JPH0433395B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0433395B2 JPH0433395B2 JP61089625A JP8962586A JPH0433395B2 JP H0433395 B2 JPH0433395 B2 JP H0433395B2 JP 61089625 A JP61089625 A JP 61089625A JP 8962586 A JP8962586 A JP 8962586A JP H0433395 B2 JPH0433395 B2 JP H0433395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- emitting element
- reflective photosensor
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〓産業上の利用分野〓
本発明は発光素子と受光素子とが一体のパツケ
ージに収納されていて、これにより一方向から物
体の近接などを検出することが出来るようにした
ホトセンサに関するものである。
ージに収納されていて、これにより一方向から物
体の近接などを検出することが出来るようにした
ホトセンサに関するものである。
〓従来の技術〓
従来のこの種の反射型ホトセンサの構成には、
例えば第３図、第４図に示すようなものがあり、
第３図に示したものは発光素子１１からの側方に
発せられる直接光が受光素子２１に入射して、検
出感度が損なわれるのを最も厳密に防止したもの
であり、前記発光素子１１と前記受光素子２１は
予めに金属などによる上方が開口した円筒状のケ
ーシング５にマウントされた後に基板３に近接し
て配設され、更に透明な樹脂などでレンズ効果も
持つような形状にモールドされパツケージ４され
るものである。
例えば第３図、第４図に示すようなものがあり、
第３図に示したものは発光素子１１からの側方に
発せられる直接光が受光素子２１に入射して、検
出感度が損なわれるのを最も厳密に防止したもの
であり、前記発光素子１１と前記受光素子２１は
予めに金属などによる上方が開口した円筒状のケ
ーシング５にマウントされた後に基板３に近接し
て配設され、更に透明な樹脂などでレンズ効果も
持つような形状にモールドされパツケージ４され
るものである。
第４図に示すものは前記第３図に示したものを
簡略化したものであり、前記発光素子１２と前記
受光素子２２とには前記した直接光に対する特別
な配慮は行われず、前記基板３の前記発光素子１
２と前記受光素子２２との中間に遮光板６を設け
ることで前記した直接光に対する対策としたもの
である。
簡略化したものであり、前記発光素子１２と前記
受光素子２２とには前記した直接光に対する特別
な配慮は行われず、前記基板３の前記発光素子１
２と前記受光素子２２との中間に遮光板６を設け
ることで前記した直接光に対する対策としたもの
である。
以上に説明したものの他に、図示は省略するが
前記第４図と同様に特別な配慮が行われていない
発光素子を受光素子とを前記基板に出来得るかぎ
りに離遠して配設し前記した直接光による影響を
避ける対策としたもの、或いは前記の直接光に対
する考慮は全くに行われていないものがある。
前記第４図と同様に特別な配慮が行われていない
発光素子を受光素子とを前記基板に出来得るかぎ
りに離遠して配設し前記した直接光による影響を
避ける対策としたもの、或いは前記の直接光に対
する考慮は全くに行われていないものがある。
以上に説明した従来の構成のものは、当然に説
明した順に性能は低下してくるものであるが、反
面その順に価格も低減されるので使用者側におい
ては目的に応じて上記したもののうちより選択し
使用するものであつた。
明した順に性能は低下してくるものであるが、反
面その順に価格も低減されるので使用者側におい
ては目的に応じて上記したもののうちより選択し
使用するものであつた。
〓発明が解決しようとする問題点〓
しかしながら、前記した従来の構成の反射型ホ
トセンサは、直接光に対する対策が完全であるほ
どに価格が高価である点をたとえ許容したとして
も、前記に説明したように円筒状のケーシングに
マウントしたり、遮光板を設けたり、前記発光素
子と受光素子を離遠して配設したりする対策であ
るために、この種の反射型ホトセンサの形状を大
型のものとし、組込み作業などが困難であるとい
う問題点を生ずるものであつた。又、この様な直
接光に対する対策が何も行われていないものは、
小型であることは満足できるとしても、いかにも
検出感度が低く極めて限られた用途にしか使用で
きないという問題点を生じ、いずれも実用上の問
題点を持つものであつた。
トセンサは、直接光に対する対策が完全であるほ
どに価格が高価である点をたとえ許容したとして
も、前記に説明したように円筒状のケーシングに
マウントしたり、遮光板を設けたり、前記発光素
子と受光素子を離遠して配設したりする対策であ
るために、この種の反射型ホトセンサの形状を大
型のものとし、組込み作業などが困難であるとい
う問題点を生ずるものであつた。又、この様な直
接光に対する対策が何も行われていないものは、
小型であることは満足できるとしても、いかにも
検出感度が低く極めて限られた用途にしか使用で
きないという問題点を生じ、いずれも実用上の問
題点を持つものであつた。
〓問題点を解決するための手段〓
本発明は前記した従来の反射型ホトセンサの問
題点を解決するための具体的手段として、発光素
子と受光素子とから成り、前記発光素子と前記受
光素子とを樹脂モールドなどで一体化したパツケ
ージングとしてある反射型ホトセンサにおいて、
前記受光素子は予めに側面側に蒸着などの適宜な
方法により金属薄膜が設けられ遮光処理が行われ
ている受光素子であることを特徴とする反射型ホ
トセンサを提供することで前記従来の問題点を解
決するものである。
題点を解決するための具体的手段として、発光素
子と受光素子とから成り、前記発光素子と前記受
光素子とを樹脂モールドなどで一体化したパツケ
ージングとしてある反射型ホトセンサにおいて、
前記受光素子は予めに側面側に蒸着などの適宜な
方法により金属薄膜が設けられ遮光処理が行われ
ている受光素子であることを特徴とする反射型ホ
トセンサを提供することで前記従来の問題点を解
決するものである。
〓実施例〓
つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
尚、理解を容易にするために従来例と同じ部分
には同じ符号を付して説明し、重複する部分につ
いては一部その説明を省略する。
には同じ符号を付して説明し、重複する部分につ
いては一部その説明を省略する。
第１図に示すものは本発明の反射型ホトセンサ
の製造における途中工程を示すもので、例えばプ
リント基板、セラミツク基板などで形成された基
板３上に発光素子１と受光素子２とを配設したも
のである。このときに前記発光素子１は半導体チ
ツプ状のままに配設が行われているが、前記受光
素子２はチツプ状の側面に蒸着など適宜の方法で
アルミニウムなどの金属薄膜２ａを形成すること
で、遮光処理が行われている。この遮光処理を行
なうときに、前記受光素子２はチツプ状であるの
で、そのジヤンクシヨン部分などに前記金属薄膜
２ａが当接し短絡などの不都合が生ずることは当
然に考慮され、この短絡を防止するためには前記
受光素子２には例えば樹脂などにより予めにコー
テイングと行なつておき、絶縁膜を形成しておく
ことが好ましい。更に好ましくは、前記受光素子
２は、一枚の半導体基板（ウエハー）上に多数形
成した素子を切断することで得られるチツプ状で
あるので、前記絶縁膜を短絡防止のためにコーテ
イングした後、多数の素子よりなる前記半導体基
板を各チツプに分割可能なように、該半導体基板
の厚さ方向の途中まで切断のための溝を形成した
後、該溝の表面に金属膜を蒸着など適宜な方法で
形成し、前記溝にて前記半導体基板を切断するこ
とにより、チツプの側面に遮光処理を施した受光
素子２の多数を同時に形成することが好ましい。
前記受光素子２を以上に説明した様なものとした
ことで、該受光素子２は側面方向には受光感度を
生じないものとなり、これにより該受光素子２を
前記発光素子１と近接して前記基板３上に配設し
た時にも前記発光素子１からの直接光の影響を受
けないものとすることができ、この理由によつて
前記発光素子１と前記受光素子２とは前記基板３
上で物理的、或いは技術的に可能な限りにおいて
は近接して配設できるものとなる。
の製造における途中工程を示すもので、例えばプ
リント基板、セラミツク基板などで形成された基
板３上に発光素子１と受光素子２とを配設したも
のである。このときに前記発光素子１は半導体チ
ツプ状のままに配設が行われているが、前記受光
素子２はチツプ状の側面に蒸着など適宜の方法で
アルミニウムなどの金属薄膜２ａを形成すること
で、遮光処理が行われている。この遮光処理を行
なうときに、前記受光素子２はチツプ状であるの
で、そのジヤンクシヨン部分などに前記金属薄膜
２ａが当接し短絡などの不都合が生ずることは当
然に考慮され、この短絡を防止するためには前記
受光素子２には例えば樹脂などにより予めにコー
テイングと行なつておき、絶縁膜を形成しておく
ことが好ましい。更に好ましくは、前記受光素子
２は、一枚の半導体基板（ウエハー）上に多数形
成した素子を切断することで得られるチツプ状で
あるので、前記絶縁膜を短絡防止のためにコーテ
イングした後、多数の素子よりなる前記半導体基
板を各チツプに分割可能なように、該半導体基板
の厚さ方向の途中まで切断のための溝を形成した
後、該溝の表面に金属膜を蒸着など適宜な方法で
形成し、前記溝にて前記半導体基板を切断するこ
とにより、チツプの側面に遮光処理を施した受光
素子２の多数を同時に形成することが好ましい。
前記受光素子２を以上に説明した様なものとした
ことで、該受光素子２は側面方向には受光感度を
生じないものとなり、これにより該受光素子２を
前記発光素子１と近接して前記基板３上に配設し
た時にも前記発光素子１からの直接光の影響を受
けないものとすることができ、この理由によつて
前記発光素子１と前記受光素子２とは前記基板３
上で物理的、或いは技術的に可能な限りにおいて
は近接して配設できるものとなる。
第２図に示すものは上記に説明した方法により
製造した基板３を樹脂モールドによりパケージ４
に収納した状態を示すものであり、前記発光素子
１と前記受光素子２とが近接して配設されている
ことが明確に示されている。
製造した基板３を樹脂モールドによりパケージ４
に収納した状態を示すものであり、前記発光素子
１と前記受光素子２とが近接して配設されている
ことが明確に示されている。
〓発明の効果〓
以上に詳細に説明したように本発明により、受
光素子をチツプ状の形状のままでその側面に蒸着
など適宜の方法で金属被膜を設けて遮光処理を行
なつたことで、該受光素子は側面側には受光感度
を生じないものとして、直接光により検出感度が
低下するのを防止すると共に、遮光のために特別
の部材を使用することも無いものとして前記両素
子を近接して配設することも可能とし、この種の
反射型ホトセンサの性能の向上、小形化、及び価
格の低減に優れた効果を奏するものである。
光素子をチツプ状の形状のままでその側面に蒸着
など適宜の方法で金属被膜を設けて遮光処理を行
なつたことで、該受光素子は側面側には受光感度
を生じないものとして、直接光により検出感度が
低下するのを防止すると共に、遮光のために特別
の部材を使用することも無いものとして前記両素
子を近接して配設することも可能とし、この種の
反射型ホトセンサの性能の向上、小形化、及び価
格の低減に優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明に係る反射型ホトセンサの一実
施例である製造の一工程を示す説明図、第２図は
同じ実施例による完成の状態を示す断面図、第３
図、第４図は夫々従来例を示す断面図である。 １……発光素子、２……受光素子、２ａ……金
属被膜、３……基板、４……パツケージ。
施例である製造の一工程を示す説明図、第２図は
同じ実施例による完成の状態を示す断面図、第３
図、第４図は夫々従来例を示す断面図である。 １……発光素子、２……受光素子、２ａ……金
属被膜、３……基板、４……パツケージ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光素子と受光素子とから成り、前記発光素
子と前記受光素子とを樹脂モールドなどで一体化
したパツケージとしてある反射型ホトセンサにお
いて、前記受光素子は予めに側面側に蒸着などの
適宜な方法により金属薄膜が設けられ遮光処理が
行われている受光素子であることを特徴とする反
射型ホトセンサ。 ２ 発光素子と受光素子とから成り、前記発光素
子と前記受光素子とを樹脂モールドなどで一体化
したパツケージとする反射型ホトセンサの製造方
法において、前記受光素子にはチツプ状の状態に
おいて予めに側面側に蒸着など適宜の方法で金属
薄膜を形成して遮光処理を行い、該受光素子と前
記発光素子とを同一基板上に近接して配置したも
のを樹脂モールドなどで一体化したパケージとし
たことを特徴とする反射型ホトセンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089625A JPS62245981A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 反射型ホトセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089625A JPS62245981A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 反射型ホトセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245981A JPS62245981A (ja) | 1987-10-27 |
| JPH0433395B2 true JPH0433395B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=13975931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089625A Granted JPS62245981A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 反射型ホトセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245981A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385178B2 (en) * | 2005-10-26 | 2008-06-10 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Reflective encoders with various emitter-detector configurations |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607082U (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-18 | オムロン株式会社 | 光電検出器のシ−ルド構造 |
| JPS60156469U (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-18 | 新光電子株式会社 | 反射型光電検出装置 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61089625A patent/JPS62245981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62245981A (ja) | 1987-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |