JPH04328236A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH04328236A JPH04328236A JP3097319A JP9731991A JPH04328236A JP H04328236 A JPH04328236 A JP H04328236A JP 3097319 A JP3097319 A JP 3097319A JP 9731991 A JP9731991 A JP 9731991A JP H04328236 A JPH04328236 A JP H04328236A
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- electron beam
- electrodes
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光装置に
関し、より詳しくは、荷電粒子を偏向させる静電型偏向
器を備えた電子ビーム露光装置に関する。
関し、より詳しくは、荷電粒子を偏向させる静電型偏向
器を備えた電子ビーム露光装置に関する。
【０００２】荷電粒子の一つである電子ビームを用いた
露光装置においては、低収差、高速偏向が要求されるた
め、走査速度が速く、低電圧で動作する静電型偏向器が
使用されている。
露光装置においては、低収差、高速偏向が要求されるた
め、走査速度が速く、低電圧で動作する静電型偏向器が
使用されている。
【０００３】
【従来の技術】電子ビーム露光装置には、電子ビームを
整形して試料に照射する構造のものがあり、その整形は
、電子ビームをブロックマスクの開口パターンに透過さ
せて行う。そして、開口パターンが複数形成されている
場合には、静電型偏向器により電子ビームの軌道を偏向
して開口パターンを選択することが行われている。
整形して試料に照射する構造のものがあり、その整形は
、電子ビームをブロックマスクの開口パターンに透過さ
せて行う。そして、開口パターンが複数形成されている
場合には、静電型偏向器により電子ビームの軌道を偏向
して開口パターンを選択することが行われている。
【０００４】また、電子ビームを走査させる場合に、大
きな偏向を電磁型偏向器によって行い、小さな偏向を応
答の速い静電型偏向器で行わせる装置がある。
きな偏向を電磁型偏向器によって行い、小さな偏向を応
答の速い静電型偏向器で行わせる装置がある。
【０００５】ところで、その静電型偏向器は、図４に例
示するように、複数の電極ａを一定間隔をおいて円線上
に配置し、それらに所定の電圧を印加して内部空間に一
方向の電界を形成し、その電界と反対方向に電子ビーム
を偏向させる構造のものが一般に採用されている。
示するように、複数の電極ａを一定間隔をおいて円線上
に配置し、それらに所定の電圧を印加して内部空間に一
方向の電界を形成し、その電界と反対方向に電子ビーム
を偏向させる構造のものが一般に採用されている。
【０００６】そして、電極ａは、図４（Ａ） に示すよ
うに、絶縁性の円筒状支持体ｂの内面に取付けられるが
、この装置によれば、電極ａの間から露出する円筒状支
持体ｂはもともと絶縁体であるため、散乱電子が蓄積し
、その電界により、本来の偏向電界が乱れ、ボケが生じ
たり、偏向精度を低下させるといった問題を生じる。
うに、絶縁性の円筒状支持体ｂの内面に取付けられるが
、この装置によれば、電極ａの間から露出する円筒状支
持体ｂはもともと絶縁体であるため、散乱電子が蓄積し
、その電界により、本来の偏向電界が乱れ、ボケが生じ
たり、偏向精度を低下させるといった問題を生じる。
【０００７】このような問題を解消するために、図４（
Ｂ） に示すように、円筒状支持体ｂの内面にメッキ法
により金属膜ｃを形成し、この金属膜ｃを接地させる装
置が提案されている。しかし、この装置によれば、電極
ａと金属膜ｃを絶縁するスペースが必要となり、さらに
電極を個々に固定する必要があるために支持体ｂの径が
大きくなり、これによりその外部を囲む磁界型偏向器の
電磁コイルも大きくなるために、そのインダクタンスが
増加し、電子ビームの走査速度を低下させ、さらに、電
磁コイルの偏向効率を低下させてしまうことになる。
Ｂ） に示すように、円筒状支持体ｂの内面にメッキ法
により金属膜ｃを形成し、この金属膜ｃを接地させる装
置が提案されている。しかし、この装置によれば、電極
ａと金属膜ｃを絶縁するスペースが必要となり、さらに
電極を個々に固定する必要があるために支持体ｂの径が
大きくなり、これによりその外部を囲む磁界型偏向器の
電磁コイルも大きくなるために、そのインダクタンスが
増加し、電子ビームの走査速度を低下させ、さらに、電
磁コイルの偏向効率を低下させてしまうことになる。
【０００８】そこで、図５に示すように、円筒型支持体
ｄの電極形成領域の間にＴ字型溝ｅを形成し、さらに、
その電極形成領域に隠れる部分を除いて円筒型支持体ｄ
の内面に金属膜ｈを形成したことを特徴とする装置を、
本出願人が特願平１−６８３２６号において提案してい
る。
ｄの電極形成領域の間にＴ字型溝ｅを形成し、さらに、
その電極形成領域に隠れる部分を除いて円筒型支持体ｄ
の内面に金属膜ｈを形成したことを特徴とする装置を、
本出願人が特願平１−６８３２６号において提案してい
る。
【０００９】この装置によれば、電極形成領域に形成さ
れた金属膜ｆは電極ｇとなり、その電極ｇは薄いために
、装置の大型化は防止される。しかも、電極ｇはその裏
側の溝ｅの一部領域で分離されているために、溝ｅのう
ち電極ｇの間隙から露出する部分は金属膜ｆにより被覆
された状態となり、この領域におけるチャージアップは
発生しなくなり、電子ビームのボケの発生は抑制される
。
れた金属膜ｆは電極ｇとなり、その電極ｇは薄いために
、装置の大型化は防止される。しかも、電極ｇはその裏
側の溝ｅの一部領域で分離されているために、溝ｅのう
ち電極ｇの間隙から露出する部分は金属膜ｆにより被覆
された状態となり、この領域におけるチャージアップは
発生しなくなり、電子ビームのボケの発生は抑制される
。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この構造によ
れば、絶縁性のセラミックを射出成形して円筒型支持体
ｄを製作することになるために、電極形成領域の間の溝
部ｅの表面を滑らかに加工することは困難であり、荒れ
たその面にメッキを行うと金属膜ｆにピンホールが発生
し易くなり、これによりチャージアップが生じるといっ
た問題がある。
れば、絶縁性のセラミックを射出成形して円筒型支持体
ｄを製作することになるために、電極形成領域の間の溝
部ｅの表面を滑らかに加工することは困難であり、荒れ
たその面にメッキを行うと金属膜ｆにピンホールが発生
し易くなり、これによりチャージアップが生じるといっ
た問題がある。
【００１１】また、金属、フォトレジスト等の微粉末が
Ｔ字型溝ｅ内に入り込むと、それを完全に除去すること
は構造上難しく、その量が多くなると、これに付着した
電子の影響は無視できなくなる。
Ｔ字型溝ｅ内に入り込むと、それを完全に除去すること
は構造上難しく、その量が多くなると、これに付着した
電子の影響は無視できなくなる。
【００１２】ところで、電極の幅が広く、その数が少な
い場合には、図４（Ａ） の破線で示すように、電極ａ
の近くの等電位面が歪曲するために、ここを通る電子ビ
ームの偏向収差が大きくなる。従って、電界を一方向に
均一に形成するためには、電極ａを狭くしたり、その数
を増やして緻密な電位分布を与える必要があるが、静電
型偏向器の大きさは偏向の高速性、能率等を考慮して小
型であることが好ましので、小径の円筒型支持体ｂ内に
電極ａを多く形成することは困難である。
い場合には、図４（Ａ） の破線で示すように、電極ａ
の近くの等電位面が歪曲するために、ここを通る電子ビ
ームの偏向収差が大きくなる。従って、電界を一方向に
均一に形成するためには、電極ａを狭くしたり、その数
を増やして緻密な電位分布を与える必要があるが、静電
型偏向器の大きさは偏向の高速性、能率等を考慮して小
型であることが好ましので、小径の円筒型支持体ｂ内に
電極ａを多く形成することは困難である。
【００１３】特に、図５に示す装置においては、溝ｅ内
に蓄積する電荷の影響を少なくするために、電極ｇによ
って溝ｅを広く覆う必要があり、電極ｇの幅が広くなっ
て電界の乱れは大きくなるといったきらいがある。
に蓄積する電荷の影響を少なくするために、電極ｇによ
って溝ｅを広く覆う必要があり、電極ｇの幅が広くなっ
て電界の乱れは大きくなるといったきらいがある。
【００１４】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、電荷の蓄積を防止してチャージアップを
抑制するとともに、筒状支持体内部空間の電界を一方向
に均一に形成することができる電子ビーム露光装置を提
供することを目的とする。
ものであって、電荷の蓄積を防止してチャージアップを
抑制するとともに、筒状支持体内部空間の電界を一方向
に均一に形成することができる電子ビーム露光装置を提
供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１、
２に例示するように、電気伝導性のある円筒型支持体２
，５の外面周方向に間隔をおいて複数の電極３，４を取
付けるとともに、電極間にわずかに電流を流すことによ
り前記円筒型支持体２，５の円筒内面において周方向に
電位差を生じさせ内部空洞における荷電粒子偏向方向と
逆向きの電界を生じさせる電圧を複数の前記電極３，４
に印加する静電型偏向器１を有することを特徴とする電
子ビーム露光装置により達成する。
２に例示するように、電気伝導性のある円筒型支持体２
，５の外面周方向に間隔をおいて複数の電極３，４を取
付けるとともに、電極間にわずかに電流を流すことによ
り前記円筒型支持体２，５の円筒内面において周方向に
電位差を生じさせ内部空洞における荷電粒子偏向方向と
逆向きの電界を生じさせる電圧を複数の前記電極３，４
に印加する静電型偏向器１を有することを特徴とする電
子ビーム露光装置により達成する。
【００１６】または、前記円筒型支持体２の比抵抗が１
０００Ωｍ〜１００００Ωｍであることを特徴とする前
記電子ビーム露光装置によって達成する。
０００Ωｍ〜１００００Ωｍであることを特徴とする前
記電子ビーム露光装置によって達成する。
【００１７】または、前記円筒型支持体５の外周が断面
多角形に形成されていることを特徴とする前記電子ビー
ム露光装置により達成する。
多角形に形成されていることを特徴とする前記電子ビー
ム露光装置により達成する。
【００１８】または、前記電極４が螺旋状、又は前記筒
型支持体の軸に平行な直線状に形成されていることを特
徴とする前記電子ビーム露光装置によって達成する。
型支持体の軸に平行な直線状に形成されていることを特
徴とする前記電子ビーム露光装置によって達成する。
【００１９】
【作 用】本発明によれば、電気伝導性のある円筒型
支持体２，５の外面周方向に間隔をおいて複数の電極３
，４を取付けるとともに、各電極に電圧を印加して荷電
粒子偏向方向に逆向きの電界を生じさせるようにしてい
る。
支持体２，５の外面周方向に間隔をおいて複数の電極３
，４を取付けるとともに、各電極に電圧を印加して荷電
粒子偏向方向に逆向きの電界を生じさせるようにしてい
る。
【００２０】このため、円筒型支持体２の壁内において
は偏向方向と逆向きの成分を有する電流がその周に沿っ
て流れ、これにより円筒状支持体２の壁内において電位
が同方向に連続して変化することになる。
は偏向方向と逆向きの成分を有する電流がその周に沿っ
て流れ、これにより円筒状支持体２の壁内において電位
が同方向に連続して変化することになる。
【００２１】したがって、円筒状支持体２の内部空間に
おいては、偏向方向と逆向きの均一な電界が形成され、
偏向方向に垂直な乱れの少ない等電位面がその空間に形
成されることになる。
おいては、偏向方向と逆向きの均一な電界が形成され、
偏向方向に垂直な乱れの少ない等電位面がその空間に形
成されることになる。
【００２２】しかも、電極３を筒状支持体２の外周面に
設けるようにしているために、その取付けや幅の制御、
及び極数を多くすることは容易であり、その幅を電極間
の距離と比較して十分に小さくすれば、円筒状支持体２
の壁内で発生する電位は限り無く電極数を増加させたと
等価的に同じ作用となり、これにより非常に均一性の良
い電界が内部空間に形成されることになる。
設けるようにしているために、その取付けや幅の制御、
及び極数を多くすることは容易であり、その幅を電極間
の距離と比較して十分に小さくすれば、円筒状支持体２
の壁内で発生する電位は限り無く電極数を増加させたと
等価的に同じ作用となり、これにより非常に均一性の良
い電界が内部空間に形成されることになる。
【００２３】この結果、荷電粒子が中心からズレたとし
ても、等電位面に生じる歪みは少ないために加速電界の
影響を強く受けることはなく、大きな収差は生じない。 さらに、外周電極の数を多くすることにより、電位の精
密な調整が可能になる。
ても、等電位面に生じる歪みは少ないために加速電界の
影響を強く受けることはなく、大きな収差は生じない。 さらに、外周電極の数を多くすることにより、電位の精
密な調整が可能になる。
【００２４】しかも、この装置によれば、筒状支持体２
の内面に電極３を設けず、露出させているために、その
鏡面加工が容易になるとともに、その内部の塵を除去し
てその内面を清浄な状態に保持することが容易となり、
チャージアップの原因となる電荷の蓄積は防止される。
の内面に電極３を設けず、露出させているために、その
鏡面加工が容易になるとともに、その内部の塵を除去し
てその内面を清浄な状態に保持することが容易となり、
チャージアップの原因となる電荷の蓄積は防止される。
【００２５】また、第２の発明によれば、円筒状支持体
２の比抵抗を１０００〜１００００ Ωｍとしているた
めに、この程度の抵抗であれば、円筒状支持体２の周に
沿って確実に電位差を生じさせることができる。
２の比抵抗を１０００〜１００００ Ωｍとしているた
めに、この程度の抵抗であれば、円筒状支持体２の周に
沿って確実に電位差を生じさせることができる。
【００２６】さらに、第３の発明において、前記円筒型
支持体５の外周を断面多角形にしているために、その平
坦面に電極を形成すれば、その取付けが容易になる。
支持体５の外周を断面多角形にしているために、その平
坦面に電極を形成すれば、その取付けが容易になる。
【００２７】また、第４の発明によれば、電極４を螺旋
状や直線状に取付けているために、荷電粒子の軌跡に沿
って最適な偏向電界が得られる。
状や直線状に取付けているために、荷電粒子の軌跡に沿
って最適な偏向電界が得られる。
【００２８】
【実施例】（ａ）本発明の第１の実施例の説明図１（Ａ
），（Ｂ） は、本発明の第１実施例装置を示す断面図
及び部分拡大断面図、図２は、その斜視図である。
），（Ｂ） は、本発明の第１実施例装置を示す断面図
及び部分拡大断面図、図２は、その斜視図である。
【００２９】図中符号１は、電子ビーム装置に取付られ
る静電型偏向器で、導電性の円筒状支持体２と複数の電
極３を有し、その円筒状支持体２は、比抵抗１０００〜
１００００ Ωｍ程度の炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭素
含有ガラス等のセラミックからなり、例えば内径１０ｍ
ｍ、肉厚１ｍｍ、高さ３０ｍｍの大きさに形成されてい
る。
る静電型偏向器で、導電性の円筒状支持体２と複数の電
極３を有し、その円筒状支持体２は、比抵抗１０００〜
１００００ Ωｍ程度の炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭素
含有ガラス等のセラミックからなり、例えば内径１０ｍ
ｍ、肉厚１ｍｍ、高さ３０ｍｍの大きさに形成されてい
る。
【００３０】また、電極３は、Ｍｏ、Ｍｎ、Ａｕ等の金
属等により幅１ｍｍの帯状に形成されたもので、その外
周面に円筒状支持体２の軸方と平行に取付られ、しかも
、その中心軸から４５°の傾きとなるように一定間隔を
おいて周方向に８極（３ａ〜３ｈ）配置されている。
属等により幅１ｍｍの帯状に形成されたもので、その外
周面に円筒状支持体２の軸方と平行に取付られ、しかも
、その中心軸から４５°の傾きとなるように一定間隔を
おいて周方向に８極（３ａ〜３ｈ）配置されている。
【００３１】このような状態において、内部に電界を発
生させるために制御回路（不図示）から、対向する第一
の電極３ａ及び第五の電極３ｅにそれぞれＶ０ 、−Ｖ
０ の電圧を印加し、第一の電極３ａの両脇の第二及び
第８の電極３ｂ，３ｈにはＶ０ ／（√２）の電圧を、
第五の電極３ｅの両脇の第四及び第六の電極３ｄ，３ｆ
には−Ｖ０ ／（√２）の電圧を印加するとともに、そ
の残りの第三の電極３ｃ及び第七の電極３ｇを接地して
零電位とする。
生させるために制御回路（不図示）から、対向する第一
の電極３ａ及び第五の電極３ｅにそれぞれＶ０ 、−Ｖ
０ の電圧を印加し、第一の電極３ａの両脇の第二及び
第８の電極３ｂ，３ｈにはＶ０ ／（√２）の電圧を、
第五の電極３ｅの両脇の第四及び第六の電極３ｄ，３ｆ
には−Ｖ０ ／（√２）の電圧を印加するとともに、そ
の残りの第三の電極３ｃ及び第七の電極３ｇを接地して
零電位とする。
【００３２】これによれば、円筒状支持体２は比抵抗１
０００〜１００００ Ωｍ程度の導電材より形成されて
いるために、支持体２は周方向に等電位とならず、第一
の電極３ａから第五の電極３ｅの向きのその周に沿って
例えば数ｍＡ程度の小さな電流が流れ、これにより円筒
状支持体２の壁において電位が連続して変化する。
０００〜１００００ Ωｍ程度の導電材より形成されて
いるために、支持体２は周方向に等電位とならず、第一
の電極３ａから第五の電極３ｅの向きのその周に沿って
例えば数ｍＡ程度の小さな電流が流れ、これにより円筒
状支持体２の壁において電位が連続して変化する。
【００３３】このため、円筒状支持体２の内部空間にお
いては、第一の電極３ａから第五の電極３ｅ方向、即ち
図１（Ａ） のｘ方向に均一な大きさの電界が形成され
、ｙ方向に平行な等電位面がその内部空間に形成される
ことになる。
いては、第一の電極３ａから第五の電極３ｅ方向、即ち
図１（Ａ） のｘ方向に均一な大きさの電界が形成され
、ｙ方向に平行な等電位面がその内部空間に形成される
ことになる。
【００３４】しかも、電極３を筒状支持体２の外周面に
設けるようにしているために、その取付けや幅の調整は
容易であり、電極３の幅を電極相互間の距離と比較して
十分に小さくすれば、円筒状支持体２の壁内で発生する
電位は限り無く電極数を増加させたと等しい作用が得ら
れ、これにより非常に均一性の良い電界が内部空間に形
成されることになる。
設けるようにしているために、その取付けや幅の調整は
容易であり、電極３の幅を電極相互間の距離と比較して
十分に小さくすれば、円筒状支持体２の壁内で発生する
電位は限り無く電極数を増加させたと等しい作用が得ら
れ、これにより非常に均一性の良い電界が内部空間に形
成されることになる。
【００３５】この結果、荷電粒子が中心からズレたとし
ても、等電位面の歪みが少ないために、加速電界の影響
を強く受けることはなく、大きな収差が生じることはな
い。
ても、等電位面の歪みが少ないために、加速電界の影響
を強く受けることはなく、大きな収差が生じることはな
い。
【００３６】なお、偏向方向は図１（Ａ） の矢印に示
すように電界と逆向きとなる。
すように電界と逆向きとなる。
【００３７】（ｂ）本発明のその他の実施例の説明上記
実施例は、電極を８極取付ける場合について説明したが
、極数はこれに限るものではなく、電極の幅を狭くして
その極数をさらに多くすれば、電位をさらに位置精度良
く制御できることになり、円筒状支持体２の内部の電界
はさらに均一になる。
実施例は、電極を８極取付ける場合について説明したが
、極数はこれに限るものではなく、電極の幅を狭くして
その極数をさらに多くすれば、電位をさらに位置精度良
く制御できることになり、円筒状支持体２の内部の電界
はさらに均一になる。
【００３８】この場合の電極の電圧の大きさは次のよう
にして設定する。
にして設定する。
【００３９】即ち、図２に示すように、荷電粒子偏向方
向と直交する径を基準線にして、円筒状支持体２の軸を
中心にした所定の電極の傾きをθとする。また、円筒状
支持体２内部の半径をｒ、偏向方向にある電極に印加す
る最大の電圧をＶ１ とすると、傾きθの電極の印加電
圧Ｖは、Ｖ＝Ｖ１ ・ｒ・ ｓｉｎθとなる。
向と直交する径を基準線にして、円筒状支持体２の軸を
中心にした所定の電極の傾きをθとする。また、円筒状
支持体２内部の半径をｒ、偏向方向にある電極に印加す
る最大の電圧をＶ１ とすると、傾きθの電極の印加電
圧Ｖは、Ｖ＝Ｖ１ ・ｒ・ ｓｉｎθとなる。
【００４０】また、上記した実施例では、電極３を円筒
状支持体２の軸と平行に取付たが、支持体の内部空洞を
通過する荷電粒子の軌道に沿って、例えば螺旋状に配置
してもよい。
状支持体２の軸と平行に取付たが、支持体の内部空洞を
通過する荷電粒子の軌道に沿って、例えば螺旋状に配置
してもよい。
【００４１】さらに、円筒状支持体の外周の断面は図２
に示すように円形にしてもよいし、図３に示すように、
電極３の極数に合わせて八角形、十角形等の多角形の支
持体５にしてもよく、これによれば、電極４の取付が容
易になる。また、電極４を螺旋状に取り付ける場合には
、図３に示すように、多角形を構成する長方形の面の対
角線方向に電極４を取付れば、螺旋状に電極４を取付た
と等しくなり、その取付が簡単になる。
に示すように円形にしてもよいし、図３に示すように、
電極３の極数に合わせて八角形、十角形等の多角形の支
持体５にしてもよく、これによれば、電極４の取付が容
易になる。また、電極４を螺旋状に取り付ける場合には
、図３に示すように、多角形を構成する長方形の面の対
角線方向に電極４を取付れば、螺旋状に電極４を取付た
と等しくなり、その取付が簡単になる。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、電気
伝導性のある円筒型支持体の外面周方向に間隔をおいて
複数の電極を取付けるとともに、各電極に電圧を印加し
て荷電粒子偏向方向に電位差を生じさせるようにしてい
るので、円筒型支持体の壁内においては偏向方向と逆の
方向成分を有する電流がその周に沿って流れ、これによ
り円筒状支持体の壁内において電位が連続して変化し、
その内部空間においては、偏向方向と逆向きの電界を形
成され、偏向方向に垂直な乱れの少ない等電位面をその
内部空間に形成することができ、荷電粒子が中心からズ
レたとしても、加速電界の影響が少なくなり、焦点収差
を少なくすることができる。
伝導性のある円筒型支持体の外面周方向に間隔をおいて
複数の電極を取付けるとともに、各電極に電圧を印加し
て荷電粒子偏向方向に電位差を生じさせるようにしてい
るので、円筒型支持体の壁内においては偏向方向と逆の
方向成分を有する電流がその周に沿って流れ、これによ
り円筒状支持体の壁内において電位が連続して変化し、
その内部空間においては、偏向方向と逆向きの電界を形
成され、偏向方向に垂直な乱れの少ない等電位面をその
内部空間に形成することができ、荷電粒子が中心からズ
レたとしても、加速電界の影響が少なくなり、焦点収差
を少なくすることができる。
【００４３】しかも、電極を円筒状支持体の外周面に設
けるようにしているので、その取付けや幅の制御、及び
電極の数を多くすることが容易になり、電位の精密な調
整が可能になる。
けるようにしているので、その取付けや幅の制御、及び
電極の数を多くすることが容易になり、電位の精密な調
整が可能になる。
【００４４】さらに、円筒状支持体の内部に電極が存在
していないので、その内面を鏡面加工することが容易に
できるとともに、その内部清浄な状態に保持することが
容易となり、チャージアップの原因となる電荷の蓄積を
防止することができる。
していないので、その内面を鏡面加工することが容易に
できるとともに、その内部清浄な状態に保持することが
容易となり、チャージアップの原因となる電荷の蓄積を
防止することができる。
【００４５】また、第２の発明によれば、円筒状支持体
の比抵抗を１０００〜１００００ Ωｍとしているので
、円筒状支持体の周に確実に電位差を生じさせることが
できる。
の比抵抗を１０００〜１００００ Ωｍとしているので
、円筒状支持体の周に確実に電位差を生じさせることが
できる。
【００４６】さらに、第３の発明において、円筒型支持
体の外周を断面多角形にしているために、その平坦面に
電極を形成すれば、その取付けは容易になる。
体の外周を断面多角形にしているために、その平坦面に
電極を形成すれば、その取付けは容易になる。
【００４７】また、第４の発明によれば、電極を螺旋状
や直線状に取付けているために、荷電粒子の軌跡に沿っ
て最適な偏向電界を得ることができる。
や直線状に取付けているために、荷電粒子の軌跡に沿っ
て最適な偏向電界を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例装置を示す斜視図である。
【図４】従来装置の第１、２例を示す断面図である。
【図５】従来装置の第３例を示す断面図である。
１ 静電型偏向器
２、５ 円筒型支持体
３、４ 電極
Claims (4)
- 【請求項１】電気伝導性のある円筒型支持体（２，５）
の外面周方向に間隔をおいて複数の電極（３，４）を取
付けるとともに、該電極（３，４）間にわずかに電流を
流すことにより、前記円筒型支持体（２，５）の円筒内
面において周方向に電位差を生じさせ内部空洞における
荷電粒子偏向方向と逆向きの電界を生じさせる電圧を複
数の前記電極（３，４）に印加する静電型偏向器（１）
を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】前記円筒型支持体（２，５）の比抵抗が１
０００Ωｍ〜１００００Ωｍであることを特徴とする請
求項１記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項３】前記円筒型支持体（５）の外周が断面多角
形に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電
子ビーム露光装置。 - 【請求項４】前記電極（４）が螺旋状、又は前記筒型支
持体の軸に平行な直線状に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097319A JPH04328236A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子ビーム露光装置 |
| US07/872,194 US5245194A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-22 | Electron beam exposure system having an electrostatic deflector wherein an electrostatic charge-up is eliminated |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097319A JPH04328236A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328236A true JPH04328236A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14189167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3097319A Withdrawn JPH04328236A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5245194A (ja) |
| JP (1) | JPH04328236A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216558A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 粒子放射線用の静電偏向システム |
| JP2014513432A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-05-29 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 一つ以上の荷電粒子ビームのマニピュレーションのためのマニピュレーターデバイスを備えている荷電粒子システム |
| US9607806B2 (en) | 2011-05-30 | 2017-03-28 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle multi-beam apparatus including a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600146A (en) * | 1995-11-22 | 1997-02-04 | Lucent Technologies Inc. | Charged particle beam multiple-pole deflection control circuitry |
| US5852270A (en) * | 1996-07-16 | 1998-12-22 | Leybold Inficon Inc. | Method of manufacturing a miniature quadrupole using electrode-discharge machining |
| DE69633338T2 (de) * | 1996-11-19 | 2005-02-24 | Advantest Corp. | Elektrostatische Vorrichtung zur Einwirkung auf einen Korpuskularstrahl |
| JP2000011937A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置の静電偏向器 |
| TW460756B (en) * | 1998-11-02 | 2001-10-21 | Advantest Corp | Electrostatic deflector for electron beam exposure apparatus |
| DE19907858C1 (de) * | 1999-02-24 | 2000-10-05 | Leica Microsys Lithography Ltd | Vorrichtung zur elektrostatischen Ablenkung eines Korpuskularstrahles |
| JP4805686B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-11-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子線描画装置用偏向器及び電子線描画装置 |
| US9666407B2 (en) * | 2015-02-25 | 2017-05-30 | Industry-University Cooperation Foundation Sunmoon University | Electrostatic quadrupole deflector for microcolumn |
| EP3923315B1 (en) * | 2020-06-11 | 2024-01-24 | ASML Netherlands B.V. | Manipulator, manipulator array, charged particle tool, multibeam charged particle tool, and method of manipulating a charged particle beam |
| CN118451527A (zh) | 2021-12-31 | 2024-08-06 | Asml荷兰有限公司 | 带电粒子束装置中的束操纵器 |
| TW202529141A (zh) | 2023-09-26 | 2025-07-16 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 具有增強聚焦功率的多束生成單元 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3478261D1 (en) * | 1984-02-18 | 1989-06-22 | Leybold Ag | Device for the examination of crystal surfaces according to the leed-technique |
| CN85102774B (zh) * | 1985-04-01 | 1987-11-04 | 复旦大学 | 利用封闭边界产生静电四极场的结构 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3097319A patent/JPH04328236A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-04-22 US US07/872,194 patent/US5245194A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216558A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 粒子放射線用の静電偏向システム |
| JP2014513432A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-05-29 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 一つ以上の荷電粒子ビームのマニピュレーションのためのマニピュレーターデバイスを備えている荷電粒子システム |
| JP2017108146A (ja) * | 2011-04-27 | 2017-06-15 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 一つ以上の荷電粒子ビームのマニピュレーションのためのマニピュレーターデバイスを備えている荷電粒子システム |
| US9607806B2 (en) | 2011-05-30 | 2017-03-28 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle multi-beam apparatus including a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5245194A (en) | 1993-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |