JPH0432254A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH0432254A JPH0432254A JP2138941A JP13894190A JPH0432254A JP H0432254 A JPH0432254 A JP H0432254A JP 2138941 A JP2138941 A JP 2138941A JP 13894190 A JP13894190 A JP 13894190A JP H0432254 A JPH0432254 A JP H0432254A
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- JP
- Japan
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- adhesive
- semiconductor chip
- diffusion plate
- hole
- semiconductor package
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
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- H10W70/654—Top-view layouts
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップの熱放散に関する技術、特に、発
熱量の大きい大型の半導体装置の放熱を効率良く行わせ
るための技術に関するものである。
熱量の大きい大型の半導体装置の放熱を効率良く行わせ
るための技術に関するものである。
例えば、半導体装置の１つに、放熱板として機能する熱
拡散板に半導体チップを搭載し、さらに半導体チップを
中心部に露出させた状態で熱拡散板上にピンを立設した
ベースを搭載したパッケージ構造を用いたものがある。
拡散板に半導体チップを搭載し、さらに半導体チップを
中心部に露出させた状態で熱拡散板上にピンを立設した
ベースを搭載したパッケージ構造を用いたものがある。
ところで、本発明者は、半導体チップと他の部材との間
の接合上の問題について検討した。
の接合上の問題について検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。
概要は次の通りである。
すなわち、半導体チップの実装密度が高（なると発熱量
が多くなり、何らかの放熱対策が必要になる。このため
、熱拡散板を用いて半導体チップの放熱を行っているが
、熱拡散板と半導体チップとでは熱膨張係数が異なるた
めに、はんだ接続を行うことばでｒきない。
が多くなり、何らかの放熱対策が必要になる。このため
、熱拡散板を用いて半導体チップの放熱を行っているが
、熱拡散板と半導体チップとでは熱膨張係数が異なるた
めに、はんだ接続を行うことばでｒきない。
そこで、シリコーンゴムなどの柔軟な接着材を用いて接
合を行っている。これにより、熱拡散板と半導体チップ
の熱膨張係数が異なる場合でも、接合部が！ＭＩＩｉシ
たりするのを防止することができる。
合を行っている。これにより、熱拡散板と半導体チップ
の熱膨張係数が異なる場合でも、接合部が！ＭＩＩｉシ
たりするのを防止することができる。
ところが、前記の如く接着剤を用いて接合を行う半導体
装置のパッケージ構造に右いては、接着剤が軍くなると
熱伝導性が悪くなり、可能な限り薄くする必要があるが
現状では２０〜３０μｍが限界である。
装置のパッケージ構造に右いては、接着剤が軍くなると
熱伝導性が悪くなり、可能な限り薄くする必要があるが
現状では２０〜３０μｍが限界である。
接着層を薄くするために荷重をかけることも行われてい
るが、適当な厚みを確保することが難しく、かけ過ぎる
と半導体チップの破損を招くなどの問題のあることが本
発明者によって見い出された。
るが、適当な厚みを確保することが難しく、かけ過ぎる
と半導体チップの破損を招くなどの問題のあることが本
発明者によって見い出された。
そこで、本発明の目的は、接合に接着剤を用いながら十
分な熱伝導性及び応力緩和を達成することのできる技術
を提供することにある。
分な熱伝導性及び応力緩和を達成することのできる技術
を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び
添付図面から明らかになるであろう。
添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、熱拡散板に樹脂接着剤を用いて半導体チップ
が接合される半導体パッケージであって、前記半導体チ
ップの接合部に前記樹脂接着剤の逃げ部を前記熱拡散板
に形成するようにしている。
が接合される半導体パッケージであって、前記半導体チ
ップの接合部に前記樹脂接着剤の逃げ部を前記熱拡散板
に形成するようにしている。
上記した手段によれば、半導体チップとの接合面に塗布
された接着剤は、半導体チップを押圧した際に余分な接
着剤が逃げ部に侵入し、接合面には必要な量だけが残さ
れる。したがって、接合面の接着剤層を極めて薄くする
ことが可能になり、接合部の熱抵抗を小さくできるので
、熱膨張による応力の緩和を達成しながら放熱特性を向
上させることができる。
された接着剤は、半導体チップを押圧した際に余分な接
着剤が逃げ部に侵入し、接合面には必要な量だけが残さ
れる。したがって、接合面の接着剤層を極めて薄くする
ことが可能になり、接合部の熱抵抗を小さくできるので
、熱膨張による応力の緩和を達成しながら放熱特性を向
上させることができる。
〔実施例１〕
第１図は本発明による半導体パッケージの一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
銅などの熱伝導性に優れる金属材料による熱拡散板１の
中央部には台形の凸部１ａが形成され、この凸部１ａに
一定間隔に複数の貫通孔２が設けられている。この貫通
孔２の孔径は、接着剤が侵入可能でかつ溢れ出ない程度
に設定する。凸部１ａには、半導体チップ３が接着材を
用いて固定膜蓋される。さらに、凸部１ａを除く熱拡散
板１上にはビスマレイドリアジン（ＢＴレジン）などを
用いたペース４が、同様に接着材を用いて固定設萱され
る。
中央部には台形の凸部１ａが形成され、この凸部１ａに
一定間隔に複数の貫通孔２が設けられている。この貫通
孔２の孔径は、接着剤が侵入可能でかつ溢れ出ない程度
に設定する。凸部１ａには、半導体チップ３が接着材を
用いて固定膜蓋される。さらに、凸部１ａを除く熱拡散
板１上にはビスマレイドリアジン（ＢＴレジン）などを
用いたペース４が、同様に接着材を用いて固定設萱され
る。
な右、このように凸部１ａが設けられているのは、半導
体チップ３の厚みとペース４の厚みとが異なることから
、表面高さを同一にしてワイヤボンディングに支障を及
ぼさないようにするためである。
体チップ３の厚みとペース４の厚みとが異なることから
、表面高さを同一にしてワイヤボンディングに支障を及
ぼさないようにするためである。
ペース４０周辺には複数のリードピン５が立設され、更
にリードピン５に電気的に接続される配線パターンがベ
ース４に形成されており、その端部は半導体チップ３の
近傍に露出している。この配線パターンの端部と半導体
チップ３の電極部とは、ボンディングワイヤ６によって
接続されている。
にリードピン５に電気的に接続される配線パターンがベ
ース４に形成されており、その端部は半導体チップ３の
近傍に露出している。この配線パターンの端部と半導体
チップ３の電極部とは、ボンディングワイヤ６によって
接続されている。
次に、以上の構成による実施例の組み立て工程について
説明す。
説明す。
まず、予めリードピン５を立設したベース４を熱拡散板
１に接合し、ついで熱拡散板１の凸部ｌａ上に適当量の
接着剤７ （シリコーンゴム、銀ペーストなど）を塗布
する。こののち、凸部ｌａ上に半導体チップ３を搭載し
、半導体チップ３に適度の荷重を付与しながら乾燥させ
る。この抑圧により、塗布した接着剤７の内の余剰分が
貫通孔２に流れ込み、必要量のみが接合面に残される。
１に接合し、ついで熱拡散板１の凸部ｌａ上に適当量の
接着剤７ （シリコーンゴム、銀ペーストなど）を塗布
する。こののち、凸部ｌａ上に半導体チップ３を搭載し
、半導体チップ３に適度の荷重を付与しながら乾燥させ
る。この抑圧により、塗布した接着剤７の内の余剰分が
貫通孔２に流れ込み、必要量のみが接合面に残される。
したがって、接合面の接着剤７の厚みを、例えば１０μ
ｍ程度にまで薄くすることができる。
ｍ程度にまで薄くすることができる。
このとき、貫通孔２は、予め接着剤７がこぼれ落ちない
ような径に設定されているので、貫通孔２の途中で止ま
り、熱拡散板ｌの底面に出ることはない。なお、貫通孔
２は径を調整するほか、予め熱拡散板１の裏面に当て板
をしておくなどの対策をしても同様な効果が得られる。
ような径に設定されているので、貫通孔２の途中で止ま
り、熱拡散板ｌの底面に出ることはない。なお、貫通孔
２は径を調整するほか、予め熱拡散板１の裏面に当て板
をしておくなどの対策をしても同様な効果が得られる。
また、貫通孔２の上端には面取り加工を施し、余剰接着
剤７が流入し易いようにすれば、更に効果を上げること
ができる。
剤７が流入し易いようにすれば、更に効果を上げること
ができる。
以上により、たとえパッケージに変形や熱応力が生じた
としても、これを接着剤７が吸収するため、半導体チッ
プ３に無理な力が加わることはない。
としても、これを接着剤７が吸収するため、半導体チッ
プ３に無理な力が加わることはない。
〔実施例２〕
第２図は本発明の第２実施例の主要部を示す斜視図であ
る。
る。
本実施例は、前記実施例が凸部１ａに貫通孔２を設けて
接着剤７の逃げ部を形成していたのに対し、凸部１ａの
中心から放射状に溝８を形成したところに特徴がある。
接着剤７の逃げ部を形成していたのに対し、凸部１ａの
中心から放射状に溝８を形成したところに特徴がある。
この構成により、接合時に接着剤７の余剰分が溝８内を
水平方向（凸部１ａの幅方向）へ浸透し、接合面に溜ま
ることがなく、接合面の接着剤７を前記実施例と同様に
薄くすることができる。
水平方向（凸部１ａの幅方向）へ浸透し、接合面に溜ま
ることがなく、接合面の接着剤７を前記実施例と同様に
薄くすることができる。
〔実施例３〕
第３図は本発明の第３実施例の主要部を示す斜視図であ
る。
る。
本実施例は、第２図の実施例が熱拡散板１」−に台形の
凸部１ａを形成していたのに対し、円柱状の小径の突起
９を複数個整列配置したものである。
凸部１ａを形成していたのに対し、円柱状の小径の突起
９を複数個整列配置したものである。
突起９を形成するに際しては、型プレスを用い、或いは
個々に製作した円柱体を熱拡散板１上に密着状態に配設
して接合〈はんだ接合或いは溶着）することにより作ら
れる。この場合、円柱体は密接させず、胴体間に隙間が
形成されるようにし、接合時に接着剤７０余剰分が流れ
込みやすいようにする。なお、円柱体の例を示したが、
これに限定されるものではなく、例えば、六角柱などと
してもよい。
個々に製作した円柱体を熱拡散板１上に密着状態に配設
して接合〈はんだ接合或いは溶着）することにより作ら
れる。この場合、円柱体は密接させず、胴体間に隙間が
形成されるようにし、接合時に接着剤７０余剰分が流れ
込みやすいようにする。なお、円柱体の例を示したが、
これに限定されるものではなく、例えば、六角柱などと
してもよい。
この実施例による作用効果は、第２図の実施例と同一で
あるので、重複する説明は省略する。
あるので、重複する説明は省略する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
例えば、第２図の実施例では、凸部１ａに溝８を放射状
に設けるものとしたが、第４図に示すような基盤の目状
にしてもよいし、第５図に示すように縦または横方向に
一定間隔に複数溝を設ける形状であってもよい。
に設けるものとしたが、第４図に示すような基盤の目状
にしてもよいし、第５図に示すように縦または横方向に
一定間隔に複数溝を設ける形状であってもよい。
また、第１図の実施例においては、貫通孔２を垂直に設
けるものとしたが、第６図に示すように、接合面から板
厚方向に放射状に貫通孔２を形成することにより、横方
向の熱膨張差に起因する応力を緩和させることができる
。
けるものとしたが、第６図に示すように、接合面から板
厚方向に放射状に貫通孔２を形成することにより、横方
向の熱膨張差に起因する応力を緩和させることができる
。
さらに、接合部の逃げ部は、場所にかかわらず均一に形
成するものとしたが、接合部の周辺を中心に比べて多く
なるように貫通孔２（或いは溝）を設けることにより、
大型の半導体チップで生じやすい周辺の大きな応力を緩
和させることができる。
成するものとしたが、接合部の周辺を中心に比べて多く
なるように貫通孔２（或いは溝）を設けることにより、
大型の半導体チップで生じやすい周辺の大きな応力を緩
和させることができる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、熱拡散板に樹脂接着剤を用いて半導体チップ
が接合される半導体パッケージであって、前記半導体チ
ップの接合部に前記樹脂接着剤の逃げ部を熱拡散板に形
成するようにしたので、接合面の接着剤層を極めて薄く
することができる結果、接合部の熱抵抗を小さくでき、
熱膨張による応力の緩和を達成しながら放熱特性を向上
させることができる。
が接合される半導体パッケージであって、前記半導体チ
ップの接合部に前記樹脂接着剤の逃げ部を熱拡散板に形
成するようにしたので、接合面の接着剤層を極めて薄く
することができる結果、接合部の熱抵抗を小さくでき、
熱膨張による応力の緩和を達成しながら放熱特性を向上
させることができる。
第１図は本発明による半導体パッケージの一実施例を示
す断面図、 第２図は本発明の第２実施例の主要部を示す斜視図、 第３図は本発明の第３実施例の主要部を示す斜視図、 第４図は熱拡散板の凸部に設ける溝の他の例を示す平面
図、 第５図は凸部に設ける溝の更に他の例を示す平面図、 第６図は第１図における貫通孔の他の形成状態を示す断
面図である。 １・・・熱拡散板、１ａ・・・凸部、２・・・貫通孔、
３・・・半導体チップ、４・・・ペース、５・・・リー
ドピン、６・・φボンディングワイヤ、７・・・接着剤
、８・・・溝、９・・・突起。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第 図 ９：突起 第 図 第５
す断面図、 第２図は本発明の第２実施例の主要部を示す斜視図、 第３図は本発明の第３実施例の主要部を示す斜視図、 第４図は熱拡散板の凸部に設ける溝の他の例を示す平面
図、 第５図は凸部に設ける溝の更に他の例を示す平面図、 第６図は第１図における貫通孔の他の形成状態を示す断
面図である。 １・・・熱拡散板、１ａ・・・凸部、２・・・貫通孔、
３・・・半導体チップ、４・・・ペース、５・・・リー
ドピン、６・・φボンディングワイヤ、７・・・接着剤
、８・・・溝、９・・・突起。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第 図 ９：突起 第 図 第５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱拡散板に樹脂接着剤を用いて半導体チップが接合
される半導体パッケージであって、前記半導体チップの
接合部に前記樹脂接着剤の逃げ部を前記熱拡散板に形成
したことを特徴とする半導体パッケージ。 ２、前記逃げ部が、一定間隔に設けられた複数の貫通孔
であることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケー
ジ。 ３、前記逃げ部が、複数の溝であることを特徴とする請
求項１記載の半導体パッケージ。 ４、前記逃げ部は、相互に隙間を有するようにして前記
接合部に配設された複数の柱状体の集合によることを特
徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138941A JPH0432254A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138941A JPH0432254A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432254A true JPH0432254A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15233732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138941A Pending JPH0432254A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432254A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029509A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capteur de vitesse angulaire |
| JP2005247027A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車のフューエルフィルターの取付構造 |
| JP2013051386A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Kobe Steel Ltd | 放熱板、及び放熱板の製法 |
| WO2016009635A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
| JP2016023931A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
| JP2017020829A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
| KR20220068878A (ko) * | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 칩본드 테크놀러지 코포레이션 | 회로 기판 및 그 방열 페이스트 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2138941A patent/JPH0432254A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029509A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capteur de vitesse angulaire |
| US6619122B1 (en) | 1999-10-18 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Angular speed sensor |
| JP2005247027A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車のフューエルフィルターの取付構造 |
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| WO2016009635A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
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| US10551194B2 (en) | 2014-07-16 | 2020-02-04 | Seiko Epson Corporation | Sensor unit, electronic apparatus, and moving body |
| US11041723B2 (en) | 2014-07-16 | 2021-06-22 | Seiko Epson Corporation | Sensor unit, electronic apparatus, and moving body |
| JP2017020829A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器、および移動体 |
| KR20220068878A (ko) * | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 칩본드 테크놀러지 코포레이션 | 회로 기판 및 그 방열 페이스트 |
| JP2022081373A (ja) * | 2020-11-19 | 2022-05-31 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 回路基板 |
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