JPH04333846A - Foreign matter detection optical system for reticle mask - Google Patents
Foreign matter detection optical system for reticle maskInfo
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- JPH04333846A JPH04333846A JP3133536A JP13353691A JPH04333846A JP H04333846 A JPH04333846 A JP H04333846A JP 3133536 A JP3133536 A JP 3133536A JP 13353691 A JP13353691 A JP 13353691A JP H04333846 A JPH04333846 A JP H04333846A
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- reticle
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明は、半導体IC製造用の
レチクルマスクに付着した異物を検出する光学系に関し
、詳しくはレチクルマスクに形成されている配線パター
ンによる散乱光の影響を排除して異物を確実に検出する
光学系に関するものである。[Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical system for detecting foreign matter attached to a reticle mask for semiconductor IC manufacturing, and more specifically, the present invention relates to an optical system for detecting foreign matter attached to a reticle mask for semiconductor IC manufacturing. The present invention relates to an optical system that reliably detects.
【0002】0002
【従来の技術】半導体ICの製造においては、まず、ガ
ラス板の表面にクロムの薄膜を蒸着し、これをエッチン
グ処理して微細な幅の配線が縦横、斜め方向で所定のパ
ターンを有する配線パターンが形成され、レチクルマス
ク(以下単にレチクルという)が作成される。レチクル
を原盤として、縮小投影法によりウエハに配線パターン
が転写される。レチクルに塵埃などの異物が付着してい
ると、異物はすべてのウエハに同様に転写されて欠陥と
なるので、レチクルの異物は綿密に検査する必要がある
。なお、検査の取り扱い中に異物が付着することがある
ので、これを防止するためにペリクル(透明薄膜)を展
張した防塵枠をレチクルに覆って表面が防塵され、この
状態で検査が行われている。[Background Art] In the manufacture of semiconductor ICs, a thin chromium film is first deposited on the surface of a glass plate, and then etched to form a wiring pattern in which fine width wiring is formed in a predetermined pattern in the vertical, horizontal, and diagonal directions. is formed, and a reticle mask (hereinafter simply referred to as a reticle) is created. Using the reticle as a master, the wiring pattern is transferred onto the wafer using a reduction projection method. If foreign matter such as dust adheres to the reticle, the foreign matter will be transferred to all wafers in the same way, resulting in a defect, so it is necessary to carefully inspect the reticle for foreign matter. Note that foreign matter may adhere to the reticle during handling, so to prevent this, the reticle is covered with a dustproof frame with a pellicle (transparent thin film) stretched over it to prevent dust from entering the reticle, and the inspection is performed in this condition. There is.
【0003】図3(a),(b),(c) により、レ
チクルとこれに対する防塵枠、およびレチクルに対する
従来の異物検査方法を説明する。図(a)においてレチ
クル1の表面には、一点鎖線で示す境界線1a の内部
に前記したクロムの配線パターン1b が形成されてい
る。これに対して図(b) に示す防塵枠2は、方形の
フレーム2a の片面にペリクル2bが展張されたもの
で、検査や取り扱い中にはこれをレチクル1に重ねて防
塵される。次に検査方法を述べると、当初においてはレ
チクルの異物検査は顕微鏡による目視方法で行われたが
、検査効率を向上するために図3(c) に示す光学系
により自動化されている。図において、レーザ光源3よ
りのレーザビームLをレチクル1に対して斜め下向きに
投射して表面に直径の微小なスポットを形成し、レチク
ル1をXまたはY方向に移動して表面が走査される。レ
チクル1の表面に異物pが付着していると、これにより
レーザスポットが散乱され、散乱光Rは集光レンズ4に
より集光されてCCD素子5に受光され、その出力電圧
により異物pが検出される。なお、ペリクル2b の表
面に異物p′が付着しているときは、フレーム2a の
高さによりペリクル2b におけるスポットの直径が大
きく、従って強度が小さいので異物p′の散乱光が弱く
、また集光レンズ4の焦点位置が外れることにより異物
p′は検出されず、異物pの検出に支障しない。A reticle, a dustproof frame for the reticle, and a conventional foreign matter inspection method for the reticle will be explained with reference to FIGS. 3(a), 3(b), and 3(c). In Figure (a), on the surface of the reticle 1, the above-mentioned chrome wiring pattern 1b is formed inside the boundary line 1a indicated by a chain line. On the other hand, the dust-proof frame 2 shown in Figure (b) is made up of a rectangular frame 2a with a pellicle 2b extended on one side, which is overlapped with the reticle 1 during inspection and handling to prevent dust. Next, regarding the inspection method, initially inspection of reticles for foreign substances was carried out visually using a microscope, but in order to improve inspection efficiency, this has been automated using the optical system shown in Figure 3(c). In the figure, a laser beam L from a laser light source 3 is projected diagonally downward onto a reticle 1 to form a spot with a minute diameter on the surface, and the surface is scanned by moving the reticle 1 in the X or Y direction. . When a foreign object p adheres to the surface of the reticle 1, the laser spot is scattered, and the scattered light R is focused by the condenser lens 4 and received by the CCD element 5, and the foreign object p is detected by its output voltage. be done. Note that when a foreign substance p' is attached to the surface of the pellicle 2b, the diameter of the spot on the pellicle 2b is large due to the height of the frame 2a, and therefore the intensity is small, so the scattered light of the foreign substance p' is weak and the light is not focused. Since the focal position of the lens 4 is deviated, the foreign object p' is not detected, and there is no problem in detecting the foreign object p.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】さて、前記したように
レチクル1には配線パターン1b が形成されており、
上記の検査方法においては、レチクル1に付着した異物
pとともに配線パターン1b による散乱光が受光検出
されて、両者の区別がなされない。さらに言えば、異物
のみを検出し配線パターンが検出されないことが必要で
ある。これに対して、異物と配線パターンの散乱光の指
向性の特徴を利用して配線パターンが検出されないよう
にすることが可能と考えられる。すなわち、異物の散乱
光は投射方向に拘らずいわば全方位にほぼ均等に散乱さ
れる。これに対して、配線パターンの各配線には両側に
側面があり、これに対して一方の側面側より低角度でレ
ーザビームを投射するとき、当該側面のエッジにより投
射方向に強い指向性を有する散乱光が散乱される。しか
し、反対の側面側より投射したときは上記のエッジによ
っては散乱されない、すなわちレーザビームの投射方向
により配線パターンの散乱光が相違する特徴が認められ
た。この発明は、レチクル異物検査装置において、異物
の散乱光とレチクルの配線パターンの散乱光の指向性の
特徴を利用して、配線パターンを検出せず異物のみを検
出する異物検出光学系を提供することを目的とするもの
である。[Problem to be Solved by the Invention] Now, as described above, the wiring pattern 1b is formed on the reticle 1,
In the above inspection method, the light scattered by the wiring pattern 1b is received and detected together with the foreign matter p attached to the reticle 1, and the two cannot be distinguished. Furthermore, it is necessary to detect only the foreign matter and not the wiring pattern. On the other hand, it is considered possible to prevent the wiring pattern from being detected by utilizing the directivity characteristics of the scattered light of the foreign object and the wiring pattern. That is, the scattered light from the foreign object is scattered almost equally in all directions, regardless of the projection direction. On the other hand, each wiring in the wiring pattern has side surfaces on both sides, and when a laser beam is projected at a low angle from one side, the edge of the side has strong directivity in the projection direction. Scattered light is scattered. However, when the laser beam is projected from the opposite side, it is not scattered by the edge, that is, the scattered light of the wiring pattern is different depending on the direction in which the laser beam is projected. The present invention provides a foreign object detection optical system in a reticle foreign object inspection apparatus that detects only the foreign object without detecting the wiring pattern by utilizing the directional characteristics of the scattered light of the foreign object and the scattered light of the wiring pattern of the reticle. The purpose is to
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明は、防塵枠で保
護された半導体ICのレチクルの表面に対してレーザス
ポットを投射してスポットを形成し、レチクルをXおよ
びY方向に移動して表面を走査し、表面に付着した異物
の散乱光を受光して異物を検出する異物検出光学系であ
って、レチクルの表面の検査点に対して、互いに対向す
る方向で、かつ低角度でレーザビームをそれぞれ投射し
てスポットを形成する2組の投光系と、レチクルの表面
に対して垂直方向に設けられ、検査点におけるレーザス
ポットの散乱光を集光する1個の集光レンズ、レーザビ
ームの投射方向における散乱光を遮断する空間フィルタ
、および空間フィルタの透過部を透過した散乱光を受光
するCCD素子よりなる受光系とにより構成されたもの
である。[Means for Solving the Problems] This invention projects a laser spot onto the surface of a reticle of a semiconductor IC protected by a dust-proof frame to form a spot, and moves the reticle in the X and Y directions to surface the reticle. This is a foreign object detection optical system that detects foreign objects by scanning the surface of the reticle and receiving the scattered light of the foreign object attached to the surface. two sets of light projection systems that respectively project and form a spot; one condensing lens that is installed perpendicularly to the surface of the reticle and that focuses the scattered light of the laser spot at the inspection point; and a laser beam. A spatial filter that blocks scattered light in the projection direction, and a light receiving system that includes a CCD element that receives the scattered light that has passed through the transmission section of the spatial filter.
【0006】[0006]
【作用】上記の構成による異物検出光学系においては、
2組の投光系によりレチクルマスクの検査点に対して互
いに対向し、かつ低角度でそれぞれレーザビームが投射
されてスポットが形成される。レチクルに付着した異物
による両レーザスポットの散乱光は指向性が全方位であ
るので、空間フィルタの透過部を透過し、CCD素子に
より受光されて検出される。この場合、従来の1個のレ
ーザスポットの場合に比較して両方のレーザスポットに
より散乱光、すなわち受光量が倍加する。以上に対して
、レチクルの配線パターンにレーザビームが投射された
場合は、各配線の表面ではほぼ正反射され、正反射光は
表面に対して垂直方向に設けられた集光レンズには入射
しない。また、配線の一方の側面側より投射されたレー
ザスポットは、その側面のエッジにより投射方向に強い
指向性のある散乱光を散乱するが、反対側より投射され
たレーザスポットは上記のエッジでは散乱されない。
すなわち、散乱光は一方のレーザスポットのみによるの
で強度が比較的小さい。このような投射方向に強い指向
性を有する散乱光は空間フィルタにより殆ど遮断されて
CCD素子の受光量が少なく、配線パターンは検出され
ず、前記により異物が検出されるものである。[Operation] In the foreign object detection optical system with the above configuration,
Two sets of light projection systems project laser beams at inspection points on a reticle mask, facing each other and at low angles, to form spots. Since the scattered light from both laser spots due to the foreign matter attached to the reticle has omnidirectional directivity, it passes through the transmission part of the spatial filter, and is received and detected by the CCD element. In this case, compared to the conventional case of one laser spot, the amount of scattered light, that is, the amount of light received, is doubled by both laser spots. On the other hand, when a laser beam is projected onto the wiring pattern of the reticle, it is almost specularly reflected on the surface of each wiring, and the specularly reflected light does not enter the condenser lens installed perpendicular to the surface. . In addition, a laser spot projected from one side of the wiring will scatter light with strong directionality in the projection direction due to the edge of that side, but a laser spot projected from the opposite side will be scattered by the edge. Not done. That is, the intensity of the scattered light is relatively low since it is generated by only one laser spot. Most of the scattered light having strong directivity in the projection direction is blocked by the spatial filter, so that the amount of light received by the CCD element is small, and the wiring pattern is not detected, but foreign matter is detected as described above.
【0007】[0007]
【実施例】まず、この発明の基礎であるレチクルの配線
パターンの散乱光と、異物の散乱光の指向性について説
明する。図1(a) は配線パターン1bの一部を取り
出し、これに左側よりレーザビームLL を、右側より
レーザビームLR を投射した場合、配線の方向により
変化する散乱光Re の指向性と強度を示すモデルで、
散乱光ReLはレーザビームLL によることを示す。
図示の(イ) は配線1b に直角に低角度でレーザビ
ームLL を投射した場合で、配線の左側側面のエッジ
によりXY平面内ではX方向に強い指向性があり、XZ
平面内では各方向にほぼ均等の強度を示す。(ロ) は
配線1b を45°傾斜した場合で、指向性は(イ)
と同様であるが強度が小さい。
(ハ) においては配線1b がレーザビームLL,L
R に平行しているのでエッジにより散乱されない。こ
れらに対して、(ニ) および(ホ) では、右側より
のレーザビームLR が左側面のエッジに投射されない
ため全く散乱されない。上記は左側面についてであるが
、右側面については反対にLR により散乱光が散乱さ
れる。以上に対して、図(b) は異物の場合を示し、
この場合はレーザビームLL,LRはともに全方位にほ
ぼ均等な強度で散乱する。(イ) はXZ平面内、(ロ
) はXY平面内の指向性を示す。[Embodiment] First, the directivity of the scattered light of the wiring pattern of the reticle and the scattered light of foreign objects, which are the basis of this invention, will be explained. Figure 1(a) shows the directivity and intensity of the scattered light Re, which changes depending on the direction of the wiring, when a part of the wiring pattern 1b is taken out and a laser beam LL is projected onto it from the left side and a laser beam LR is projected from the right side. In the model
The scattered light ReL is caused by the laser beam LL. (A) in the figure shows the case where the laser beam LL is projected at a low angle perpendicular to the wiring 1b, and there is strong directivity in the X direction in the XY plane due to the edge on the left side of the wiring, and the XZ
In a plane, the intensity is approximately equal in each direction. (b) is when wiring 1b is tilted at 45 degrees, and the directivity is (a)
Similar to , but less strong. In (c), the wiring 1b is connected to the laser beams LL,L
Since it is parallel to R, it is not scattered by the edge. On the other hand, in (d) and (e), the laser beam LR from the right side is not projected onto the edge of the left side surface and is therefore not scattered at all. The above is about the left side, but on the right side, the scattered light is scattered by LR. In contrast to the above, Figure (b) shows the case of a foreign object,
In this case, both laser beams LL and LR are scattered with substantially equal intensity in all directions. (a) shows the directivity in the XZ plane, and (b) shows the directivity in the XY plane.
【0008】図2(a),(b) は、この発明による
レチクルマスク異物検出光学系の実施例における、ブロ
ック構成と、異物とレチクルの配線パターンの散乱光の
強度とCCD素子の受光量の時間変化を示す。図(a)
において、防塵枠2に保護された被検査のレチクル1
の表面に対して、2個のレーザ光源3a,3b よりX
および−X方向を投射方向として、表面に対する約30
°の低角度φで表面上の同一点(検査点)にレーザビー
ムLL,LR を投射してそれぞれレーザスポットを形
成する。各スポットはレチクル1の表面に合焦し、ペリ
クル2b に付着した異物が検出されないようにするこ
とは従来と同様である。
レチクル1の表面に対して垂直方向を光軸とする集光レ
ンズ4と、集光レンズ4の後位に空間フィルタ6を設け
る。空間フィルタ6は、図示のように、レーザビームの
投射方向、すなわちX方向の散乱光を遮断する遮断部6
a と、それ以外の方向の散乱光を透過する半円形の透
過部6b を有するものとする。FIGS. 2(a) and 2(b) show the block configuration, the intensity of the scattered light of the foreign object and the wiring pattern of the reticle, and the amount of light received by the CCD element in an embodiment of the reticle mask foreign object detection optical system according to the present invention. Shows changes over time. Diagram (a)
, the reticle 1 to be inspected protected by the dustproof frame 2
X from two laser light sources 3a and 3b to the surface of
and -X direction as the projection direction, approximately 30
Laser beams LL and LR are projected onto the same point (inspection point) on the surface at a low angle φ of .degree. to form respective laser spots. As in the conventional case, each spot is focused on the surface of the reticle 1 to prevent foreign matter attached to the pellicle 2b from being detected. A condenser lens 4 whose optical axis is perpendicular to the surface of the reticle 1 and a spatial filter 6 are provided behind the condenser lens 4. As shown in the figure, the spatial filter 6 includes a blocking section 6 that blocks scattered light in the projection direction of the laser beam, that is, the X direction.
a and a semicircular transmission section 6b that transmits scattered light in other directions.
【0009】なお、空間フィルタ6の挿入位置は集光レ
ンズ4の前位でもよい。異物の散乱光は集光レンズ4に
より集光され、大部分は透過部6b を透過してミラー
7により方向が変換され、CCD素子5により受光され
る。CCD素子5においては受光された散乱光が蓄積さ
れ、適当なタイミングでA/D変換器8に送出されてデ
ジタル化され、マイクロプロセッサ(MPU)9に取り
込まれて所定の処理がなされる。Note that the spatial filter 6 may be inserted at a position in front of the condenser lens 4. The scattered light from the foreign matter is collected by the condensing lens 4, most of it is transmitted through the transmission section 6b, the direction is changed by the mirror 7, and the light is received by the CCD element 5. The received scattered light is accumulated in the CCD element 5, sent to an A/D converter 8 at an appropriate timing to be digitized, and taken into a microprocessor (MPU) 9 for predetermined processing.
【0010】一方、レチクル1の配線パターンによる散
乱光は、集光レンズ4により集光されるが、その指向性
がレーザビームLL,LR の投射方向に強いので遮断
部6a により殆ど遮断され、小部分が透過部6b を
透過し、ミラー7を経てCCD素子5に受光される。図
(b) において、(イ) は異物の散乱光Rp の強
度とCCD素子の受光量を示し、RPLはレーザビーム
LL に、またRPRはLR にそれぞれ対応する。異
物の散乱光は全方位であるので、RpL, RpRは同
等で、これらは空間フィルタ6により一部が遮断されて
小さくなるが、両者の和に空間フィルタ6の透過係数を
掛けた受光量(RpL+RpR)′がCCD素子5に蓄
積される。これに対して、(ロ) は配線パターンの場
合で、散乱光ReLの強度はかなり大きいが、ReRは
非常に小さく(またはReL《ReR)、これらは空間
フィルタ6により殆ど遮断されてCCD素子5の受光量
(ReL+ReR)′は零に近いものとなる。以上によ
り、異物は良好に検出されるが配線パターンは殆ど検出
されないことが了解される。On the other hand, the scattered light due to the wiring pattern of the reticle 1 is focused by the condensing lens 4, but since its directivity is strong in the projection direction of the laser beams LL and LR, most of it is blocked by the blocking portion 6a, resulting in a small amount of light. A portion of the light passes through the transmission section 6b, passes through the mirror 7, and is received by the CCD element 5. In Figure (b), (a) shows the intensity of the scattered light Rp of the foreign object and the amount of light received by the CCD element, RPL corresponds to the laser beam LL, and RPR corresponds to LR. Since the light scattered by the foreign object is omnidirectional, RpL and RpR are equivalent, and a portion of these is blocked by the spatial filter 6 and becomes small, but the amount of received light (the sum of both times the transmission coefficient of the spatial filter 6) RpL+RpR)' is stored in the CCD element 5. On the other hand, (b) is the case of a wiring pattern, where the intensity of the scattered light ReL is quite large, but ReR is very small (or ReL<ReR), and these are almost all blocked by the spatial filter 6 and the CCD element 5 The amount of light received (ReL+ReR)' is close to zero. From the above, it is understood that foreign objects are detected well, but wiring patterns are hardly detected.
【0011】[0011]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、この
発明によるレチクルマスクの異物検出光学系においては
、異物の散乱光とレチクルの配線パターンの散乱光の指
向性の特徴に着眼し、2組の投光系により互いに対向し
、かつ低角度でそれぞれレーザビームを投射し、異物に
よる両レーザビームの散乱光は指向性が全方位であるの
でこれにより空間フィルタの透過部を透過してCCD素
子により受光量が倍加されて検出され、これに対して配
線パターンに投射された両レーザビームの一方による、
投射方向に強い指向性のある散乱光は空間フィルタの遮
断により検出されないものとなり、レチクル異物検査装
置において配線パターンの散乱光を排除して異物のみを
確実に検出する効果には大きいものがある。Effects of the Invention As is clear from the above description, the foreign object detection optical system for a reticle mask according to the present invention focuses on the directivity characteristics of the scattered light of the foreign object and the scattered light of the wiring pattern of the reticle, and uses two The laser beams are projected by the light projection system facing each other at a low angle, and since the light scattered by the foreign object has omnidirectional directivity, it is transmitted through the transmission part of the spatial filter to the CCD element. The amount of light received is doubled and detected, and in contrast, the amount of light received by one of the two laser beams projected onto the wiring pattern is
Scattered light with strong directivity in the projection direction is not detected due to the blocking of the spatial filter, and the reticle foreign matter inspection device has a great effect in eliminating the scattered light from the wiring pattern and reliably detecting only the foreign matter.
【図1】 図1(a) および(b) は、この発明
の基礎であるレチクルの配線パターンの散乱光と、異物
の散乱光の指向性の説明図である。FIGS. 1A and 1B are explanatory diagrams of the directivity of the scattered light of the wiring pattern of the reticle and the scattered light of a foreign object, which are the basis of this invention.
【図2】 図2(a) および(b) は、この発明
によるレチクルマスク異物検出光学系の実施例における
ブロック構成図と、異物と配線パターンの散乱光の強度
とCCD素子の受光量との時間変化を示す曲線図である
。[Fig. 2] Figs. 2(a) and 2(b) are block diagrams of an embodiment of the reticle mask foreign object detection optical system according to the present invention, and the relationship between the intensity of scattered light from foreign objects and wiring patterns and the amount of light received by the CCD element. It is a curve diagram showing a change over time.
【図3】 図3(a),(b) および(c) は、
レチクルマスクと防塵枠、および従来のレチクル異物検
出光学系の構成図である。[Figure 3] Figures 3 (a), (b) and (c) are
FIG. 2 is a configuration diagram of a reticle mask, a dustproof frame, and a conventional reticle foreign object detection optical system.
1…レチクルマスク(レチクル)、1a …境界線、1
b …配線パターン、2…防塵枠、2a …フレーム、
2b …ペリクル、3,3a,3b …レーザ光源、4
…集光レンズ、5…CCD素子、6…空間フィルタ、6
a …遮断部、6b …透過部、7…ミラー、8…A/
D変換器、9…マイクロプロセッサ)MPU)、L,L
L,LR …レーザビーム、R…散乱光、Rp,RpL
, RpR…異物の散乱光、Re,ReL, ReR…
配線パターンの散乱光。1...Reticle mask (reticle), 1a...Border line, 1
b... Wiring pattern, 2... Dustproof frame, 2a... Frame,
2b...pellicle, 3, 3a, 3b...laser light source, 4
...Condensing lens, 5...CCD element, 6...Spatial filter, 6
a...blocking part, 6b...transmission part, 7...mirror, 8...A/
D converter, 9...microprocessor) MPU), L, L
L, LR...Laser beam, R...Scattered light, Rp, RpL
, RpR...Scattered light of foreign matter, Re, ReL, ReR...
Scattered light from wiring patterns.
Claims (1)
チクルマスクの表面に対してレーザビームを投射してス
ポットを形成し、該レチクルマスクをXおよびY方向に
移動して該表面を走査し、該表面に付着した異物の散乱
光を受光して該異物を検出する異物検査装置において、
前記レチクルマスクの表面の検査点に対して、互いに対
向する方向で、かつ低角度でレーザビームをそれぞれ投
射してスポットを形成する2組の投光系と、前記レチク
ルマスクの表面に対して垂直方向に設けられ、前記検査
点における前記レーザスポットの散乱光を集光する1個
の集光レンズ、前記レーザビームの投射方向における前
記散乱光を遮断する空間フィルタ、および該空間フィル
タの透過部を透過した前記散乱光を受光するCCD素子
よりなる受光系とにより構成されたことを特徴とする、
レチクルマスクの異物検出光学系。1. A laser beam is projected onto the surface of a reticle mask of a semiconductor IC protected by a pellicle to form a spot, and the reticle mask is moved in the X and Y directions to scan the surface. In a foreign matter inspection device that detects foreign matter by receiving scattered light of foreign matter attached to a surface,
two sets of projection systems that respectively project laser beams at inspection points on the surface of the reticle mask in opposite directions and at low angles to form spots; and a projection system that is perpendicular to the surface of the reticle mask. one condensing lens provided in the direction and condensing the scattered light of the laser spot at the inspection point, a spatial filter blocking the scattered light in the projection direction of the laser beam, and a transmitting part of the spatial filter. and a light receiving system comprising a CCD element that receives the transmitted scattered light,
Foreign object detection optical system for reticle masks.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133536A JPH04333846A (en) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Foreign matter detection optical system for reticle mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133536A JPH04333846A (en) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Foreign matter detection optical system for reticle mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333846A true JPH04333846A (en) | 1992-11-20 |
Family
ID=15107106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3133536A Pending JPH04333846A (en) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Foreign matter detection optical system for reticle mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04333846A (en) |
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| CN104748683A (en) * | 2015-04-10 | 2015-07-01 | 四川理工学院 | Device and method for online and automatic measuring numerical control machine tool workpieces |
| CN106841228A (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 特铨股份有限公司 | Micronic dust testing agency |
| CN109454324A (en) * | 2017-08-25 | 2019-03-12 | 株式会社迪思科 | Laser beam analyzer unit and laser processing device |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3133536A patent/JPH04333846A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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