JPH04326530A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂封止装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体装置の樹脂封止装
置は図２（ａ），（ｂ）に示すように樹脂タブレット３
が中実構造をなしていた。

【０００３】従って、樹脂タブレット３は、封入金型セ
ンターブロック部４，５よりタブレットの周囲から加熱
されるため、図２（ｃ）に示すようにタブレット周囲の
温度の高い部分８と、タブレット中心部の温度の低い部
分９との温度差が顕著であった。これは、すなわち封入
樹脂３がセンターブロック４，５に投入されて射出され
るまでの限られた時間内では、タブレット周囲と中心部
との温度上昇率が異なることから、タブレット中心部の
温度が上がりきらないことに因るものである。また、２
はプランジャ、６は金型ランナー部上型、７は金型ラン
ナー部下型、１２はポット部を示す。

【０００４】また従来、この種のタブレット３内の温度
分布のバラツキを緩和する目的で、外部装置として高周
波加熱器等の予熱装置が用いられていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前述の従来の半導体装
置の樹脂封止装置では、封入樹脂の周囲から加熱するこ
とにより、樹脂タブレットの周囲と中心部とで、大きな
温度差を発生した。

【０００６】これにより、射出速度，温度等の封入条件
によっては、完全に溶融しきらない樹脂を無理に射出す
るような状況になり、ボイドやワイヤー変形等の封入性
における種々の問題を生じさせていた。また、これらの
諸問題に対応するためには、きわめて狭い封入条件での
作業を強いられていた。

【０００７】また、これらの温度差による問題を緩和す
る目的で、高周波加熱器などの外部予熱装置により、樹
脂を予め均一に予熱しておき、タブレットの全体をやわ
らかくしてから、前記樹脂封止装置に投入するなどの方
法がとられていた。

【０００８】しかし、樹脂封止装置の外部に予熱装置を
付加することにより、■装置寸法及び重量を増すこと、
■装置が高価になること、■余計な用力を要すこと、■
高周波を照射することによる人体への影響が危憂される
ことなどの諸問題を生じていた。

【０００９】本発明の目的は、前記課題を解決した半導
体装置の樹脂封止装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置においては、
金型センターブロック下型部と金型センターブロック上
型部とで形成された中空のポット部内に樹脂タブレット
を充填し、加熱を加えながら樹脂タブレットをランナー
部にプランジャで圧送して樹脂封止を行う半導体装置の
樹脂封止装置であって、樹脂タブレットは、中心部が中
空構造のものであり、金型センターブロック下型部は、
中空構造の樹脂タブレットの中空孔に挿入され、該タブ
レットを保持加熱するヒーターピンを有するものであり
、プランジャは、前記ヒーターピンに嵌合する中空構造
としたものである。

【００１１】また、前記ヒーターピンは、金型センター
ブロック下型部に上下動可能に装備されたものである。

【００１２】

【作用】樹脂タブレットを中空構造とすることにより、
樹脂タブレットの内外周表面から加熱を加え、均一、か
つ迅速な軟化を可能としたものである。

【００１３】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１４】図１（ａ）は、本発明による半導体装置の
樹脂封止装置における金型部構造を示す断面図、（ｂ）
は本発明の装置に用いる中空構造の樹脂タブレットを示
す図、（ｃ）は、前記樹脂タブレットにおける前記樹脂
封止装置からの熱の伝わり方を示す断面図である。

【００１５】図において、樹脂タブレット３は、中心部
が中空とした構造のものであり、封止用金型のセンター
ブロック部上型４及びセンターブロック部下型５により
形成されたポット部１２に投入される。この際、センタ
ーブロック部下型５には、上下可動なヒーターピン１が
配され、樹脂タブレット３はヒーターピン１が樹脂タブ
レット３の中空孔３ａを貫通するように投入される。ま
た、このときヒーターピン１は最も上に上っており、一
定量の圧力によりセンターブロック部下型５に押しつけ
られている。ヒーターピン１とセンターブロック部下型
５との接触面には、必要であれば、適当なシーリングを
行う。

【００１６】ポット部１２に投入された樹脂タブレット
３は、中空構造をなすプランジャヘッド２によって加圧
され、金型ランナー部上型６及び金型ランナー部下型７
にて形成されたランナー部１１に向けて射出される。こ
の際、ヒーターピン１の内部にはヒーターが配され、ヒ
ーターピン１自体が射出温度まで加熱可能な構造をなし
ている。従って、中空構造の樹脂タブレット３は、タブ
レットの外周表面及び内周表面からそれぞれ金型４，５
及びヒーターピン１により加熱されるため、短時間で急
速にしかも均一に加熱される構造をなしている。

【００１７】金型部からのイジェクトの際には、ヒータ
ーピン１は下方に移動し、センターブロック部下型５か
ら抜ける構造となっており、樹脂のカル部（ポット部１
２に残留する樹脂）の離型性を高めている。

【００１８】

【発明の効果】以上説明したように本発明による半導体
装置の樹脂封止装置は、封止用金型のセンターブロック
部に上下可動なヒーターピンを配し、封止用金型及びヒ
ーターピンにより、中空構造樹脂タブレットの外周及び
内周部両表面からタブレットの加熱を行うため、短時間
で急速に、かつ均一に加熱可能になる。

【００１９】これにより、封止用樹脂が均一に軟化する
ことにより、従来の予熱装置を持たない樹脂封止装置に
比して、同一射出条件では、ボイドの減少及びワイヤー
変形の減少などの効果が得られる。また、同一品質を得
るための射出条件としては、より広い条件範囲を設定で
き、また、より速い速度，より短い時間で射出可能にな
るという効果を有する。特に速硬化性樹脂においては、
この効果は顕著になる。

【００２０】一方、高周波加熱装置などの外部予熱装置
を持つ樹脂封止装置に比して、同一品質を得るための射
出条件はほぼ同等であるか、装置寸法，重量を小さく抑
えることが可能で、装置価格を安価に抑えることができ
、用力を節減し、更に高周波を用いないため、人体への
影響は皆無など多くの効果が考えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明による半導体装置の樹脂封止
装置における金型部構造を示す断面図、（ｂ）は本発明
に係る樹脂封止装置に用いるタブレットを示す図、（ｃ
）は、前記タブレットにおける熱の伝わり方を示す断面
図である。

【図２】（ａ）は、従来の樹脂封止装置の金型部構造を
示す断面図、（ｂ）は、従来の封止装置に用いるタブレ
ットを示す図、（ｃ）は、従来のタブレットにおける熱
の伝わり方を示す断面図である。

【符号の説明】

１　　ヒーターピン ２　　プランジャ ３　　樹脂タブレット ４　　金型センターブロック部上型 ５　　金型センターブロック部下型 ６　　金型ランナー部上型 ７　　金型ランナー部下型 ８　　温度の高い部分 ９　　温度の低い部分 １０　　熱の伝わる方向 １１　　ランナー部 １２　　ポット部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　金型センターブロック下型部と金型セ
   ンターブロック上型部とで形成された中空のポット部内
   に樹脂タブレットを充填し、加熱を加えながら樹脂タブ
   レットをランナー部にプランジャで圧送して樹脂封止を
   行う半導体装置の樹脂封止装置であって、樹脂タブレッ
   トは、中心部が中空構造のものであり、金型センターブ
   ロック下型部は、中空構造の樹脂タブレットの中空孔に
   挿入され、該タブレットを保持加熱するヒーターピンを
   有するものであり、プランジャは、前記ヒーターピンに
   嵌合する中空構造としたものであることを特徴とする半
   導体装置の樹脂封止装置。
2. 【請求項２】　　前記ヒーターピンは、金型センターブ
   ロック下型部に上下動可能に装備されたものであること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の樹脂封止装
   置。