JPH04331799A - 硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は硫化カドミウム亜鉛混晶
薄膜の製造方法に関するものである。特に、本発明は発
光ダイオード等の発光素子等に有用に用いることができ
、特に青色発光素子用材料等として良好な特性を示する
半導体薄膜材料となる硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ）法において製造する方法として、
従来次の３つの方法が知られている。以下、図３〜図５
を参照しながら、従来の硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を
分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、製造する方法
を説明する。

【０００３】図３〜５は、従来のＭＢＥ法における分子
線エピタキシャル装置（以下ＭＢＥ装置と略称する。）
の構造を示す概略図である。従来例１は、図３に示すＭ
ＢＥ装置を用い、真空容器３１内でルツボ内に装填した
亜鉛３６ａとルツボ内に装填したカドミウム３７ａとル
ツボ内に装填した硫黄３８ａを加熱蒸発させて得た亜鉛
分子線３６ｃ、カドミウム分子線３７ｃ、硫黄分子線３
８ｃを基板表面に照射する方法である。

【０００４】尚、３２は超高圧真空排気装置である。 （本図も含めて、他の図においても、超高圧真空排気装
置については、図中にその位置を示したのみで、詳細は
省略した。）また、３６ｂ、３７ｂ、３８ｂはシャッタ
ー、３３は基板ホルダー、３４は基板、３５は基板上に
成長した硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を示す。従来例２
は、図４に示すＭＢＥ装置を用い、有機亜鉛４６ａの蒸
気と有機カドミウム４７ａの蒸気と硫化水素ガス４８ａ
をそれぞれ別のガスクラッキングセル４６ｃ、４７ｃ、
４８ｃにおいて加熱分解させて得た亜鉛分子線４６ｅ、
カドミウム分子線４７ｅ、硫黄分子線４８ｅを基板表面
に照射する方法である。

【０００５】尚、４１は真空容器、４２は超高真空排気
装置、４３は基板ホルダー、４４は基板、４５は硫化カ
ドミウム亜鉛混晶薄膜、４６ｂ、４７ｂ、４８ｂはガス
流量調節器、４６ｄ、４７ｄ、４８ｄはシャッターを示
す。従来例３は、図５に示すＭＢＥ装置を用い、ルツボ
内に装填した亜鉛５６ａとルツボ内に装填したカドミウ
ム５７ａを加熱蒸発させて得た亜鉛分子線５６ｃ、カド
ミウム分子線５７ｃと、ボンベ内の硫化水素ガス５８ａ
をガス流量調節器５８ｂにより流量を制御しながらガス
クラッキングセル５８ｃに供給し、ガスクラッキングセ
ル５８ｃにおいて加熱分解させて得た硫黄分子線５８ｅ
を基板表面に照射する方法である。

【０００６】尚、５１は真空容器、５２は超高真空排気
装置、５３は基板ホルダー、５４は基板、５５は基板上
に成長した硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜、５６ｂ、５７
ｂ、５８ｄはシャッターを示す。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな従来の方法では、それぞれ次のような問題点があっ
た。従来例１の通常のＭＢＥ法の場合、硫黄の蒸気圧が
非常に高いため実用上の分子線強度（１×１０−６Ｔｏ
ｒｒ程度）を得るためには、ルツボの温度を１００℃以
下という低温で制御しなければならない。通常、ＭＢＥ
装置のルツボは高温で加熱して分子線を発生するように
設計されており、またルツボの熱容量も大きいために温
度調整が非常に難しく、分子線強度が安定しないという
問題点があった。

【０００８】従来例２の有機金属を用いたＭＢＥ法の場
合、有機金属原料の製造過程においてハロゲン化物が不
純物として混入しており、膜中にハロゲンがドナーとし
て混入してしまい、伝導型の制御がしにくくなるという
問題点があった。従来例３の場合、従来例１と２の問題
点を克服するために硫化水素と金属蒸気を原料として用
いて、硫黄の分子線強度を安定させかつ原料純度を高く
保ったＭＢＥ法であるが、硫化水素ガスをクラッキング
した際に（化１）のような熱分解反応が起こり多量の水
素が発生する。

【０００９】

【化１】

【００１０】この水素が成長膜表面に吸着して水素化膜
が形成されてしまい、次に飛来する分子線の吸着を阻害
するために、成長速度が極端に低くなってしまうという
問題点があった。本発明はかかる点に鑑み、分子線の強
度の安定した制御が可能で、伝導型の制御に悪影響を及
ぼすような不純物の混入がなく、分子線の吸着が良好で
成長速度の低下のない硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製
造方法を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため、第１の硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製
造方法の発明においては、真空中で、基板表面に硫黄分
子線とカドミウム分子線と亜鉛分子線とを照射する分子
線エピタキシー法により薄膜を製造する方法において、
前記硫黄分子線として硫化水素とジアルキル硫黄の混合
ガスを熱分解させて得た硫黄分子線を用い、前記カドミ
ウム分子線としてカドミウムを加熱蒸発させて得た分子
線を用い、前記亜鉛分子線として亜鉛を加熱蒸発させて
得た分子線を用いることを特徴とする。

【００１２】また、前記構成においては、ジアルキル硫
黄が、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄から選ばれた少なく
とも１種の気体であることが好ましい。更に、前記構成
においては、基板がガリウム砒素、ガリウム燐、インジ
ウム燐のうちいずれかの単結晶からなる基板であること
が好ましい。更に、前記構成において、基板温度が２０
０℃以上５００℃以下であることが好ましい。

【００１３】次に本発明の第２の硫化カドミウム亜鉛混
晶薄膜の製造方法は、真空中で、基板表面に硫黄分子線
とカドミウム分子線と亜鉛分子線とを照射する分子線エ
ピタキシー法により薄膜を製造する方法において、前記
硫黄分子線として硫化水素を熱分解させて得た硫黄分子
線を用い、前記カドミウム分子線としてカドミウムを加
熱蒸発させて得た分子線を用い、前記亜鉛分子線として
亜鉛を加熱蒸発させて得た分子線を用い、さらに、不飽
和炭化水素分子線を基板表面に照射することを特徴とす
る。

【００１４】前記第２の製造方法においては、不飽和炭
化水素が、エチレン、プロピレン、アセチレンからなる
群から選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。

【００１５】

【作用】第１の製造方法の発明は上記の手段すなわち、
硫化水素ガスとジアルキル硫黄ガスとを混合した上でク
ラッキングして硫黄分子線を得ることにより、（化２）
に示すような化学反応をおこさせ、熱分解時の水素発生
を抑えて成長を阻害する要因を取り除くという作用に基
づくものである。

【００１６】

【化２】 （Ｒ：アルキル基）

【００１７】第１の製造方法において、ジアルキル硫黄
が、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄から選ばれた少なくと
も１種の気体である好ましい態様にすることにより、蒸
気圧が比較的大きくなり、大きなガス流量が得られるの
で、製造がより容易になる。

【００１８】また、基板としてガリウム砒素、ガリウム
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶からなる基板
を用いる本発明の好ましい態様により、これらの基板の
格子定数は基板上に成長する硫化カドミウム亜鉛混晶薄
膜の格子定数と類似しているため、純粋な単結晶が成長
しやすい。また、基板温度を２００℃以上５００℃以下
にする本発明の好ましい態様により、成長した薄膜を構
成する原子のマイグレーションが十分に行われ、各原子
が正確な格子位置に安定して配置される。また、原子の
再蒸発が過剰になることによる原子の空孔が生じる欠点
が抑制されるので、より完全な結晶を得ることができる
。

【００１９】また、第２の製造方法の発明は不飽和炭化
水素分子線を照射することにより、成長膜表面において
（化３）に示すように炭素原子間の多重結合を解離させ
、成長膜表面に吸着した水素を取り去るという作用に基
づくものである。

【００２０】

【化３】 （不飽和炭化水素としてエチレンを用いた場合）

【００
２１】また、第２の製造方法の発明において、不飽和炭
化水素として、エチレン、プロピレン、アセチレンから
なる群から選ばれた少なくとも１種を用いる好ましい態
様とすることにより、これらの不飽和炭化水素は蒸気圧
が大きいので工程の制御が容易になり、また、混入され
る不純物が硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の性質に大きな
悪影響を及ぼさない。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
。 実施例１ 図１は第１の発明の製造方法の一実施例で用いられるＭ
ＢＥ装置の構造を示す概略図である。同図において１６
ａおよび１７ａはそれぞれ通常の蒸発用ルツボに入った
金属カドミウムおよび金属亜鉛で、加熱蒸発させてカド
ミウム分子線１６ｃおよび亜鉛分子線１７ｃを得る。ま
た１８ｃはガスクラッキングセルで、硫化水素ガス容器
１８ａ１から導入された硫化水素ガスと気化したジメチ
ル硫黄１８ａ２を混合したガスをガスクラッキングセル
１８ｃで加熱分解して硫黄分子線１８ｅを得る。

【００２３】実際の薄膜成長は次のような手順で行なう
。まず表面を清浄にした基板１４を例えばモリブデンな
どからなる基板ホルダー１３に装着する。基板材料とし
ては硫化カドミウム亜鉛のとり得る格子定数に近い格子
定数をもつガリウム砒素単結晶を用いた。次に真空容器
１１を１０−９Ｔｏｒｒ以下程度の超高真空まで超真空
排気装置１２により排気する。その後ルツボ１６ａおよ
び１７ａを例えば１２０℃および２４０℃程度に加熱し
、適切な強度（約１×１０−６Ｔｏｒｒ）のカドミウム
分子線１６ｃおよび亜鉛分子線１７ｃが得られるように
する。また硫化水素ガス１８ａ１とジメチル硫黄ガス１
８ａ２はそれぞれ別のガス流量調節器１８ｂ１，１８ｂ
２で流量調整した後に混合し、適切な強度（約１×１０
−６Ｔｏｒｒ）の硫黄分子線１８ｅが得られるようにす
る。ガスクラッキングセル１８ｃの温度は、４００℃以
上であれば硫化水素・ジメチル硫黄混合ガスをほぼ完全
にクラッキングする事ができた。

【００２４】次に基板１４を約６００℃に加熱して表面
酸化膜を除去する。その後基板１４を結晶成長に適切な
温度まで下げる。この場合には例えば３００℃とした。 この後シャッター１６ｂ，１７ｂ，１８ｄを同時に開き
、結晶成長を行なう。以上のような方法で形成した硫化
カドミウム亜鉛混晶薄膜１５は、硫化水素とジメチル硫
黄を混合してクラッキングしたことにより、水素の発生
が抑えられ付着係数がほぼ１となり、高い成長速度が得
られた。尚ここで付着係数とは分子線として供給した原
子の数に対する基板の上に付着成長した原子の数の比を
言う。

【００２５】水素の発生が抑えられていることは、四重
極質量分析装置による水素濃度測定においても明らかで
あった。また、硫化水素とジメチル硫黄の混合比は１：
１の時に生成された硫化カドミウム混晶薄膜の結晶性が
最も良好であった。なお、上述の実施例ではジアルキル
硫黄化合物としてジメチル硫黄を用いたが、ジエチル硫
黄を用いても同様の効果が得られた。ここで、ジアルキ
ル硫黄にジメチル硫黄を用いたが、その理由はジメチル
硫黄がジエチル硫黄に比べてより高い蒸気圧を有するた
めにより大きなガス流量がとれるからである。

【００２６】また、亜鉛、カドミウム原料に金属を用い
有機金属原料を使用しなかったのは有機金属の方が化学
的純度が悪く、不純物として悪影響を及ぼす成分が混入
しやすいためである。特にハロゲンが混入しやすく、ハ
ロゲンが混入すると伝導型の制御の自由度が阻害されて
しまうので好ましくない。また、薄膜形成中の基板温度
は、基板表面の薄膜形成原子のマイグレーションが十分
に行われ、各原子が正確な格子位置に安定しやすく、ま
た、原子の再蒸発が過剰にならず原子の空孔が生じるお
それが少なくなり、完全な結晶が得られ易いことから２
００℃以上５００℃以下が好適であった。

【００２７】また、基板として、ガリウム砒素の単結晶
からなる基板に代えて、ガリウム燐あるいはインジウム
燐の単結晶からなる基板を用いてもほぼ同様の結果が得
られた。

【００２８】実施例２ 図２は第２の発明の製造方法の一実施例で用いられるＭ
ＢＥ装置の構造を示す概略図である。同図において２６
ａおよび２７ａはそれぞれ通常の蒸発用ルツボに入った
金属カドミウムおよび金属亜鉛で、加熱蒸発させてカド
ミウム分子線２６ｃおよび亜鉛分子線２７ｃを得る。２
８ｃはガスクラッキングセルで、硫化水素ガス容器から
導入された硫化水素ガス２８ａを加熱分解して硫黄分子
線２８ｅを得る。また２９ａはエチレンガスでガス導入
ポート２９ｃより基板２４表面に供給される。

【００２９】実際の薄膜成長は次のような手順で行なう
。まず表面を清浄にした基板２４を例えばモリブデンな
どから成る基板ホルダー２３に装着する。基板材料とし
ては硫化カドミウム亜鉛のとり得る格子定数に近い格子
定数をもつガリウム砒素の単結晶を用いた。次に真空容
器２１を超高真空排気装置２２により１０−９Ｔｏｒｒ
以下程度の超高真空まで排気する。そ後ルツボ２６ａお
よび２７ａを例えば１２０℃および２４０℃程度に加熱
し、適切な強度（約１×１０−６Ｔｏｒｒ）のカドミウ
ム分子線２６ｃおよび亜鉛分子線２７ｃが得られるよう
にする。硫化水素はガス流量調節器２８ｂで流量調整し
、適切な強度（約１×１０−６Ｔｏｒｒ）の硫黄分子線
２８ｅが得られるようにする。ガスクラッキングセル２
８ｃの温度は、７００℃以上であれば硫化水素ガスをほ
ぼ完全にクラッキングする事ができた。脱水素剤として
のエチレンガス２９ａはガス流量調節器２９ｂにより流
量制御（この場合には例えば５０ｓｃｃｍ）し、そのま
ま基板にエチレン分子線２９ｅとして照射した。

【００３０】次に基板２４を約６００℃に加熱して表面
酸化膜を除去する。その後基板を結晶成長に適切な温度
まで下げる。この場合には例えば３００℃とした。この
後シャッター２６ｂ，２７ｂ，２８ｄ、２９ｄを同時に
開き、結晶成長を行なう。以上のような方法で形成した
硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜２５は、不飽和炭化水素で
あるエチレンを供給したことにより、成長膜表面に付着
していた水素の脱離が効率的に行なわれ、成長速度の増
加がみられ、付着係数が約０．５になった。エチレンガ
スの流量は多いほど脱水素効果が大きかったが、流量を
多くしすぎると真空容器２１内の圧力が上昇して分子線
を得ることができなくなり、またＭＢＥ法の利点の一つ
である四重極質量分析装置や反射高速電子線回折装置な
どその場観測装置が使用不能になるため、この場合は流
量を１００ｓｃｃｍ以下とすることが好適であった。

【００３１】なお、上述の実施例では不飽和炭化水素と
してエチレンを用いたが、この他プロピレンやアセチレ
ンを用いても同様の効果が得られた。また、基板として
、ガリウム砒素の単結晶からなる基板に代えて、ガリウ
ム燐あるいはインジウム燐の単結晶からなる基板を用い
てもほぼ同様の結果が得られた。

【００３２】また、第２の発明においても薄膜形成中の
基板温度は２００℃以上５００℃以下が好適であった。 尚、本発明において用いるジアルキル硫黄としてはアル
キル基の炭素数が小さいものの方が蒸気圧が高いこと、
分解後の不純物の量が少なくなることなどの点からも好
ましく、アルキル基の炭素数が３以下、特に２以下の物
が好ましい。

【００３３】また、不飽和炭化水素についても同様な理
由から、炭素数が２〜４の不飽和炭化水素が好ましく、
特に炭素数２〜３の不飽和炭化水素が好ましい。また、
真空室内の真空の程度は分子線源と基板との距離や、用
いる分子線源の種類によっても異なるが、分子線源と基
板との距離が分子線の平均自由行程内に入る程度の真空
にすることが好ましく、通常１０−５Ｔｏｒｒ以下で、
高真空であれば高真空であるほど好ましい。

【００３４】

【発明の効果】第１の製造方法の発明においては、分子
線の強度の安定した制御が可能で、伝導型の制御に悪影
響を及ぼすような不純物の混入がなく、ガスクラッキン
グによる水素の発生を抑えることができ、表面の水素皮
膜の形成を抑えて分子線の吸着が良好で成長速度の低下
のない硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法を提供で
きる。

【００３５】また、ジアルキル硫黄としてジメチル硫黄
、ジエチル硫黄から選ばれた少なくとも１種の気体を用
いる好ましい態様にすることにより、蒸気圧が比較的大
きくなり、大きなガス流量が得られるので、製造がより
容易になる。また、基板としてガリウム砒素、ガリウム
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶からなる基板
を用いる好ましい態様により、純粋な単結晶が得やすく
なる。

【００３６】また、基板温度を２００℃以上５００℃以
下にする好ましい態様により、成長した薄膜を構成する
原子のマイグレーションが十分に行われ、各原子が正確
な格子位置に安定して配置される。また、原子の再蒸発
が過剰になることによる原子の空孔が生じる欠点が抑制
されるので、より完全な結晶を得ることができる。第２
の製造方法の発明においては、分子線の強度の安定した
制御が可能で、伝導型の制御に悪影響を及ぼすような不
純物の混入がなく、成長膜表面に付着していた水素を脱
離さすことができ、成長を阻害されることなく硫化カド
ミウム亜鉛混晶薄膜を形成することができる。

【００３７】また、第２の製造方法の発明において、不
飽和炭化水素として、エチレン、プロピレン、アセチレ
ンからなる群から選ばれた少なくとも１種を用いる好ま
しい態様とすることにより、これらの不飽和炭化水素は
蒸気圧が大きいので工程の制御が容易になり、また、混
入される不純物が生成した硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜
の性質に大きな悪影響を及ぼさない。

【００３８】以上の結果、高品質の硫化カドミウム亜鉛
混晶薄膜の成長が可能となり、ひいては高効率の青色発
光素子等への適用が可能な硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜
製造方法が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の一実施例における硫化カドミウム
亜鉛混晶薄膜を作製するＭＢＥ装置の構造を示す概略図
である。

【図２】第２の発明の一実施例における硫化カドミウム
亜鉛混晶薄膜を作製するＭＢＥ装置の構造を示す概略図
である。

【図３】従来例１で用いられるＭＢＥ装置の構造を示す
概略図である。

【図４】従来例２で用いられるＭＢＥ装置の構造を示す
概略図である。

【図５】従来例３で用いられるＭＢＥ装置の構造を示す
概略図である。

【符号の説明】

１１　　真空容器 １２　　超高真空排気装置 １３　　基板ホルダー １４　　基板 １５　　硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜 １６ａ　　ルツボに入った金属カドミウム１６ｂ　　シ
ャッター １６ｃ　　カドミウム分子線 １７ａ　　ルツボに入った金属亜鉛 １７ｂ　　シャッター １７ｃ　　亜鉛分子線 １８ａ１　　硫化水素ガス １８ｂ１　　ガス流量調節器 １８ａ２　　ジメチル硫黄 １８ｂ２　　ガス流量調節器 １８ｃ　　ガスクラッキングセル １８ｄ　　シャッター １８ｅ　　硫黄分子線 ２１　　真空容器 ２２　　超高真空排気装置 ２３　　基板ホルダー ２４　　基板 ２５　　硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜 ２６ａ　　ルツボに入った金属カドミウム２６ｂ　　シ
ャッター ２６ｃ　　カドミウム分子線 ２７ａ　　ルツボに入った金属亜鉛 ２７ｂ　　シャッター ２７ｃ　　亜鉛分子線 ２８ａ　　硫化水素ガス ２８ｂ　　ガス流量調節器 ２８ｃ　　ガスクラッキングセル ２８ｄ　　シャッター ２８ｅ　　硫黄分子線 ２９ａ　　エチレンガス ２９ｂ　　ガス流量調節器 ２９ｃ　　ガス導入ポート ２９ｄ　　シャッター ２９ｅ　　エチレン分子線 ３１　　真空容器 ３２　　超高真空排気装置 ３３　　基板ホルダー ３４　　基板 ３５　　硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜 ３６ａ　　ルツボに入った金属亜鉛 ３６ｂ　　シャッター ３６ｃ　　亜鉛分子線 ３７ａ　　ルツボに入った金属カドミウム３７ｂ　　シ
ャッター ３７ｃ　　カドミウム分子線 ３８ａ　　ルツボに入った硫黄 ３８ｂ　　シャッター ３８ｃ　　硫黄分子線 ４１　　真空容器 ４２　　超高真空排気装置 ４３　　基板ホルダー ４４　　基板 ４５　　硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜 ４６ａ　　有機亜鉛 ４６ｂ　　ガス流量調節器 ４６ｃ　　ガスクラッキングセル ４６ｄ　　シャッター ４６ｅ　　亜鉛分子線 ４７ａ　　有機カドミウム ４７ｂ　　ガス流量調節器 ４７ｃ　　ガスクラッキングセル ４７ｄ　　シャッター ４７ｅ　　カドミウム分子線 ４８ａ　　硫化水素ガス ４８ｂ　　ガス流量調節器 ４８ｃ　　ガスクラッキングセル ４８ｄ　　シャッター ４８ｅ　　硫黄分子線 ５１　　真空容器 ５２　　超高真空排気装置 ５３　　基板ホルダー ５４　　基板 ５５　　硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜 ５６ａ　　ルツボに入った金属亜鉛 ５６ｂ　　シャッター ５６ｃ　　亜鉛分子線 ５７ａ　　ルツボに入った金属カドミウム５７ｂ　　シ
ャッター ５７ｃ　　カドミウム分子線 ５８ａ　　硫化水素ガス ５８ｂ　　ガス流量調節器 ５８ｃ　　ガスクラッキングセル ５８ｄ　　シャッター ５８ｅ　　硫黄分子線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　真空中で、基板表面に硫黄分子線とカ
   ドミウム分子線と亜鉛分子線とを照射する分子線エピタ
   キシー法により薄膜を製造する方法において、前記硫黄
   分子線として硫化水素とジアルキル硫黄の混合ガスを熱
   分解させて得た硫黄分子線を用い、前記カドミウム分子
   線としてカドミウムを加熱蒸発させて得た分子線を用い
   、前記亜鉛分子線として亜鉛を加熱蒸発させて得た分子
   線を用いることを特徴とする硫化カドミウム亜鉛混晶薄
   膜の製造方法。
2. 【請求項２】　　ジアルキル硫黄が、ジメチル硫黄、ジ
   エチル硫黄から選ばれた少なくとも１種の気体である請
   求項１記載の硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】　　基板がガリウム砒素、ガリウム燐、イ
   ンジウム燐のうちいずれかの単結晶からなる基板である
   請求項１記載の硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法
   。
4. 【請求項４】　　基板温度が２００℃以上５００℃以下
   である請求項１から３のいずれかに記載の硫化カドミウ
   ム亜鉛混晶薄膜の製造方法。
5. 【請求項５】　　真空中で、基板表面に硫黄分子線とカ
   ドミウム分子線と亜鉛分子線とを照射する分子線エピタ
   キシー法により薄膜を製造する方法において、前記硫黄
   分子線として硫化水素を熱分解させて得た硫黄分子線を
   用い、前記カドミウム分子線としてカドミウムを加熱蒸
   発させて得た分子線を用い、前記亜鉛分子線として亜鉛
   を加熱蒸発させて得た分子線を用い、さらに、不飽和炭
   化水素分子線を基板表面に照射することを特徴とする硫
   化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法。
6. 【請求項６】　　不飽和炭化水素が、エチレン、プロピ
   レン、アセチレンからなる群から選ばれた少なくとも１
   種である請求項５記載の硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の
   製造方法。