JPH0432753Y2 - - Google Patents
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- JPH0432753Y2 JPH0432753Y2 JP1990093620U JP9362090U JPH0432753Y2 JP H0432753 Y2 JPH0432753 Y2 JP H0432753Y2 JP 1990093620 U JP1990093620 U JP 1990093620U JP 9362090 U JP9362090 U JP 9362090U JP H0432753 Y2 JPH0432753 Y2 JP H0432753Y2
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- JP
- Japan
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- substrate
- light
- laser beam
- irradiation
- optical
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野の説明）
本考案は、フオトレジスト膜に集光レーザービ
ームで直接パターニングする光集積回路の直接描
画装置に関し、特に光集積回路の設計データを計
算機に入力して50×50mm2以上の面積をもつフオト
レジスト膜上に、直線と任意の曲線からなる幅
0.5μｍ以上の光導波路および周期1μｍ以下のグレ
ーテイングを0.1μｍの精度で、集光レーザービー
ムを用いてパターニングできる装置に関するもの
である。
ームで直接パターニングする光集積回路の直接描
画装置に関し、特に光集積回路の設計データを計
算機に入力して50×50mm2以上の面積をもつフオト
レジスト膜上に、直線と任意の曲線からなる幅
0.5μｍ以上の光導波路および周期1μｍ以下のグレ
ーテイングを0.1μｍの精度で、集光レーザービー
ムを用いてパターニングできる装置に関するもの
である。
（従来技術の説明）
従来の光集積回路用の光導波路、制御用電極、
グレーテイングなどのパターンニング技術として
はいわゆるフオトリソグラフ技術が知られてい
る。
グレーテイングなどのパターンニング技術として
はいわゆるフオトリソグラフ技術が知られてい
る。
このフオトリソグラフ技術は、既成の半導体
IC作製にならつて、まず原因の写真縮小あるい
は電子ビーム描画によつてフオトマスクを作製
し、これをフオトマスクアライナーを用いて基板
上に塗布したフオトレジスト膜上に転写するもの
である。
IC作製にならつて、まず原因の写真縮小あるい
は電子ビーム描画によつてフオトマスクを作製
し、これをフオトマスクアライナーを用いて基板
上に塗布したフオトレジスト膜上に転写するもの
である。
しかし、このフオトリソグラフ技術では転写の
際に必ず像パータンの解像度が劣化し、かつ工程
が煩雑である等の欠点を有する。さらに、光集積
回路用のパターンは横方向には0.2〜0.3μｍの精
度を必要とし、さらに20mm以上の長さに渡つて光
波長オーダーの均一性が要求されるため、半導体
ICのパターニング技術をそのまま光集積回路の
パターンニングに適用することは困難である。
際に必ず像パータンの解像度が劣化し、かつ工程
が煩雑である等の欠点を有する。さらに、光集積
回路用のパターンは横方向には0.2〜0.3μｍの精
度を必要とし、さらに20mm以上の長さに渡つて光
波長オーダーの均一性が要求されるため、半導体
ICのパターニング技術をそのまま光集積回路の
パターンニングに適用することは困難である。
また従来、大きさ５×５mm2以下のグレーテイン
グを電子ビームで直接パターニングする技術も存
在する。
グを電子ビームで直接パターニングする技術も存
在する。
しかし、この技術は大きさ50×50mm2以上の長尺
の光導波路のパターニングには不適当であり、ま
たこのような電子ビーム描画は真空チヤンバーを
必要とし装置が大型化、複雑化しかつ高価となる
欠点を有する。
の光導波路のパターニングには不適当であり、ま
たこのような電子ビーム描画は真空チヤンバーを
必要とし装置が大型化、複雑化しかつ高価となる
欠点を有する。
また従来、レーザービームを用いて光導波路の
パターニングを行うことが実験室レベルで試みら
れている。
パターニングを行うことが実験室レベルで試みら
れている。
しかし、いずれもレーザと集光光学系、ステー
ジを組み合わせたごく簡単なもので、直線や円な
どの特定のパターンしか描画することができず、
装置としては不完全であり、実際の光集積回路の
パターニングには使用できない等の欠点を有す
る。
ジを組み合わせたごく簡単なもので、直線や円な
どの特定のパターンしか描画することができず、
装置としては不完全であり、実際の光集積回路の
パターニングには使用できない等の欠点を有す
る。
（本考案の目的）
本考案は上記の点に鑑みてなされたものであ
り、光集積回路のパターニングを真空チヤンバー
を必要とせず大気中で行うことができ、しかも装
置を小型化、安価にすることができ、しかも100
×100m2の大きさにわたつて0.1μｍの高精度で所
望のパターンを自動的に描画することができる光
集積回路用レーザービーム直接描画装置を提供す
ることを目的とする。
り、光集積回路のパターニングを真空チヤンバー
を必要とせず大気中で行うことができ、しかも装
置を小型化、安価にすることができ、しかも100
×100m2の大きさにわたつて0.1μｍの高精度で所
望のパターンを自動的に描画することができる光
集積回路用レーザービーム直接描画装置を提供す
ることを目的とする。
（本考案の概略）
本考案は、フオトレジストを表面に塗布した基
板と、前記基板を所望位置に移動する基板位置決
め装置と、照射光の発光源と、前記発光源からの
照射光を光学的に前記基板上に集光する光学系装
置とを備えた光集積回路用レーザービーム直接描
画装置において、前記基板上に描画される描画パ
ターンのパターンデータを記憶した記憶装置と、
前記記憶されたパターンデータに基づいて、前記
基板を0.1μｍ／ステツプの分解能で、可動距離範
囲100mm×100mmに一定等速度で移動させる基板移
動手段と、前記基板の位置を検出する位置センサ
と、前記位置センサ出力に基づいて前記基板位置
と前記パターンデータとの誤差を前記基板移動手
段にフイードバツクし該移動誤差を補償させる閉
ループ制御回路とを含む基板位置決め装置と、前
記位置センサの出力に基づいて上記基板の現在位
置を演算する現在位置決定装置と、前記現在位置
決定装置の内容と前記パターンデータの照射位置
データとに基づいて前記基板の現在位置が照射位
置であることを検出する検出装置と、前記検出装
置からの検出信号があるときは該照射位置に対応
した前記パターンデータの光変調データに対応し
て前記照射光の強度を強度を256階調にわたつて
変調する光変調手段と、前記変調された照射光を
前記基板上に照射する自動焦点合わせ機構を備え
たレーザービーム集光光学系装置とを備えたこと
を特徴とする。
板と、前記基板を所望位置に移動する基板位置決
め装置と、照射光の発光源と、前記発光源からの
照射光を光学的に前記基板上に集光する光学系装
置とを備えた光集積回路用レーザービーム直接描
画装置において、前記基板上に描画される描画パ
ターンのパターンデータを記憶した記憶装置と、
前記記憶されたパターンデータに基づいて、前記
基板を0.1μｍ／ステツプの分解能で、可動距離範
囲100mm×100mmに一定等速度で移動させる基板移
動手段と、前記基板の位置を検出する位置センサ
と、前記位置センサ出力に基づいて前記基板位置
と前記パターンデータとの誤差を前記基板移動手
段にフイードバツクし該移動誤差を補償させる閉
ループ制御回路とを含む基板位置決め装置と、前
記位置センサの出力に基づいて上記基板の現在位
置を演算する現在位置決定装置と、前記現在位置
決定装置の内容と前記パターンデータの照射位置
データとに基づいて前記基板の現在位置が照射位
置であることを検出する検出装置と、前記検出装
置からの検出信号があるときは該照射位置に対応
した前記パターンデータの光変調データに対応し
て前記照射光の強度を強度を256階調にわたつて
変調する光変調手段と、前記変調された照射光を
前記基板上に照射する自動焦点合わせ機構を備え
たレーザービーム集光光学系装置とを備えたこと
を特徴とする。
（実施例による説明）
本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本考案一実施例の要部ブロツク構成図を
示す。第１図で１は制御部（CPU）を示し、描
画パターンデータ（以下、単に「パターンデー
タ」と言う）を記憶した記憶回路２および制御プ
ログラムを記憶した記憶回路３がそれぞれ制御回
路５に接続されている。この制御回路５はインタ
ーフエース回路６を介してステージ制御回路７に
接続されている。このステージ制御回路７は駆動
回路９を介してステツピングモータ１０に接続さ
れ、このステツピングモータ１０はステージ１１
に接続されている。ステージ１１上にはフオトレ
ジスト１２を塗布した前記パターンデータに基づ
く描画パターンが描画される基板１３が固定され
ている。また、上記ステツピングモータ１０は
0.1μｍ／stepの分解能を有している。
第１図は本考案一実施例の要部ブロツク構成図を
示す。第１図で１は制御部（CPU）を示し、描
画パターンデータ（以下、単に「パターンデー
タ」と言う）を記憶した記憶回路２および制御プ
ログラムを記憶した記憶回路３がそれぞれ制御回
路５に接続されている。この制御回路５はインタ
ーフエース回路６を介してステージ制御回路７に
接続されている。このステージ制御回路７は駆動
回路９を介してステツピングモータ１０に接続さ
れ、このステツピングモータ１０はステージ１１
に接続されている。ステージ１１上にはフオトレ
ジスト１２を塗布した前記パターンデータに基づ
く描画パターンが描画される基板１３が固定され
ている。また、上記ステツピングモータ１０は
0.1μｍ／stepの分解能を有している。
また、１５はステージ１１の現在位置を検出す
る位置センサを示し、この出力は前記ステージ制
御回路７にフイードバツクされている。また、こ
の位置センサ１５の位置信号はカウンタ・比較回
路１６の一方の入力端子に接続されている。この
カウンタ・比較回路１６の他方の入力端子には前
記制御回路５からの照射位置指令信号が接続され
ている。このカウンタ・比較回路１６からの一致
信号はフリツプフロツプ１７のリセツト端子に接
続されている。このフリツプフロツプ１７は前記
制御回路５に接続されている。
る位置センサを示し、この出力は前記ステージ制
御回路７にフイードバツクされている。また、こ
の位置センサ１５の位置信号はカウンタ・比較回
路１６の一方の入力端子に接続されている。この
カウンタ・比較回路１６の他方の入力端子には前
記制御回路５からの照射位置指令信号が接続され
ている。このカウンタ・比較回路１６からの一致
信号はフリツプフロツプ１７のリセツト端子に接
続されている。このフリツプフロツプ１７は前記
制御回路５に接続されている。
また２０は照射光の光源であるHe−Cdレーザ
を示し、このレーザービームは光アツテネータ２
１に導かれ、この光アツテネータ２１の出力ビー
ムはミラー２２を用いてレーザビーム強度を256
階調にわたつて変調できる光変調器２３に導かれ
ている。この光変調器２３の出力ビームは光ビー
ムエクスパンダー・コリメータ２４に導かれ、約
６mm径の平行ビームにされハームミラ２５を通つ
て対物レンズ２６に導かれている。この対物レン
ズ２６はアクチユエータ２７及びオートフオーカ
ス制御回路２８により常に前記フオトレジスト１
２上に焦点を結ぶように構成されている。また、
光パワーメータ２９に前記ハーフミラ２５により
前記平行ビームの半分が導かれている。
を示し、このレーザービームは光アツテネータ２
１に導かれ、この光アツテネータ２１の出力ビー
ムはミラー２２を用いてレーザビーム強度を256
階調にわたつて変調できる光変調器２３に導かれ
ている。この光変調器２３の出力ビームは光ビー
ムエクスパンダー・コリメータ２４に導かれ、約
６mm径の平行ビームにされハームミラ２５を通つ
て対物レンズ２６に導かれている。この対物レン
ズ２６はアクチユエータ２７及びオートフオーカ
ス制御回路２８により常に前記フオトレジスト１
２上に焦点を結ぶように構成されている。また、
光パワーメータ２９に前記ハーフミラ２５により
前記平行ビームの半分が導かれている。
また、前記制御回路５はレジスタ３０および前
記フリツプフロツプ１７のセツト端子に接続され
ている。このレジスタ３０はレジスタ３１に接続
されている。このレジスタ３１には前記カウン
タ・比較回路１６の出力が接続されている。この
レジスタ３１はＤ／Ａ回路（デイジタル・アメロ
グ変換回路）３２に接続されている。このＤ／Ａ
回路３２は駆動回路３３に接続され、この駆動回
路３３は前記光変調器２３に接続されている。
記フリツプフロツプ１７のセツト端子に接続され
ている。このレジスタ３０はレジスタ３１に接続
されている。このレジスタ３１には前記カウン
タ・比較回路１６の出力が接続されている。この
レジスタ３１はＤ／Ａ回路（デイジタル・アメロ
グ変換回路）３２に接続されている。このＤ／Ａ
回路３２は駆動回路３３に接続され、この駆動回
路３３は前記光変調器２３に接続されている。
このように構成した本考案一実施例の特徴ある
動作を説明する。いま、記憶回路２には描画パタ
ーンの描画位置データおよび照射位置データ（座
標データ）、描画パターンの線幅がレーザビーム
の光強度により影響されるため前記描画位置デー
タに対応した光変調データ、およびステージ１１
の移動速度データ等がパターンデータとして記憶
されている。制御回路５はこのパターンデータに
より記憶回路３に記憶された制御プログラムに従
つて描画パターンを自動的に描画する。
動作を説明する。いま、記憶回路２には描画パタ
ーンの描画位置データおよび照射位置データ（座
標データ）、描画パターンの線幅がレーザビーム
の光強度により影響されるため前記描画位置デー
タに対応した光変調データ、およびステージ１１
の移動速度データ等がパターンデータとして記憶
されている。制御回路５はこのパターンデータに
より記憶回路３に記憶された制御プログラムに従
つて描画パターンを自動的に描画する。
すなわち、制御回路５は描画位置データに基づ
いて駆動回路９によりステピングモータ１０を駆
動しステージ１１をＸ・Ｙ方向に移動し、基板１
３を描画位置データに移動する。この基板１３の
位置（ステージ１１の位置）は位置センサ１５に
よりステージ制御回路７に入力され、インタフエ
ース回路６を介して制御部５にフイードバツクさ
れ移動誤差が演算処理されステージ１１の位置移
動が正確に閉ループ制御される。また、位置セン
サ１５からの位置信号はカウンタ・比較回路１６
で順次計数され、この計数値は基板１３の現在位
置を表示する。この基板１３の現在位置はカウン
タ・比較回路１６により制御回路５からのレーザ
ービーム照射位置を示す24ビツトのパラレル信号
である照射位置信号と比較され、基板１３の現在
位置がこの照射位置信号データと一致していれば
カウンタ・比較回路１６からレジスタ３１に信号
が与えられる。このレジスタ３１にはレジスタ３
０を介して制御回路５からこの描画位置での光変
調データ（８ビツト信号）が与えられており、こ
の光変調データ信号はＤ／Ａ回路３２でアナログ
信号に変換され、駆動回路３３が光変調路２３を
駆動する。
いて駆動回路９によりステピングモータ１０を駆
動しステージ１１をＸ・Ｙ方向に移動し、基板１
３を描画位置データに移動する。この基板１３の
位置（ステージ１１の位置）は位置センサ１５に
よりステージ制御回路７に入力され、インタフエ
ース回路６を介して制御部５にフイードバツクさ
れ移動誤差が演算処理されステージ１１の位置移
動が正確に閉ループ制御される。また、位置セン
サ１５からの位置信号はカウンタ・比較回路１６
で順次計数され、この計数値は基板１３の現在位
置を表示する。この基板１３の現在位置はカウン
タ・比較回路１６により制御回路５からのレーザ
ービーム照射位置を示す24ビツトのパラレル信号
である照射位置信号と比較され、基板１３の現在
位置がこの照射位置信号データと一致していれば
カウンタ・比較回路１６からレジスタ３１に信号
が与えられる。このレジスタ３１にはレジスタ３
０を介して制御回路５からこの描画位置での光変
調データ（８ビツト信号）が与えられており、こ
の光変調データ信号はＤ／Ａ回路３２でアナログ
信号に変換され、駆動回路３３が光変調路２３を
駆動する。
これにより、He−Cdレーザ２０からのレーザ
ービームが光変調データに対応して変調され、こ
の変調されたレーザービームが光ビームエクスパ
ンダーコリメータ２４から平行ビームとして対物
レンズ２６に与えられ、対物レンズ２６はこの変
調されたレーザービームをフオトレジスト１２上
に照射する。ここで、対物レンズ２６はアクチユ
エータ２７およびオートフオーカス制御回路２８
により、フオトレジスト１２上に焦点を結ぶよう
にフオトレジスト膜との距離が制御されている。
上述の如くパターンデータにより連続的に本回路
が制御され基板１３上にパターンデータに対応す
る描画パターンが描画される。この照射期間では
カウンタ・比較回路１６からの信号によりフリツ
プフロツプ１７がセツトされ、制御回路５からカ
ウンタ・比較回路１６への新たな照射位置信号の
送り込みが禁止され、一方レジスタ３０へは次の
照射位置での光変調データがセツトされる。この
照射位置での照射が終了すなわちカウンタ・比較
回路１６からの一致信号がOFFすると、フリツ
プフロツプ１７のリセツトが解除されカウンタ・
比較回路１６への次の照射位置を表わす照射位置
信号が送り込まれる。ここで、上述の光信号変調
用信号処理系２０，２１，２３，２４，２５，２
６，３１，３２，３３の応答速度は30ns以下であ
り、ステージ１１の移動速度（例えば、0.1mm／
sec）に対して十分に速くなつている。
ービームが光変調データに対応して変調され、こ
の変調されたレーザービームが光ビームエクスパ
ンダーコリメータ２４から平行ビームとして対物
レンズ２６に与えられ、対物レンズ２６はこの変
調されたレーザービームをフオトレジスト１２上
に照射する。ここで、対物レンズ２６はアクチユ
エータ２７およびオートフオーカス制御回路２８
により、フオトレジスト１２上に焦点を結ぶよう
にフオトレジスト膜との距離が制御されている。
上述の如くパターンデータにより連続的に本回路
が制御され基板１３上にパターンデータに対応す
る描画パターンが描画される。この照射期間では
カウンタ・比較回路１６からの信号によりフリツ
プフロツプ１７がセツトされ、制御回路５からカ
ウンタ・比較回路１６への新たな照射位置信号の
送り込みが禁止され、一方レジスタ３０へは次の
照射位置での光変調データがセツトされる。この
照射位置での照射が終了すなわちカウンタ・比較
回路１６からの一致信号がOFFすると、フリツ
プフロツプ１７のリセツトが解除されカウンタ・
比較回路１６への次の照射位置を表わす照射位置
信号が送り込まれる。ここで、上述の光信号変調
用信号処理系２０，２１，２３，２４，２５，２
６，３１，３２，３３の応答速度は30ns以下であ
り、ステージ１１の移動速度（例えば、0.1mm／
sec）に対して十分に速くなつている。
また、描画する線の幅は対物レンズ２６の倍
率、レーザービームの強度および基板１３の移動
速度によつて決定され、本実施例で対物レンズ２
６の倍率を60倍、基板１３への照射量を5μw、基
板１３の移動速度を0.1mm／secに設定したとき描
画の線の幅は0.5μｍである。
率、レーザービームの強度および基板１３の移動
速度によつて決定され、本実施例で対物レンズ２
６の倍率を60倍、基板１３への照射量を5μw、基
板１３の移動速度を0.1mm／secに設定したとき描
画の線の幅は0.5μｍである。
また、本実施例ではステージ１１の可動距離を
100mm×100mmとすることができ、このときには描
画面積は100×100mm2となる。
100mm×100mmとすることができ、このときには描
画面積は100×100mm2となる。
また、本実施例ではステツピングモータ１０の
分解能を0.1μｍ／stepとして上述のフイードバツ
ク制御を行うと描画を0.1μｍの精度で行える。
分解能を0.1μｍ／stepとして上述のフイードバツ
ク制御を行うと描画を0.1μｍの精度で行える。
第２図ａ〜ｇに、第１図に示した装置によつて
描画したパターンの一例を示す。第２図ａは、方
向性結合器であり、Ｗ0.5μｍ、ｌ30mm、ｇ
0.5μｍである。第２図ｂは、テーパー導波路であ
り、W10.5μｍ、W2任意である。第２図ｃは、
分岐導波路であり、Ｗ0.5μｍ、θ１／200ラジア ンである。第２図ｄは、交差導波路であり、Ｗ
0.5μｍ、θ１／200ラジアンである。第２図ｅは、 Ｓ字形導波路であり、Ｗ0.5μｍである。
描画したパターンの一例を示す。第２図ａは、方
向性結合器であり、Ｗ0.5μｍ、ｌ30mm、ｇ
0.5μｍである。第２図ｂは、テーパー導波路であ
り、W10.5μｍ、W2任意である。第２図ｃは、
分岐導波路であり、Ｗ0.5μｍ、θ１／200ラジア ンである。第２図ｄは、交差導波路であり、Ｗ
0.5μｍ、θ１／200ラジアンである。第２図ｅは、 Ｓ字形導波路であり、Ｗ0.5μｍである。
これらの導波路パターンを組合わせれば、光通
信・光信号処理に必要な光集積回路パターンを得
ることができる。
信・光信号処理に必要な光集積回路パターンを得
ることができる。
第２図ｆは、グレーデイングであり、λ0.8μ
ｍ、ただしλは可変であり可変周期であるチヤー
プグレーテイングの描画が可能である。第２図ｇ
は、制御電極でありｇ0.5μｍ、電極長は任意で
ある。
ｍ、ただしλは可変であり可変周期であるチヤー
プグレーテイングの描画が可能である。第２図ｇ
は、制御電極でありｇ0.5μｍ、電極長は任意で
ある。
モード変換や光波長フイルターなどには第２図
ｆのグレーデイングが、光の変調・スイツチツグ
には第２図ｇの制御電極が必要である。このよう
に、本装置を用いて、光集積回路に要求される導
波路を始め、あらゆる主要光デイバイスのパター
ニングが行えることが実験的に実証されている。
ｆのグレーデイングが、光の変調・スイツチツグ
には第２図ｇの制御電極が必要である。このよう
に、本装置を用いて、光集積回路に要求される導
波路を始め、あらゆる主要光デイバイスのパター
ニングが行えることが実験的に実証されている。
（考案の効果）
以上説明したように本考案によれば、フオトレ
ジストを表面に塗布した基板と、前記基板を所望
位置に移動する基板位置決め装置と、照射光の発
光源と、前記発光源からの照射光を光学的に前記
基板上に集光する光学系装置とを備えた光集積回
路用レーザービーム直接描画装置において、前記
基板上に描画される描画パターンのパターンデー
タを記憶した記憶装置と、前記記憶されたパター
ンデータに基づいて、前記基板を0.1μｍ／ステツ
プの分解能で、可動距離範囲100mm×100mmに一定
等速度で移動させる基板移動手段と、前記基板の
位置を検出する位置センサと、前記位置センサ出
力に基づいて前記基板位置と前記パターンデータ
との誤差を前記基板移動手段にフイードバツクし
該移動誤差を補償させる閉ループ制御回路とを含
む基板位置決め装置と、前記位置センサの出力に
基づいて上記基板と現在位置を演算する現在位置
決定装置と、前記現在決定装置の内容と前記パタ
ーンデータの照射位置データとに基づいて前記基
板の現在位置が照射位置であることを検出する検
出装置と、前記検出装置から検出信号があるとき
は該照射位置に対応した前記パターンデータの光
変調データに対応して前記照射光の強度を256階
調にわたつて変調する光変調手段と、前記変調さ
れた照射光を前記基板上に照射する自動焦点合わ
せ機構を備えたレーザービーム集光光学系装置と
を備えることとした。したがつて、従来装置のよ
うに真空チヤンバーを必要とせず大気中でレーザ
ビーム直接描画を行うことができる。しかも、装
置を小型化、低価格化することができ、さらに保
守・点検が従来装置に比べ著しく容易である等の
優れた効果を有する。
ジストを表面に塗布した基板と、前記基板を所望
位置に移動する基板位置決め装置と、照射光の発
光源と、前記発光源からの照射光を光学的に前記
基板上に集光する光学系装置とを備えた光集積回
路用レーザービーム直接描画装置において、前記
基板上に描画される描画パターンのパターンデー
タを記憶した記憶装置と、前記記憶されたパター
ンデータに基づいて、前記基板を0.1μｍ／ステツ
プの分解能で、可動距離範囲100mm×100mmに一定
等速度で移動させる基板移動手段と、前記基板の
位置を検出する位置センサと、前記位置センサ出
力に基づいて前記基板位置と前記パターンデータ
との誤差を前記基板移動手段にフイードバツクし
該移動誤差を補償させる閉ループ制御回路とを含
む基板位置決め装置と、前記位置センサの出力に
基づいて上記基板と現在位置を演算する現在位置
決定装置と、前記現在決定装置の内容と前記パタ
ーンデータの照射位置データとに基づいて前記基
板の現在位置が照射位置であることを検出する検
出装置と、前記検出装置から検出信号があるとき
は該照射位置に対応した前記パターンデータの光
変調データに対応して前記照射光の強度を256階
調にわたつて変調する光変調手段と、前記変調さ
れた照射光を前記基板上に照射する自動焦点合わ
せ機構を備えたレーザービーム集光光学系装置と
を備えることとした。したがつて、従来装置のよ
うに真空チヤンバーを必要とせず大気中でレーザ
ビーム直接描画を行うことができる。しかも、装
置を小型化、低価格化することができ、さらに保
守・点検が従来装置に比べ著しく容易である等の
優れた効果を有する。
さらに、移動する手段のステツピングモータの
分解能を0.1μｍ／step、ステージの可動距離を
100×100mm、ステージの移動速度を0.1mm／secに
設計し、かつ照射する手段の対物レンズの倍率を
60倍、照射光量を5μwとすれば面積100×100mm2に
わたつて0.1μｍの精度で線巾0.5μｍの描画パター
ンを得ることができる等の効果を有する。
分解能を0.1μｍ／step、ステージの可動距離を
100×100mm、ステージの移動速度を0.1mm／secに
設計し、かつ照射する手段の対物レンズの倍率を
60倍、照射光量を5μwとすれば面積100×100mm2に
わたつて0.1μｍの精度で線巾0.5μｍの描画パター
ンを得ることができる等の効果を有する。
第１図は本考案一実施例の要部ブロツク構成
図、第２図ａ乃至第２図ｇはそれぞれ第１図に示
した実施例により得られる光集積回路用パターン
の一例を示す。 １……制御部、２……記憶回路、５……制御回
路、１０……ステツピングモータ、１１……ステ
ージ、１２……フオトレジスト、１３……基板、
１５……位置センサ、１６……カウンタ・比較回
路、２０……He−Cdレーザ、２３……光変調
器、２６……対物レンズ、３０，３１……レジス
タ。
図、第２図ａ乃至第２図ｇはそれぞれ第１図に示
した実施例により得られる光集積回路用パターン
の一例を示す。 １……制御部、２……記憶回路、５……制御回
路、１０……ステツピングモータ、１１……ステ
ージ、１２……フオトレジスト、１３……基板、
１５……位置センサ、１６……カウンタ・比較回
路、２０……He−Cdレーザ、２３……光変調
器、２６……対物レンズ、３０，３１……レジス
タ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ フオトレジストを表面に塗布した基板と、前
記基板を所望位置に移動する基板位置決め装置
と、 照射光の発光源と、 前記発光源からの照射光を光学的に前記基板
上に集光する光学系装置と、 を備えた光集積回路用レーザービーム直接描画
装置において、 前記基板上に描画される描画パターンのパタ
ーンデータを記憶した記憶装置と、 前記記憶されたパターンデータに基づいて、
前記基板を0.1μｍ／ステツプの分解能で、可動
距離範囲100mm×100mmに一定等速度で移動させ
る基板移動手段と、前記基板の位置を検出する
位置センサと、前記位置センサ出力に基づいて
前記基板位置と前記パターンデータとの誤差を
前記基板移動手段にフイードバツクし該移動誤
差を補償させる閉ループ制御回路とを含む基板
位置め装置と、 前記位置センサの出力に基づいて上記基板の
現在位置を演算する現在位置決定装置と、 前記現在位置決定装置の内容と前記パターン
データの照射位置データとに基づいて前記基板
の現在位置が照射位置であることを検出する検
出装置と、 前記検出装置から検出信号があるときは該照
射位置に対応した前記パターンデータの光変調
データに対応して前記照射光の強度を256階調
にわたつて変調する光変調手段と、 前記変調された照射光を前記基板上に照射す
る自動焦点合わせ機構を備えたレーザービーム
集光光学系装置と、 を備えたことを特徴とする光集積回路用レーザ
ービーム直接描画装置。 ２ 前記光学系装置が倍率60倍の対物レンズを含
み、 前記光変調手段の出力が5μWであることを
特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項に記
載の光集積回路用レーザービーム直接描画装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990093620U JPH0432753Y2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990093620U JPH0432753Y2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0351832U JPH0351832U (ja) | 1991-05-20 |
| JPH0432753Y2 true JPH0432753Y2 (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=31642988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990093620U Expired JPH0432753Y2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432753Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001348042A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-18 | Masayuki Yoshioka | 包装用袋 |
| JP5007543B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-08-22 | 大日本印刷株式会社 | ユニバーサルデザインパウチ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927011B2 (ja) * | 1975-10-21 | 1984-07-03 | 松下電器産業株式会社 | コウガクテキジヨウホウキロクサイセイソウチ |
| JPS5326114A (en) * | 1977-04-28 | 1978-03-10 | Nippon Gakki Seizo Kk | Electronic musical instrument |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP1990093620U patent/JPH0432753Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351832U (ja) | 1991-05-20 |
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