JPH0432257A - 半導体装置の製造装置とこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造装置とこれを用いた半導体装置の製造方法

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JPH0432257A
JPH0432257A JP13940390A JP13940390A JPH0432257A JP H0432257 A JPH0432257 A JP H0432257A JP 13940390 A JP13940390 A JP 13940390A JP 13940390 A JP13940390 A JP 13940390A JP H0432257 A JPH0432257 A JP H0432257A
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JP
Japan
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semiconductor device
defective
frame state
improper
good
Prior art date
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Pending
Application number
JP13940390A
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English (en)
Inventor
Yoshihisa Oguri
慶久 小栗
Hideji Aoki
青木 秀二
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フレーム状態にある半導体装置の不良品を
分離する半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導
体装置の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図(a)P  (b)は従来の半導体装置(デバイ
ス)の製造装置における不良品のデバイスを分離する構
造を示す平面図および側面図である。
第2図において、1は上金型、2は下金型、3はフレー
ム状態での半導体デバイス、4は不良品の半導体デバイ
スを検出する不良品検出センサ、5は半導体デバイスが
搬送される搬送レール、6は前記搬送レール5上を搬送
されている、例えば不良品の半導体デバイス、7は前記
不良品の半導体デバイス6を分離する不良品排出レール
、8は前記不良品排出レール7を上下に駆動させるエア
ーシリンダ、9は前記不良品の半導体デバイス6を受け
る不良品受は箱、1oはチューブで、良品の半導体デバ
イス11が搬入される。12はエアンリンダ、13はこ
のエアーシリンダ12により昇降させるス)−ツバであ
る。
第3図(a)、(b)は他の従来例を示す半導体装置の
製造装置の上面図および側回図である。
この図で、第2図と同一符号は同一構成部分を示し、1
4は前記不良品の半導体デバイス6を吸着分離する吸着
バット、15は前記不良品の半導体デバイス6を停止さ
せるストッパ、16はこのストッパ15を上下に駆動さ
せるシリンダ、17は真空ポンプである。
次に、第2図の動作について説明する。
フレーム状態の半導体デバイス3は、上金型1゜下金型
2が作動することにより、個々に分離され、排出機構(
図示せず)により排出レール5上へ排出される。このと
き排出レール5上で、スI・ツバ13がエアーシリンダ
ー12により上昇させられることにより、半導体デバイ
ス3はこの特定場所で停止させられ、不良品検出センサ
4にて良品2不良品の判定が行われる。その後、不良品
の半導体デバイス6と判定された場合は、不良品排出シ
・−ルアがエアーシリンダ8により下降させられ、下方
へ排出され、不良品受は箱9へ収められる。また、良品
の判定の場合は、不良品排出レール7は下方へ動作する
ことなく、半導体デバイス3は良品の半導体デバイス1
1としてチューブ10内へ搬入される。
また、第3図の従来例は、不良品の半導体デバイス6と
判定されると、吸着パット14にて不良品の半導体デバ
イス6を吸着させて分離し、所定の場所に収納させるも
のである。
〔発明が解決しようとする課題〕
第2図、第3図に示すような従来の半導体デバイスの製
造装置は、不良品の半導体デバイス6の分離を上、下金
型1,2から排出後のチューブ10との間の排出レール
5上で行っているため、排出された半導体デバイス3を
良否判定するために、−度停止させたり、不良品の半導
体デバイス6を分離させるために、吸着ユニットを装備
したり、不良品排出レール7を可動式にしたりしなけれ
ばならず、半導体デバイス3を停止させることによる生
産能力の低下、不良品排出レール7の可動式による半導
体デバイス3のレール内の、つまり発生率増加による生
産能力の低下等の問題点があり、また、第3図に示す吸
着ユニット式は高価格化等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、金型内および搬送レール内で良、不良の判
定処理を行うことにより、排出シル上でのデバイスつま
りによる装置停止や、良品判定のためのデバイス停止が
ない生産性を向上せしめた安価な半導体装置の製造装置
およびこれを用いた半導体装置の製造方法を得ることを
目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の請求項(1)に係る半導体装置の製造装置は
、フレーム状態のまま不良品の検出を行う検出手段と、
検出手段の検出結果により不良品半導体装置のみをフレ
ームより分離する分離手段とを備えたものである。
また、請求項(2)に係る半導体装置の製造方法は、請
求項(1)に記載の半導体装置の製造装置を用い、検出
手段によりモールド樹脂封止後のフレーム状態にある半
導体装置のそれぞれの良、不良を判定し、不良と判定さ
れた半導体装置のみを分離手段により分離除去し、良と
判定された半導体装置はフレーム状態のまま次工程に送
って順次分離し、良品の半導体装置のみを搬送して所定
個所に収容するものである。
〔作用〕
この発明の請求項(1)に記載の発明においては、樹脂
封止されたフレーム状態の半導体装置は、この状態で不
良品検出センサによって良、不良の判定が行われ、不良
品には金型内で分離除去されることから、搬送レール上
での良、不良の判定や分離除去する必要のない装置が得
られる。
また、請求項(2)に記載の発明においては、フレム状
態で搬送される半導体装置は、この状態で良、不良が検
出され、不良品は金型内で分離除去され、良品のみが次
工程へ進み所望の半導体装置が製造される。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図に−)いて説明する
。第1図(a)は平面図、第1図(b)は、第1図(、
)のA方向からみた正面図で、チュブ10等は省略しで
ある。
第1図において、第2図、第3図と同一符号は同一構成
部分を示し、18は不良品の半導体デバイスを力・ソ1
−()た状態のフL・−ム空枠であり、19ばパンチを
出し入れするシリンダ(以下、パンチ用シリンダという
)  20,21は不良品の半導体デバイスをフレーム
より打ち抜くための分離手段であるバッチおよびダイで
、上金型1.下金型2内にそれぞれ設けられ、パンチ2
oの」二下動により不良品の半導体デバイス6を分離す
る。
22はフレーム状での半導体デバイス3の不良を検出ず
ろ検出手段である不良品検出センサである。
この不良品検出センサ22は、例えば反射タイプのセン
サを使用1.、不良品の半導体デバイス6の表面には白
色ペイニ・1−またはテープが設けてあり、この反射光
によりセンサがオンすることによって不良品を検出し、
良品は黒色のままでオフとなる、。
なお、第1図(a)では、」二金型1.下金型2に設け
られる良品分離のためのバッチ20とダイ21は図示を
省略している。
次に、動作について説明する。
搬送されてきた7し−入状態の半導体デバイス3は、不
良品検出センサ22に5より良品、不良品の判定を行い
、不良品が検出された場合は、パンチ用シリンダ19が
駆動してバッチ20が突出し、ダイ21とにより、上金
型1.下金型2が作動して不良品の半導体デバイス6を
カッフし、下方へ切り落す。良品の半導体デバイス1]
の場合は、パンチ用シリンダ19が所定位置に戻ること
により、パンチ20も戻さね、良品の半導体デバイス1
1をカッ1〜することなく、次工程へ搬送される。
次いで良品の半導体デバイス11は、上金型1と下金型
2が作動してフレーム状より個々の良品の半導体デバイ
ス11に切す離され、排出機構(図示せず)により金型
内より排出され、排出レール5に案内されチューブ10
内へと搬送、収納される。
なお、十記実施例では不良品力・ソトステージ(パンチ
20とダイ21)を金型内に設けているが、これはフ)
7・−入状態で帝送される金型に入る前の搬送レー4内
に設けても同に効果を得ることができる。すなわち、金
型内で個々に分離した後、不良品半導体デバイスの検出
および分離を行ない、金型内より個々に分離され排出さ
れるデバイスは、すへて良品のみを得るところに目的が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明の請求項(1)に記載の
発明は、フレーム状態のまま不良品の検出を行う検出手
段と、検出手段の検出結果により不良品半導体装置のみ
をフレームより分離する分離手段とを備えたので、不良
品半導体デバイスの分離をフレーム状態にて行い、金型
内より分離されたデバイスはすべて良品であるため、特
別の分離機構が排出レール士で必要でなくなるため、部
品のつなぎ等がなく、デバイス排出のっまりがない。
また、検出のためのデバイス停止時間が必要でないこと
により、生産性が大幅に向上し、装置が安価に構成でき
るとともに、小型化がはかれる等の効果がある。
また、請求項(2)に記載の発明は、請求項(1)に記
載の半導体装置の製造装置を用い、検出手段によりモー
ルド樹脂封止後の7L・−入状態にある半導体装置のそ
れぞオ′(の良、不良を判定し、不良と判定された半導
体装置のみを分離手段により分離除去し、良と判定され
た半導体装置はフレーム状態のまま次工程に送って順次
分離17、良品の半導体装置のみを搬送して所定個所に
収容するので、良品として分離する前に不良品半導体装
置が分離除去される。したがって、各半導体デバイスに
分離されたものは、全て良品どして扱うことができ、鳥
品質の半導体装置を生産性良く作製することができる効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)   (b)はこの発明の一実施例による
半導体装置の製造装置を示す平面図および第1図(、)
をA方向からみた正面図、第2図(a)2(b)は従来
の半導体装置の製造装置を示す平面図および正面図、第
3図(a)、(b)は他の従来例の半導体装置の製造装
置を示す平面図および正面図である。 図において、1は上金型、2は下金型、3はフレーム状
態の半導体デバイス、4は不良品検出センサ、5は排出
レール、6ば不良品の半導体デバイス、9は不良品受は
箱、10はチューブ、11は良品の半導体デバイス、1
8は不良品半導体デバイスを打ち抜いたフレーム空枠、
19はパンチ用シリンダ、20はパンチ、21はグイ、
22は不良品検出センサである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄   (外2名)第 図 10、チューフ゛

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)モールド樹脂封止後のフレーム状態にある半導体
    装置をリード成形し、個々のデバイスに分離する半導体
    装置の製造装置において、前記フレーム状態のまま不良
    品の検出を行う検出手段と、前記検出手段の検出結果に
    より不良品半導体装置のみをフレームより分離する分離
    手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置
  2. (2)請求項(1)に記載の半導体装置の製造装置を用
    い、検出手段によりモールド樹脂封止後のフレーム状態
    にある半導体装置のそれぞれの良、不良を判定し、不良
    と判定された半導体装置のみを分離手段により分離除去
    し、良と判定された半導体装置はフレーム状態のまま次
    工程に送って順次分離し、良品の半導体装置のみを搬送
    して所定個所に収容することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
JP13940390A 1990-05-29 1990-05-29 半導体装置の製造装置とこれを用いた半導体装置の製造方法 Pending JPH0432257A (ja)

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