JPH04324238A - イオン中和器 - Google Patents
イオン中和器Info
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- JPH04324238A JPH04324238A JP3092322A JP9232291A JPH04324238A JP H04324238 A JPH04324238 A JP H04324238A JP 3092322 A JP3092322 A JP 3092322A JP 9232291 A JP9232291 A JP 9232291A JP H04324238 A JPH04324238 A JP H04324238A
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- JP
- Japan
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- ion
- container
- vacuum
- hollow container
- gas
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/14—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using charge exchange devices, e.g. for neutralising or changing the sign of the electrical charges of beams
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Dental Preparations (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン中和器に関し、特
に、効率良くイオンの電荷を中和して、超高真空中で高
速原子線を発生するイオン中和器に関する。
に、効率良くイオンの電荷を中和して、超高真空中で高
速原子線を発生するイオン中和器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のガスセル形イオン中和器
の一例を示す概要図である。図中、１はイオン源、２は
イオンビーム、３はガスセル、４はガスノズル、５は反
応ガス、６は高速原子線、７は真空容器、８は真空ポン
プ、９はイオンビーム入射孔、１０は高速原子線放出孔
をそれぞれ示している。前記構成要素を含んで構成され
るイオン中和器は、以下の通り動作する。イオン源１、
ガスセル３およびガスノズル４が、真空容器７内に収め
られており、前記真空容器７が真空ポンプ８で充分に排
気された後、イオンビーム２が前記イオン源１からガス
セル３に向けて放射される。一方、前記ガスセル３内に
は、予めガスノズル４を通して外部より例えばアルゴン
等の反応ガス５が注入されてある。イオンビーム入射孔
９からガスセル３内に入ったイオンビーム２は、ガスセ
ル３内のアルゴンガス５の分子と衝突して電荷を失い、
高速原子線６となってガスセル３の高速原子線放出孔１
０から放出される。
の一例を示す概要図である。図中、１はイオン源、２は
イオンビーム、３はガスセル、４はガスノズル、５は反
応ガス、６は高速原子線、７は真空容器、８は真空ポン
プ、９はイオンビーム入射孔、１０は高速原子線放出孔
をそれぞれ示している。前記構成要素を含んで構成され
るイオン中和器は、以下の通り動作する。イオン源１、
ガスセル３およびガスノズル４が、真空容器７内に収め
られており、前記真空容器７が真空ポンプ８で充分に排
気された後、イオンビーム２が前記イオン源１からガス
セル３に向けて放射される。一方、前記ガスセル３内に
は、予めガスノズル４を通して外部より例えばアルゴン
等の反応ガス５が注入されてある。イオンビーム入射孔
９からガスセル３内に入ったイオンビーム２は、ガスセ
ル３内のアルゴンガス５の分子と衝突して電荷を失い、
高速原子線６となってガスセル３の高速原子線放出孔１
０から放出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のガスセ
ル形イオン中和器では、前記ガスセル３に注入されたア
ルゴンガス５が、イオンビーム入射孔９および高速原子
線放出孔１０から噴出するため、真空容器７内部のガス
圧を上昇させ、高い高真空下での高速原子線６の取り出
しを困難にした。特に大量の高速原子線６を得ようとす
ると、多量のアルゴンガス５をガスセル３に注入しなく
てはならないために、真空容器７内を高真空に維持する
ことが、ますます困難となった。従来技術に於いて、高
真空度維持の実現を図るためには、真空ポンプ８の容量
を非常に大きくしたり、差動排気の機構を新たに付加す
るなどの工夫が必要であった。このため、装置の大型化
を招き、装置の製作コストの上昇や運転コストの上昇を
伴って、経済的に負担増となるなどの問題があった。本
発明は、上記実情に基づいてなされたもので、学術分野
や工業分野等において、その使用環境として主流となり
つつある超高真空中で、高速原子線を効率良く発生させ
るイオン中和器を提供することを目的とする。
ル形イオン中和器では、前記ガスセル３に注入されたア
ルゴンガス５が、イオンビーム入射孔９および高速原子
線放出孔１０から噴出するため、真空容器７内部のガス
圧を上昇させ、高い高真空下での高速原子線６の取り出
しを困難にした。特に大量の高速原子線６を得ようとす
ると、多量のアルゴンガス５をガスセル３に注入しなく
てはならないために、真空容器７内を高真空に維持する
ことが、ますます困難となった。従来技術に於いて、高
真空度維持の実現を図るためには、真空ポンプ８の容量
を非常に大きくしたり、差動排気の機構を新たに付加す
るなどの工夫が必要であった。このため、装置の大型化
を招き、装置の製作コストの上昇や運転コストの上昇を
伴って、経済的に負担増となるなどの問題があった。本
発明は、上記実情に基づいてなされたもので、学術分野
や工業分野等において、その使用環境として主流となり
つつある超高真空中で、高速原子線を効率良く発生させ
るイオン中和器を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の上記
目的は、真空容器内に配置するイオン源および一端部に
イオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放出孔を有
して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンまたはマグ
ネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれる金属の
細線またはリボンが捲着したフィラメントが前記中空容
器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔および前記高
速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置される金属
蒸気発生源と、前記真空容器に連通する真空ポンプと、
前記真空容器および前記中空容器の外部に配置されて前
記フィラメントと接続する加熱電源とを有することら特
徴とするイオン中和器により達成される。また、本発明
の目的は、真空容器内に配置するイオン源および一端部
にイオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放出孔を
有して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンまたはマ
グネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれる金属
の細線またはリボンが捲着したフィラメントが前記中空
容器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔および前記
高速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置される金
属蒸気発生源と、前記中空容器を冷却する冷却手段と、
前記真空容器に連通する真空ポンプと、前記真空容器お
よび前記中空容器の外部に配置されて前記フィラメント
と接続する加熱電源とを有することを特徴とするイオン
中和器により達成される。
目的は、真空容器内に配置するイオン源および一端部に
イオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放出孔を有
して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンまたはマグ
ネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれる金属の
細線またはリボンが捲着したフィラメントが前記中空容
器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔および前記高
速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置される金属
蒸気発生源と、前記真空容器に連通する真空ポンプと、
前記真空容器および前記中空容器の外部に配置されて前
記フィラメントと接続する加熱電源とを有することら特
徴とするイオン中和器により達成される。また、本発明
の目的は、真空容器内に配置するイオン源および一端部
にイオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放出孔を
有して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンまたはマ
グネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれる金属
の細線またはリボンが捲着したフィラメントが前記中空
容器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔および前記
高速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置される金
属蒸気発生源と、前記中空容器を冷却する冷却手段と、
前記真空容器に連通する真空ポンプと、前記真空容器お
よび前記中空容器の外部に配置されて前記フィラメント
と接続する加熱電源とを有することを特徴とするイオン
中和器により達成される。
【０００５】
【作用】金属蒸気中にイオンビームを入射させ、イオン
と金属ガスの分子とを衝突させることにより、イオンの
中和が効率良く進行できる。また、金属ガスが中空容器
の内壁に付着して真空容器中に噴出しないので、超高真
空下で高速原子線を発生できる。
と金属ガスの分子とを衝突させることにより、イオンの
中和が効率良く進行できる。また、金属ガスが中空容器
の内壁に付着して真空容器中に噴出しないので、超高真
空下で高速原子線を発生できる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳説
する。図１は、本発明の一実施例を示すイオン中和器の
概略構成図である。なお、後述する各実施例に於いて、
先の図４に於いて述べた従来例と同一構造・機能を有す
る構成要素については同一符号を用いている。また、各
実施例中、真空容器、この真空容器と連通して設けられ
る真空ポンプおよび真空容器内に配置されてイオンビー
ムを発するイオン源の各構成要素については、従来例と
同様に配置されているので、図示および説明を省略する
。図において、このイオン中和器は、真空容器７内に配
置されるイオン源１および円筒状の中空容器２１と、熱
フィラメント３１を有しかつ前記中空容器２１に内蔵さ
れる金属蒸気発生源２２と、前記真空容器２１に連通し
て設けられる真空ポンプ８と、前記真空容器７および前
記中空容器２１の外部に配置されて前記フィラメント３
１と接続する加熱電源２３と、から構成されている。 前記加熱電源２３は、前記熱フィラメント３１の加熱用
として機能する。
する。図１は、本発明の一実施例を示すイオン中和器の
概略構成図である。なお、後述する各実施例に於いて、
先の図４に於いて述べた従来例と同一構造・機能を有す
る構成要素については同一符号を用いている。また、各
実施例中、真空容器、この真空容器と連通して設けられ
る真空ポンプおよび真空容器内に配置されてイオンビー
ムを発するイオン源の各構成要素については、従来例と
同様に配置されているので、図示および説明を省略する
。図において、このイオン中和器は、真空容器７内に配
置されるイオン源１および円筒状の中空容器２１と、熱
フィラメント３１を有しかつ前記中空容器２１に内蔵さ
れる金属蒸気発生源２２と、前記真空容器２１に連通し
て設けられる真空ポンプ８と、前記真空容器７および前
記中空容器２１の外部に配置されて前記フィラメント３
１と接続する加熱電源２３と、から構成されている。 前記加熱電源２３は、前記熱フィラメント３１の加熱用
として機能する。
【０００７】前記中空容器２１は、一端部にイオンビー
ム入射孔９かつ他端部に高速原子線放出孔１０だけを開
口して両端部が閉鎖された円筒状の中空体により構成さ
れており、前記イオンビーム入射孔９がイオン源１と対
向するように配置されて、イオン源１から発せられるイ
オンビーム２が内部に入射可能に設けられている。前記
金属蒸気発生源２２は、前記中空容器２１の内部で、イ
オンビーム入射孔９と高速原子線放出孔１０を結ぶ軸線
を取り囲むように設置され、かつチタンの細線３２（図
２参照）が捲着された螺旋状の熱フィラメント３１によ
って構成されている。図２により、更に、前記金属蒸気
発生源２２を説明すると、この金属蒸気発生源２２はチ
タンの細線３２が熱フィラメント３１に捲着されると共
に、このように形成した熱フィラメント３１を螺旋状に
巻装して構成される。なお、本実施例では、熱フィラメ
ント３１にチタンの細線３２を巻きつけるように構成し
たが、チタンの代わりにマグネシウムまたはアルミニウ
ムの金属等を選択することもできる。また、細線の代わ
りにリボンを捲着することもできる。なお、前記金属と
しては高温下で蒸気圧が高く、温度の低い器壁に接触す
ると蒸気圧が極端に低くなる材料であることが条件で、
この条件を満たせば上記以外の金属を用いることも可能
である。或いは、プラスチック等の非金属が適用される
ことも考慮できる。
ム入射孔９かつ他端部に高速原子線放出孔１０だけを開
口して両端部が閉鎖された円筒状の中空体により構成さ
れており、前記イオンビーム入射孔９がイオン源１と対
向するように配置されて、イオン源１から発せられるイ
オンビーム２が内部に入射可能に設けられている。前記
金属蒸気発生源２２は、前記中空容器２１の内部で、イ
オンビーム入射孔９と高速原子線放出孔１０を結ぶ軸線
を取り囲むように設置され、かつチタンの細線３２（図
２参照）が捲着された螺旋状の熱フィラメント３１によ
って構成されている。図２により、更に、前記金属蒸気
発生源２２を説明すると、この金属蒸気発生源２２はチ
タンの細線３２が熱フィラメント３１に捲着されると共
に、このように形成した熱フィラメント３１を螺旋状に
巻装して構成される。なお、本実施例では、熱フィラメ
ント３１にチタンの細線３２を巻きつけるように構成し
たが、チタンの代わりにマグネシウムまたはアルミニウ
ムの金属等を選択することもできる。また、細線の代わ
りにリボンを捲着することもできる。なお、前記金属と
しては高温下で蒸気圧が高く、温度の低い器壁に接触す
ると蒸気圧が極端に低くなる材料であることが条件で、
この条件を満たせば上記以外の金属を用いることも可能
である。或いは、プラスチック等の非金属が適用される
ことも考慮できる。
【０００８】次に、上記の如く構成したイオン中和器の
動作について説明する。真空容器内を真空ポンプ８（図
４参照）で充分に真空排気した後、金属蒸気発生源２２
の熱フィラメント３１を加熱電源２３により加熱する。 この加熱により、チタンあるいはマグネシウムあるいは
アルミニウムの細線３２が金属ガスとなって蒸発し、中
空容器２１内部がこの金属ガスによって充満される。こ
のような状態下で、イオン源１（図４参照）から放射さ
れたイオンビーム２がイオンビーム入射孔９を通って中
空容器２１内部に入射されると、イオンが金属ガスの分
子と接触して電荷を失い、高速原子に変換される。そし
て、この高速原子は、高速原子線放出孔１０から高速原
子線６となって放出される。上記動作プロセスに於いて
、金属蒸気発生源２２から発生したチタンあるいはマグ
ネシウムあるいはアルミニウムのガス分子は、中空容器
２１の内壁に付着して固体に戻り、イオンビーム入射孔
９および高速原子線放出孔１０から噴出することがない
。因って、本発明のイオン中和器では、従来のガスセル
型のような真空容器７内の真空度の低下を招くことがな
く、超高真空中で高速原子線を発生することができる。 またイオンと金属ガスの分子との接触効率が高いので、
効率の良いイオン中和器が得られる。更にこのイオン中
和器によれば、入射するイオンビームが予め収束してい
るなら、イオンから高速原子への変換プロセス中に何れ
の障壁も設置されていないので、出射する高速原子線６
も収束した状態で放出され、収束性の高い高速原子線が
容易に発生できる。
動作について説明する。真空容器内を真空ポンプ８（図
４参照）で充分に真空排気した後、金属蒸気発生源２２
の熱フィラメント３１を加熱電源２３により加熱する。 この加熱により、チタンあるいはマグネシウムあるいは
アルミニウムの細線３２が金属ガスとなって蒸発し、中
空容器２１内部がこの金属ガスによって充満される。こ
のような状態下で、イオン源１（図４参照）から放射さ
れたイオンビーム２がイオンビーム入射孔９を通って中
空容器２１内部に入射されると、イオンが金属ガスの分
子と接触して電荷を失い、高速原子に変換される。そし
て、この高速原子は、高速原子線放出孔１０から高速原
子線６となって放出される。上記動作プロセスに於いて
、金属蒸気発生源２２から発生したチタンあるいはマグ
ネシウムあるいはアルミニウムのガス分子は、中空容器
２１の内壁に付着して固体に戻り、イオンビーム入射孔
９および高速原子線放出孔１０から噴出することがない
。因って、本発明のイオン中和器では、従来のガスセル
型のような真空容器７内の真空度の低下を招くことがな
く、超高真空中で高速原子線を発生することができる。 またイオンと金属ガスの分子との接触効率が高いので、
効率の良いイオン中和器が得られる。更にこのイオン中
和器によれば、入射するイオンビームが予め収束してい
るなら、イオンから高速原子への変換プロセス中に何れ
の障壁も設置されていないので、出射する高速原子線６
も収束した状態で放出され、収束性の高い高速原子線が
容易に発生できる。
【０００９】図３は、本発明の他の実施例によるイオン
中和器を示している。この実施例では、イオン中和器が
、先の図１および図２で示した実施例のイオン中和器と
、後述する水冷蛇管を除いて同一構造に設けられている
。従って、この実施例では、前記水冷蛇管の構造および
機能についてのみ述べる。中空容器２１は、該容器を冷
却するための冷却手段として、その外壁面と嵌合する略
螺旋状の水冷蛇管４１を備えており、該蛇管４１には、
冷却水が例えば１０〜２０リットル／ｍｉｎの流量で流
されている。このように構成したイオン中和器は、先の
イオン中和器と同じ動作によって、高速原子線６を発生
する。この場合、中空容器２１は器壁が前記水冷蛇管４
１によって冷却されていることにより、一旦器壁に付着
したチタンあるいはマグネシウムあるいはアルミニウム
のガス分子を急速に冷却する。因って、ガス分子が再蒸
発してイオン入射孔９あるいは高速原子線放出孔１０か
ら真空容器７の内部に拡散する確率が大幅に低減され、
更に優れた高真空度の下での高速原子線６が得られる。
中和器を示している。この実施例では、イオン中和器が
、先の図１および図２で示した実施例のイオン中和器と
、後述する水冷蛇管を除いて同一構造に設けられている
。従って、この実施例では、前記水冷蛇管の構造および
機能についてのみ述べる。中空容器２１は、該容器を冷
却するための冷却手段として、その外壁面と嵌合する略
螺旋状の水冷蛇管４１を備えており、該蛇管４１には、
冷却水が例えば１０〜２０リットル／ｍｉｎの流量で流
されている。このように構成したイオン中和器は、先の
イオン中和器と同じ動作によって、高速原子線６を発生
する。この場合、中空容器２１は器壁が前記水冷蛇管４
１によって冷却されていることにより、一旦器壁に付着
したチタンあるいはマグネシウムあるいはアルミニウム
のガス分子を急速に冷却する。因って、ガス分子が再蒸
発してイオン入射孔９あるいは高速原子線放出孔１０か
ら真空容器７の内部に拡散する確率が大幅に低減され、
更に優れた高真空度の下での高速原子線６が得られる。
【００１０】前記各実施例により得られる高速原子線は
、高速のイオンビームと同様、スパッタ蒸着による薄膜
形成、スパッタエッチングによる微細パターン加工およ
び、二次イオン質量分析による材料評価などに利用する
ことができる。特に、高速原子線は非荷電性であるため
に、金属、半導体分野への適用ばかりでなく、イオンビ
ーム法が不得意とするプラスチックス、セラミックスな
どの絶縁物を対象とした場合にも威力が発揮できる。 その意味において、高真空中で大量の高速原子線が発生
できるイオン中和器を得ることは、加工、分析の能率向
上に非常に有益となる。
、高速のイオンビームと同様、スパッタ蒸着による薄膜
形成、スパッタエッチングによる微細パターン加工およ
び、二次イオン質量分析による材料評価などに利用する
ことができる。特に、高速原子線は非荷電性であるため
に、金属、半導体分野への適用ばかりでなく、イオンビ
ーム法が不得意とするプラスチックス、セラミックスな
どの絶縁物を対象とした場合にも威力が発揮できる。 その意味において、高真空中で大量の高速原子線が発生
できるイオン中和器を得ることは、加工、分析の能率向
上に非常に有益となる。
【００１１】
【発明の効果】以上記載したとおり、本発明のイオン中
和器によれば、イオンを原子線化する際にアルゴンなど
の反応ガスを用いていないので、ガスの噴出による真空
度の低下を招くことがなく、真空容器内を常時高真空状
態に維持して、容易に高速原子線を発生させることがで
きる。また、収束性の高いイオンビームが入射されると
、変換系に障壁等が存在していないので、収束性の高い
高速原子線を簡単に得ることができる。更に、排気系を
含む反応ガス系の構成を有していないので、装置構造が
簡単化できると共に、運転コストなどの低減が図れる。
和器によれば、イオンを原子線化する際にアルゴンなど
の反応ガスを用いていないので、ガスの噴出による真空
度の低下を招くことがなく、真空容器内を常時高真空状
態に維持して、容易に高速原子線を発生させることがで
きる。また、収束性の高いイオンビームが入射されると
、変換系に障壁等が存在していないので、収束性の高い
高速原子線を簡単に得ることができる。更に、排気系を
含む反応ガス系の構成を有していないので、装置構造が
簡単化できると共に、運転コストなどの低減が図れる。
【図１】本発明の一実施例によるイオン中和器の概略構
成図である。
成図である。
【図２】図１のイオン中和器に使用される金属蒸気発生
源の構成図である。
源の構成図である。
【図３】本発明の他の実施例によるイオン中和器の概略
構成図である。
構成図である。
【図４】従来のガスセル形イオン中和器の概略構成図で
ある。
ある。
１ イオン源
２ イオンビーム
６ 高速原子線
７ 真空容器
８ 真空ポンプ
９ イオンビーム入射孔
１０ 高速原子線放出孔
２１ 中空容器
２２ 金属蒸気発生源
２３ 加熱電源
３１ 熱フィラメント
３２ 細線
４１ 水冷蛇管
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器内に配置するイオン源および
一端部にイオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放
出孔を有して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンま
たはマグネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれ
る金属の細線またはリボンを捲着したフィラメントが前
記中空容器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔およ
び前記高速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置さ
れる金属蒸気発生源と、前記真空容器に連通する真空ポ
ンプと、前記真空容器および前記中空容器の外部に配置
されて前記フィラメントと接続する前記フィラメントの
加熱電源とを有することを特徴とするイオン中和器。 - 【請求項２】 真空容器内に配置するイオン源および
一端部にイオンビーム入射孔かつ他端部に高速原子線放
出孔を有して両端部が閉鎖される中空容器と、チタンま
たはマグネシウムまたはアルミニウムの一つから選ばれ
る金属の細線またはリボンを捲着したフィラメントが前
記中空容器に内蔵されかつ前記イオンビーム入射孔およ
び前記高速原子線放出孔を結ぶ軸線を取り囲んで配置さ
れる金属蒸気発生源と、前記中空容器を冷却する冷却手
段と、前記真空容器に連通する真空ポンプと、前記真空
容器および前記中空容器の外部に配置されて前記フィラ
メントと接続する前記フィラメントの加熱電源とを有す
ることを特徴とするイオン中和器。 - 【請求項３】 前記冷却手段が前記中空容器の外壁面
と嵌合する水冷蛇管からなることを特徴とする請求項２
に記載のイオン中和器。 - 【請求項４】 前記中空容器が円筒状の中空体からな
る請求項１または２に記載のイオン中和器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092322A JPH0715808B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | イオン中和器 |
| AT92106796T ATE155922T1 (de) | 1991-04-23 | 1992-04-21 | Ionenneutralisierungsvorrichtung |
| DE69221009T DE69221009T2 (de) | 1991-04-23 | 1992-04-21 | Ionenneutralisierungsvorrichtung |
| EP92106796A EP0510581B1 (en) | 1991-04-23 | 1992-04-21 | Ion neutralizer |
| US07/871,984 US5243189A (en) | 1991-04-23 | 1992-04-22 | Ion neutralizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092322A JPH0715808B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | イオン中和器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324238A true JPH04324238A (ja) | 1992-11-13 |
| JPH0715808B2 JPH0715808B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=14051159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3092322A Expired - Fee Related JPH0715808B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | イオン中和器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5243189A (ja) |
| EP (1) | EP0510581B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0715808B2 (ja) |
| AT (1) | ATE155922T1 (ja) |
| DE (1) | DE69221009T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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