JPH04323872A - 液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料 - Google Patents
液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料Info
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- JPH04323872A JPH04323872A JP9225191A JP9225191A JPH04323872A JP H04323872 A JPH04323872 A JP H04323872A JP 9225191 A JP9225191 A JP 9225191A JP 9225191 A JP9225191 A JP 9225191A JP H04323872 A JPH04323872 A JP H04323872A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置材料に関し
、詳細には、半導体装置における薄膜状のＡｌ系配線又
は電極材料であり、特には液晶ディスプレイ等に使用さ
れる薄膜トランジスター：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｅｒ（以降 ＴＦＴという）に用いて好適な
半導体装置材料に関する。
、詳細には、半導体装置における薄膜状のＡｌ系配線又
は電極材料であり、特には液晶ディスプレイ等に使用さ
れる薄膜トランジスター：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｅｒ（以降 ＴＦＴという）に用いて好適な
半導体装置材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般の半導体装置（即ちＳｉウェハー上
に素子を形成する半導体装置）の集積回路の電極・配線
材料としては、薄膜状のＡｌ系金属材料が使用され、こ
れらには大別して純Ａｌと、Ｓｉ、Ｃｕ又はＭｇを含有
するＡｌ基合金とがある。
に素子を形成する半導体装置）の集積回路の電極・配線
材料としては、薄膜状のＡｌ系金属材料が使用され、こ
れらには大別して純Ａｌと、Ｓｉ、Ｃｕ又はＭｇを含有
するＡｌ基合金とがある。
【０００３】純Ａｌは、電気抵抗が小さく且つ密着性が
良好であるという点では最も優れているが、融点が低く
、耐熱性に劣り、ストレスマイグレーション（以降ＳＭ
という）やエレクトロマイグレーション（以降ＥＭとい
う）が生じるという問題点がある。ここで、ＳＭとは応
力に起因する薄膜状配線のふくれ（ヒロック）及び断線
（通電不良）であって主に加熱により発生する。ＥＭと
は電気泳動に起因する薄膜状配線の断線であって主に通
電により発生する。
良好であるという点では最も優れているが、融点が低く
、耐熱性に劣り、ストレスマイグレーション（以降ＳＭ
という）やエレクトロマイグレーション（以降ＥＭとい
う）が生じるという問題点がある。ここで、ＳＭとは応
力に起因する薄膜状配線のふくれ（ヒロック）及び断線
（通電不良）であって主に加熱により発生する。ＥＭと
は電気泳動に起因する薄膜状配線の断線であって主に通
電により発生する。
【０００４】Ｓｉ、Ｃｕ又はＭｇを含有するＡｌ基合金
は、上記問題点を改善すべく開発されたものであるが、
比抵抗の増大を抑えるという観点から合金元素添加量は
２ａｔ％以下にして使用されており、耐ＳＭ性及び耐Ｅ
Ｍ性が未だ充分でない。又、耐食性は純Ａｌよりも優れ
るが、長期信頼性の点でまだまだ不充分である。従って
、より信頼性の高い新規半導体装置材料の開発が要望さ
れている。
は、上記問題点を改善すべく開発されたものであるが、
比抵抗の増大を抑えるという観点から合金元素添加量は
２ａｔ％以下にして使用されており、耐ＳＭ性及び耐Ｅ
Ｍ性が未だ充分でない。又、耐食性は純Ａｌよりも優れ
るが、長期信頼性の点でまだまだ不充分である。従って
、より信頼性の高い新規半導体装置材料の開発が要望さ
れている。
【０００５】尚、更に合金化することが考えられるが、
金属は一般的に合金化により抵抗値が増大する傾向にあ
り、一方では近年の半導体装置の高集積化に伴う配線の
微細化（配線巾狭化）により、電気抵抗値の許容上限値
が低くなってきているので、単純に合金化するだけでは
該上限値を超えてしまい、従って新規半導体装置材料の
開発は容易でない現状にある。
金属は一般的に合金化により抵抗値が増大する傾向にあ
り、一方では近年の半導体装置の高集積化に伴う配線の
微細化（配線巾狭化）により、電気抵抗値の許容上限値
が低くなってきているので、単純に合金化するだけでは
該上限値を超えてしまい、従って新規半導体装置材料の
開発は容易でない現状にある。
【０００６】ＴＦＴ の電極・配線材料としては、前記
一般の半導体装置の場合と異なり、ＴＦＴ製造プロセス
中に比較的高温（ ４００℃程度もしくはそれ以下の温
度）に加熱されるため、Ａｌ系金属材料ではＳＭを生じ
て耐熱性に欠けるので、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の高
融点金属材料が多用されている。しかし、これらは電気
抵抗値が大きいという問題点を有しており、その改善が
望まれている。
一般の半導体装置の場合と異なり、ＴＦＴ製造プロセス
中に比較的高温（ ４００℃程度もしくはそれ以下の温
度）に加熱されるため、Ａｌ系金属材料ではＳＭを生じ
て耐熱性に欠けるので、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の高
融点金属材料が多用されている。しかし、これらは電気
抵抗値が大きいという問題点を有しており、その改善が
望まれている。
【０００７】更には、近年液晶ディスプレイは大画面化
・大型化して、各ＴＦＴ 素子を結ぶ配線（アドレス配
線）も増長化する傾向にあり、それに伴って抵抗及び容
量が増大してアドレスパルスの遅延を引き起こし易くて
、上記高融点金属材料は使用し難くなり、従って、配線
抵抗の小さい新規耐熱性金属材料の開発が望まれている
。
・大型化して、各ＴＦＴ 素子を結ぶ配線（アドレス配
線）も増長化する傾向にあり、それに伴って抵抗及び容
量が増大してアドレスパルスの遅延を引き起こし易くて
、上記高融点金属材料は使用し難くなり、従って、配線
抵抗の小さい新規耐熱性金属材料の開発が望まれている
。
【０００８】かかるＴＦＴ 用配線として必要な電気抵
抗は略３０μΩｃｍ以下であり、更に用途拡大のために
は従来のＡｌ基合金と同水準（１０μΩｃｍ以下）であ
ることが望まれる。これを充たす金属種としてＡｕ、Ｃ
ｕ、Ａｌがあるが、Ａｕは高価なため採用困難であり、
Ｃｕは密着性及び耐酸性の点で問題があり、Ａｌは低融
点金属であって耐熱性に欠けＳＭにより層間（線間）シ
ョートを生じる恐れがあり、いづれも実用し得ない。
抗は略３０μΩｃｍ以下であり、更に用途拡大のために
は従来のＡｌ基合金と同水準（１０μΩｃｍ以下）であ
ることが望まれる。これを充たす金属種としてＡｕ、Ｃ
ｕ、Ａｌがあるが、Ａｕは高価なため採用困難であり、
Ｃｕは密着性及び耐酸性の点で問題があり、Ａｌは低融
点金属であって耐熱性に欠けＳＭにより層間（線間）シ
ョートを生じる恐れがあり、いづれも実用し得ない。
【０００９】そこで、多層配線（複合配線）や、イオン
注入による配線表面部の合金化（表面合金化配線）等が
提案されている。この多層配線は下層を低抵抗材料、上
層を高耐熱材料とし、下層（低抵抗）及び上層（耐ＳＭ
性）の複合機能を発揮させるものである。表面合金化配
線は低抵抗材料に異種元素をイオン注入して表面部に耐
熱性合金層を設けたものであって、上記と同様の機能を
発揮させるものである。
注入による配線表面部の合金化（表面合金化配線）等が
提案されている。この多層配線は下層を低抵抗材料、上
層を高耐熱材料とし、下層（低抵抗）及び上層（耐ＳＭ
性）の複合機能を発揮させるものである。表面合金化配
線は低抵抗材料に異種元素をイオン注入して表面部に耐
熱性合金層を設けたものであって、上記と同様の機能を
発揮させるものである。
【００１０】しかし、多層配線では、その製造に際し成
膜を２回行う必要があり、又、下層上層の組合わせによ
っては配線パターン形成のためのエッチングを別工程で
行う必要があるので、プロセス増加及び生産性低下を招
き、表面合金化配線では、イオン注入という複雑なプロ
セスを要し、又、表面合金層の制御が難しいので、プロ
セス増加及び生産歩留低下を招くという難点がある。従
って、かかる問題点を有さず、配線抵抗が小さく且つ耐
熱性に優れたＴＦＴ 用新規金属材料の開発が望まれて
いる現状にある。
膜を２回行う必要があり、又、下層上層の組合わせによ
っては配線パターン形成のためのエッチングを別工程で
行う必要があるので、プロセス増加及び生産性低下を招
き、表面合金化配線では、イオン注入という複雑なプロ
セスを要し、又、表面合金層の制御が難しいので、プロ
セス増加及び生産歩留低下を招くという難点がある。従
って、かかる問題点を有さず、配線抵抗が小さく且つ耐
熱性に優れたＴＦＴ 用新規金属材料の開発が望まれて
いる現状にある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこの様な事情
に着目してなされたものであって、その目的は従来のも
のがもつ以上のような問題点を解消し、耐熱性（耐ＳＭ
性等）、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗が
１０μΩｃｍ以下と低くて、一般半導体装置用及びＴＦ
Ｔ 用として生産性低下等を招くことなく好適に使用し
得、しかも近年の半導体装置の高集積化に伴う配線巾狭
化や、液晶ディスプレイの大画面化・大型化に伴うＴＦ
Ｔのアドレス配線増長化に対応し得る半導体装置材料（
電極・配線材料）を提供しようとするものである。
に着目してなされたものであって、その目的は従来のも
のがもつ以上のような問題点を解消し、耐熱性（耐ＳＭ
性等）、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗が
１０μΩｃｍ以下と低くて、一般半導体装置用及びＴＦ
Ｔ 用として生産性低下等を招くことなく好適に使用し
得、しかも近年の半導体装置の高集積化に伴う配線巾狭
化や、液晶ディスプレイの大画面化・大型化に伴うＴＦ
Ｔのアドレス配線増長化に対応し得る半導体装置材料（
電極・配線材料）を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は次のような構成の半導体装置材料として
いる。即ち、本発明に係る半導体装置材料は、合金成分
としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの中の１種又は２種以上を総量
で０．０５〜１．０ ａｔ％含有するＡｌ基合金よりな
ることを特徴とする半導体装置材料である。
めに、本発明は次のような構成の半導体装置材料として
いる。即ち、本発明に係る半導体装置材料は、合金成分
としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの中の１種又は２種以上を総量
で０．０５〜１．０ ａｔ％含有するＡｌ基合金よりな
ることを特徴とする半導体装置材料である。
【００１３】
【作用】本発明は、種々の組成のＡｌ基合金よりなるタ
ーゲットを製作し、スパッタリング法により半導体装置
配線用のＡｌ基合金薄膜を形成し、それらＡｌ基合金薄
膜の組成、耐熱性（耐ＳＭ性等）、耐ＥＭ性、耐食性及
び電気抵抗を調べ、その結果得られた下記知見に基づく
ものである。
ーゲットを製作し、スパッタリング法により半導体装置
配線用のＡｌ基合金薄膜を形成し、それらＡｌ基合金薄
膜の組成、耐熱性（耐ＳＭ性等）、耐ＥＭ性、耐食性及
び電気抵抗を調べ、その結果得られた下記知見に基づく
ものである。
【００１４】即ち、合金成分としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの
１種又は２種以上（以降、Ｍｎ等という）を含有するＡ
ｌ基合金薄膜は、最も耐熱性（耐ＳＭ性等）に優れ、極
めて少量の合金成分添加によりその有効性を発揮し、又
、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗が低いと
いう知見が得られた。詳細には、耐熱性及び耐ＥＭ性は
、従来のＡｌ基合金に比して優れ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｔａ等の高融点金属材料と同水準もしくはそれ以上にし
得、又、耐食性は従来のＡｌ基合金よりも向上し得、更
に電気抵抗は１０μΩｃｍ以下にし得ることを見出した
。
１種又は２種以上（以降、Ｍｎ等という）を含有するＡ
ｌ基合金薄膜は、最も耐熱性（耐ＳＭ性等）に優れ、極
めて少量の合金成分添加によりその有効性を発揮し、又
、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗が低いと
いう知見が得られた。詳細には、耐熱性及び耐ＥＭ性は
、従来のＡｌ基合金に比して優れ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｔａ等の高融点金属材料と同水準もしくはそれ以上にし
得、又、耐食性は従来のＡｌ基合金よりも向上し得、更
に電気抵抗は１０μΩｃｍ以下にし得ることを見出した
。
【００１５】このとき、Ｍｎ等の含有量は総量で０．０
５ａｔ％以上にすることが必要であり、０．０５ａｔ％
未満では耐熱性及び耐食性が不充分になって良くない。 この含有量の増加に伴って耐熱性が向上するが、１．０
ａｔ％を超えると、電気抵抗が１０μΩｃｍよりも大
きくなって本発明に係る電気抵抗の目標値を満足しない
。従って、Ｍｎ等（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの１種又は２種以
上）の含有量は０．０５〜１．０ ａｔ％にすることが
必要である。
５ａｔ％以上にすることが必要であり、０．０５ａｔ％
未満では耐熱性及び耐食性が不充分になって良くない。 この含有量の増加に伴って耐熱性が向上するが、１．０
ａｔ％を超えると、電気抵抗が１０μΩｃｍよりも大
きくなって本発明に係る電気抵抗の目標値を満足しない
。従って、Ｍｎ等（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの１種又は２種以
上）の含有量は０．０５〜１．０ ａｔ％にすることが
必要である。
【００１６】上記Ａｌ基合金薄膜は、従来のＡｌ系金属
合金薄膜と同様の方法により生産し得るので、複合配線
やイオン注入による表面合金化配線の如き生産性低下等
を招くものではない。
合金薄膜と同様の方法により生産し得るので、複合配線
やイオン注入による表面合金化配線の如き生産性低下等
を招くものではない。
【００１７】そこで、本発明に係る半導体装置材料は、
前述の如く、合金成分としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの中の１
種又は２種以上を総量で０．０５〜１．０ ａｔ％含有
するＡｌ基合金よりなるようにしており、従って、前記
知見よりして、耐熱性（耐ＳＭ性等）、耐ＥＭ性及び耐
食性に優れると共に電気抵抗が１０μΩｃｍ以下と低く
て、一般半導体装置用及びＴＦＴ 用として生産性低下
等を招くことなく好適に使用し得、しかも近年の半導体
装置の高集積化に伴う配線巾狭化や、液晶ディスプレイ
の大画面化・大型化に伴うＴＦＴ のアドレス配線増長
化に対応し得るものになり得る。
前述の如く、合金成分としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの中の１
種又は２種以上を総量で０．０５〜１．０ ａｔ％含有
するＡｌ基合金よりなるようにしており、従って、前記
知見よりして、耐熱性（耐ＳＭ性等）、耐ＥＭ性及び耐
食性に優れると共に電気抵抗が１０μΩｃｍ以下と低く
て、一般半導体装置用及びＴＦＴ 用として生産性低下
等を招くことなく好適に使用し得、しかも近年の半導体
装置の高集積化に伴う配線巾狭化や、液晶ディスプレイ
の大画面化・大型化に伴うＴＦＴ のアドレス配線増長
化に対応し得るものになり得る。
【００１８】上記本発明に係るＡｌ基合金よりなる半導
体装置材料はスパッタリング法により形成し得、その際
のスパッタリングターゲットとしては溶解・鋳造法又は
粉末焼結法で製作したＡｌ基合金（以降、溶製Ａｌ合金
ターゲットという）を使用することが望ましい。かかる
溶製Ａｌ合金ターゲットは組成的に均一であり、又、ス
パッタ率及び出射角度が均一であるので、Ａｌ基合金膜
（即ち配線・電極材料）が得られ、従って、より信頼性
に優れた半導体装置を製作し得るようになる。中でも、
溶解・鋳造法で製作したターゲットは酸素含有量を１０
０ｐｐｍ以下にし得、そのため膜形成速度を一定に保持
し易くなると共に、Ａｌ基合金膜の酸素量を低くし得、
従って、Ａｌ基合金膜の電気抵抗の低下及び耐食性の向
上がより図り易くなる。
体装置材料はスパッタリング法により形成し得、その際
のスパッタリングターゲットとしては溶解・鋳造法又は
粉末焼結法で製作したＡｌ基合金（以降、溶製Ａｌ合金
ターゲットという）を使用することが望ましい。かかる
溶製Ａｌ合金ターゲットは組成的に均一であり、又、ス
パッタ率及び出射角度が均一であるので、Ａｌ基合金膜
（即ち配線・電極材料）が得られ、従って、より信頼性
に優れた半導体装置を製作し得るようになる。中でも、
溶解・鋳造法で製作したターゲットは酸素含有量を１０
０ｐｐｍ以下にし得、そのため膜形成速度を一定に保持
し易くなると共に、Ａｌ基合金膜の酸素量を低くし得、
従って、Ａｌ基合金膜の電気抵抗の低下及び耐食性の向
上がより図り易くなる。
【００１９】
（実施例１）ＤＣマグネトロンスパッタリング法により
、ソーダライムガラス基板上に厚さ：５０００ÅのＴａ
２Ｏ５ 膜を形成した後、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの含有量が
種々異なる溶製Ａｌ合金ターゲットを用いて上記と同様
法により上記Ｔａ２Ｏ５ 膜の上に厚さ：３０００Åの
Ａｌ合金膜を形成した。該Ａｌ合金膜をホトリソグラフ
ィー及びウェットエッチングにより１０μｍ 巾のスト
ライプパターン状に加工し、試料とした。 又、比較例として上記Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒに代えてＴｉ膜
を形成したものを上記と同様に加工し、試料とした。
、ソーダライムガラス基板上に厚さ：５０００ÅのＴａ
２Ｏ５ 膜を形成した後、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの含有量が
種々異なる溶製Ａｌ合金ターゲットを用いて上記と同様
法により上記Ｔａ２Ｏ５ 膜の上に厚さ：３０００Åの
Ａｌ合金膜を形成した。該Ａｌ合金膜をホトリソグラフ
ィー及びウェットエッチングにより１０μｍ 巾のスト
ライプパターン状に加工し、試料とした。 又、比較例として上記Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒに代えてＴｉ膜
を形成したものを上記と同様に加工し、試料とした。
【００２０】上記試料について、４００ ℃で１時間保
持する真空熱処理をした後、ストライプパターン表面に
発生するヒロック数を測定し、ヒロック密度を求めた。 その結果を図１に示す。Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの添加
によりヒロック密度が減少するが、その減少の程度はＴ
ｉの場合よりもＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒ添加の場合に著しいこ
とが判る。又、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの添加はＴｉ添加の場
合に比して少量の添加でヒロック密度が大幅に減少して
耐ＳＭ性が向上することが判る。Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ添加
効果は独立しており、ヒロック密度減少に対して加成性
が成立し、従って、かかる効果はＴｉ、Ｔａを同時に添
加した場合でも成り立つ。
持する真空熱処理をした後、ストライプパターン表面に
発生するヒロック数を測定し、ヒロック密度を求めた。 その結果を図１に示す。Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの添加
によりヒロック密度が減少するが、その減少の程度はＴ
ｉの場合よりもＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒ添加の場合に著しいこ
とが判る。又、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒの添加はＴｉ添加の場
合に比して少量の添加でヒロック密度が大幅に減少して
耐ＳＭ性が向上することが判る。Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ添加
効果は独立しており、ヒロック密度減少に対して加成性
が成立し、従って、かかる効果はＴｉ、Ｔａを同時に添
加した場合でも成り立つ。
【００２１】（実施例２）実施例１の場合と同様のター
ゲットを用いて同様のスパッタリング法により、ソーダ
ライムガラス基板上に厚さ：２０００ÅのＡｌ合金膜を
形成した後、同様の方法により該膜を巾：１００μｍ，
長さ：１０ｍｍ のストライプ試料に加工した。次に
、該試料について４探針法により比抵抗を測定した。そ
の結果を図２に示す。Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ量の増大に伴っ
て比抵抗が増大する。比抵抗は可能な限り低いことが望
ましく、比抵抗の上限は半導体装置の適用品種によって
異なるが、液晶ディスプレイ用ＴＦＴの電極・配線材料
としては、従来のＡｌ基合金と同水準（略１０μΩｃｍ
）と考えられ、この値を確保するにはＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒ
量は１ａｔ％以下にすればよいことが判る。上記１０μ
Ωｃｍは、従来のＴｉ等の高融点金属材料の比抵抗（５
０μΩｃｍ以上）に比して小さく、その約 １／５に相
当し、従って、本発明の半導体装置材料によれば液晶デ
ィスプレイの大画面化・大型化に伴うＴＦＴ のアドレ
ス配線増長化に充分に対応し得、好適に使用し得ること
が明白である。
ゲットを用いて同様のスパッタリング法により、ソーダ
ライムガラス基板上に厚さ：２０００ÅのＡｌ合金膜を
形成した後、同様の方法により該膜を巾：１００μｍ，
長さ：１０ｍｍ のストライプ試料に加工した。次に
、該試料について４探針法により比抵抗を測定した。そ
の結果を図２に示す。Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ量の増大に伴っ
て比抵抗が増大する。比抵抗は可能な限り低いことが望
ましく、比抵抗の上限は半導体装置の適用品種によって
異なるが、液晶ディスプレイ用ＴＦＴの電極・配線材料
としては、従来のＡｌ基合金と同水準（略１０μΩｃｍ
）と考えられ、この値を確保するにはＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒ
量は１ａｔ％以下にすればよいことが判る。上記１０μ
Ωｃｍは、従来のＴｉ等の高融点金属材料の比抵抗（５
０μΩｃｍ以上）に比して小さく、その約 １／５に相
当し、従って、本発明の半導体装置材料によれば液晶デ
ィスプレイの大画面化・大型化に伴うＴＦＴ のアドレ
ス配線増長化に充分に対応し得、好適に使用し得ること
が明白である。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置材料は、前述の
如き構成を有し作用をなすものであって、耐熱性（耐Ｓ
Ｍ性等）、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗
が低くて１０μΩｃｍ以下であり、一般の半導体装置用
及びＴＦＴ 用として生産性低下等を招くことなく好適
に使用し得、しかも近年の半導体装置の高集積化に伴う
配線巾狭化や、液晶ディスプレイの大画面化・大型化に
伴うＴＦＴ のアドレス配線増長化に充分に対応し得る
ようになるという効果を奏するものである。
如き構成を有し作用をなすものであって、耐熱性（耐Ｓ
Ｍ性等）、耐ＥＭ性及び耐食性に優れると共に電気抵抗
が低くて１０μΩｃｍ以下であり、一般の半導体装置用
及びＴＦＴ 用として生産性低下等を招くことなく好適
に使用し得、しかも近年の半導体装置の高集積化に伴う
配線巾狭化や、液晶ディスプレイの大画面化・大型化に
伴うＴＦＴ のアドレス配線増長化に充分に対応し得る
ようになるという効果を奏するものである。
【図１】実施例１に係るＡｌ合金膜についての各元素（
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ又はＴｉ）の含有率とヒロック密度と
の関係を示す図である。
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ又はＴｉ）の含有率とヒロック密度と
の関係を示す図である。
【図２】実施例２に係るＡｌ合金薄膜についての各元素
（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ）の含有率と比抵抗との関係を示す
図である。
（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ）の含有率と比抵抗との関係を示す
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 合金成分としてＭｎ、Ｃｒ、Ｚｒの中
の１種又は２種以上を総量で０．０５〜１．０ ａｔ％
含有するＡｌ基合金よりなることを特徴とする半導体装
置材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092251A JP3061654B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料 |
| US08/273,961 US5500301A (en) | 1991-03-07 | 1994-07-12 | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| US08/888,784 US5976641A (en) | 1991-03-07 | 1997-07-07 | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| US09/385,889 US6206985B1 (en) | 1991-03-07 | 1999-08-30 | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092251A JP3061654B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323872A true JPH04323872A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3061654B2 JP3061654B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=14049209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3092251A Expired - Lifetime JP3061654B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-04-23 | 液晶ディスプレイ用半導体装置材料及び液晶ディスプレイ用半導体装置材料製造用溶製スパッタリングターゲット材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061654B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002156775A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Fujitsu Ltd | フラッシュ定着用カラートナー |
| USRE41975E1 (en) | 1995-10-12 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| USRE45481E1 (en) | 1995-10-12 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| JP2017157842A (ja) * | 2013-09-30 | 2017-09-07 | 日本軽金属株式会社 | 半導体素子、スパッタリングターゲット材及び半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203369A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62235451A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Ａｌ合金 |
| JPS62235452A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Ｂ含有Ａｌ合金 |
| JPS62240739A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用ｂ、ｃ、ｎ含有アルミニウム合金 |
| JPH01134426A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ駆動用薄膜トランジスタ |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3092251A patent/JP3061654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203369A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62235451A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Ａｌ合金 |
| JPS62235452A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Ｂ含有Ａｌ合金 |
| JPS62240739A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用ｂ、ｃ、ｎ含有アルミニウム合金 |
| JPH01134426A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ駆動用薄膜トランジスタ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41975E1 (en) | 1995-10-12 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| USRE45481E1 (en) | 1995-10-12 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| JP2002156775A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Fujitsu Ltd | フラッシュ定着用カラートナー |
| JP2017157842A (ja) * | 2013-09-30 | 2017-09-07 | 日本軽金属株式会社 | 半導体素子、スパッタリングターゲット材及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3061654B2 (ja) | 2000-07-10 |
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