JPH04334896A - El emission layer - Google Patents

El emission layer

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JPH04334896A
JPH04334896A JP3135466A JP13546691A JPH04334896A JP H04334896 A JPH04334896 A JP H04334896A JP 3135466 A JP3135466 A JP 3135466A JP 13546691 A JP13546691 A JP 13546691A JP H04334896 A JPH04334896 A JP H04334896A
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JP
Japan
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layer
light emitting
emitting layer
metal substrate
insulating layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP3135466A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Sekine
関根 一弘
Hirokazu Kuzushita
葛下 弘和
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Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide an EL emission layer which can form an emission layer made of phosphor in a thin film shape at good manufacturing efficiency and which is excellent in its mass productivity, luminance and emission life. CONSTITUTION:An EL emission layer provided with an emission layer 6 made of phosphor formed in a thin film between a backside electrode layer 9 made of a metal substrate and a transparent electrode layer 1 through an insulating layer 8 consisting of the oxidation treated layer of the metal substrate.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、製造が容易で、輝度と
発光寿命に優れるEL発光層に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL layer that is easy to manufacture and has excellent brightness and lifetime.

【0002】0002

【従来の技術】従来、ガラス板上に透明電極層と、螢光
体からなる発光層をスパッタリング法等で順次薄膜形成
し、その上に絶縁層と背面電極層を設けてなる薄膜型の
EL発光層、又は背面電極層の上に絶縁層を介して、蛍
光体粒子の分散液を塗布してなる発光層と、透明導電塗
料を塗布してなる透明電極層を有する厚膜型のEL発光
層が知られていた。
[Prior Art] Conventionally, a thin film type EL device has been used, in which a transparent electrode layer and a light emitting layer made of a phosphor are successively formed into thin films on a glass plate by sputtering or the like, and an insulating layer and a back electrode layer are provided thereon. A thick film type EL light emitting device having a light emitting layer formed by applying a dispersion of phosphor particles on the light emitting layer or a back electrode layer via an insulating layer, and a transparent electrode layer formed by applying a transparent conductive paint. The layers were known.

【0003】しかしながら、薄膜型のEL発光層には発
光層の形成時の高温で透明電極層が劣化しやすい問題点
、製造に長時間を要して量産性に劣る問題点があった。 一方、厚膜型のEL発光層には輝度や発光寿命に劣る問
題点があった。
[0003] However, the thin film type EL light emitting layer has the problem that the transparent electrode layer is easily deteriorated at high temperatures during the formation of the light emitting layer, and the problem that it takes a long time to manufacture and is poor in mass productivity. On the other hand, thick film type EL light emitting layers have problems of poor brightness and light emission life.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造が容易
で、輝度と発光寿命に優れるEL発光層を得ることを課
題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to obtain an EL light emitting layer that is easy to manufacture and has excellent brightness and light emission life.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、金属基板から
なる背面電極層と透明電極層との間に、前記金属基板の
酸化処理層からなる絶縁層を介して、薄膜形成した螢光
体からなる発光層を有することを特徴とするEL発光層
を提供するものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a phosphor layer formed as a thin film between a back electrode layer made of a metal substrate and a transparent electrode layer with an insulating layer made of an oxidized layer of the metal substrate interposed therebetween. The object of the present invention is to provide an EL light-emitting layer characterized by having a light-emitting layer consisting of:

【0006】[0006]

【作用】表層を酸化処理して金属酸化物層からなる絶縁
層を形成した金属基板を背面電極に用いることにより、
その背面電極に対して螢光体からなる発光層を高温処理
下に製造効率よく、かつ安定に薄膜形成することができ
、輝度や発光寿命を向上させることができる。
[Function] By using a metal substrate whose surface layer is oxidized to form an insulating layer made of a metal oxide layer for the back electrode,
A light-emitting layer made of a phosphor can be formed into a thin film on the back electrode under high-temperature treatment with high production efficiency and stability, and brightness and luminescence life can be improved.

【0007】[0007]

【実施例】本発明のEL発光層を図1〜図5に例示した
。1が透明電極層、6が薄膜形成した螢光体からなる発
光層(薄膜型)、8が金属基板の酸化処理層からなる絶
縁層、9が金属基板である。なお、2,4,7は絶縁層
、3は螢光体粒子を分散含有する発光層(厚膜型)、5
は透明電極層である。
EXAMPLE The EL light emitting layer of the present invention is illustrated in FIGS. 1 to 5. 1 is a transparent electrode layer, 6 is a light emitting layer (thin film type) made of a phosphor formed into a thin film, 8 is an insulating layer made of an oxidized layer of a metal substrate, and 9 is a metal substrate. Note that 2, 4, and 7 are insulating layers, 3 is a light emitting layer (thick film type) containing dispersed phosphor particles, and 5
is a transparent electrode layer.

【0008】本発明において背面電極層9には、例えば
アルミニウム箔などの適宜な金属基板が用いられる。金
属基板の厚さは、10μm〜1mmが一般的であるが、
これに限定されない。金属基板の発光層を設ける側には
、表層を酸化処理して金属酸化物からなる絶縁層8が形
成される。かかる絶縁層の形成は、例えば硫酸溶液やリ
ン酸溶液の如き酸溶液下での陽極酸化処理、火炎等によ
る熱酸化処理などの適宜な方法で行ってよい。絶縁層の
厚さは任意であるが、透明であることが好ましく、かか
る点より10μm以下、就中0.2〜5μmの厚さが一
般的である。
In the present invention, a suitable metal substrate such as aluminum foil is used for the back electrode layer 9. The thickness of the metal substrate is generally 10 μm to 1 mm,
It is not limited to this. On the side of the metal substrate on which the light emitting layer is provided, the surface layer is oxidized to form an insulating layer 8 made of metal oxide. Formation of such an insulating layer may be performed by an appropriate method such as anodizing treatment under an acid solution such as a sulfuric acid solution or a phosphoric acid solution, or thermal oxidation treatment using a flame or the like. Although the thickness of the insulating layer is arbitrary, it is preferably transparent, and from this point of view, the thickness is generally 10 μm or less, particularly 0.2 to 5 μm.

【0009】図2に例示の如く、金属基板の酸化処理層
からなる絶縁層8の上には必要に応じ絶縁層7が設けら
れる。かかる絶縁層7の付与は、誘電率の向上による輝
度や発光効率の改善、あるいは発光層6を形成する際に
螢光体が金属基板の酸化処理層からなる絶縁層8と反応
することの防止に有効である。
As illustrated in FIG. 2, an insulating layer 7 is provided as necessary on an insulating layer 8 made of an oxidized layer of a metal substrate. The provision of such an insulating layer 7 is intended to improve brightness and luminous efficiency by increasing the dielectric constant, or to prevent the phosphor from reacting with the insulating layer 8 made of an oxidized layer of the metal substrate when forming the luminescent layer 6. It is effective for

【0010】絶縁層7の形成には、自己回復型材料を用
いることが好ましい。その例としては、SiO2、Y2
O3、Sm2O3、Al2O3などがあげられる。絶縁
層7の形成は、例えばスパッタリング法、エレクトロン
ビーム蒸着法、CVD法などの適宜な方式で行ってよい
。その厚さは、1〜20μm程度が一般的である。絶縁
層7及び前記の酸化絶縁層8は透明であることが好まし
く、かかる点より両絶縁層の合計厚さを10μm以下と
することが望ましい。
[0010] In forming the insulating layer 7, it is preferable to use a self-healing material. Examples include SiO2, Y2
Examples include O3, Sm2O3, Al2O3, etc. The insulating layer 7 may be formed by an appropriate method such as a sputtering method, an electron beam evaporation method, or a CVD method. Its thickness is generally about 1 to 20 μm. The insulating layer 7 and the oxidized insulating layer 8 are preferably transparent, and from this point of view, it is desirable that the total thickness of both insulating layers is 10 μm or less.

【0011】発光層としては、薄膜形成した螢光体から
なる薄膜型のもの6が少なくとも設けられる。薄膜型の
発光層の形成は、例えばスパッタリング法、エレクトロ
ンビーム蒸着法、MOCVD法、ALE法などの適宜な
方式で行ってよい。本発明では、酸化処理層からなる絶
縁層を有する金属基板を用いるので、高温下に効率よく
薄膜形成でき、またアニール処理することができる。
As the light emitting layer, at least a thin film type 6 made of a phosphor formed into a thin film is provided. The thin film type light emitting layer may be formed by an appropriate method such as a sputtering method, an electron beam evaporation method, an MOCVD method, or an ALE method. In the present invention, since a metal substrate having an insulating layer made of an oxidized layer is used, a thin film can be efficiently formed at high temperatures and annealing can be performed.

【0012】発光層を形成する蛍光体としては例えば、
硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化カドミウム亜鉛、硫化
ストロンチウム、硫化セレン化亜鉛等に、銅、マンガン
、アルミニウム、銀、塩素、フッ素、臭素、希土類等を
添加して活性化したものなどがあげられる。
[0012] Examples of the phosphor forming the light-emitting layer include:
Examples include those activated by adding copper, manganese, aluminum, silver, chlorine, fluorine, bromine, rare earth elements, etc. to zinc sulfide, cadmium sulfide, cadmium zinc sulfide, strontium sulfide, zinc selenide sulfide, etc.

【0013】本発明においては図4、図5に例示の如く
必要に応じて、蛍光体粒子を分散含有する発光層3(厚
膜型)を設けて、ハイブリッド型のEL発光層としても
よい。厚膜型の発光層の形成は例えば、蛍光体粒子をバ
インダに添加して塗布する方法などにより行うことがで
きる。塗布は例えば、スクリーン印刷法、流延法、ドク
ターブレード法、ロールコーティング法などの適宜な方
法で行ってよい。
In the present invention, as illustrated in FIGS. 4 and 5, if necessary, a light emitting layer 3 (thick film type) containing dispersed phosphor particles may be provided to form a hybrid type EL light emitting layer. The thick film type light emitting layer can be formed, for example, by a method of adding phosphor particles to a binder and coating the binder. Application may be carried out by any suitable method such as screen printing, casting, doctor blading, or roll coating.

【0014】蛍光体粒子としては、前記に例示したもの
からなる粒子、あるいはそれを高誘電体膜、水分遮蔽膜
、蛍光染料固定化膜等でコーティングしたものなどが一
般に用いられる。蛍光体粒子の平均粒径は10μm以上
、就中15〜40μmが好ましい。発光層中に分散する
蛍光体の体積占有率は30〜80%が一般的である。 なお、前記の蛍光染料固定化膜でコーティングした蛍光
体粒子は色調を制御できるようにしたものであるが、か
かる色調制御は蛍光染料ないし蛍光顔料を適宜な層に含
有させる方法によっても行うことができる。
[0014] As the phosphor particles, particles such as those exemplified above, or particles coated with a high dielectric constant film, a moisture shielding film, a fluorescent dye fixing film, etc., are generally used. The average particle diameter of the phosphor particles is preferably 10 μm or more, particularly 15 to 40 μm. The volume occupancy of the phosphor dispersed in the light emitting layer is generally 30 to 80%. Note that the phosphor particles coated with the fluorescent dye-immobilized film mentioned above are designed to be able to control the color tone, but such color tone control can also be achieved by incorporating a fluorescent dye or fluorescent pigment into an appropriate layer. can.

【0015】蛍光体粒子を分散させるバインダとしては
、例えばシアノエチルセルロース、シアノエチルサッカ
ロース、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニ
ルアルコール、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフル
オロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、テト
ラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合
体、フッ化ビニリデン系共重合体などが好ましく用いら
れる。また、テトラエトキシシランの如き有機金属化合
物をゾル・ゲル法で処理して得られる高分子量ゾル(特
開平2−33888号公報)なども好ましく用いうる。 なおかかるバインダは、絶縁層や透明電極層などの形成
にも用いることができる。
Examples of the binder for dispersing the phosphor particles include cyanoethyl cellulose, cyanoethyl sucrose, cyanoethyl pullulan, cyanoethyl polyvinyl alcohol, polyvinylidene fluoride, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, and tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene. Polymers, vinylidene fluoride copolymers, and the like are preferably used. Also preferably used is a high molecular weight sol (Japanese Patent Application Laid-open No. 2-33888) obtained by treating an organometallic compound such as tetraethoxysilane by a sol-gel method. Note that such a binder can also be used for forming an insulating layer, a transparent electrode layer, and the like.

【0016】前記のフッ化ビニリデン系共重合体におけ
るフッ化ビニリデンとの共重合体成分としては、テトラ
フルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリ
フルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンなどの1
種又は2種以上が用いられる。塗布液の調製には、酢酸
セロソルブ、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケト
ンの如き適宜な有機溶媒を用いてよい。
[0016] As the copolymer component with vinylidene fluoride in the vinylidene fluoride copolymer, one such as tetrafluoroethylene, trifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene, hexafluoropropylene, etc.
A species or two or more species may be used. In preparing the coating solution, an appropriate organic solvent such as cellosolve acetate, dimethylformamide, or methyl ethyl ketone may be used.

【0017】図4、図5に例示の如く、2層以上の発光
層を有する場合、異色発光の組合せとして発光色を変化
させることができる。図5に例示のものは、発光層3と
発光層6の間に絶縁層4と透明電極層5を設けて、各発
光層3,6に対する印加電圧を変調できるようにし、こ
れにより輝度、ないし発光色を制御できるようにしたも
のである。なお絶縁層4としては、自己回復型材料を用
いたものが好ましい。
As illustrated in FIGS. 4 and 5, when the light emitting layer has two or more layers, the color of the emitted light can be changed as a combination of different color emitted light. In the example shown in FIG. 5, an insulating layer 4 and a transparent electrode layer 5 are provided between the light-emitting layer 3 and the light-emitting layer 6, so that the voltage applied to each light-emitting layer 3, 6 can be modulated. This allows the color of the emitted light to be controlled. Note that the insulating layer 4 is preferably made of a self-healing material.

【0018】透明電極層1,5の形成は、例えばインジ
ウムないし錫の酸化物の如き透明導電性付与剤をスパッ
タリング法等の薄膜形成法で発光層6の上などに直接付
設する方法や、透明導電性付与剤をフィルム上に蒸着等
してなる透明導電フィルムを接着する方法などにより行
うことができる。また透明導電性付与剤のバインダ分散
液を塗布する方法等によっても形成することができる。
The transparent electrode layers 1 and 5 can be formed by applying a transparent conductivity imparting agent such as an oxide of indium or tin directly onto the light emitting layer 6 by a thin film forming method such as a sputtering method, or This can be carried out by a method of adhering a transparent conductive film formed by vapor-depositing a conductivity-imparting agent on the film, or the like. It can also be formed by a method of applying a binder dispersion of a transparent conductivity imparting agent.

【0019】透明電極層に対しては必要に応じ、銀粉や
カーボン等の導電性粉末を含有する樹脂ペーストの塗布
層などからなる集電帯が設けられる。集電帯は、ターミ
ナル方式のリード電極を介して透明電極層に印加する電
圧の偏りを抑制するためのものである。集電帯は、透明
電極層の一部に帯状に設ける方式が通例である。
A current collecting band made of a coating layer of a resin paste containing conductive powder such as silver powder or carbon is provided on the transparent electrode layer, if necessary. The current collecting band is for suppressing bias in the voltage applied to the transparent electrode layer via the terminal type lead electrode. The current collecting band is usually provided in a band shape on a part of the transparent electrode layer.

【0020】本発明においては図3に例示の如く、透明
電極層1と発光層6の間にも誘電率の向上による輝度や
発光効率の改善等を目的に、必要に応じて絶縁層2が設
けられる。従って、図2、図3、図5に例示の絶縁層を
適宜に組合せた形態なども本発明の実施例としてあげら
れる。なお絶縁層2は、絶縁性樹脂の塗布方法や、絶縁
フィルムのラミネート法などにより形成してよい。絶縁
層には、例えばチタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン
酸ジルコニウム、酸化チタン、硫化亜鉛、炭化ケイ素の
如き高誘電率微粒子を配合してもよい。
In the present invention, as illustrated in FIG. 3, an insulating layer 2 is optionally provided between the transparent electrode layer 1 and the light emitting layer 6 for the purpose of improving brightness and light emitting efficiency by increasing the dielectric constant. provided. Therefore, embodiments of the present invention include forms in which the insulating layers illustrated in FIGS. 2, 3, and 5 are appropriately combined. Note that the insulating layer 2 may be formed by an insulating resin coating method, an insulating film laminating method, or the like. The insulating layer may contain high dielectric constant fine particles such as barium titanate, lead titanate, zirconium titanate, titanium oxide, zinc sulfide, and silicon carbide.

【0021】本発明のEL発光層は、限定するものでは
ないが、外側をカバー層で包囲した形態で実用途に供す
ることが一般的である。カバー層の形成には、吸水率や
透湿度の小さいプラスチックフィルムが好ましく用いら
れる。その例としては、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニ
ル・塩化ビニリデン共重合体、ポリプロピレン、高密度
ポリエチレン、四フッ化エチレン・六フッ化エチレン共
重合体、フッ化エチレン・プロピレン共重合体、ポリエ
チレンテレフタレート、エチレン・テトラフルオロエチ
レン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ない
しその共重合体などがあげられる。
[0021] The EL light-emitting layer of the present invention is generally used in practical use in a form in which the outside is surrounded by a cover layer, although the layer is not limited thereto. A plastic film with low water absorption and moisture permeability is preferably used to form the cover layer. Examples include polyvinylidene chloride, vinyl chloride/vinylidene chloride copolymer, polypropylene, high-density polyethylene, tetrafluoroethylene/hexafluoroethylene copolymer, fluorinated ethylene/propylene copolymer, polyethylene terephthalate, ethylene - Examples include tetrafluoroethylene copolymer, polychlorotrifluoroethylene, and copolymers thereof.

【0022】また発光層への水分侵入の防止を目的に、
通例カバー層の内側に必要に応じて捕水層が設けられる
。その形成には、水に不溶であるが、水分を吸収捕獲し
て膨潤する性質を示す吸水性プラスチック就中、水分の
吸収能が自重の5倍以上のものが好ましく用いられる。 その例としては、カルボキシル基、スルホン基、リン酸
基、第四級アンモニウム塩、アミノ基、イミノ基、ピリ
ジウム基の如きイオン化性基、ないしその塩及び/又は
ヒドロキシル基、エーテル基、鎖状ないし環状のアミド
基、ニトリル基の如きノニオン性親水性基等を有する天
然、ないし合成の親水性で水不溶性のポリマなどがあげ
られる。
[0022] Also, for the purpose of preventing moisture from entering the light emitting layer,
Usually, a water-trapping layer is provided inside the cover layer as required. For its formation, water-absorbing plastics that are insoluble in water but have the property of absorbing and trapping moisture to swell, and among them, those having a moisture absorption capacity of 5 times or more of their own weight are preferably used. Examples include carboxyl groups, sulfonic groups, phosphoric acid groups, quaternary ammonium salts, amino groups, imino groups, ionizable groups such as pyridium groups, and/or salts thereof and/or hydroxyl groups, ether groups, chain-like or Examples include natural or synthetic hydrophilic and water-insoluble polymers having nonionic hydrophilic groups such as cyclic amide groups and nitrile groups.

【0023】吸水性プラスチックの具体例としては、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリルアミドとポリオレフィ
ンとのブレンドポリマー、アクリル酸ないしその塩とジ
ビニルベンゼンとの共重合体、アクリロニトリルと塩化
ビニルとエチレン系単量体との共重合体のアルカリ加水
分解物、アクリロニトリルと塩化ビニリデンとエチレン
系単量体との共重合体のアルカリ加水分解物、アクリル
アミド系共重合体のホルムアルデヒド架橋体、ポリアク
リル酸とポリビニルアルコールとの酸縮合物、ポリビニ
ルアルコールのエピクロルヒドリン架橋体、アクリロニ
トリル系重合体をアルカリで加水分解した重合体のホル
ムアルデヒド架橋体、ポリビニルアルコールのリン酸縮
合体、2−ヒドロキシエチルメタクリレートとエチレン
グリコールジメタクリレートとの共重合体、2−メチル
−5−ビニルピリジンとN,N’−メチレンビスアクリ
ルアミドとの共重合体、N,N’−ジメチルアミノエチ
ルメタクリレートとN,N’−メチレンビスアクリルア
ミドとの共重合体、N−ビニル−2−ピロリドンとエチ
レングリコールジメタクリレートとの共重合体、ポリオ
キシエチレンの放射線照射による架橋体、でん粉の酸性
下加熱縮合物、でん粉−アクリロニトリルグラフト共重
合体のケン化物、ビニルエステルとエステル系不飽和カ
ルボン酸、ないしその誘導体との共重合体の乾燥体、イ
ソブチレン−マレイン酸共重合体などがあげられる。
Specific examples of water-absorbing plastics include polyacrylamide, a blend polymer of polyacrylamide and polyolefin, a copolymer of acrylic acid or its salt and divinylbenzene, and a copolymer of acrylonitrile, vinyl chloride, and ethylene monomer. Alkaline hydrolyzate of copolymer, alkaline hydrolyzate of copolymer of acrylonitrile, vinylidene chloride, and ethylene monomer, formaldehyde crosslinked product of acrylamide copolymer, acid condensation of polyacrylic acid and polyvinyl alcohol epichlorohydrin crosslinked product of polyvinyl alcohol, formaldehyde crosslinked product of a polymer obtained by hydrolyzing acrylonitrile polymer with alkali, phosphoric acid condensate of polyvinyl alcohol, copolymer of 2-hydroxyethyl methacrylate and ethylene glycol dimethacrylate, Copolymer of 2-methyl-5-vinylpyridine and N,N'-methylenebisacrylamide, copolymer of N,N'-dimethylaminoethyl methacrylate and N,N'-methylenebisacrylamide, N-vinyl -Copolymers of 2-pyrrolidone and ethylene glycol dimethacrylate, cross-linked products of polyoxyethylene by radiation irradiation, starch heating condensates under acidic conditions, saponified products of starch-acrylonitrile graft copolymers, vinyl esters and ester-based monomers. Examples include dried copolymers of saturated carboxylic acids and derivatives thereof, isobutylene-maleic acid copolymers, and the like.

【0024】捕水層の形成方法としては、吸水性プラス
チック溶液を塗布する方法や、吸水性プラスチックから
なるフィルムをラミネートする方法などがあげられる。 捕水層の厚さは20〜300μmが一般的であるが、こ
れに限定されない。
Methods for forming the water-absorbing layer include a method of applying a water-absorbing plastic solution and a method of laminating a film made of water-absorbing plastic. The thickness of the water-trapping layer is generally 20 to 300 μm, but is not limited thereto.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、酸化処理絶縁層を有す
る金属基板を用いたので、螢光体からなる発光層を製造
効率よく薄膜形成できて量産性に優れており、輝度や発
光寿命に優れるEL発光層を得ることができる。
Effects of the Invention According to the present invention, since a metal substrate having an oxidized insulating layer is used, a light emitting layer made of a phosphor can be formed into a thin film with high manufacturing efficiency, and is excellent in mass production. An EL light emitting layer with excellent properties can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】実施例の断面図。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment.

【図2】他の実施例の断面図。FIG. 2 is a sectional view of another embodiment.

【図3】他の実施例の断面図。FIG. 3 is a sectional view of another embodiment.

【図4】他の実施例の断面図。FIG. 4 is a sectional view of another embodiment.

【図5】他の実施例の断面図。FIG. 5 is a sectional view of another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,5:透明電極層 3,6:発光層 2,4,7:絶縁層 8:金属基板の酸化処理層からなる絶縁層9:金属基板
からなる背面電極層
1, 5: Transparent electrode layer 3, 6: Luminescent layer 2, 4, 7: Insulating layer 8: Insulating layer made of an oxidized layer of a metal substrate 9: Back electrode layer made of a metal substrate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  金属基板からなる背面電極層と透明電
極層との間に、前記金属基板の酸化処理層からなる絶縁
層を介して、薄膜形成した螢光体からなる発光層を有す
ることを特徴とするEL発光層。
1. A light-emitting layer made of a phosphor formed as a thin film is provided between a back electrode layer made of a metal substrate and a transparent electrode layer, with an insulating layer made of an oxidized layer of the metal substrate interposed therebetween. Characteristic EL light emitting layer.
JP3135466A 1991-05-09 1991-05-09 El emission layer Pending JPH04334896A (en)

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