JPH0433330A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0433330A JPH0433330A JP14040190A JP14040190A JPH0433330A JP H0433330 A JPH0433330 A JP H0433330A JP 14040190 A JP14040190 A JP 14040190A JP 14040190 A JP14040190 A JP 14040190A JP H0433330 A JPH0433330 A JP H0433330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shower head
- gas
- wafer
- introduction pipe
- gas introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
気相成長装置に関し、
膜厚が均一な薄膜を成長させることが可能な気相成長装
置を提供することを目的とし、基板１表面にガスを供給
するシャワーヘッド１３とガスを該シャワーヘッド１３
に導入するガス導入管１４とを有し、該シャワーヘッド
１３は中空体であってその底面部には多数個の噴出孔１
３ａを有しており、該ガス導入管１４は該シャワーヘッ
ド１３の内部にその底面部に向けて貫入しており、該ガ
ス導入管１４のシャワーヘッド貫入部の側面には該シャ
ワーヘッド１３の側面部に向けてガスを噴出する噴出孔
１４ａが複数個一列に一周して配設されてなる噴出孔列
１４ａａを複数個有するように構成する。
置を提供することを目的とし、基板１表面にガスを供給
するシャワーヘッド１３とガスを該シャワーヘッド１３
に導入するガス導入管１４とを有し、該シャワーヘッド
１３は中空体であってその底面部には多数個の噴出孔１
３ａを有しており、該ガス導入管１４は該シャワーヘッ
ド１３の内部にその底面部に向けて貫入しており、該ガ
ス導入管１４のシャワーヘッド貫入部の側面には該シャ
ワーヘッド１３の側面部に向けてガスを噴出する噴出孔
１４ａが複数個一列に一周して配設されてなる噴出孔列
１４ａａを複数個有するように構成する。
本発明は、半導体装置の製造等に使用する気相成長装置
に関する。
に関する。
半導体装置の製造工程においては、ウェーハ表面に半導
体膜、絶縁膜、金属膜等、各種の薄膜を設ける際にしば
しば気相成長法が採用される。この気相成長法ではウェ
ーハ表面へのソースガス供給の均一性が成長した薄膜の
膜質・膜厚の均一性を左右することになる。近時、ウェ
ーハの大口径化が進められているため、広範囲にソース
ガス供給の均一性が得られる気相成長装置の開発が望ま
れている。
体膜、絶縁膜、金属膜等、各種の薄膜を設ける際にしば
しば気相成長法が採用される。この気相成長法ではウェ
ーハ表面へのソースガス供給の均一性が成長した薄膜の
膜質・膜厚の均一性を左右することになる。近時、ウェ
ーハの大口径化が進められているため、広範囲にソース
ガス供給の均一性が得られる気相成長装置の開発が望ま
れている。
従来の気相成長装置の例を第２図及び第３図により説明
する。第２図は従来の気相成長装置の一例を示す模式図
である。図中、１は被成長物のウェーハ（基板）である
。１１は真空容器であり、下部に真空排気手段（図示は
省略）に連通ずる排気口を有している。１２は加熱台で
あり、ウェーハ１を保持すると共に所望の温度に加熱す
る。２３はソースガスをウェーハ１表面に供給するため
のシャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であっ
てその底面部には多数個の噴出孔２３ａを有している。
する。第２図は従来の気相成長装置の一例を示す模式図
である。図中、１は被成長物のウェーハ（基板）である
。１１は真空容器であり、下部に真空排気手段（図示は
省略）に連通ずる排気口を有している。１２は加熱台で
あり、ウェーハ１を保持すると共に所望の温度に加熱す
る。２３はソースガスをウェーハ１表面に供給するため
のシャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であっ
てその底面部には多数個の噴出孔２３ａを有している。
２４はソースガスをシャワーヘッド２３内に導入するた
めのガス導入管であり、−１がガス供給源（図示は省略
）に連通し、他端はシャワーヘッド２３にその頂部で連
通している。
めのガス導入管であり、−１がガス供給源（図示は省略
）に連通し、他端はシャワーヘッド２３にその頂部で連
通している。
第３図は従来の気相成長装置の他の例を示す模式図であ
る。図中、１は被成長物のウェーハ（基板）である。１
１は真空容器であり、下部に真空排気手段（図示は省略
）に連通ずる排気口を有している。１２は加熱台であり
、ウェーハ１を保持すると共に所望の温度に加熱する。
る。図中、１は被成長物のウェーハ（基板）である。１
１は真空容器であり、下部に真空排気手段（図示は省略
）に連通ずる排気口を有している。１２は加熱台であり
、ウェーハ１を保持すると共に所望の温度に加熱する。
３３はソースガスをウェーハ１表面に供給するためのシ
ャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であってそ
の底面部には多数個の噴出孔３３ａを有している。３４
はソースガスをシャワーヘッド３３内に導入するための
ガス導入管であり、一端がガス供給源（図示は省略）に
連通し、他端部はシャワーヘッド３３の頂部からその内
部に貫入している。その先端は開口していないが、シャ
ワーヘッド貫入部の側面に該シャワーヘッド３３の円錐
面部に向けてソースガスを噴出する噴出孔３４ａが複数
個一列に一周して配設されて一個の噴出孔列軸材を形成
している。
ャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であってそ
の底面部には多数個の噴出孔３３ａを有している。３４
はソースガスをシャワーヘッド３３内に導入するための
ガス導入管であり、一端がガス供給源（図示は省略）に
連通し、他端部はシャワーヘッド３３の頂部からその内
部に貫入している。その先端は開口していないが、シャ
ワーヘッド貫入部の側面に該シャワーヘッド３３の円錐
面部に向けてソースガスを噴出する噴出孔３４ａが複数
個一列に一周して配設されて一個の噴出孔列軸材を形成
している。
ところが上記第２図の気相成長装置では、シャワーヘッ
ド底面部の噴出孔から噴出するソースガスの流速は、ガ
ス導入管の開口部直下となるシャワーヘッド底面中央部
分の噴出孔からのものが他より大であり、従ってウェー
ハ表面に成長する薄膜の膜厚が不均一になるという問題
があった。−方、上記第３図の装置ではガス導入管から
シャワーヘッド底面部の噴出孔に直接向かうガス流をな
（して流速不均一を改善しているが、高度な膜厚均一性
を要求される用途に対してはまだ不充分であるという問
題があった。
ド底面部の噴出孔から噴出するソースガスの流速は、ガ
ス導入管の開口部直下となるシャワーヘッド底面中央部
分の噴出孔からのものが他より大であり、従ってウェー
ハ表面に成長する薄膜の膜厚が不均一になるという問題
があった。−方、上記第３図の装置ではガス導入管から
シャワーヘッド底面部の噴出孔に直接向かうガス流をな
（して流速不均一を改善しているが、高度な膜厚均一性
を要求される用途に対してはまだ不充分であるという問
題があった。
本発明は、このような問題を解決して、膜厚が均一な薄
膜を成長させることが可能な気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
膜を成長させることが可能な気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
この目的は、本発明によれば、基板１表面にガスを供給
するシャワーヘッド１３とガスを該シャワーヘッド１３
に導入するガス導入管１４とを有し、該シャワーヘッド
１３は中空体であってその底面部には多数個の噴出孔１
３ａを有しており、該ガス導入管１４は該シャワーヘッ
ド１３の内部にその底面部に向けて貫入しており、該ガ
ス導入管１４のシャワーヘッド貫入部の側面には該シャ
ワーヘッド１３の側面部に向けてガスを噴出する噴出孔
１４ａが複数個一列に一周して配設されてなる噴出孔列
１４ａａを複数個有していることを特徴とする気相成長
装置とすることで、達成される。
するシャワーヘッド１３とガスを該シャワーヘッド１３
に導入するガス導入管１４とを有し、該シャワーヘッド
１３は中空体であってその底面部には多数個の噴出孔１
３ａを有しており、該ガス導入管１４は該シャワーヘッ
ド１３の内部にその底面部に向けて貫入しており、該ガ
ス導入管１４のシャワーヘッド貫入部の側面には該シャ
ワーヘッド１３の側面部に向けてガスを噴出する噴出孔
１４ａが複数個一列に一周して配設されてなる噴出孔列
１４ａａを複数個有していることを特徴とする気相成長
装置とすることで、達成される。
噴出孔列を上下二列以上とすることにより、列の場合よ
りシャワーヘッド内でのソースガスの流れが分散される
ため、シャワーヘッド底面に設けた多数の噴出孔からの
ガス流の流速が均一化され、その結果、成長した薄膜の
膜厚均一性が改善される。
りシャワーヘッド内でのソースガスの流れが分散される
ため、シャワーヘッド底面に設けた多数の噴出孔からの
ガス流の流速が均一化され、その結果、成長した薄膜の
膜厚均一性が改善される。
［実施例］
本発明に基づく気相成長装置の実施例を第１図により説
明する。第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を
示す模式図であり、図の（ａ）は装置要部構成図、（ｂ
）はガス導入管斜視図である。図中、１は被成長物のウ
ェーハ（基板）である。１１は真空容器であり、下部に
真空排気手段（図示は省略）に連通ずる排気口を有して
いる。１２は加熱台であり、ウェーハ１を水平に保持す
ると共に所望の温度に加熱する。１３はソースガスをウ
ェーハ１表面全面に上方からこれに垂直に供給するため
のシャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であっ
てその底面がウェーハ１と平行に対向している。この底
面部には多数個の噴出孔１３ａを有している。１４はソ
ースガスをガス供給源（図示は省略）からシャワーヘッ
ド１３内に導入するためのガス導入管であり、円断面を
持つパイプであり、端がガス供給源に連通し、他端はシ
ャワーへラド１３の頂部からその内部にその底面に対し
て垂直方向に貫入している。その先端は開口していない
が、そのシャワーヘッド貫入部の側面には噴出孔１４ａ
を同一水平面内の周囲を一列に一周して等間隔で８個設
けた噴出孔列１４ａａが上下二側設けられており、ここ
から該シャワーヘッド１３の円錐面部に向けてソースガ
スを放射状に噴出する。尚、ガス導入管１４は上下方向
に位置を変えることが出来る。
明する。第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を
示す模式図であり、図の（ａ）は装置要部構成図、（ｂ
）はガス導入管斜視図である。図中、１は被成長物のウ
ェーハ（基板）である。１１は真空容器であり、下部に
真空排気手段（図示は省略）に連通ずる排気口を有して
いる。１２は加熱台であり、ウェーハ１を水平に保持す
ると共に所望の温度に加熱する。１３はソースガスをウ
ェーハ１表面全面に上方からこれに垂直に供給するため
のシャワーヘッドであり、略円錐形をなす中空体であっ
てその底面がウェーハ１と平行に対向している。この底
面部には多数個の噴出孔１３ａを有している。１４はソ
ースガスをガス供給源（図示は省略）からシャワーヘッ
ド１３内に導入するためのガス導入管であり、円断面を
持つパイプであり、端がガス供給源に連通し、他端はシ
ャワーへラド１３の頂部からその内部にその底面に対し
て垂直方向に貫入している。その先端は開口していない
が、そのシャワーヘッド貫入部の側面には噴出孔１４ａ
を同一水平面内の周囲を一列に一周して等間隔で８個設
けた噴出孔列１４ａａが上下二側設けられており、ここ
から該シャワーヘッド１３の円錐面部に向けてソースガ
スを放射状に噴出する。尚、ガス導入管１４は上下方向
に位置を変えることが出来る。
上述の装置により、１００ｍｍ径のウェーハにシリコン
膜を成長させた結果、面内膜厚分布は±１．０〜２．２
％という好結果を得た。因みに前述の第３図の装置によ
り、同条件でシリコン膜を成長させた結果は、面内膜厚
分布が±６．８〜１０．６％であった。
膜を成長させた結果、面内膜厚分布は±１．０〜２．２
％という好結果を得た。因みに前述の第３図の装置によ
り、同条件でシリコン膜を成長させた結果は、面内膜厚
分布が±６．８〜１０．６％であった。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、噴出孔列１４ａａを二側
以上設けてもよく、一つの噴出孔列１４ａａを構成する
噴出孔１４ａの数を変えてもよく、噴出孔列１４ａａを
形成しない噴出孔１４ａを追加してもよい。又、半導体
装置製造以外の用途の装置に対して適用することが出来
ることは勿論である。
変形して実施出来る。例えば、噴出孔列１４ａａを二側
以上設けてもよく、一つの噴出孔列１４ａａを構成する
噴出孔１４ａの数を変えてもよく、噴出孔列１４ａａを
形成しない噴出孔１４ａを追加してもよい。又、半導体
装置製造以外の用途の装置に対して適用することが出来
ることは勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、膜厚が均一な薄
膜を成長させることが可能な気相成長装置を提供するこ
とが出来るため、半導体装置の製造歩留り向上等に寄与
するところが大である。
膜を成長させることが可能な気相成長装置を提供するこ
とが出来るため、半導体装置の製造歩留り向上等に寄与
するところが大である。
第１図（ａ） 、（ｂ）は本発明の一実施例を示す模式
図、 第２図は従来の気相成長装置の一例を示す模式第３図は
従来の気相成長装置の他の例を示す模式図、である。 図中、１はウェーハ（基板）、 １３．２３．３３はシャワーヘッド、 １３ａ、２３ａ、 ３３ａは噴出孔、 １４．２４．３４はガス導入管、 １４ａ、３４ａは噴出孔、 １４ａａ、桐苔は噴出孔列、である。 （α）装置学部構成図 （ｂ）カス導入４斜視図 本発明の一実施例？示す膜式図 第 １ 図
図、 第２図は従来の気相成長装置の一例を示す模式第３図は
従来の気相成長装置の他の例を示す模式図、である。 図中、１はウェーハ（基板）、 １３．２３．３３はシャワーヘッド、 １３ａ、２３ａ、 ３３ａは噴出孔、 １４．２４．３４はガス導入管、 １４ａ、３４ａは噴出孔、 １４ａａ、桐苔は噴出孔列、である。 （α）装置学部構成図 （ｂ）カス導入４斜視図 本発明の一実施例？示す膜式図 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）表面にガスを供給するシャワーヘッド（１
３）と該シャワーヘッド（１３）にガスを導入するガス
導入管（１４）とを有し、 該シャワーヘッド（１３）は中空体であってその底面部
には多数個の噴出孔（１３ａ）を有しており、該ガス導
入管（１４）は該シャワーヘッド（１３）の内部にその
底面部に向けて貫入しており、 該ガス導入管（１４）の該シャワーヘッド貫入部分の側
面には該シャワーヘッド（１３）の側面部に向けてガス
を噴出する噴出孔（１４ａ）が複数個一列に一周して配
設されてなる噴出孔列（１４ａａ）を複数個有している
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040190A JPH0433330A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040190A JPH0433330A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0433330A true JPH0433330A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15267922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14040190A Pending JPH0433330A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0433330A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268737A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | スクリプト事前登録による呼制御方法 |
| US20090266911A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| KR20170102278A (ko) * | 2014-12-30 | 2017-09-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고 전도성 프로세스 키트 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63227011A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP14040190A patent/JPH0433330A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63227011A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268737A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | スクリプト事前登録による呼制御方法 |
| US20090266911A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| US8308865B2 (en) * | 2008-04-24 | 2012-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| KR20170102278A (ko) * | 2014-12-30 | 2017-09-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고 전도성 프로세스 키트 |
| JP2018502458A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高コンダクタンスのプロセスキット |
| US10763086B2 (en) | 2014-12-30 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
| KR20220097549A (ko) * | 2014-12-30 | 2022-07-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고 전도성 프로세스 키트 |
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