JPH04329649A - Tab実装体 - Google Patents

Tab実装体

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JPH04329649A
JPH04329649A JP12839391A JP12839391A JPH04329649A JP H04329649 A JPH04329649 A JP H04329649A JP 12839391 A JP12839391 A JP 12839391A JP 12839391 A JP12839391 A JP 12839391A JP H04329649 A JPH04329649 A JP H04329649A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置(以
下ICという)の実装体のうちTAB(TapeAut
omated Bonding)方式の実装体と、TA
B実装体に用いられるテープキャリアに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】TAB実装体ではICチップを実装する
テープキャリアは、フレキシブルなポリイミドなどのベ
ースフィルムにICチップを接続するインナーリードと
、外部回路に接続されるアウターリードが形成されてお
り、インナーリードが設けられている領域にはICチッ
プが接続されるデバイス穴が開けられている。TAB実
装体では、ICチップのボンディングパッドのバンプに
インナーリードをボンディングツールにより熱圧着して
1個のICチップに関する全インナーリードを同時に接
続する。図5はTAB実装体の一例を表わしたものであ
り、テープキャリア2にはアウターリードとデバイス穴
4に突出するようにインナーリード6が形成されている
。デバイス穴4にはICチップ8がそのボンディングパ
ッドのバンプとインナーリード6の間に熱圧着によりボ
ンディングが施されてICチップ8が実装されている。 10はスプロケットによりこのテープキャリアを移送す
る穴である。
【0003】TAB実装体ではベースフィルムがフレキ
シブルなフィルムであるため、インナーリードに応力が
働く。そのため、ICチップと接続されたインナーリー
ド、特にICチップの角部のバンプに接続されるインナ
ーリードが切れてしまうなど、信頼性上不具合が発生す
ることがある。ICチップとインナーリードとのボンデ
ィングの不良を防ぐ方法としては、インナーリードの形
状を直線としない方法や、屈曲させる方法が採られてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】TAB実装体で最も多
い不良はインナーリード6の浮き(又は切断)であり、
その浮きが発生する場所はインナーリード8の配列の両
端部のインナーリードである。その両端部のインナーリ
ードはすなわちICチップ8の隅のバンプにボンディン
グされるインナーリードである。また、TAB実装にお
けるインナーボンディング工程において、インナーリー
ドが対応するICチップのバンプの位置からずれること
により、短絡が発生することがある。TAB実装のボン
ディング工程は自動化されているので、ある条件で、例
えば誤認識などにより連続的にずれが発生していてもな
かなか検出されず、検出が発見されたときにはかなりボ
ンディングを行なった後であって、不良品を大量に発生
させてしまうなどの不具合がある。
【0005】本発明の第1の目的はTAB実装体のボン
ディングの信頼性を向上させることである。本発明の第
2の目的はICチップのバンプとインナーリードとのず
れによる短絡に基づく不良品の連続発生を防止すること
である。
【0006】
【課題を解決するための手段】TAB実装体のボンディ
ングの信頼性を向上させるために、本発明ではICチッ
プでボンディングパッドのバンプが形成されている表面
の角部の少なくとも1個所に電気回路を構成しないダミ
ーバンプを形成し、そのICチップと接続されるインナ
ーリードとしてボンディングパッドのバンプと接続され
て電気回路を構成するインナーリードの他に、前記ダミ
ーバンプと接続されるダミーリードも備える。
【0007】TAB実装体のボンディングの信頼性を向
上させるために、本発明ではまた、デバイス穴にICチ
ップが接続されるインナーリードが突出し、そのデバイ
ス穴の周辺に電気的なフローティング状態の島状の導体
ダミーパターンが設けられたテープキャリアを用いる。 そのテープキャリアのダミーパターンはデバイス穴の四
隅に配置しておくのが好ましい。そのテープキャリアの
ダミーパターンはボンディングツールがインナーリード
を圧着する領域にかからない形状にパターン化しておく
のが好ましい。
【0008】短絡に基づく不良品の連続発生を防止する
ために、本発明ではICチップでボンディングパッドの
バンプが形成されている表面のバンプの配列上に短絡検
出用のダミーバンプを形成し、そのICチップと接続さ
れるインナーリードとしてボンディングパッドのバンプ
と接続されて電気回路を構成するインナーリードの他に
、前記ダミーバンプと接続される短絡検出用ダミーリー
ドも備える。短絡検出用ダミーリードとそれが隣接する
インナーリードとの間隔は、電気回路を構成するインナ
ーリードのピッチよりも小さく設定しておくのが好まし
い。また、短絡検出用ダミーリードは1個のICチップ
当り異なる方向に2個以上設けておくのが好ましい。
【0009】
【実施例】図1はICチップとインナーリードとのボン
ディングの信頼性を高める一実施例を表わしたものであ
る。12はテープキャリアのベースフィルムであり、例
えばポリイミドフィルムにてなる。ベースフィルム12
にはICチップを実装するための開口部であるデバイス
穴14が開けられており、テープキャリアのリードはそ
のデバイス穴に突出するインナーリード16と、インナ
ーリード16につながりテープキャリアの外部と接続さ
れるアウターリードとからなる。デバイス穴14の四辺
に沿ってインナーリード16が配列されているが、各配
列の端には1本ずつのダミーリード18が設けられてい
る。ダミーリード18は電気回路を構成するものではな
く、ボンディングの際の応力を吸収するためのものであ
る。電気回路用インナーリード16とダミーリード18
は同じ材質にてなり、同時に形成されたものである。
【0010】20はこのテープキャリアに実装されたI
Cチップであり、インナーリード16に接続された電気
回路用ボンディングパッドのバンプ22と、ダミーリー
ド18に接続されたダミーバンプ24が形成されている
。バンプ24はダミーリード18と接続されてボンディ
ング時の応力を吸収するためのものであり、電気回路を
構成しない。ダミーバンプ24はICチップ20の角部
に配置されている。
【0011】図1のようにICチップ20の角部にダミ
ーバンプ24を設け、それにボンディングされるダミー
リード18をテープキャリアに設けているので、ボンデ
ィングされたときダミーリード18に応力負担がかかり
、本来の電気回路用のインナーリード16への負担が減
り、インナーリード切断に対する信頼性が向上する。
【0012】また、インナーリードとICチップのバン
プとの間は一括ボンディング方式により接続されるので
、ボンディング用ツールとICチップのバンプ面及びイ
ンナーリード平面が常に平行でなければ、インナーリー
ドとバンプが接合されないというボンディング不良を起
こす。そこで、図1のようにICチップの角部にダミー
バンプ24と、それに接続されるダミーリード18を設
けることにより、ボンディングツールの平行度の管理が
しやすくなる。すなわち、ボンディングツールの平行度
が狂うとICチップ角部のダミーバンプに接続されるダ
ミーリードがまずボンディング不良を起こすため、その
ダミーリードのボンディング状態を管理すれば電気回路
用のインナーリードのボンディングを管理することがで
きる。仮にダミーリードとダミーバンプのボンディング
不良が発生しても本来の電気回路には関係がないので、
電気回路を構成するボンディングの不良を起こす前にボ
ンディングツールの平行度を修正したり調製することが
できる。
【0013】図2は短絡検出用のダミーリードとダミー
バンプを備えた実施例を表わす。(A)はテープキャリ
アにICチップが実装された状態を表わし、(B)はテ
ープキャリアのインナーリードの配列を表わす。図2で
、テープキャリアのベースフィルム32にはアウターリ
ードとインナーリードが設けられ、インナーリード36
はデバイス穴34に突出するように形成されている。 インナーリード36は各配列で等間隔に配列され、その
配列のピッチよりも狭い間隔でその配列の端部に短絡検
出用のダミーリード38が形成されている。デバイス穴
34内にはICチップ40が実装されており、ICチッ
プ40にはインナーリード36とダミーリード38の位
置に対応してボンディングパッドのバンプ42と44が
形成されている。バンプ42はインナーリード36と接
続されて電気回路を形成するためのものであり、バンプ
44はダミーリード38と接続される短絡検出用バンプ
である。39はスプロケットによりこのテープキャリア
を移送する穴である。(B)のように電気回路に必要な
インナーリード36のピッチを例えば100μmとする
と、ダミーリード38とそれに隣接するインナーリード
36との距離xはピッチ100μmより小さい値に設定
されている。
【0014】図3に示されるように、ICチップとテー
プキャリアが正しく位置合わせされてボンディングがな
されたときは、(A)に示されるように短絡は起こらな
い。しかし、位置がずれてボンディングが行なわれると
、(B)に示されるようにダミーリード38とインナー
リード36がバンプ42を介して短絡する。そこで、こ
の短絡を検出し、テープキャリアとICチップの位置決
め装置にフィードバックすることにより、短絡が連続し
て発生するのを防止することができる。
【0015】短絡検出用のダミーリード38とICチッ
プのダミーバンプ44は1箇所だけではICチップとテ
ープキャリアの相対的な回転やそのダミーリードが設け
られている配列とは別の配列方向のずれは検出すること
ができないので、異なる方向の2個以上のダミーリード
及びダミーバンプを設けておくのが好ましい。
【0016】図4(A)はテープキャリアの応力を吸収
してインナーリードのボンディングの信頼性を高めるた
めのさらに他の実施例を表わしたものである。TABに
よるボンディングで最も多い不良はインナーリードの浮
きである。特にその浮きはインナーリードの配列の両端
部(すなわちICチップの角部のバンプに接続されるイ
ンナーリード)に多い。その原因は、テープキャリアの
ベースフィルムにはフレキシブルなポリイミドフィルム
などが使用されているため、インナーリード及びアウタ
ーリードのボンディングによりテープ自体が撓んでその
応力がインナーリードの配列の両端部に最も大きく作用
するからである。そこで、図4の実施例ではその応力が
インナーリードに作用するのを小さくするために、デバ
イス穴54の周辺に電気的にはフローティング状態の島
状の導体ダミーパターン58が設けられている。このダ
ミーパターン58はデバイス穴54の周辺であればよい
が、特に応力が大きく働くデバイス穴54の四隅の部分
に配置されているのが好ましい。なお、52はベースフ
ィルム、56はインナーリード、62はスプロケットに
よりこのテープキャリアを移送する穴である。
【0017】図4(A)における島状パターン58はイ
ンナーリード56などの電極パターンと同じ材質のもの
であり、具体的には電界銅はくを使用して電極パターン
と同時に形成されたものである。島状パターン58は、
ボンディングツールが当たる領域にまで形成されている
とボンディングの際の妨げになるので、図4(B)に示
されるように、ボンディングツールが圧着する領域では
その島状パターン58には切欠き60が設けられている
【0018】上記の実施例でテープキャリアは電気回路
に必要なインナーリードやアウターリードのほかにダミ
ーリード18,38やダミーパターン58が設けられて
いるが、テープキャリア上の導体パターンは全て同じ工
程で製造することができる。具体的には、次の製造プロ
セスで製造される。ポリイミドなどのベースフィルムに
金型でデバイス穴の開口部を形成した後、ベースフィル
ムに接着剤を塗布し、電界銅箔を貼りつける。接着剤と
しては例えばエポキシ系のものが使用される。開口部の
裏側をレジストで埋めておき、表面側の銅箔に写真製版
とエッチングによりパターン化を施す。この工程で必要
なアウターリードやインナーリードのほかにダミーリー
ドやダミーパターンも同時に形成する。パターン化用の
表側のレジストと開口部を埋めていた裏側のレジストを
ともに除去する。その後、導体パターンに錫や半田など
の無電界メッキを施す。本発明でテープキャリアにIC
チップを実装する方法は従来通りであり、樹脂などで封
止するのも従来通りに行なうことができる。
【0019】
【発明の効果】請求項1と5から7の発明によれば、T
AB実装時の応力がダミーリードやダミーパターンによ
り吸収されて、TAB実装体のボンディングの信頼性が
向上する。また、ICチップとインナーリードとのボン
ディングの歩留まりが向上し、引いてはコスト低下につ
ながる。ICチップが高集積度化され、高付加価値化さ
れるに伴ってICチップが大型化し、多ピン化の傾向に
なってきてボンディング工程内での歩留まりが低下する
傾向にあるが、本発明によりボンディング工程の歩留ま
りを向上させる利益は大きい。請求項2〜4の発明によ
ればICチップとテープキャリアの位置合わせのずれに
よる短絡の連続発生を防止することができ、作業効率が
向上し、製造コストが低下する。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例のICチップ近傍を示す平面図である
【図2】短絡防止用ダミーリードとダミーバンプを備え
た実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)はイ
ンナーリード配列を示す部分拡大図である。
【図3】図2の実施例の動作を示す用部平面図である。
【図4】さらに他の実施例を示す図であり、(A)は概
略平面図、(B)はダミーパターンの切欠き部を示す部
分平面図である。
【図5】従来のTAB実装体を示す概略平面図である。
【符号の説明】

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ボンディングパッドのバンプが形成さ
    れている表面の角部の少なくとも1個所に電気回路を構
    成しないダミーバンプが形成されている半導体集積回路
    装置チップと、前記半導体集積回路装置チップと接続さ
    れるインナーリードとしてボンディングパッドのバンプ
    と接続されて電気回路を構成するインナーリードの他に
    、前記ダミーバンプと接続されるダミーリードも備えて
    いるテープキャリアと、を備えたTAB実装体。
  2. 【請求項2】  ボンディングパッドのバンプが形成さ
    れている表面のバンプの配列上に短絡検出用のダミーバ
    ンプが形成されている半導体集積回路装置チップと、前
    記半導体集積回路装置チップと接続されるインナーリー
    ドとしてボンディングパッドのバンプと接続されて電気
    回路を構成するインナーリードの他に、前記ダミーバン
    プと接続されるダミーリードも備えているテープキャリ
    アと、を備えたTAB実装体。
  3. 【請求項3】  前記ダミーリードとそれが隣接するイ
    ンナーリードとの間隔は、電気回路を構成するインナー
    リードのピッチよりも小さい請求項2に記載のTAB実
    装体。
  4. 【請求項4】  前記ダミーリードは1個の半導体集積
    回路装置チップ当り異なる方向に2個以上が設けられて
    いる請求項2又は3に記載のTAB実装体。
  5. 【請求項5】  デバイス穴に半導体集積回路装置チッ
    プが接続されるインナーリードが突出し、そのデバイス
    穴の周辺に電気的なフローティング状態の島状の導体ダ
    ミーパターンが設けられているテープキャリア。
  6. 【請求項6】  前記ダミーパターンはデバイス穴の四
    隅に配置されている請求項5に記載のテープキャリア。
  7. 【請求項7】  前記ダミーパターンはボンディングツ
    ールがインナーリードを圧着する領域にかからない形状
    にパターン化されている請求項5又は6に記載のテープ
    キャリア。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0814510A3 (en) * 1996-06-20 1999-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba TAB tape and semiconductor device using the TAB tape
US6066888A (en) * 1997-02-17 2000-05-23 Seiko Epson Corporation Tape carrier and tape carrier device using the same
US6342729B1 (en) 1998-11-20 2002-01-29 Fujitsu Limited Tape carrier package

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US6342729B1 (en) 1998-11-20 2002-01-29 Fujitsu Limited Tape carrier package

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