溶解することにより、接着した後冷却するまでに
ワックスが再分布することを防ぎ、接着後のワックスの
均一性を保つことができ、安定したワックス厚を得るこ
とができる。
[実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)はウェハ、(2)はウェハ(1)を
貼付けるための支持基板、(3)はウェハ(1)を支持
基板(2)K接着するためのワックス、(15)はワッ
クス(3)を塗布したウェハ(1)を吸着するための上
側真空チャック、 (16)は支持基板(2)を吸着す
るための下側真空チャック、(17)はワックス(3)
を溶解させるために加える光エネルギーをコントロール
するためのコントロールユニツ)、(18)は光を発生
するランプである。
図において、(1)はウェハ、(2)はウェハ(1)を
貼付けるための支持基板、(3)はウェハ(1)を支持
基板(2)K接着するためのワックス、(15)はワッ
クス(3)を塗布したウェハ(1)を吸着するための上
側真空チャック、 (16)は支持基板(2)を吸着す
るための下側真空チャック、(17)はワックス(3)
を溶解させるために加える光エネルギーをコントロール
するためのコントロールユニツ)、(18)は光を発生
するランプである。
次に動作について説明する。ワックス(3)を塗布し九
反抄を有するウェハ(1)を矯正するために、上側真空
チャック(15)Kよってウェハ側を吸着し固定する。
反抄を有するウェハ(1)を矯正するために、上側真空
チャック(15)Kよってウェハ側を吸着し固定する。
その際、第3パルプ(12)を開き上側真空チャック(
15)に真空を送る。次に下側真空チャック(16)に
支持基板(2)を載せ、第1パルプ(10)を開き支持
基板(2)を吸着固定する。次にその状頗で、上側真空
チャック(15)で固定したウェハ(1)を支持基板(
2)へゆっくり下ろし接触させる。そこで、ウェハ表面
を覆うワックス(3)を溶解するため、コントロールユ
ニット(17)からランプ(18)にエネルギーを供給
する。ワックス(3)は光を主に表面で吸収するため、
支持基板と接触した表面のみが溶解するため、ワックス
の厚さコントロールが容易となる。ついでワックス(3
)を冷却した後、上側真空チャック(15)の真空を第
4バルブ(13)を開き大気圧に戻す。その際第3パル
プ(12)は閉じて置く。次に、第1パルプ(lO)を
閉じ、第2パルプ(11)を開き、下側真空チャック(
16)の真空を大気圧に戻しウェハ(1)を取抄出す。
15)に真空を送る。次に下側真空チャック(16)に
支持基板(2)を載せ、第1パルプ(10)を開き支持
基板(2)を吸着固定する。次にその状頗で、上側真空
チャック(15)で固定したウェハ(1)を支持基板(
2)へゆっくり下ろし接触させる。そこで、ウェハ表面
を覆うワックス(3)を溶解するため、コントロールユ
ニット(17)からランプ(18)にエネルギーを供給
する。ワックス(3)は光を主に表面で吸収するため、
支持基板と接触した表面のみが溶解するため、ワックス
の厚さコントロールが容易となる。ついでワックス(3
)を冷却した後、上側真空チャック(15)の真空を第
4バルブ(13)を開き大気圧に戻す。その際第3パル
プ(12)は閉じて置く。次に、第1パルプ(lO)を
閉じ、第2パルプ(11)を開き、下側真空チャック(
16)の真空を大気圧に戻しウェハ(1)を取抄出す。
第2図はこの発明の他の実施例を示すウェハ貼付装置の
断面側面図で、図において、(19)は真空チェンバー
、(20)は真空チェンバー(19)内の真空をコント
ロールするバルブである。その他の符号は上記!!施例
と同一である。
断面側面図で、図において、(19)は真空チェンバー
、(20)は真空チェンバー(19)内の真空をコント
ロールするバルブである。その他の符号は上記!!施例
と同一である。
第2図に示す他の実施例は、下側真空チャック(16)
、上側真空チャック(15)ともに真空チェンバー (
19)の中に入れるようにしたもので、そうすることに
より支持基板(2)とウェハ(1)を貼付けた際、ウェ
ハ(1)と支持基板(正確にはウェハ(1)上のワック
ス(3)と支持基板(2))の間に気泡を生じないよう
にしたものである。ただし、真空チャックに用いている
真空度より、高い真空度とする必要がある。
、上側真空チャック(15)ともに真空チェンバー (
19)の中に入れるようにしたもので、そうすることに
より支持基板(2)とウェハ(1)を貼付けた際、ウェ
ハ(1)と支持基板(正確にはウェハ(1)上のワック
ス(3)と支持基板(2))の間に気泡を生じないよう
にしたものである。ただし、真空チャックに用いている
真空度より、高い真空度とする必要がある。
以上のようにこの発明によれば、反りを有するウェハを
真空チャックで吸着するようにしたのでウェハの反りを
矯正できるとともに、ウェハ表面を覆うワックスを支持
基板側から光を照射して溶解させるようにしたので、ワ
ックスの最表面のみが溶解し、精度高くウェハを支持基
板に貼ることができ、またウェハと支持基板を真空チェ
ンバーの中に入れるためワックスが凸凹している場合、
気泡の発生を低減させることが出来、精度高くウェハを
支持基板に貼付けることができる。
真空チャックで吸着するようにしたのでウェハの反りを
矯正できるとともに、ウェハ表面を覆うワックスを支持
基板側から光を照射して溶解させるようにしたので、ワ
ックスの最表面のみが溶解し、精度高くウェハを支持基
板に貼ることができ、またウェハと支持基板を真空チェ
ンバーの中に入れるためワックスが凸凹している場合、
気泡の発生を低減させることが出来、精度高くウェハを
支持基板に貼付けることができる。
第1図はこの発明の一実施例であるウェハ貼付装置の断
面側面図、第2図はこの発明の他の第2の実施例を示す
ウェハ貼付装置の断面側面図、第3図は従来のウェハ貼
付装置を示す断面図である。 図において、(1)はウェハ、(2)は支持基板、(3
)はワックス、(9)は真空ポンプ、(10)は第1バ
ルブ、(11)は第2バルブ、(12)は第3バルブ、
(13)は第4バルブ、(15)は下側真空チャック、
(16)は上側真空チャック、(17)は光エネルギ
ーコントロールユニット、(18)はランプ、(19)
ti 真空4− x ン/< −(20)は真空コント
ロールバルプヲ示ス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
面側面図、第2図はこの発明の他の第2の実施例を示す
ウェハ貼付装置の断面側面図、第3図は従来のウェハ貼
付装置を示す断面図である。 図において、(1)はウェハ、(2)は支持基板、(3
)はワックス、(9)は真空ポンプ、(10)は第1バ
ルブ、(11)は第2バルブ、(12)は第3バルブ、
(13)は第4バルブ、(15)は下側真空チャック、
(16)は上側真空チャック、(17)は光エネルギ
ーコントロールユニット、(18)はランプ、(19)
ti 真空4− x ン/< −(20)は真空コント
ロールバルプヲ示ス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ワックスを塗布したウェハを矯正するために前記ウェ
ハを真空チャックによつて吸着し、この吸着した前記ウ
ェハを支持基板に貼付ける際に光を照射することにより
前記ワックスを溶解して貼付けたことを特徴とするウェ
ハ貼付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940690A JPH0432229A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ウエハ貼付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940690A JPH0432229A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ウエハ貼付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432229A true JPH0432229A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15244515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13940690A Pending JPH0432229A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ウエハ貼付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432229A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| JP2010062269A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Three M Innovative Properties Co | ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法 |
| JP2011119578A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 貼着装置 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13940690A patent/JPH0432229A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
| JP2010062269A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Three M Innovative Properties Co | ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法 |
| JP2011119578A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 貼着装置 |
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