JPH04334016A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04334016A JPH04334016A JP10529191A JP10529191A JPH04334016A JP H04334016 A JPH04334016 A JP H04334016A JP 10529191 A JP10529191 A JP 10529191A JP 10529191 A JP10529191 A JP 10529191A JP H04334016 A JPH04334016 A JP H04334016A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- fork
- quartz
- quartz fork
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置， 特に，
拡散炉等の熱処理炉内へ， 石英フォークを用いて半導
体基板を挿入するソフトラディング機構の改良に関する
。
拡散炉等の熱処理炉内へ， 石英フォークを用いて半導
体基板を挿入するソフトラディング機構の改良に関する
。
【０００２】近年，微細化， 高精密化の波は拡散・熱
処理工程にも押し寄せており，拡散熱処理における汚染
の防止が必須のものとなっている。
処理工程にも押し寄せており，拡散熱処理における汚染
の防止が必須のものとなっている。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，１１は拡散炉，１２は石英フォーク，１３は半導体
基板，１４は基板ボード，１７はガス導入口，１５はフ
ォーク保持部， １６は開口部， １７はガス導入口，
１８は反応ガス， １９は排出ガス， ２０は捲き込
みエアである。
て，１１は拡散炉，１２は石英フォーク，１３は半導体
基板，１４は基板ボード，１７はガス導入口，１５はフ
ォーク保持部， １６は開口部， １７はガス導入口，
１８は反応ガス， １９は排出ガス， ２０は捲き込
みエアである。
【０００４】従来， 拡散炉１１内へ石英フォーク１２
等を用いて数十枚のシリコンウエハ等の半導体基板１３
を一度に挿入するソフトラディング機構において， 石
英フォーク１２は精密で加工が難しいために，単に，
石英管を加工して製作することが多く， 石英フォーク
の後部のフォーク保持部１５は開口部１６を有する円筒
状になっていた。
等を用いて数十枚のシリコンウエハ等の半導体基板１３
を一度に挿入するソフトラディング機構において， 石
英フォーク１２は精密で加工が難しいために，単に，
石英管を加工して製作することが多く， 石英フォーク
の後部のフォーク保持部１５は開口部１６を有する円筒
状になっていた。
【０００５】そのため，半導体基板１３をブロック毎に
収納した基板ボート１４を石英フォーク１２のフォーク
上に数組セットして， 拡散炉１１に装填（ローディン
グ）する時に，拡散炉１１内部を多少， 陽圧にしてお
いても， 石英フォーク１２の後部の開口部１６から，
拡散炉１１内に， 室内のエァー２０等が気流により捲
き込まれることがあった。
収納した基板ボート１４を石英フォーク１２のフォーク
上に数組セットして， 拡散炉１１に装填（ローディン
グ）する時に，拡散炉１１内部を多少， 陽圧にしてお
いても， 石英フォーク１２の後部の開口部１６から，
拡散炉１１内に， 室内のエァー２０等が気流により捲
き込まれることがあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って，高温度で酸化
・拡散， 或いは，熱処理される半導体基板に対して，
捲き込まれた空気が拡散炉内で対流して，空気中の色々
なゴミ等により，汚染（コンタミネーション）が生ずる
こととなる。
・拡散， 或いは，熱処理される半導体基板に対して，
捲き込まれた空気が拡散炉内で対流して，空気中の色々
なゴミ等により，汚染（コンタミネーション）が生ずる
こととなる。
【０００７】本発明は， 以上の点を鑑み， 半導体基
板の熱処理炉内への装填時に，室内のエアを捲き込まな
いように，汚染を防止する手段を有する半導体装置を得
ることを目的とする。
板の熱処理炉内への装填時に，室内のエアを捲き込まな
いように，汚染を防止する手段を有する半導体装置を得
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は炉，２は石英フォーク，３
は半導体基板，４は基板ボート，５はプロセスチューブ
，６はヒータ，７はガス導入口である。
図である。図において，１は炉，２は石英フォーク，３
は半導体基板，４は基板ボート，５はプロセスチューブ
，６はヒータ，７はガス導入口である。
【０００９】上記の問題点は，半導体基板３の炉１内へ
の装填時に，石英フォーク２の後部からのエアの捲き込
みを防止するために，石英フォーク２の後部の円筒状の
保持部の開口部を閉じると良い。
の装填時に，石英フォーク２の後部からのエアの捲き込
みを防止するために，石英フォーク２の後部の円筒状の
保持部の開口部を閉じると良い。
【００１０】即ち，本発明の目的は，図１に示すように
，炉１内へ， 半導体基板を保持する平坦部と，炉の内
径に対応した形状の保持部を有する石英フォーク２を用
いて半導体基板３を挿入するソフトラディング機構にお
いて，図１に示すように，該石英フォーク２の保持部の
後方が，その内径よりも狭く，或いは，閉じられて構成
されたソフトランディング機構を備えていることにより
達成される。
，炉１内へ， 半導体基板を保持する平坦部と，炉の内
径に対応した形状の保持部を有する石英フォーク２を用
いて半導体基板３を挿入するソフトラディング機構にお
いて，図１に示すように，該石英フォーク２の保持部の
後方が，その内径よりも狭く，或いは，閉じられて構成
されたソフトランディング機構を備えていることにより
達成される。
【００１１】
【作用】本発明では，前記のように，石英フォークの後
部を閉じているので，半導体基板の装填時に室内のエア
を炉内に捲き込むことがなくなり，半導体基板に対する
室内のエア中に含まれるゴミ等が原因となる汚染が防止
される。
部を閉じているので，半導体基板の装填時に室内のエア
を炉内に捲き込むことがなくなり，半導体基板に対する
室内のエア中に含まれるゴミ等が原因となる汚染が防止
される。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の実施例の説明図である。図に
おいて，１は拡散炉，２は石英フォーク，３は半導体基
板，４は基板ボート，５はプロセスチューブ，６はヒー
タ，７はガス導入口，８は排気口，９はチューブ蓋，１
０はガス導入口である。
おいて，１は拡散炉，２は石英フォーク，３は半導体基
板，４は基板ボート，５はプロセスチューブ，６はヒー
タ，７はガス導入口，８は排気口，９はチューブ蓋，１
０はガス導入口である。
【００１３】本発明の一実施例について，シリコンウエ
ハ表面のゲート酸化膜形成方法について，図２（ａ）〜
（ｄ）の装填工程順の模式断面図により説明する。先ず
，図２（ａ）に示すように，石英フォーク２の前方の平
坦部に，シリコンウエハーを２５枚づつ収納した基板ボ
ート４を４個セットする。
ハ表面のゲート酸化膜形成方法について，図２（ａ）〜
（ｄ）の装填工程順の模式断面図により説明する。先ず
，図２（ａ）に示すように，石英フォーク２の前方の平
坦部に，シリコンウエハーを２５枚づつ収納した基板ボ
ート４を４個セットする。
【００１４】その間，プロセスチューブ５内には，窒素
ガスを１０ｓｃｃｍの割合でガス導入口７より流してお
く。次に，図２（ｂ）に示すように，窒素ガスの流量を
２０ｓｃｃｍにアップして， プロセスチューブ５内を
陽圧にした後，拡散炉１の後部のチューブ蓋９を上に開
き，半導体基板３を１００枚載置した石英フォーク２を
拡散炉１のプロセスチューブ５内に自動的にソフトロー
ディング機構により押し込んでいく。その間，窒素ガス
はプロセスチューブ５の後部から排出され，エアの捲き
込みは生じない。
ガスを１０ｓｃｃｍの割合でガス導入口７より流してお
く。次に，図２（ｂ）に示すように，窒素ガスの流量を
２０ｓｃｃｍにアップして， プロセスチューブ５内を
陽圧にした後，拡散炉１の後部のチューブ蓋９を上に開
き，半導体基板３を１００枚載置した石英フォーク２を
拡散炉１のプロセスチューブ５内に自動的にソフトロー
ディング機構により押し込んでいく。その間，窒素ガス
はプロセスチューブ５の後部から排出され，エアの捲き
込みは生じない。
【００１５】続いて，図２（ｃ）に示すように，石英フ
ォーク２が全部プロセスチューブ５内に収納された時点
で，本発明の石英フォーク２は図２（ｅ）に示すように
，後部が密閉されているため，室内のエアを捲き込む現
象は全く起こらず，窒素ガスは排気口８及び，石英フォ
ーク２とプロセスチューブ５の隙間より排出される。
ォーク２が全部プロセスチューブ５内に収納された時点
で，本発明の石英フォーク２は図２（ｅ）に示すように
，後部が密閉されているため，室内のエアを捲き込む現
象は全く起こらず，窒素ガスは排気口８及び，石英フォ
ーク２とプロセスチューブ５の隙間より排出される。
【００１６】最後に，図２（ｄ）に示すように基板ボー
ト４ごと半導体基板３をプロセスチューブ５内にセット
し，石英フォーク２のみをプロセスチューブ５から移動
して，元の位置に戻す。その後，ゲート酸化膜の形成の
ために，ガス導入口７より塩酸１８８ ｓｃｃｍ， 酸
素１５ ｓｌｍを導入し， ヒータ６により半導体基板
３を１，０００ ℃に加熱して，２００Åの厚さにゲー
ト酸化膜を形成した。
ト４ごと半導体基板３をプロセスチューブ５内にセット
し，石英フォーク２のみをプロセスチューブ５から移動
して，元の位置に戻す。その後，ゲート酸化膜の形成の
ために，ガス導入口７より塩酸１８８ ｓｃｃｍ， 酸
素１５ ｓｌｍを導入し， ヒータ６により半導体基板
３を１，０００ ℃に加熱して，２００Åの厚さにゲー
ト酸化膜を形成した。
【００１７】本発明の石英フォークを用いてゲート酸化
膜を形成した場合， 従来例の場合に酸化膜の耐圧がば
らつきを生じたのに対して， その耐圧分布は， 良く
揃い， 好結果を得た。
膜を形成した場合， 従来例の場合に酸化膜の耐圧がば
らつきを生じたのに対して， その耐圧分布は， 良く
揃い， 好結果を得た。
【００１８】また， 本発明の効果を更に増すため，
図２（ｆ）に示すように，石英フォーク２の後部にガス
導入口１０を設けて， 半導体基板３の装填時に， こ
のガス導入口１０より窒素ガスを送り込んで， 室内の
エアの捲き込みを遮断するのも良い。
図２（ｆ）に示すように，石英フォーク２の後部にガス
導入口１０を設けて， 半導体基板３の装填時に， こ
のガス導入口１０より窒素ガスを送り込んで， 室内の
エアの捲き込みを遮断するのも良い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように， 本発明によれば
， 拡散炉等の熱処理炉内に室内のエアを捲き込まない
効果を奏し，汚染のない拡散，或いは，熱処理が行える
ため，半導体装置の特性や歩留りの向上に寄与するとこ
ろが大きい。
， 拡散炉等の熱処理炉内に室内のエアを捲き込まない
効果を奏し，汚染のない拡散，或いは，熱処理が行える
ため，半導体装置の特性や歩留りの向上に寄与するとこ
ろが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
１ 炉
２ 石英フォーク
３ 半導体基板
４ 基板ボート
５ プロセスチューブ
６ ヒータ
７ ガス導入口
８ 排気口
９ チューブ蓋
１０ ガス導入口
Claims (1)
- 【請求項１】 炉（１） 内へ， 半導体基板を保持
する平坦部と，炉の内径に対応した形状の保持部を有す
る石英フォーク（２） を用いて半導体基板（３） を
挿入するソフトラディング機構において，該石英フォー
ク（２） の保持部の後方が，その内径よりも狭く，或
いは，閉じられて構成されたソフトランディング機構を
備えていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529191A JPH04334016A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529191A JPH04334016A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334016A true JPH04334016A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14403584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10529191A Withdrawn JPH04334016A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04334016A (ja) |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP10529191A patent/JPH04334016A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |