JPH04328156A - ポリカーボネート組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明はポリカーボネート組成物に
関し、さらに詳しくは、成形時の熱安定性、色相安定性
に優れるとともに、透明性および耐水性に優れた成形体
を形成しうるポリカーボネート組成物に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】ポリカーボネートは、耐衝撃性な
どの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも
優れており、各種機械部品、光学用ディスク、自動車部
品などの用途に広く用いられている。

【０００３】ところで、従来のポリカーボネートでは、
溶融成形時に、その一部が熱分解して、分子量が低下し
たり、着色したりすることがあり、熱安定性に欠けるこ
とがあった。このため、通常、ポリカーボネートに耐熱
安定剤を配合して、溶融時の熱安定性を向上させている
。しかしながら、耐熱安定剤を含有するポリカーボネー
トでは、耐水性が低下する傾向にあり、このようなポリ
カーボネートから得られる成形体では、使用時に透明性
が低下することがある。

【０００４】このため、成形時の熱安定性、色相安定性
に優れるとともに、耐水性、透明性に優れた成形体を形
成しうるポリカーボネート組成物の出現が望まれていた
。

【０００５】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、成形時の熱安定性、色相安定
性に優れるとともに、透明性に優れ、耐水性にも優れた
成形体を形成しうるポリカーボネート組成物を提供する
ことを目的としている。

【０００６】

【発明の概要】本発明に係るポリカーボネート組成物は
、［Ａ］ポリカーボネートと、該ポリカーボネート［Ａ
］に対して、［Ｂ］０．１〜１０ｐｐｍ　量のｐＫａ値
が３以下であるイオウ含有酸性化合物および／または該
酸性化合物から形成される誘導体と、［Ｃ］１０〜１０
００ｐｐｍ　の量のリン化合物と、［Ｄ］１〜２０００
ｐｐｍ　の量のエポキシ化合物とからなることを特徴と
している。

【０００７】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係るポリカーボネ
ート組成物について具体的に説明する。本発明に係るポ
リカーボネート組成物は、［Ａ］ポリカーボネートと、
［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合物お
よび／または該酸性化合物から形成される誘導体と、［
Ｃ］リン化合物と、［Ｄ］エポキシ化合物とからなる。

【０００８】本発明で用いられる［Ａ］ポリカーボネー
トは、溶媒および脱酸剤の存在下において芳香族ジヒド
ロキシ化合物とホスゲンとを反応させる方法、あるいは
、芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネート
などの炭酸ジエステルとを加熱溶融し高温減圧下で反応
させる方法（溶融法）などによって製造することができ
る。

【０００９】本発明では、後者の溶融法によって製造さ
れたポリカーボネートが、特に好ましく用いられる。こ
のような［Ａ］ポリカーボネートは、具体的には、たと
えば以下に示すように、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭
酸ジエステルとを、溶融重縮合させて製造することがで
きる。

【００１０】本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化
合物としては、特に限定されないが、下記式［Ｉ］で示
される化合物を挙げることができる。

【００１１】

【化２】

【００１２】Ｒ１　およびＲ２　は水素原子または１価
の炭化水素基であり、Ｒ３　は２価の炭化水素基である
。またＲ４　、Ｒ５　は、ハロゲンまたは１価の炭化水
素基であり、これらは、同一であっても異なっていても
よい。 ｐ、ｑは０〜４の整数を表す。）上記芳香族ジヒドロキ
シ化合物としては、具体的には、以下に示す化合物を挙
げることができる。

【００１３】ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−１−メチルフェニル）プロパン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニ
ル）プロパンなどのビス（ヒドロキシアリール）アルカ
ン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサンなどのビス（ヒドロキシアリール）シクロ
アルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェ
ニルエーテルなどのジヒドロキシアリールエーテル類、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４
’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスル
フィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類、４
，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４
’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスル
ホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルホキシド類
、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４
’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスル
ホンなどのジヒドロキシジアリールスルホン類。

【００１４】これらのうちでは、特に２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましく用いられる
。また、芳香族ジヒドロキシ化合物として、下記一般式
［ＩＩ］で表される化合物を用いることもできる。

【００１５】

【化３】

【００１６】式中、Ｒ６　は、それぞれ炭素数１〜１０
の炭化水素基またはそのハロゲン化物、またはハロゲン
であり、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜
４の整数である。

【００１７】上記一般式［ＩＩ］で表される芳香族ジヒ
ドロキシ化合物としては、具体的に、レゾルシンおよび
３−メチルレゾルシン、３−エチルレゾルシン、３−プ
ロピルレゾルシン、３−ブチルレゾルシン、３−ｔ−ブ
チルレゾルシン、３−フェニルレゾルシン、３−クミル
レゾルシン、２，３，４，６−テトラフルオロレゾルシ
ン、２，３，４，６−テトラブロムレゾルシンなどの置
換レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、３−メチ
ルハイドロキノン、３−エチルハイドロキノン、３−プ
ロピルハイドロキノン、３−ブチルハイドロキノン、３
−ｔ−ブチルハイドロキノン、３−フェニルハイドロキ
ノン、３−クミルハイドロキノン、２，３，５，６−テ
トラメチルハイドロキノン、２，３，５，６−テトラ−
ｔ−　ブチルハイドロキノン、２，３，５，６−テトラ
フルオロハイドロキノンおよび２，３，５，６−テトラ
ブロムハイドロキノンなどの置換ハイドロキノンを挙げ
ることができる。

【００１８】また、本発明では芳香族ジヒドロキシ化合
物として、下記一般式で表される２，２，２’，２’−
テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１
，１’−スピロビ−［ＩＨ−インデン］−６，６’−ジ
オールを用いることもできる。

【００１９】

【化４】

【００２０】これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は、単
独であるいは組み合わせて用いることができる。また炭
酸ジエステルとしては、具体的には、ジフェニルカーボ
ネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェニ
ル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフ
チルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、
ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチ
ルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなどを
挙げることができる。

【００２１】これらのうち、特にジフェニルカーボネー
トが好ましく用いられる。これらの炭酸ジエステルは、
単独であるいは組み合わせて用いることができる。

【００２２】また上記のような炭酸ジエステルは、好ま
しくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以
下の量で、ジカルボン酸あるいはジカルボン酸エステル
を含有していてもよい。

【００２３】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなど
の芳香族ジカルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバ
シン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェ
ニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニル
などの脂肪族ジカルボン酸類、シクロプロパンジカルボ
ン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，３−シ
クロブタンジカルボン酸、１，２−シクロペンタンジカ
ルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，
２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキ
サンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン
酸、シクロプロパンジカルボン酸ジフェニル、１，２−
シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロ
ブタンジカルボン酸ジフェニル、１，２−シクロペンタ
ンジカルボン酸ジフェニル、１，３−シクロペンタンジ
カルボン酸ジフェニル、１，２−シクロヘキサンジカル
ボン酸ジフェニル、１，３−シクロヘキサンジカルボン
酸ジフェニル、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジ
フェニルなどの脂環族ジカルボン酸類を挙げることがで
きる。

【００２４】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルは、単独であるいは組み合わせて含有され
ていていてよい。上記のような炭酸ジエステルは、芳香
族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、通常、１．０〜
１．３０モル、好ましくは１．０１〜１．２０モルの量
で用いられることが望ましい。

【００２５】また本発明では、ポリカーボネートを製造
するに際して、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物
と炭酸ジエステルとともに、１分子中に３個以上の官能
基を有する多官能化合物とを用いることもできる。

【００２６】このような多官能化合物としては、フェノ
ール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物が好
ましく、特にフェノール性水酸基を３個含有する化合物
が好ましい。具体的には、たとえば、１，１，１−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）　エタン、２，２’，２
”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ジイソプロピル
ベンゼン、α−メチル−α，α’，α’−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、α
，　α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、フロログリシ
ン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロ
キシフェニル）−ヘプタン−２、１，３，５−トリ（４
−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、２，２−ビス−［４
，４−（４，４’−ジヒドロキシフェニル）−シクロヘ
キシル］−プロパン、トリメリット酸、１，３，５−ベ
ンゼントリカルボン酸、ピロメリット酸などが挙げられ
る。

【００２７】これらのうち、１，１，１−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）　エタン、α，　α’，α”−ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイ
ソプロピルベンゼンなどが好ましく用いられる。

【００２８】多官能化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合
物１モルに対して、通常は０．０３モル以下好ましくは
０．００１〜０．０２モルさらに好ましくは０．００１
〜０．０１モルの量で用いられる。

【００２９】上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとを、触媒の存在下に溶融重縮合させて
ポリカーボネートを製造するが、この際、触媒として、
（ａ）アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類
金属化合物を用いることが好ましい。

【００３０】このようなアルカリ金属化合物およびアル
カリ土類金属化合物としては、具体的には、アルカリ金
属およびアルカリ土類金属の有機酸塩、無機酸塩、酸化
物、水酸化物、水素化物あるいはアルコラートなどが好
ましく挙げられる。

【００３１】このようなアルカリ金属化合物としては、
より具体的に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム
、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リ
チウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウ
ム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、
安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチ
ウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム
、リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリ
ウム塩、二カリウム塩、二リチウム塩、フェノールのナ
トリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などを挙げること
ができる。

【００３２】またアルカリ土類金属化合物としては、具
体的に、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水
素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム
、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウ
ム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、
ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウ
ムなどを挙げることができる。

【００３３】これら化合物は単独で、あるいは組み合わ
せて用いることができる。このような（ａ）　アルカリ
金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、
上記芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して１０−８
〜１０−３モル、好ましくは（１０−７〜２×１０−６
）モルの量で用いられる。

【００３４】また触媒として、上記のような（ａ）　ア
ルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合
物とともに、（ｂ）　塩基性化合物および／または（ｃ
）　ホウ酸化合物を用いることもできる。

【００３５】このような（ｂ）　塩基性化合物としては
、たとえば高温で易分解性あるいは揮発性の含窒素塩基
性化合物が挙げられ、具体的には、以下のような化合物
を挙げることができる。

【００３６】テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（
Ｍｅ４ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Ｅｔ４ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド（Ｂｕ４ＮＯＨ）、トリメチルベンジルアンモニ
ウムヒドロキシド（φ−ＣＨ２（Ｍｅ）３ＮＯＨ　）な
どのアルキル、アリール、アルアリール基などを有する
アンモニウムヒドロオキシド類、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、トリフェニ
ルアミンなどの三級アミン類、Ｒ２ＮＨ（式中Ｒはメチ
ル、エチルなどのアルキル、フェニル、トルイルなどの
アリール基などである）で示される二級アミン類、ＲＮ
Ｈ２　（式中Ｒは上記と同じである）で示される一級ア
ミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、あるいはアンモニア、テ
トラメチルアンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ４ＮＢ
Ｈ４）、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド（
Ｂｕ４ＮＢＨ４　）、テトラブチルアンモニウムテトラ
フェニルボレート（Ｂｕ４ＮＢＰｈ４）、テトラメチル
アンモニウムテトラフェニルボレート（Ｍｅ４ＮＢＰｈ
４）などの塩基性塩。

【００３７】これらのうち、テトラアルキルアンモニウ
ムヒドロキシド類、特に金属不純物の少ない電子用テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド類が好ましく用い
られる。

【００３８】また、（ｃ）　ホウ酸化合物としては、ホ
ウ酸およびホウ酸エステルなどを挙げることができる。 ホウ酸エステルとしては、下記一般式で示されるホウ酸
エステルを挙げることができる。

【００３９】Ｂ（ＯＲ）ｎ（ＯＨ）３−ｎ　式中、Ｒは
メチル、エチルなどのアルキル、フェニルなどのアリー
ルなどであり、ｎは１，２または３である。

【００４０】このようなホウ酸エステルとしては、具体
的には、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸
トリブチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリヘプチル
、ホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸トリ
ナフチルなどが挙げられる。

【００４１】上記のような（ｂ）　含窒素塩基性化合物
が用いられるときは、（ｂ）　含窒素塩基性化合物は、
芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、１０−６〜
１０−１モル以下、好ましくは１０−５〜１０−２モル
の量で用いられる。

【００４２】また、（ｃ）　ホウ酸またはホウ酸エステ
ルが用いられるときは、芳香族ジヒドロキシ化合物１モ
ルに対して、１０−８〜１０−１モル、好ましくは１０
−７〜１０−２モル、さらに好ましくは１０−６〜１０
−４モルの量で用いられる。

【００４３】これらは、触媒として、たとえば、（ａ）
　アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属
化合物　　および（ｂ）　含窒素塩基性化合物を組合せ
て、さらに、（ａ）　アルカリ金属化合物および／また
はアルカリ土類金属化合物、（ｂ）　含窒素塩基性化合
物　　および（ｃ）　ホウ酸またはホウ酸エステルの三
者を組合せて、好ましく用いることができる。

【００４４】このように（ａ）　アルカリ金属化合物お
よび／またはアルカリ土類金属化合物と、（ｂ）　含窒
素塩基性化合物とを組合せた触媒は、重縮合反応を十分
な速度で進行させ、高分子量のポリカーボネートを、高
い重合活性で生成させることができ、好ましい。

【００４５】さらに、上記のような三者を組合せた触媒
は、熱老化後に分子量低下を起こしにくいポリカーボネ
ートを製造でき、好ましい。このような触媒の存在下、
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合
反応は、従来知られている重縮合反応条件と同様な条件
下で行なうことができる。

【００４６】具体的には、第一段目の反応を８０〜２５
０℃、好ましくは１００〜２３０℃、さらに好ましくは
１２０〜１９０℃の温度で、０〜５時間、好ましくは０
〜４時間、さらに好ましくは０〜３時間、常圧下、芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを反応させる
。次いで反応系を減圧にしながら反応温度を高めて、芳
香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの反応を行
ない、最終的には５ｍｍＨｇ以下、好ましくは１ｍｍＨ
ｇ以下の減圧下で、２４０〜３２０℃で芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応を行なう。

【００４７】上記のような重縮合反応は、連続式で行な
ってもよく、バッチ式で行なってもよい。また上記の反
応を行なうに際して用いられる反応装置は、槽型であっ
ても管型であっても塔型であってもよい。

【００４８】本発明で用いられる［Ａ］ポリカーボネー
トでは、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度が、
通常、０．１０〜１．０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３０
〜０．６５ｄｌ／ｇである。

【００４９】次に、本発明に係るポリカーボネート組成
物を構成する［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有
酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
誘導体について説明する。

【００５０】本発明では、［Ｂ］イオウ含有酸性化合物
および該酸性化合物から形成される誘導体としては、亜
硫酸、硫酸、スルフィン酸系化合物、スルホン酸系化合
物およびこれらの誘導体を挙げることができる。具体的
に、硫酸誘導体としては、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸
、硫酸、ジプロピル硫酸、ジブチル硫酸、ジフェニル硫
酸、ジメチル亜硫酸、ジエチル亜硫酸、ジフェニル亜硫
酸などを挙げることができる。

【００５１】スルフィン酸系化合物としては、ベンゼン
スルフィン酸、トルエンスルフィン酸、ナフタレンスル
フィン酸などを挙げることができる。また、スルホン酸
系化合物およびこの誘導体としては、下記一般式［ＩＩ
Ｉ］で表わされる化合物およびそれらのアンモニウム塩
を挙げることができる。

【００５２】

【化５】

【００５３】〔式中、Ｒ７は炭素数１〜５０の炭化水素
基（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、
Ｒ８　は水素またはまたは炭素数１〜５０の炭化水素基
（水素はハロゲンで置換されていてもよい）であり、ｎ
は０〜３の整数である。〕このようなスルホン酸系化合
物およびこの誘導体としては、以下のような化合物を挙
げることができる。

【００５４】ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸などのスルホン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベ
ンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、
ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェ
ニル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンス
ルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−
トルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トルエンスルホン酸
フェニルなどのスルホン酸エステル、ｐ−トルエンスル
ホン酸アンモニウムなどのスルホン酸アンモニウム塩を
挙げることができる。

【００５５】さらに、上記一般式［ＩＩＩ　］で表され
るスルホン酸化合物以外にも、トリフルオロメタンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸、スルホン化ポリスチレ
ン、アクリル酸メチル−スルホン化スチレン共重合体な
どのスルホン酸類。

【００５６】これらの化合物は、単独で、あるいは組み
合わせて用いることができる。これらのうち、［Ｂ］ｐ
Ｋａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合物および該酸
性化合物から形成される誘導体として、上記一般式［Ｉ
ＩＩ］で表されるスルホン酸系化合物およびこの誘導体
が好ましく用いられ、特にベンゼンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−ト
ルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチ
ルが好ましく用いられる。

【００５７】特に好ましくはｐ−トルエンスルホン酸ブ
チルが用いられる。本発明に係るポリカーボネート組成
物は、上記のような［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオ
ウ含有酸性化合物および／または該酸性化合物から形成
される誘導体を、上記［Ａ］ポリカーボネートに対して
、０．１〜１０ｐｍｍ　、好ましくは０．１〜８ｐｐｍ
　、特に好ましくは０．１〜５ｐｐｍ　の量で含有して
いる。

【００５８】本発明で、ポリカーボネート組成物を構成
する［Ｃ］リン化合物としては、リン酸、亜リン酸、次
亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン酸エステルお
よび亜リン酸エステルを用いることができる。

【００５９】このようなリン酸エステルとしては、具体
的に、たとえば、トリメチルホスフェート、トリエチル
ホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチル
ホスフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデ
シルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジ
ホスフェート、トリス（２−クロロエチル）ホスフェー
ト、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェート
などのトリアルキルホスフェート、トリシクロヘキシル
ホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフェート、
トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート
、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチル
フェニルジフェニルホスフェートなどのトリアリールホ
スフェートなどを挙げることができる。

【００６０】また、亜リン酸エステルとしては、下記一
般式で表される化合物を挙げることができる。 Ｐ（ＯＲ）３　 （式中、Ｒは脂環族炭化水素基、脂肪族炭化水素基また
は芳香族炭化水素基を表す。これらは同一であっても異
なっていてもよい。）このような式で表される化合物と
して、たとえば、トリメチルホスファイト、トリエチル
ホスファイト、トリブチルホスファイト、トリオクチル
ホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファ
イト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクタデシルホスファイト、トリステアリルホ
スファイト、トリス（２−クロロエチル）ホスファイト
、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイトな
どのトリアルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホ
スファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト、ト
リフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、
トリス（エチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，
４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（
ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフ
ェニル）ホスファイトなどのトリアリールホスファイト
、フェニルジデシルホスファイト、ジフェニルデシルホ
スファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フ
ェニルイソオクチルホスファイト、２−エチルヘキシル
ジフェニルホスファイトなどのアリールアルキルホスフ
ァイトなどを挙げることができる。

【００６１】さらに亜リン酸エステルとして、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホス
ファイトなどを挙げることができる。

【００６２】これらの化合物は、単独で、あるいは組み
合わせて用いることができる。これらのうち、［Ｃ］リ
ン化合物として、上記一般式で表される芳香族亜リン酸
エステルが好ましく、特にトリス（２，４−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）ホスファイトが好ましく用いられる。

【００６３】本発明に係るポリカーボネート組成物は、
上記のような［Ｃ］リン化合物を、［Ａ］ポリカーボネ
ートに対して、１０〜１０００ｐｐｍ　、好ましくは５
０〜５００ｐｐｍ　の量で含有している。

【００６４】次に、ポリカーボネート組成物を構成する
［Ｄ］エポキシ化合物について説明する。本発明では、
［Ｄ］エポキシ化合物として、１分子中にエポキシ基を
１個以上有する化合物が用いられる。

【００６５】このようなエポキシ化合物として、具体的
には、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェニ
ルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ｔ
−ブチルフェニルグリシジルエーテル、３，４−エポキ
シシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロ
ヘキシルカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メ
チルシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシ−６
’−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、２，３−
エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシ
シクロヘキシルカルボキシレート、４−（３，４−エポ
キシ−５−メチルシクロヘキシル）ブチル−３’，４’
−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４−
エポキシシクロヘキシルエチレンオキシド、シクロヘキ
シルメチル３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル
メチル−６’−　メチルシロヘキシルカルボキシレート
、ビスフェノール−Ａジグリシジルエーテル、テトラブ
ロモビスフェノール−Ａグリシジルエーテル、フタル酸
のジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸のジグ
リシジルエステル、ビス−エポキシジシクロペンタジエ
ニルエーテル、ビス−エポキシエチレングリコール、ビ
ス−エポキシシクロヘキシルアジペート、ブタジエンジ
エポキシド、テトラフェニルエチレンエポキシド、オク
チルエポキシタレート、エポキシ化ポリブタジエン、３
，４−ジメチル−１，２−エポキシシクロヘキサン、３
，５−ジメチル−１，２−エポキシシクロヘキサン、３
−メチル−５−ｔ−ブチル−１，２−エポキシシクロヘ
キサン、オクタデシル−２，２−ジメチル−３，４−エ
ポキシシクロヘキシルカルボキシレート、Ｎ−ブチル−
２，２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカ
ルボキシレート、シクロヘキシル−２−メチル−３，４
−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、Ｎ−ブチ
ル−２−イソプロピル−３，４−エポキシ−５−メチル
シクロヘキシルカルボキシレート、オクタデシル−３，
４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、２−エ
チルヘキシル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカ
ルボキシレート、４，６−ジメチル−２，３−エポキシ
シクロヘキシル−３’，４’−エポキシシクロヘキシル
カルボキシレート、４，５−エポキシ無水テトラヒドロ
フタル酸、３−ｔ−ブチル−４，５−エポキシ無水テト
ラヒドロフタル酸、ジエチル４，５−エポキシ−シス−
１，２−シクロヘキシルジカルボキシレート、ジ−ｎ−
ブチル−３−ｔ−ブチル−４，５−エポキシ−シス−１
，２−シクロヘキシルジカルボキシレートなどを挙げる
ことができる。

【００６６】これらのうち、脂環族エポキシ化合物が好
ましく用いられ、特に３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキ
シレートが好ましく用いられる。

【００６７】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。本発明に係るポリカーボネート組成物は
、このような［Ｄ］エポキシ化合物を、［Ａ］ポリカー
ボネートに対して、１０〜１０００ｐｐｍ　の量で、好
ましくは５０〜８００ｐｐｍ　の量で含有している。

【００６８】本発明に係るポリカーボネート組成物は、
上記のような［Ａ］ポリカーボネートと、［Ｂ］ｐＫａ
値が３以下であるイオウ含有酸性化合物および／または
該酸性化合物から形成される誘導体と、［Ｃ］リン化合
物と、［Ｄ］エポキシ化合物とから調製されるが、調製
方法は特に限定されない。たとえば、反応器内または押
出機内にある溶融状態の［Ａ］ポリカーボネートに、直
接［Ｂ］、［Ｃ］および［Ｄ］を別々に、あるいは同時
に加え混練する方法、また、得られたポリカーボネート
をペレット化し、このペレットを［Ｂ］、［Ｃ］および
［Ｄ］とともに一軸または二軸押出機などに供給して溶
融混練する方法、得られたポリカーボネートを適当な溶
媒トルエン、テトラヒドロフランなどに溶解させて溶液
を調製し、この溶液に［Ｂ］、［Ｃ］および［Ｄ］を別
々にまたは同時に加え攪拌する方法などを挙げることが
できる。また［Ａ］ポリカーボネートに、［Ｂ］、［Ｃ
］および［Ｄ］を添加する順序は問わない。

【００６９】本発明に係るポリカーボネート組成物は、
本発明の目的を損なわない範囲で、以下に示すような通
常の耐熱安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤などを
含有していてもよい。

【００７０】このような耐熱安定剤としては、具体的に
は、たとえば、フェノール系安定剤、有機チオエーテル
系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤などを挙げること
ができる。

【００７１】フェノール系安定剤としては、たとえば、
ｎ−オクタデシル−３−（４−ヒドロキシ−３’，５’
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート、テトラキ
ス［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−　ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、１
，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−
ｔ−　ブチルフェニル）ブタン、ジステアリル（４−ヒ
ドロキシ−３−メチル−５−ｔ−ブチル）ベンジルマロ
ネート、４−ヒドロキシメチル−２，６−ジ−ｔ−ブチ
ルフェノール等が挙げられ、これらを単独で用いても２
種以上混合して用いてもよい。

【００７２】チオエーテル系安定剤としては、たとえば
、ジラウリル・チオジプロピオネート、ジステアリル・
チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオ
ジプロピオネート、ジトリデシル−３，３’−チオジプ
ロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（
β−ラウリル−チオプロピオネート）などを挙げること
ができる。

【００７３】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。またヒンダードアミン系安定剤としては
、たとえば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４
−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６
−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［
２−｛３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−４−｛３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオニルオキシ｝−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメ
チル−３−オクチル−１，２，３−トリアザスピロ［４
，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオ
キシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、２−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−
ペンタメチル−４−ピペリジル）、テトラキス（２，２
，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）１，２，３
，４−ブタンテトラカルボキシレートなどを挙げること
ができる。

【００７４】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。これらの耐熱安定剤は、［Ａ］ポリカー
ボネート１００重量部に対して、０．００１〜５重量部
、好ましくは０．００５〜０．５重量部、さらに好まし
くは０．０１〜０．３重量部の量で用いられることが望
ましい。

【００７５】このような耐熱安定剤は、固体状で添加し
てもよく、液体状で添加してもよい。このような耐熱安
定剤は、ポリカーボネートが最終重合器から冷却されて
ペレタイズされる間の溶融状態にある間に添加すること
が好ましく、このようにするとポリカーボネートが受け
る熱履歴回数が少ない。また、押出成形やペレタイズな
ど再び加熱処理をする際には、ポリカーボネートは耐熱
安定剤を含有しているので、熱分解を抑制することがで
きる。

【００７６】また、紫外線吸収剤としては、一般的な紫
外線吸収剤でよく、特に限定されないが、たとえば、サ
リチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収
剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリ
レート系紫外線吸収剤などを挙げることができる。

【００７７】サリチル酸系紫外線吸収剤としては、具体
的には、フェニルサリシレート、ｐ−ｔ−ブチルフェニ
ルサリシレートが挙げられる。ベンゾフェノン系紫外線
吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン
、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，
２’−ジヒドロキシ−４−　メトキシベンゾフェノン、
２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾ
フェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カル
ボキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ
−５−スルホベンゾフェノントリヒドレート、２−ヒド
ロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２，２’
，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ド
デシロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、ビス（５
−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル
）メタン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン−５−スルホン酸などが挙げられる。

【００７８】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル
）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’
，５’−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’
−メチル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチ
ル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−
（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベ
ンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５
’−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２
−［２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６
”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチル
フェニル］ベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビ
ス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６
−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール
］などを挙げることができる。

【００７９】シアノアクリレート系紫外線吸収剤として
は、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３−ジフェ
ニルアクリレート、エチル−２−シアノ−３，３−ジフ
ェニルアクリレートなどを挙げることができる。これら
を単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。

【００８０】本発明に係るポリカーボネート組成物は、
このような紫外線吸収剤を、［Ａ］ポリカーボネート１
００重量部に対して、通常０．００１〜５重量部、好ま
しくは０．００５〜１．０重量部、さらに好ましくは０
．０１〜０．５重量部の量で含有していてもよい。

【００８１】さらに、離型剤としては、一般的な離型剤
でよく、特に限定されない。たとえば、炭化水素系離型
剤としては、天然、合成パラフィン類、ポリエチレンワ
ックス類、フルオロカーボン類などを挙げることができ
る。

【００８２】脂肪酸系離型剤としては、ステアリン酸、
ヒドロキシステアリン酸などの高級脂肪酸、オキシ脂肪
酸類などを挙げることができる。脂肪酸アミド系離型剤
としては、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアロ
アミドなどの脂肪酸アミド、アルキレンビス脂肪酸アミ
ド類などを挙げることができる。

【００８３】アルコール系離型剤としては、ステアリル
アルコール、セチルアルコールなどの脂肪族アルコール
、多価アルコール、ポリグリコール、ポリグリセロール
類などを挙げることができる。

【００８４】脂肪酸エステル系離型剤としては、ブチル
ステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレー
トなどの脂肪族酸低級アルコールエステル、脂肪酸多価
アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル類
などを挙げることができる。

【００８５】シリコーン系離型剤としては、シリコーン
オイル類などを挙げることができる。これらは単独で用
いても、２種以上混合して用いてもよい。

【００８６】本発明に係るポリカーボネート組成物は、
このような離型剤を、［Ａ］ポリカーボネート１００重
量部に対して、通常、０．００１〜５重量部、好ましく
は０．００５〜１重量部、さらに好ましくは０．０１〜
０．５重量部の量で含有していてもよい。

【００８７】着色剤としては、顔料であってもよく、染
料であってもよい。着色剤には、無機系と有機系の着色
剤があるが、どちらを使用してもよく、また、組み合わ
せて用いてもよい。

【００８８】無機系着色剤として、具体的には、二酸化
チタン、ベンガラなどの酸化物、アルミナホワイトなど
の水酸化物、硫化亜鉛などの硫化物、セレン化物、紺青
などのフェロシアン化物、ジンククロ　　メート、モリ
ブデンレッドなどのクロム酸塩、硫酸バリウムなどの硫
酸塩、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、群青などの硅酸塩
、マンガンバイオレットなどのリン酸塩、カーボンブラ
ックなどの炭素、ブロンズ粉やアルミニウム粉などの金
属粉着色剤などが挙げられる。

【００８９】有機系着色剤としては、具体的には、ナフ
トールグリーンＢなどのニトロソ系、ナフトールイエロ
−Ｓなどのニトロ系、リソールレッドやボルドー１０Ｂ
、ナフトールレッド、クロモフタールイエローなどのア
ゾ系、フタロシアニンブルーやファストスカイブルーな
どのフタロシアニン系、インダントロンブルーやキナク
ソドンバイオレット、ジオクサジンバイオレットなどの
縮合多環系着色剤などが挙げられる。

【００９０】これらの着色剤は、単独で用いても組み合
わせて用いてもよい。これらの着色剤は、ポリカーボネ
ート組成物中に、［Ａ］ポリカーボネート１００重量部
に対して、通常１×１０−６〜５重量部、好ましくは１
×１０−５〜３重量部、さらに好ましくは１×１０−５
〜１重量部の量で含有されていてよい。

【００９１】さらに本発明に係るポリカーボネート組成
物は、本発明の目的を損なわない範囲で、帯電防止剤、
スリップ剤、アンチブロッキング剤、滑剤、防曇剤、天
然油、合成油、ワックス、有機系充填剤、無機系充填剤
などを含有していてもよい。

【００９２】本発明に係るポリカーボネート組成物では
、上記のように［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含
有酸性化合物および／または該酸性化合物から形成され
る誘導体を、１０ｐｍｍ　未満の量で含有しており、従
来のポリカーボネートに比べて、特に溶融時の熱安定性
が向上されている。このようなポリカーボネート組成物
では、長時間溶融状態にあっても熱分解を起こしにくく
、特に成形時に分子量が低下しにくい。また、ポリカー
ボネート組成物は、色相安定性にも優れており、成形時
に着色しにくい。

【００９３】さらに、本発明に係るポリカーボネート組
成物は、［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有酸性
化合物および／または該酸性化合物から形成される誘導
体および［Ｃ］リン化合物などの酸性化合物を含有して
いるにも拘らず、［Ｄ］エポキシ化合物によって中性化
されており、耐水性にも優れている。

【００９４】このような本発明に係るポリカーボネート
組成物は、成形時の熱安定性に優れ、色相安定性に優れ
るとともに、使用時においても長時間に亘って耐水性お
よび透明性に優れた成形体を形成しうる。

【００９５】

【発明の効果】本発明に係るポリカーボネート組成物は
、成形時の熱安定性に優れ、色相安定性に優れるととも
に、使用時においても長時間に亘って耐水性および透明
性に優れた成形体を形成しうる。

【００９６】したがって、本発明に係るポリカーボネー
ト組成物を成形して得られる成形体は、特にシートやレ
ンズ、コンパクトディスクなどの光学用成形体をはじめ
として、透明性、色相安定性などが要求される用途にも
広く利用することができる。

【００９７】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００９８】なお、本明細書において、ポリカーボネー
ト組成物の極限粘度〔ＩＶ〕、ＭＦＲ、色相〔ＹＩ〕、
光線透過率、ヘイズ、滞留安定性、耐水性は、以下のよ
うにして測定される。

【００９９】［極限粘度〔ＩＶ〕］塩化メチレン中、２
０℃でウベローデ粘度計を用いて測定した。［ＭＦＲ］
ＪＩＳ　　Ｋ−７２１０の方法に準拠し、温度３００℃
、荷重１．２Ｋｇで測定した。

【０１００】［色相］３ｍｍ厚の射出成形板をシリンダ
ー温度２９０℃、射出圧力１０００Ｋｇ／ｃｍ、１サイ
クル４５秒、金型温度１００℃で成形し、Ｘ、Ｙ、Ｚ値
を日本電色工業（株）　製の　Ｃｏｌｏｒａｎｄ　Ｃｏ
ｌｏｒ　Ｄｅｆｆｅｒｅｎｃｅ　Ｍｅｔｅｒ　ＮＤ−１
００１　ＤＰ　を用いて透過法で測定し、黄色度〔ＹＩ
〕を測定した。

【０１０１】 ＹＩ＝１００（１．２７７Ｘ−１．０６０Ｚ）／Ｙ［光
線透過率］ＡＡＳＴＭ　　Ｄ　　１００３の方法に従い
、色相測定用の射出成形板を用いて測定した。

【０１０２】［ヘイズ］日本電色工業（　株）　製のＮ
ＤＨ−２００を用い、色相測定用の射出成形板のヘイズ
を測定した。

【０１０３】［滞留安定性］３２０℃の温度で１５分間
射出成形機のシリンダー内に樹脂を滞留させた後、その
温度で射出成形を行い、その成形板のＭＦＲ、色相（Ｙ
Ｉ）、光線透過率を測定した。

【０１０４】［耐水性］色相測定用の射出成形板をオー
トクレーブ中の水に浸漬し、１２５℃のオーブン中に５
日間保持する。この試験片を用いてヘイズを測定した。

【０１０５】

【実施例１】ビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチ
ックス（株）製）０．４４キロモルと、ジフェニルカー
ボネート（エニィ社製）０．４６キロモルとを２５０リ
ットル槽型攪拌槽に仕込み、窒素置換をした後に、１４
０℃で溶解した。

【０１０６】次にこれを１８０℃の温度まで昇温し、触
媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを０．
１１モルおよび水酸化ナトリウムを０．０００４４モル
（１×１０−６モル／モル−ビスフェノールＡ）添加し
３０分間攪拌する。

【０１０７】次に、温度を２１０℃まで昇温させると同
時に除々に２００ｍｍＨｇまで下げて３０分後、温度を
２４０℃まで昇温させると同時に徐々に１５ｍｍＨｇま
で下げて温度圧力を一定に保ち留出するフェノールの量
を測定し、留出するフェノールがなくなった時点で窒素
にて大気圧に戻した。反応に要した時間は１時間であっ
た。 得られた反応物の極限粘度〔ＩＶ〕は０．１５ｄｌ／ｇ
であった。

【０１０８】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、遠
心式薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の
温度、圧力はそれぞれ２７０℃、２ｍｍＨｇにコントロ
ールした。蒸発機下部よりギヤポンプにて２９０℃、０
．２ｍｍＨｇにコントロールされた２軸横型攪拌重合槽
（Ｌ／Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０ｍｍ、内容積８０
リットル）に４０ｋｇ／時間で送り込み滞留時間３０分
にて重合させた。

【０１０９】次に、溶融状態のままで、このポリマーを
ギヤポンプにて２軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル
温度２８５℃）に送入し、樹脂に対して、ｐ−トルエン
スルホン酸ブチル１．８ｐｐｍ　、トリス（２，４−ジ
−ｔ−　ブチルフェニル）ホスファイト（マーク　２１
１２　：アデカアーガス社製）３００ｐｐｍ　、３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−　エポ
キシシクロヘキシルカルボキシレート（セロキサイド２
０２１Ｐ：ダイセル化学社製）３００ｐｐｍ　を混練し
、ダイを通してストランド状とし、カッターで切断して
ペレットとした。

【０１１０】得られたポリマーの極限粘度〔ＩＶ〕は０
．４９ｄｌ／ｇであった。結果を表１に示す。

【０１１１】

【実施例２】実施例１において、重合温度を２８０℃に
した以外は実施例１と同様の方法でペレットを得た。

【０１１２】結果を表１に示す。

【０１１３】

【実施例３，４】実施例１において、ｐ−トルエンスル
ホン酸ブチルのかわりに表１に記載の化合物を表１に記
載した量用いた他は実施例１と同様の方法によってペレ
ットを得た。

【０１１４】結果を表１に示す。

【０１１５】

【実施例５】実施例１において、ｐ−トルエンスルホン
酸ブチルを表１に記載した量用いた他は実施例１と同様
の方法によってペレットを得た。

【０１１６】結果を表１に示す。

【０１１７】

【比較例１】実施例１において、トリス（２，４−ジ−
ｔ−　ブチルフェニル）ホスファイトと３，４−エポキ
シシクロヘキシルメチル−３’，４’−　エポキシシク
ロヘキシルカルボキシレートを添加しなかった以外は実
施例１と同様の方法でペレットを得た。

【０１１８】結果を表１に示す。

【０１１９】

【比較例２】実施例１において、３，４−エポキシシク
ロヘキシルメチル−３’，４’−　エポキシシクロヘキ
シルカルボキシレートを添加しなかった以外は実施例１
と同様の方法でペレットを得た。

【０１２０】結果を表１に示す。

【０１２１】

【比較例３】実施例１において、トリス（２，４−ジ−
ｔ−　ブチルフェニル）ホスファイトを添加しなかった
以外は実施例１と同様の方法でペレットを得た。

【０１２２】結果を表１に示す。

【０１２３】

【比較例４】実施例１において、ｐ−トルエンスルホン
酸ブチルを添加しなかった以外は実施例１と同様の方法
でペレットを得た。

【０１２４】結果を表１に示す。

【０１２５】

【比較例５】実施例１において、ｐ−トルエンスルホン
酸ブチルとトリス（２，４−ジ−ｔ−　ブチルフェニル
）ホスファイトと３，４−エポキシシクロヘキシルメチ
ル−３’，４’−　エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レートを添加しなかった以外は実施例１と同様の方法で
ペレットを得た。

【０１２６】結果を表１に示す。

【０１２７】

【比較例６】実施例１において、ｐ−トルエンスルホン
酸ブチルを表１に記載した量用いた他は実施例１と同様
の方法でペレットを得た。

【０１２８】結果を表１に示す。

【０１２９】

【表１】

【０１３０】

【表２】

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】［Ａ］ポリカーボネートと、該［Ａ］ポリ
   カーボネートに対して、［Ｂ］０．１〜１０ｐｐｍ　の
   量のｐＫａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合物およ
   び／または該酸性化合物から形成される誘導体と、［Ｃ
   ］１０〜１０００ｐｐｍ　の量のリン化合物と、［Ｄ］
   １〜２０００ｐｐｍ　の量のエポキシ化合物とからなる
   ことを特徴とするポリカーボネート組成物。
2. 【請求項２】［Ａ］ポリカーボネートが、（ａ）　芳香
   族ジヒドロキシ化合物総量１モルに対して、１０−８〜
   １０−３モルの量のアルカリ金属化合物および／または
   アルカリ土類金属化合物、を含有する触媒の存在下に、
   芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを溶融重
   縮合させて得られたポリカーボネートであることを特徴
   とする請求項１に記載のポリカーボネート組成物。
3. 【請求項３】［Ａ］ポリカーボネートが、芳香族ジヒド
   ロキシ化合物と炭酸ジエステルとを、（ａ）　芳香族ジ
   ヒドロキシ化合物１モルに対して、１０−７〜２×１０
   −６モルの量のアルカリ金属化合物および／またはアル
   カリ土類金属化合物、を含有する触媒の存在下に、芳香
   族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを溶融重縮合
   させて得られたポリカーボネートであることを特徴とす
   る請求項１に記載のポリカーボネート組成物。
4. 【請求項４】［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有
   酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
   誘導体が、［Ａ］ポリカーボネートに対して、０．１〜
   ８ｐｐｍの量で含有されていることを特徴とする請求項
   １〜３のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。
5. 【請求項５】［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有
   酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
   誘導体が、［Ａ］ポリカーボネートに対して、０．１〜
   ５ｐｐｍの量で含有されていることを特徴とする請求項
   １〜４のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。
6. 【請求項６】［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有
   酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
   誘導体として、下記一般式［ＩＩＩ　］で表される化合
   物が、［Ａ］ポリカーボネートに対して、含有されてい
   ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポ
   リカーボネート組成物： 【化１】 式中、Ｒ７　は炭素数１〜５０の炭化水素基（水素はハ
   ロゲンで置換されていてもよい）であり、Ｒ８　は水素
   または炭素数１〜５０の炭化水素基（水素はハロゲンで
   置換されていてもよい）であり、ｎは０〜３の整数であ
   る。
7. 【請求項７】［Ｂ］ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有
   酸性化合物および／または該酸性化合物から形成される
   誘導体が、ｐ−トルエンスルホン酸ブチルであることを
   特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポリカーボ
   ネート組成物。
8. 【請求項８】［Ｃ］リン化合物が、［Ａ］ポリカーボネ
   ートに対して、５０〜５００ｐｐｍ　の量で含有されて
   いることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
   ポリカーボネート組成物。
9. 【請求項９】［Ｃ］リン化合物が、芳香族亜リン酸エス
   テル化合物であることを特徴とする請求項１〜８のいず
   れかに記載のポリカーボネート組成物。
10. 【請求項１０】請求項６に記載された一般式で表される
    ［Ｃ］リン化合物が、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
    フェニル）ホスファイトであることを特徴とする請求項
    １〜９のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。
11. 【請求項１１】［Ｄ］エポキシ化合物が、［Ａ］ポリカ
    ーボネートに対して、１０〜１０００ｐｐｍ　の量で含
    有されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれ
    かに記載のポリカーボネート組成物。
12. 【請求項１２】［Ｄ］エポキシ化合物が、脂環族エポキ
    シ化合物であることを特徴とする請求項１〜１１のいず
    れかに記載のポリカーボネート組成物。
13. 【請求項１３】［Ｄ］エポキシ化合物が、３，４−エポ
    キシシクロヘキシルメチル−３’，４’−　エポキシシ
    クロヘキシルカルボキシレートであることを特徴とする
    請求項１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート組
    成物。