JPH0432565A - スパッタリング装置におけるターゲットの固定方法 - Google Patents
スパッタリング装置におけるターゲットの固定方法Info
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- JPH0432565A JPH0432565A JP13902290A JP13902290A JPH0432565A JP H0432565 A JPH0432565 A JP H0432565A JP 13902290 A JP13902290 A JP 13902290A JP 13902290 A JP13902290 A JP 13902290A JP H0432565 A JPH0432565 A JP H0432565A
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- Japan
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- forming chamber
- film forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、コンパクトディスク等の基板面にアルミニ
ューム被膜等を形成するスパッタリング装置において、
ターゲットをバッキングプレートにねし止め固定するタ
ーゲット固定方法の改良に関する。
ューム被膜等を形成するスパッタリング装置において、
ターゲットをバッキングプレートにねし止め固定するタ
ーゲット固定方法の改良に関する。
(従来の技術)
デジタル化された音声情報や画像情報を大量に記録する
のにコンパクトディスク(以下、CDと略称する)が広
く使用されるようになってきた。
のにコンパクトディスク(以下、CDと略称する)が広
く使用されるようになってきた。
CDは、ポリカーボネート等の透明な合成樹脂性基板の
表面にスパッタリングにより光反射率の高いアルミニュ
ーム(^1)薄膜層が形成されて構成され、「1」か「
0」のデジタル情報に合わせて、その基板にピット(p
it)と称する小さな孔を開け、その孔の有無をレーザ
光の反射波あるいは透過波の有無によりその記録情報を
読み出し得るものである。
表面にスパッタリングにより光反射率の高いアルミニュ
ーム(^1)薄膜層が形成されて構成され、「1」か「
0」のデジタル情報に合わせて、その基板にピット(p
it)と称する小さな孔を開け、その孔の有無をレーザ
光の反射波あるいは透過波の有無によりその記録情報を
読み出し得るものである。
1枚のディスクへの薄膜形成はスパッタにより比較的短
時間で行われることから、多数のディスクに連続的に薄
膜形成することが可能である。
時間で行われることから、多数のディスクに連続的に薄
膜形成することが可能である。
従来のスパッタリング装置は、第4図に示すように、搬
送テーブル1によってスパッタ源2に運ばれた基板3は
、成膜室21を形成するマスク22下端面に密着するよ
うにブツシャ−4によって押し上げられる。
送テーブル1によってスパッタ源2に運ばれた基板3は
、成膜室21を形成するマスク22下端面に密着するよ
うにブツシャ−4によって押し上げられる。
成膜室21は、外囲器23内に内接した防着シールド2
3a、23bとマスク22、及びターゲット24を固定
したバッキングプレート25により形成され、排気は基
板3のないときには、マスク22の空間22aを通して
排気口26から排気される。
3a、23bとマスク22、及びターゲット24を固定
したバッキングプレート25により形成され、排気は基
板3のないときには、マスク22の空間22aを通して
排気口26から排気される。
マスク22は基板3を支持するとともに、その非成膜部
分を遮蔽するが、マスク22の外形寸法は高精度に製作
されており、その熱膨張力を利用して外囲器23に密着
固定される。
分を遮蔽するが、マスク22の外形寸法は高精度に製作
されており、その熱膨張力を利用して外囲器23に密着
固定される。
またAI製等のターゲット24は成膜室21側に面し、
バッキングプレート25にボルト等のねじ25a。
バッキングプレート25にボルト等のねじ25a。
25bにより密着固定される。
しかし、成膜室21側に面したターゲット24の表面は
、第5図に太線Aで示すように磁石27による磁力線B
がターゲット24と平行になった部分が最もエツチング
される。そこで磁石27は、永久磁石からなり中央の磁
石27aとこれを取囲むように円形に配置された周囲の
磁石27bとによって構成されるか、エツチングの均一
化を目的として、ターゲット24の中心位置Cから距離
dだけ偏心して位置させ、モータによって位置Cを中心
軸として回転駆動される。
、第5図に太線Aで示すように磁石27による磁力線B
がターゲット24と平行になった部分が最もエツチング
される。そこで磁石27は、永久磁石からなり中央の磁
石27aとこれを取囲むように円形に配置された周囲の
磁石27bとによって構成されるか、エツチングの均一
化を目的として、ターゲット24の中心位置Cから距離
dだけ偏心して位置させ、モータによって位置Cを中心
軸として回転駆動される。
このようにして、ターゲットゲット24はほぼ全面にわ
たってエツチングされるため、ねじ25bて固定される
ターゲット外周フランジ部を除き、中央部を固定する大
形のねじ25aは図示のようにバッキングプレート25
側から取付けられていた。
たってエツチングされるため、ねじ25bて固定される
ターゲット外周フランジ部を除き、中央部を固定する大
形のねじ25aは図示のようにバッキングプレート25
側から取付けられていた。
バッキングプレート25はカソード電極を構成し、ター
ゲット24面で75W/cm2程度の放電電界を形成す
るので、相当な熱を発生する。熱による表面温度上昇を
200〜300℃以下に押え、ターゲット24が変形し
たりバッキングプレート25との間に間隙が生じるのを
防ぐため、バッキングプレート25内にリング状の空洞
を形成し、給水バイブ25cを介して冷却水が供給され
ている。
ゲット24面で75W/cm2程度の放電電界を形成す
るので、相当な熱を発生する。熱による表面温度上昇を
200〜300℃以下に押え、ターゲット24が変形し
たりバッキングプレート25との間に間隙が生じるのを
防ぐため、バッキングプレート25内にリング状の空洞
を形成し、給水バイブ25cを介して冷却水が供給され
ている。
基板3への成膜時は、成膜に必要なアルゴンガスが管2
3cから供給されて0. 6 [Pa (パスカル)コ
程度の圧力に設定され、形成された放電磁界のもとてア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用か起り、基
板3表面にA1の膜が形成される。薄膜形成後は、放電
停止され、基板3は再び搬送テーブル1に載置されて取
出される。
3cから供給されて0. 6 [Pa (パスカル)コ
程度の圧力に設定され、形成された放電磁界のもとてア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用か起り、基
板3表面にA1の膜が形成される。薄膜形成後は、放電
停止され、基板3は再び搬送テーブル1に載置されて取
出される。
上記構成のスパッタリング装置において、ターゲット2
4は消耗品でありしばしば交換が必要とされる。しかし
、ターゲット24は周縁のフランジ部はともかくとして
、中央部ではバッキングプレート25側からねじ25a
により固定されるので、ターゲット24を交換するには
、磁石27を取除いた後にねし25aを取外す必要があ
る。しかも、磁石27はケース28内にあって、バッキ
ングプレート25とケース28との間には給水管25c
が連結されていることなどから、ターゲット24の交換
には繁雑な分解作業か要求され、多くの手間と高い技術
力を必要としたので改善が要望されていた。
4は消耗品でありしばしば交換が必要とされる。しかし
、ターゲット24は周縁のフランジ部はともかくとして
、中央部ではバッキングプレート25側からねじ25a
により固定されるので、ターゲット24を交換するには
、磁石27を取除いた後にねし25aを取外す必要があ
る。しかも、磁石27はケース28内にあって、バッキ
ングプレート25とケース28との間には給水管25c
が連結されていることなどから、ターゲット24の交換
には繁雑な分解作業か要求され、多くの手間と高い技術
力を必要としたので改善が要望されていた。
(発明が解決しようとする課題)
従来のスパッタリング装置におけるターゲットの固定方
法では、ターゲットの中央部がバッキングプレート側か
らねじ止め固定されているので、ターゲットの交換作業
は容易でなかった。
法では、ターゲットの中央部がバッキングプレート側か
らねじ止め固定されているので、ターゲットの交換作業
は容易でなかった。
そこでこの発明は、取外しが容易なスパッタリング装置
におけるターゲットの固定方法を提供することを目的と
する。
におけるターゲットの固定方法を提供することを目的と
する。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
この発明は、成膜室内で基板と対向配置されるように、
ターゲットをバッキングプレートにねし止め固定するス
パッタリング装置におけるターゲットの固定方法におい
て、ターゲットのほぼ中央部及びターゲット外周フラン
ジ部で成膜室側から前記バッキングプレートにねし止め
固定し、かつ中央ねじ部をターゲットと同質の封止部材
で封止することを特徴とする。
ターゲットをバッキングプレートにねし止め固定するス
パッタリング装置におけるターゲットの固定方法におい
て、ターゲットのほぼ中央部及びターゲット外周フラン
ジ部で成膜室側から前記バッキングプレートにねし止め
固定し、かつ中央ねじ部をターゲットと同質の封止部材
で封止することを特徴とする。
(作用)
この発明によるスパッタリング装置のターゲットの固定
方法は、ターゲットを成膜室側から前記バッキングプレ
ートにねじ止め固定したので、従来のように磁石等を取
外すことなく、ターゲットの交換を簡単に行うことがで
きる。
方法は、ターゲットを成膜室側から前記バッキングプレ
ートにねじ止め固定したので、従来のように磁石等を取
外すことなく、ターゲットの交換を簡単に行うことがで
きる。
また、ねじ部をターゲットと同質の封止部材で封止した
ので、ねじがエツチングされることが防止され、成膜室
内の汚染を避けることができる。
ので、ねじがエツチングされることが防止され、成膜室
内の汚染を避けることができる。
(実施例)
以下、第1図ないし第3図を参照し、この発明によるス
パッタリング装置のターゲットの固定方法の一実施例を
説明する。なお、第4図及び第5図に示した従来のスパ
ッタリング装置と同一構成には同一符号を付して詳細な
説明は省略する。
パッタリング装置のターゲットの固定方法の一実施例を
説明する。なお、第4図及び第5図に示した従来のスパ
ッタリング装置と同一構成には同一符号を付して詳細な
説明は省略する。
即ち、成膜室21は、マスク22と外囲器23に内接す
る防着シールド23d1及びターゲット24を固定した
バッキングプレート25で構成される。
る防着シールド23d1及びターゲット24を固定した
バッキングプレート25で構成される。
そこで、成膜室21には従来と同様に、管23cからア
ルゴンガスが流入され、アルゴンガスイオンによるスパ
ッタリング作用により、対向配置された基板3表面にA
1薄膜が形成される。膜形成後は従来と同様に、放電が
停止され、基板3は搬送テーブルに載置されて取出され
る。
ルゴンガスが流入され、アルゴンガスイオンによるスパ
ッタリング作用により、対向配置された基板3表面にA
1薄膜が形成される。膜形成後は従来と同様に、放電が
停止され、基板3は搬送テーブルに載置されて取出され
る。
ところで、AI製等のターゲット24は成膜室21内に
面してバッキングプレート25に固定されるが、中央部
はボルト等のねし25aにより、外周フランジ部は複数
の比較的小さなねじ25bにより、夫々ターゲット24
側からねし止め固定され、カソード電極を構成する。カ
ソード電極は、従来と同様に偏心して回転する磁石27
とともに成膜室21内に磁界を形成する。
面してバッキングプレート25に固定されるが、中央部
はボルト等のねし25aにより、外周フランジ部は複数
の比較的小さなねじ25bにより、夫々ターゲット24
側からねし止め固定され、カソード電極を構成する。カ
ソード電極は、従来と同様に偏心して回転する磁石27
とともに成膜室21内に磁界を形成する。
この実施例では、ねじ25aの頭部がターゲット24の
中央凹部24aに深く位置させて取付けるとともに、第
2図に拡大して示すように、ねし25aを覆い、凹部2
4aをターゲット24と同質の、例えばA1部材からな
る蓋状の封止部材29で封止し、ターゲット24面とほ
ぼ同一となり凹凸がないように構成したものである。
中央凹部24aに深く位置させて取付けるとともに、第
2図に拡大して示すように、ねし25aを覆い、凹部2
4aをターゲット24と同質の、例えばA1部材からな
る蓋状の封止部材29で封止し、ターゲット24面とほ
ぼ同一となり凹凸がないように構成したものである。
また、上記封止部材29は第3図に拡大して示すように
、有底筒状からなり、周縁部には複数のスリット29a
によって、先端部が若干外側に反ってばね性を有する複
数の爪部29bが形成されている。
、有底筒状からなり、周縁部には複数のスリット29a
によって、先端部が若干外側に反ってばね性を有する複
数の爪部29bが形成されている。
そして封止部材29の爪部29bの先端29b′ は、
ターゲット24の凹部24aに形成したリング状の溝2
4a′に嵌合するように形成したので、封止部材29は
押し込み操作でワンタッチで取付けられるとともに、成
膜室21内への脱落が防止される。また、封止部材29
のスリット29aは、成膜室21の排気処理と同時に、
凹部24a内のガスを排出する機能をも併せ持つものも
のである。
ターゲット24の凹部24aに形成したリング状の溝2
4a′に嵌合するように形成したので、封止部材29は
押し込み操作でワンタッチで取付けられるとともに、成
膜室21内への脱落が防止される。また、封止部材29
のスリット29aは、成膜室21の排気処理と同時に、
凹部24a内のガスを排出する機能をも併せ持つものも
のである。
なお、封止部材29を外すときは、細いキリ状の金具で
爪部29bを押し狭めることによって容易に取外すこと
ができる。
爪部29bを押し狭めることによって容易に取外すこと
ができる。
以上のように、この発明によるターゲットの固定方法に
よれば、ターゲット24と同じ材質からなる封止部材2
9で中央部のねじ25aを封止するので、異質な材料か
らなるねじ25aが成膜室21側に露出しないことから
、異常放電や成膜室11の汚染を未然に防ぐことができ
るとともに、磁石27.バッキングプレート25及びタ
ーゲット24を、ねじ23eにより外囲器23側から一
体として切離すだけで、ターゲット24を成膜室21側
から簡単に交換できるものである。
よれば、ターゲット24と同じ材質からなる封止部材2
9で中央部のねじ25aを封止するので、異質な材料か
らなるねじ25aが成膜室21側に露出しないことから
、異常放電や成膜室11の汚染を未然に防ぐことができ
るとともに、磁石27.バッキングプレート25及びタ
ーゲット24を、ねじ23eにより外囲器23側から一
体として切離すだけで、ターゲット24を成膜室21側
から簡単に交換できるものである。
[発明の効果コ
この発明によるスパッタリング装置におけるターゲット
の固定方法は、ターゲットを成膜室側の一方向からバッ
キングプレートにねし止め固定して蓋で覆うので、着脱
を容易とし、しかも成膜室を汚染することがなく良好な
スパッタ処理が可能となったものであり、例えば連続的
なCDの薄膜形成のスパッタリング装置等に適用して顕
著な効果が得られる。
の固定方法は、ターゲットを成膜室側の一方向からバッ
キングプレートにねし止め固定して蓋で覆うので、着脱
を容易とし、しかも成膜室を汚染することがなく良好な
スパッタ処理が可能となったものであり、例えば連続的
なCDの薄膜形成のスパッタリング装置等に適用して顕
著な効果が得られる。
第1図はこの発明によるスパッタリング装置におけるタ
ーゲットの固定方法の一実施例を示す断面図、第2図は
第1図に示した方法でのねじ止め部の拡大断面図、第3
図は第1図に示した方法で使用する蓋の拡大斜視図、第
4図は従来のスパッタリング装置におけるターゲットの
固定方法を示す断面図、第5図は第4図に示す方法にお
ける磁石による磁力線の発生状況を示す説明図である。 1・・・搬送テーブル、2・・・スパッタ源、21・・
・成膜室、 22・・・マスク、23・・・外囲器、
24・・・ターゲット、25・・・バッキングプレ
ート、 25a 25b・・・ねじ、 27・・・磁石、 28・・・ケース、 29・・・封止部材 3・・・基板。
ーゲットの固定方法の一実施例を示す断面図、第2図は
第1図に示した方法でのねじ止め部の拡大断面図、第3
図は第1図に示した方法で使用する蓋の拡大斜視図、第
4図は従来のスパッタリング装置におけるターゲットの
固定方法を示す断面図、第5図は第4図に示す方法にお
ける磁石による磁力線の発生状況を示す説明図である。 1・・・搬送テーブル、2・・・スパッタ源、21・・
・成膜室、 22・・・マスク、23・・・外囲器、
24・・・ターゲット、25・・・バッキングプレ
ート、 25a 25b・・・ねじ、 27・・・磁石、 28・・・ケース、 29・・・封止部材 3・・・基板。
Claims (1)
- 成膜室内で基板と対向配置されるように、ターゲットを
バッキングプレートにねじ止め固定するスパッタリング
装置におけるターゲットの固定方法において、ターゲッ
トのほぼ中央部及びターゲット外周フランジ部で成膜室
側から前記バッキングプレートにねじ止め固定し、かつ
中央ねじ部をターゲットと同質の封止部材で封止するこ
とを特徴としたスパッタリング装置におけるターゲット
の固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2139022A JP2612554B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | スパッタリング装置におけるターゲットの固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2139022A JP2612554B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | スパッタリング装置におけるターゲットの固定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432565A true JPH0432565A (ja) | 1992-02-04 |
| JP2612554B2 JP2612554B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=15235650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2139022A Expired - Lifetime JP2612554B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | スパッタリング装置におけるターゲットの固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612554B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008001920A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ターゲット保持装置およびターゲット保持方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197271A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-16 | Ulvac Corp | タンタル等のスパツタ方法 |
| JPS60102249U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | 日本真空技術株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツト装置 |
| JPS63161163A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-04 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツトの固定治具 |
| JPS63154661U (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-11 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2139022A patent/JP2612554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197271A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-16 | Ulvac Corp | タンタル等のスパツタ方法 |
| JPS60102249U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | 日本真空技術株式会社 | スパツタリング用タ−ゲツト装置 |
| JPS63161163A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-04 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツトの固定治具 |
| JPS63154661U (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008001920A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ターゲット保持装置およびターゲット保持方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2612554B2 (ja) | 1997-05-21 |
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