JPH04324609A - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品及びその製造方法Info
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- JPH04324609A JPH04324609A JP9432091A JP9432091A JPH04324609A JP H04324609 A JPH04324609 A JP H04324609A JP 9432091 A JP9432091 A JP 9432091A JP 9432091 A JP9432091 A JP 9432091A JP H04324609 A JPH04324609 A JP H04324609A
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外部電極に改良を施し
たセラミック電子部品及びその製造方法に関するもので
ある。
たセラミック電子部品及びその製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】外部電極を有するセラミック電子部品と
して、図4に示すような積層セラミックコンデンサがあ
る。
して、図4に示すような積層セラミックコンデンサがあ
る。
【0003】この積層セラミックコンデンサは、内部電
極21aを有する柱状のセラミックチップ21と、セラ
ミックチップ21の両端部に設けられた一対の外部電極
22とから構成されている。内部電極21aはニッケル
から成り、セラミックを介して多層に積層されその端縁
を交互に露出している。また、外部電極22は3層構造
を有しており、チップ側の第1層22aがニッケルで、
第2層22bがニッケルで、第3層22cが半田(錫−
鉛合金)から成る。
極21aを有する柱状のセラミックチップ21と、セラ
ミックチップ21の両端部に設けられた一対の外部電極
22とから構成されている。内部電極21aはニッケル
から成り、セラミックを介して多層に積層されその端縁
を交互に露出している。また、外部電極22は3層構造
を有しており、チップ側の第1層22aがニッケルで、
第2層22bがニッケルで、第3層22cが半田(錫−
鉛合金)から成る。
【0004】この積層セラミックコンデンサは、まず、
ニッケルを主成分とする電極ペ−ストを所定パタ−ンで
印刷した未焼成セラミックシ−トを複数枚積層し、これ
を所定の大きさに切断して柱状の未焼成チップを得た後
、該未焼成チップの両端部にニッケルを主成分とする電
極ペ−ストを塗布してこれを焼成して、未焼成セラミッ
クの焼成と各電極ペ−ストの焼付けを行なって内部電極
21aと第1層22aを形成し、そして第1層22aを
形成した後の部品を空気中で300〜900℃の温度で
加熱した後、第1層22aの表面にニッケルをメッキし
て第2層を形成し、該第2層22bの表面に半田をメッ
キして第3層22cを形成して製造されている。
ニッケルを主成分とする電極ペ−ストを所定パタ−ンで
印刷した未焼成セラミックシ−トを複数枚積層し、これ
を所定の大きさに切断して柱状の未焼成チップを得た後
、該未焼成チップの両端部にニッケルを主成分とする電
極ペ−ストを塗布してこれを焼成して、未焼成セラミッ
クの焼成と各電極ペ−ストの焼付けを行なって内部電極
21aと第1層22aを形成し、そして第1層22aを
形成した後の部品を空気中で300〜900℃の温度で
加熱した後、第1層22aの表面にニッケルをメッキし
て第2層を形成し、該第2層22bの表面に半田をメッ
キして第3層22cを形成して製造されている。
【0005】上記の積層セラミックコンデンサでは、外
部電極22の第1層22aを内部電極21aと同じニッ
ケルから形成することで、内部電極21と外部電極22
との導通性の向上を図り、また外部電極22の第1層2
2aにニッケルメッキ(第2層22b)と半田メッキ(
第3層22c)を施すことで、防錆性と半田濡れ性を付
与している。また、第1層22aを形成した後の熱処理
で、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量やtan
δの劣化防止を図っている。
部電極22の第1層22aを内部電極21aと同じニッ
ケルから形成することで、内部電極21と外部電極22
との導通性の向上を図り、また外部電極22の第1層2
2aにニッケルメッキ(第2層22b)と半田メッキ(
第3層22c)を施すことで、防錆性と半田濡れ性を付
与している。また、第1層22aを形成した後の熱処理
で、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量やtan
δの劣化防止を図っている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
積層セラミックコンデンサでは、半田付け時に外部電極
22に急激に熱が加わると、その第2層22bであるニ
ッケルのメッキ皮膜に内部応力が働いてセラミックチッ
プ22にクラックを発生する欠点がある。このクラック
発生の問題は積層セラミックコンデンサに限らず、外部
電極として同構成を採用するセラミック電子部品に同様
に生じ得る。
積層セラミックコンデンサでは、半田付け時に外部電極
22に急激に熱が加わると、その第2層22bであるニ
ッケルのメッキ皮膜に内部応力が働いてセラミックチッ
プ22にクラックを発生する欠点がある。このクラック
発生の問題は積層セラミックコンデンサに限らず、外部
電極として同構成を採用するセラミック電子部品に同様
に生じ得る。
【0007】また、上記の製造方法では、外部電極22
の第1層22aを形成した後の熱処理で該第1層22a
の表面が酸化されてしまうため、その後に行なうニッケ
ルメッキの付着性が悪化してその密着強度が落ち、外部
電極22の強度が著しく低下する欠点がある。
の第1層22aを形成した後の熱処理で該第1層22a
の表面が酸化されてしまうため、その後に行なうニッケ
ルメッキの付着性が悪化してその密着強度が落ち、外部
電極22の強度が著しく低下する欠点がある。
【0008】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、第1の目的は、半田付け時におけるクラック発生を
防止できるセラミック電子部品を提供することにあり、
第2の目的は、外部電極の強度低下を防止できるセラミ
ック電子部品の製造方法を提供することにある。
で、第1の目的は、半田付け時におけるクラック発生を
防止できるセラミック電子部品を提供することにあり、
第2の目的は、外部電極の強度低下を防止できるセラミ
ック電子部品の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るため、請求項1では、卑金属またはその合金から成る
内部電極と、該内部電極と導通する一対の外部電極とを
具備したセラミック電子部品において、上記外部電極を
、卑金属またはその合金から成り内部電極に接続する第
1層と、貴金属またはその合金から成り第1層を覆う第
2層と、ニッケルまたはその合金から成り第2層を覆う
第3層と、錫またはその合金から成り第3層を覆う第4
層とから構成している。
るため、請求項1では、卑金属またはその合金から成る
内部電極と、該内部電極と導通する一対の外部電極とを
具備したセラミック電子部品において、上記外部電極を
、卑金属またはその合金から成り内部電極に接続する第
1層と、貴金属またはその合金から成り第1層を覆う第
2層と、ニッケルまたはその合金から成り第2層を覆う
第3層と、錫またはその合金から成り第3層を覆う第4
層とから構成している。
【0010】また、上記第2の目的を達成するため、請
求項2では、卑金属またはその合金を主成分とする内部
電極用の電極ペ−スト部位を内在する未焼成セラミック
チップに、卑金属またはその合金を主成分とする電極ペ
−ストを塗布し、未焼成セラミックチップと共に焼成し
て外部電極の第1層を形成する工程と、第1層の表面に
貴金属またはその合金を付設して外部電極の第2層を形
成する工程と、第2層を形成した後の部品を自然雰囲気
中で所定温度で加熱する工程と、第2層の表面にニッケ
ルまたはその合金を付設して外部電極の第3層を形成す
る工程と、第3層の表面に錫またはその合金を付設して
外部電極の第4層を形成する工程とからセラミック電子
部品を製造している。
求項2では、卑金属またはその合金を主成分とする内部
電極用の電極ペ−スト部位を内在する未焼成セラミック
チップに、卑金属またはその合金を主成分とする電極ペ
−ストを塗布し、未焼成セラミックチップと共に焼成し
て外部電極の第1層を形成する工程と、第1層の表面に
貴金属またはその合金を付設して外部電極の第2層を形
成する工程と、第2層を形成した後の部品を自然雰囲気
中で所定温度で加熱する工程と、第2層の表面にニッケ
ルまたはその合金を付設して外部電極の第3層を形成す
る工程と、第3層の表面に錫またはその合金を付設して
外部電極の第4層を形成する工程とからセラミック電子
部品を製造している。
【0011】
【作用】請求項1記載のセラミック電子部品では、ニッ
ケルまたはその合金から成る第3層の内側に、貴金属ま
たはその合金から成る第2層を設けているので、半田付
け時に第3層に内部応力が働いても該応力をその内側の
第2層で緩衝できる。
ケルまたはその合金から成る第3層の内側に、貴金属ま
たはその合金から成る第2層を設けているので、半田付
け時に第3層に内部応力が働いても該応力をその内側の
第2層で緩衝できる。
【0012】また、請求項2記載のセラミック電子部品
の製造方法では、熱処理の前段階で第1層の表面に貴金
属またはその合金から成る第2層を形成しているので、
熱処理時に第1層及び第2層の表面が酸化されることが
ない。
の製造方法では、熱処理の前段階で第1層の表面に貴金
属またはその合金から成る第2層を形成しているので、
熱処理時に第1層及び第2層の表面が酸化されることが
ない。
【0013】
【実施例】図1は本発明に係る積層セラミックコンデン
サを示すもので、該積層セラミックコンデンサは、内部
電極1aを有する柱状のセラミックチップ1と、セラミ
ックチップ1の両端部に設けられた一対の外部電極2と
から構成されている。
サを示すもので、該積層セラミックコンデンサは、内部
電極1aを有する柱状のセラミックチップ1と、セラミ
ックチップ1の両端部に設けられた一対の外部電極2と
から構成されている。
【0014】内部電極1aは、ニッケル,銅,鉛,亜鉛
,鉄,錫,アルミニウム,コバルト,クロム等の卑金属
から選択される1種またはその合金から成り、セラミッ
クを介して多層(図中は4層)に積層されその端縁を交
互に露出している。
,鉄,錫,アルミニウム,コバルト,クロム等の卑金属
から選択される1種またはその合金から成り、セラミッ
クを介して多層(図中は4層)に積層されその端縁を交
互に露出している。
【0015】外部電極2は4層構造を有しており、チッ
プ側の第1層2aは、内部電極1aと同様の卑金属から
選択される1種またはその合金から成り、内部電極1a
に接続されている。第2層2bは、金,銀,パラジウム
,白金,ロジウム等の貴金属から選択される1種または
その合金から成り、第1層2aを覆っている。第3層2
cは、ニッケルまたはその合金から成り、第2層2bを
覆っている。第4層2dは、錫またはその合金のメッキ
膜から成り、第3層を覆っている。
プ側の第1層2aは、内部電極1aと同様の卑金属から
選択される1種またはその合金から成り、内部電極1a
に接続されている。第2層2bは、金,銀,パラジウム
,白金,ロジウム等の貴金属から選択される1種または
その合金から成り、第1層2aを覆っている。第3層2
cは、ニッケルまたはその合金から成り、第2層2bを
覆っている。第4層2dは、錫またはその合金のメッキ
膜から成り、第3層を覆っている。
【0016】以下に、上記積層セラミックコンデンサの
好適な具体例をその製造方法と共に説明する。
好適な具体例をその製造方法と共に説明する。
【0017】まず、非還元性のセラミック組成物から成
る厚さ数十μmの未焼成セラミックシ−トの一面に、ニ
ッケルを主成分とする内部電極用の電極ペ−ストを数μ
mの厚みで所定パタ−ンで印刷する。そして、印刷後の
未焼成セラミックシ−トを、その印刷面側に未印刷の未
焼成セラミックシ−トをおき数十枚積層して相互に圧着
させ、これを積層方向に所定の大きさで切断して柱状の
未焼成チップを得る。この未焼成チップの両端面にはニ
ッケル層が露出している。
る厚さ数十μmの未焼成セラミックシ−トの一面に、ニ
ッケルを主成分とする内部電極用の電極ペ−ストを数μ
mの厚みで所定パタ−ンで印刷する。そして、印刷後の
未焼成セラミックシ−トを、その印刷面側に未印刷の未
焼成セラミックシ−トをおき数十枚積層して相互に圧着
させ、これを積層方向に所定の大きさで切断して柱状の
未焼成チップを得る。この未焼成チップの両端面にはニ
ッケル層が露出している。
【0018】次に、この未焼成チップの両端面にその周
面に及んで、ニッケルを主成分とする第1層用の電極ペ
−ストを数μm〜数十μmの厚みをもって浸漬等の方法
によって付着し、この未焼成チップを中性または還元性
雰囲気中で1300℃程度の温度で焼成する。この焼成
によって、未焼成セラミックの焼成と、内部電極1a及
び第1層2a用の各電極ペ−ストの焼付けが行なわれる
。
面に及んで、ニッケルを主成分とする第1層用の電極ペ
−ストを数μm〜数十μmの厚みをもって浸漬等の方法
によって付着し、この未焼成チップを中性または還元性
雰囲気中で1300℃程度の温度で焼成する。この焼成
によって、未焼成セラミックの焼成と、内部電極1a及
び第1層2a用の各電極ペ−ストの焼付けが行なわれる
。
【0019】次に、第1層2aの表面に、第2層2bと
なる銀の皮膜を無電解メッキ等のメッキによって形成す
る。ここで形成されるメッキ皮膜の厚みは0.2μm〜
5μmである。そして、第2層2bを形成した後の部品
を自然雰囲気(空気)中で300〜900℃の温度で加
熱する。
なる銀の皮膜を無電解メッキ等のメッキによって形成す
る。ここで形成されるメッキ皮膜の厚みは0.2μm〜
5μmである。そして、第2層2bを形成した後の部品
を自然雰囲気(空気)中で300〜900℃の温度で加
熱する。
【0020】次に、熱処理後の部品の第2層2bの表面
に、第3層2cとなるニッケルの皮膜をメッキによって
形成し、そして第3層2cの表面に、第4層2dとなる
半田(錫−鉛合金)の皮膜をメッキによって形成する。 両層2c,2dのメッキ皮膜の厚みは0.2μm〜5μ
mである。
に、第3層2cとなるニッケルの皮膜をメッキによって
形成し、そして第3層2cの表面に、第4層2dとなる
半田(錫−鉛合金)の皮膜をメッキによって形成する。 両層2c,2dのメッキ皮膜の厚みは0.2μm〜5μ
mである。
【0021】以上で、内部電極1a及び外部電極2の第
1層2aがニッケルで、第2層2bが銀で、第3層2c
がニッケルで、第4層2dが半田から成る積層セラミッ
クコンデンサが製造される。第2層2bを形成した後の
熱処理は、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量や
tanδの劣化防止を図るためのものである。また、熱
処理の前段階で第1層2aの表面に第2層2bとなる銀
のメッキ皮膜を形成しているので、熱処理時に第1層2
aは勿論、第2層も酸化されることがなく、第3層2c
となるニッケルのメッキ皮膜を該第2層2bの表面に良
好に密着させることができる。
1層2aがニッケルで、第2層2bが銀で、第3層2c
がニッケルで、第4層2dが半田から成る積層セラミッ
クコンデンサが製造される。第2層2bを形成した後の
熱処理は、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量や
tanδの劣化防止を図るためのものである。また、熱
処理の前段階で第1層2aの表面に第2層2bとなる銀
のメッキ皮膜を形成しているので、熱処理時に第1層2
aは勿論、第2層も酸化されることがなく、第3層2c
となるニッケルのメッキ皮膜を該第2層2bの表面に良
好に密着させることができる。
【0022】図2には、従来品と上記の製造方法で得ら
れた積層セラミックコンデンサの半田付け後のクラック
検査結果を示してある。この検査では、発明品として第
2層2bとなる銀のメッキ皮膜と第3層2cとなるニッ
ケルのメッキ皮膜の厚みが夫々0.2μmと2μmと5
μmに形成された計9種類の積層セラミックコンデンサ
を夫々200個宛用意し、従来品として銀のメッキ皮膜
がないものを200個用意した。検査では実際の半田付
けと同じ温度状態を作るため、各積層セラミックコンデ
ンサを2分以上の予備加熱をはさんで260℃程度に加
熱し、該温度を3秒程度維持した後に自然冷却させてか
ら、各積層セラミックコンデンサの断面を光学顕微鏡で
視認しクラックの発生を識別した。
れた積層セラミックコンデンサの半田付け後のクラック
検査結果を示してある。この検査では、発明品として第
2層2bとなる銀のメッキ皮膜と第3層2cとなるニッ
ケルのメッキ皮膜の厚みが夫々0.2μmと2μmと5
μmに形成された計9種類の積層セラミックコンデンサ
を夫々200個宛用意し、従来品として銀のメッキ皮膜
がないものを200個用意した。検査では実際の半田付
けと同じ温度状態を作るため、各積層セラミックコンデ
ンサを2分以上の予備加熱をはさんで260℃程度に加
熱し、該温度を3秒程度維持した後に自然冷却させてか
ら、各積層セラミックコンデンサの断面を光学顕微鏡で
視認しクラックの発生を識別した。
【0023】同図から判るように、銀のメッキ皮膜を有
しない従来品ではニッケルのメッキ皮膜が0.2μmと
2μmと5μmの場合で夫々クラックが発生し、該クラ
ックはニッケルのメッキ皮膜が厚くなるほど増加するこ
とが確認された。一方、銀のメッキ皮膜を第2層2bと
して有する発明品では、第3層2cのニッケルのメッキ
皮膜の厚みに関係なくクラックの発生が全く見られなか
った。尚、検査結果を示していないが、外部電極2の第
1層2aが銅から成る積層セラミックコンデンサの場合
も上記の発明品と同様の好結果が得られた。
しない従来品ではニッケルのメッキ皮膜が0.2μmと
2μmと5μmの場合で夫々クラックが発生し、該クラ
ックはニッケルのメッキ皮膜が厚くなるほど増加するこ
とが確認された。一方、銀のメッキ皮膜を第2層2bと
して有する発明品では、第3層2cのニッケルのメッキ
皮膜の厚みに関係なくクラックの発生が全く見られなか
った。尚、検査結果を示していないが、外部電極2の第
1層2aが銅から成る積層セラミックコンデンサの場合
も上記の発明品と同様の好結果が得られた。
【0024】また、図3には、従来品と上記の製造方法
で得られた積層セラミックコンデンサの外部電極強度の
検査結果を示してある。この検査では、発明品1として
第2層2bとなる銀のメッキ皮膜の厚みが3μmに形成
された積層セラミックコンデンサを10個、従来品とし
て銀のメッキ皮膜がないものを10個用意した。また、
第1層2aが銅から成る発明品1と同様の積層セラミッ
クコンデンサを発明品2として10個用意した。検査で
は各積層セラミックコンデンサの各外部電極の中央にリ
−ド線を半田付けし、一方のリ−ド線を固定して他方の
リ−ド線を引張ったときに外部電極部分が破壊される強
度をゲ−ジによって測定した。
で得られた積層セラミックコンデンサの外部電極強度の
検査結果を示してある。この検査では、発明品1として
第2層2bとなる銀のメッキ皮膜の厚みが3μmに形成
された積層セラミックコンデンサを10個、従来品とし
て銀のメッキ皮膜がないものを10個用意した。また、
第1層2aが銅から成る発明品1と同様の積層セラミッ
クコンデンサを発明品2として10個用意した。検査で
は各積層セラミックコンデンサの各外部電極の中央にリ
−ド線を半田付けし、一方のリ−ド線を固定して他方の
リ−ド線を引張ったときに外部電極部分が破壊される強
度をゲ−ジによって測定した。
【0025】同図から判るように、銀のメッキ皮膜を有
しない従来品では引張り強度の平均値が1.48kgf
であるのに対し、銀のメッキ皮膜を有する発明品1では
引張り強度の平均値が4.51kgfと大幅に向上した
。また、外部電極2の第1層2aが銅から成る発明品2
でも、引張り強度の平均値が4.90kgfと大幅に向
上した。
しない従来品では引張り強度の平均値が1.48kgf
であるのに対し、銀のメッキ皮膜を有する発明品1では
引張り強度の平均値が4.51kgfと大幅に向上した
。また、外部電極2の第1層2aが銅から成る発明品2
でも、引張り強度の平均値が4.90kgfと大幅に向
上した。
【0026】尚、外部電極の第2層として銀以外の貴金
属またはその合金のメッキ皮膜を採用する場合でも、上
記と同様の効果を得ることができる。
属またはその合金のメッキ皮膜を採用する場合でも、上
記と同様の効果を得ることができる。
【0027】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載のセ
ラミック電子部品によれば、ニッケルまたはその合金か
ら成る第3層の内側に、貴金属またはその合金から成る
第2層を設けているので、半田付け時に第3層に内部応
力が働いても該応力をその内側の第2層で効果的に緩衝
してクラックの発生を確実に防止することができる。
ラミック電子部品によれば、ニッケルまたはその合金か
ら成る第3層の内側に、貴金属またはその合金から成る
第2層を設けているので、半田付け時に第3層に内部応
力が働いても該応力をその内側の第2層で効果的に緩衝
してクラックの発生を確実に防止することができる。
【0028】また、請求項2記載のセラミック電子部品
の製造方法によれば、熱処理の前段階で第1層の表面に
貴金属またはその合金から成る第2層を形成しているの
で、熱処理時に第1層及び第2層の表面が酸化されるこ
とがなく、第3層を第2層の表面に良好に密着させて外
部電極の強度を格段向上させることができる。
の製造方法によれば、熱処理の前段階で第1層の表面に
貴金属またはその合金から成る第2層を形成しているの
で、熱処理時に第1層及び第2層の表面が酸化されるこ
とがなく、第3層を第2層の表面に良好に密着させて外
部電極の強度を格段向上させることができる。
【図1】本発明に係る積層セラミックコンデンサの断面
図
図
【図2】半田付け後のクラック検査結果を示す図
【図3
】外部電極強度の検査結果を示す図
】外部電極強度の検査結果を示す図
【図4】従来の積層
セラミックコンデンサの断面図
セラミックコンデンサの断面図
1…セラミックチップ、1a…内部電極、2…外部電極
、2a…第1層、2b…第2層、2c…第3層、2d…
第4層。
、2a…第1層、2b…第2層、2c…第3層、2d…
第4層。
Claims (2)
- 【請求項1】卑金属またはその合金から成る内部電極と
、該内部電極と導通する一対の外部電極とを具備したセ
ラミック電子部品において、上記外部電極を、卑金属ま
たはその合金から成り内部電極に接続する第1層と、貴
金属またはその合金から成り第1層を覆う第2層と、ニ
ッケルまたはその合金から成り第2層を覆う第3層と、
錫またはその合金から成り第3層を覆う第4層とから構
成した、ことを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項2】卑金属またはその合金を主成分とする内部
電極用の電極ペ−スト部位を内在する未焼成セラミック
チップに、卑金属またはその合金を主成分とする電極ペ
−ストを塗布し、未焼成セラミックチップと共に焼成し
て外部電極の第1層を形成する工程と、第1層の表面に
貴金属またはその合金を付設して外部電極の第2層を形
成する工程と、第2層を形成した後の部品を自然雰囲気
中で所定温度で加熱する工程と、第2層の表面にニッケ
ルまたはその合金を付設して外部電極の第3層を形成す
る工程と、第3層の表面に錫またはその合金を付設して
外部電極の第4層を形成する工程とを具備した、ことを
特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094320A JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094320A JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324609A true JPH04324609A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3062279B2 JP3062279B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=14106990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094320A Expired - Fee Related JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062279B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135094A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2013135096A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2023155957A (ja) * | 2022-04-12 | 2023-10-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3094320A patent/JP3062279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135094A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2013135096A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2023155957A (ja) * | 2022-04-12 | 2023-10-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3062279B2 (ja) | 2000-07-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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