JPH04324925A - レジスト塗布装置 - Google Patents

レジスト塗布装置

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JPH04324925A
JPH04324925A JP3094625A JP9462591A JPH04324925A JP H04324925 A JPH04324925 A JP H04324925A JP 3094625 A JP3094625 A JP 3094625A JP 9462591 A JP9462591 A JP 9462591A JP H04324925 A JPH04324925 A JP H04324925A
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JP
Japan
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pressure
photoresist
resist coating
filter
gel
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JP3094625A
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JP2722848B2 (ja
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Hiromi Yamashita
裕己 山下
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に集積回路
パターンを形成する写真蝕刻工程におけるレジスト塗布
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）及び（ｂ）は従来のレジスト
塗布装置の例を示す系統図である。従来のレジスト塗布
装置は、例えば、図３（ａ）に示すように、ホトレジス
ト１を貯える容器と、配管を介して接続されるとともに
ホトレジストを濾過する濾過器３と、濾過されるホトレ
ジストを吸引するとともに半導体基板４にホトレジスト
を滴下するノズルにホトレジストを供給するベローズポ
ンプ２とを有している。
【０００３】次に、このレジスト塗布装置の動作を説明
する。まず、ベローズポンプ２が伸延することにより容
器からホトレジストが吸引され、濾過器３によりホトレ
ジストが濾過され、ベローズポンプ２内に供給される。 次に、ベローズポンプ２の収縮によりホトレジスト１は
半導体基板４上のノズルに供給され、ノズルよりホトレ
ジストが半導体基板４に滴下される。ここでベローズポ
ンプ２の動作は、高圧空気によって作動する空圧シリン
ダによって行なわれるので、濾過器３前後の差圧は１気
圧以内の不確定な圧力となっている。
【０００４】また、他のレジスト塗布装置としては、例
えば、図３（ｂ）に示すように、ホトレジストの供給用
ポンプとしてダイアフラムポンプ５を用いた例である。
【０００５】このダイアフラムポンプ５は、切換弁６を
介して真空源により真空排気することによりホトレジス
ト１を吸引する。逆に、切換弁６を介して空圧源より高
圧空気を供給することによりホトレジスト１を濾過器３
を介して半導体基板４上のノズルに供給し、ノズルより
半導体基板４にホトレジストを滴下させるものである。 この場合半導体基板４上への滴下時間を最適化する必要
性（滴下時間は、半導体基板上に形成されるレジスト膜
の良否に影響する）から決定される空気圧力（通常２〜
３気圧）を空圧源よりダイアフラムポンプに与えなけれ
ばならず、この圧力が吐出圧となる。従って、レジスト
濾過器前後の差圧はこの圧力以下の不確定な圧力となっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポジ型
ホトレジストは経時的にゲル化する性質を持っており、
ホトレジストの供給中に発生するグル状異物は変形しや
すく、濾過器前後の圧力が高まると、ゲル状異物が濾過
器を透過してしまうという性質を持っている（通常、差
圧が０．５気圧以上となるとほぼ完全に濾過器を透過し
てしまう）。
【０００７】この問題に対して、従来のホトレジスト滴
下方式では、前述の様に濾過器の目詰まりの状況によっ
て濾過器前後の差圧は０．５気圧以上に容易になり得る
。従って、ゲル状異物を濾過し得ず、これによって製造
される半導体素子のパターンに欠陥を発生させ、良品率
を左右する重大な要素となっていた。
【０００８】本発明の目的は、かかる問題を解消ずべく
ゲル状異物を完全に除去するレジスト塗布装置を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、半導体基板にホトレジストを滴下するノズルと、
このノズルに前記ホトレジストを供給するポンプと、前
記ホトレジストのゲル状異物を濾過する濾過器とを備え
るレジスト塗布装置において、前記濾過器の前後の圧力
差を前記ゲル状異物が通過しない程度の圧力に調節する
圧力調節手段を設けている。
【００１０】また、前記圧力調節手段は、前記濾過器の
前段圧力を調節する空気圧調整器あるいは前記濾過器の
背圧を調節する真空度調整器であることを特徴としてい
る。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例を示すレジスト塗布装置の系
統図である。このレジスト塗布装置は、図１に示すよう
に、切換弁６に連結される真空源の代りにホトレジスト
１を貯える容器７に低圧を印加し、ホトレジスト１をダ
イアフラムポンプ５に圧送することである。すなわち、
容器７に配管を挿入し、この配管の他端に圧力調整器８
を介して空圧源と接続したことである。その他は、図３
（ｂ）で説明した従来例と同じである。
【００１２】このように、従来のダイアフラムポンプの
吸引によるホトレジスト供給の代りに、容器７側からの
圧送によりホトレジストを供給すれば、ホトレジスト１
は濾過器３を通過するが、この濾過器３前後の差圧の最
大値は容器７の加圧圧力と等しい為圧力調整器８により
任意に設定可能である。従って、ゲル状異物を濾過し得
る範囲内の圧力を設定することによりゲル状異物は安定
して濾過できることとなる。
【００１３】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施
例を示すレジスト塗布装置の系統図及び真空度調整器の
断面図である。このレジスト塗布装置は、図２（ａ）に
示すように、従来同様にダイアフラムポンプ５によりホ
トレジストを吸引する方法を採用しているが、ダイアフ
ラムポンプ５の外周囲を真空にする真空度を調節できる
ようにしたことである。すなわち、切換弁６と真空源と
の間に真空度調整器９を設けたことである。
【００１４】また、この真空調整器は、図２（ｂ）に示
すように、リークポート９ｂより侵入する空気量を調節
するニードル弁機構９ａと、このニードル弁機構９ａの
ニードルの移動量を調整する調整ねじ９ｃとを有してい
る。
【００１５】このように真空度調整器９を設けることに
より、濾過器３の背圧を任意に設定可能となり、ゲル状
異物を濾過し得る範囲内の圧力を設定することにより、
ゲル状異物は安定して濾過できることとなる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ゲル状異
物を濾過する濾過器の前後の圧力差をゲル状異物が通過
しない程度の圧力に調整する手段を設けることによって
、ゲル状異物を完全に除去し、正常なホトレジスト膜を
形成するレジスト塗布装置が得られるという効果がある
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すレジスト塗布装置の系
統図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す（ａ）はレジスト塗
布装置の系統図、（ｂ）は真空調整器の断面図である。
【図３】従来のレジスト塗布装置の例を示す系統図であ
る。
【符号の説明】
１　　　　ホトレジスト ２　　　　ベローズポンプ ３　　　　濾過器 ４　　　　半導体基板 ５　　　　ダイアフラムポンプ ６　　　　切換弁 ７　　　　容器 ８　　　　圧力調整器 ９　　　　真空度調整器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体基板にホトレジストを滴下する
    ノズルと、このノズルに前記ホトレジストを供給するポ
    ンプと、前記ホトレジストのゲル状異物を濾過する濾過
    器とを備えるレジスト塗布装置において、前記濾過器の
    前後の圧力差を前記ゲル状異物が通過しない程度の圧力
    に調節する圧力調節手段を設けていることを特徴とする
    レジスト塗布装置。
  2. 【請求項２】　　前記圧力調節手段が前記濾過器の前段
    圧力を調節する空気圧調整器であることを特徴とする請
    求項１記載のレジスト塗布装置。
  3. 【請求項３】　　前記圧力調節手段が前記濾過器の背圧
    を調節する真空度調整器であることを特徴とする請求項
    １記載のレジスト塗布装置。
JP3094625A 1991-04-25 1991-04-25 レジスト塗布装置 Expired - Lifetime JP2722848B2 (ja)

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KR20020083375A (ko) * 2001-04-27 2002-11-02 윤희선 포토레지스트 공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트공급방법
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