JPH04337637A - 膜形成基板の処理方法 - Google Patents
膜形成基板の処理方法Info
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- JPH04337637A JPH04337637A JP3109504A JP10950491A JPH04337637A JP H04337637 A JPH04337637 A JP H04337637A JP 3109504 A JP3109504 A JP 3109504A JP 10950491 A JP10950491 A JP 10950491A JP H04337637 A JPH04337637 A JP H04337637A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は膜形成基板の処理方法に
関する。詳しくは、アクティブマトリクス型液晶表示装
置に用いられる薄膜トランジスタマトリクス基板などの
製造工程でのエッチング，洗浄，乾燥処理の際に、ウォ
ータマークなどの汚染が残って基板欠陥を生じることが
ないようにする膜形成基板の処理方法の改良に関する。
関する。詳しくは、アクティブマトリクス型液晶表示装
置に用いられる薄膜トランジスタマトリクス基板などの
製造工程でのエッチング，洗浄，乾燥処理の際に、ウォ
ータマークなどの汚染が残って基板欠陥を生じることが
ないようにする膜形成基板の処理方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造やディスプ
レイ装置の製造などの分野で高精細，かつ、複雑なパタ
ーン形成が要求され、それにともなってホトリソグラフ
ィ技術もますます高度化すると共に洗浄，乾燥処理など
後処理がますます重要になってきている。
レイ装置の製造などの分野で高精細，かつ、複雑なパタ
ーン形成が要求され、それにともなってホトリソグラフ
ィ技術もますます高度化すると共に洗浄，乾燥処理など
後処理がますます重要になってきている。
【０００３】図４は従来の処理方法の例を示す図で、同
図（イ）は処理装置の全体構成例，同図（ロ）は洗浄・
乾燥の具体的構成例である。同図（イ）において基板１
，たとえば、膜形成した大型のガラス基板はローダ１０
０からアンローダ１０４まで自動的に搬送されるように
なっており、エッチング槽１０１でウエットエッチング
された基板はそのまゝリンス（洗浄）槽１０２に搬送さ
れてリンス洗浄され、さらに，引き続いて乾燥槽１０３
で乾燥，たとえば、高圧空気を吹き付けるエアナイフ乾
燥を受けたのちアンローダ１０４において、図示してな
いカセットに収容される。
図（イ）は処理装置の全体構成例，同図（ロ）は洗浄・
乾燥の具体的構成例である。同図（イ）において基板１
，たとえば、膜形成した大型のガラス基板はローダ１０
０からアンローダ１０４まで自動的に搬送されるように
なっており、エッチング槽１０１でウエットエッチング
された基板はそのまゝリンス（洗浄）槽１０２に搬送さ
れてリンス洗浄され、さらに，引き続いて乾燥槽１０３
で乾燥，たとえば、高圧空気を吹き付けるエアナイフ乾
燥を受けたのちアンローダ１０４において、図示してな
いカセットに収容される。
【０００４】同図（ロ）にリンス洗浄からエアナイフ乾
燥までの具体的な構成例を示した。基板１は水平に配置
された，たとえば、搬送コロ５の上を左から右側に搬送
される。リンス槽１０２では，たとえば、純水を噴出す
るリンス液シャワー４を上下から吹き付けて、たとえば
，図示してないエッチング槽でのエッチング処理で表面
に付着したエッチング液を洗い流す。
燥までの具体的な構成例を示した。基板１は水平に配置
された，たとえば、搬送コロ５の上を左から右側に搬送
される。リンス槽１０２では，たとえば、純水を噴出す
るリンス液シャワー４を上下から吹き付けて、たとえば
，図示してないエッチング槽でのエッチング処理で表面
に付着したエッチング液を洗い流す。
【０００５】基板１はリンス槽１０２を通過すると、連
続して配置された乾燥槽１０３に搬送され、たとえば，
上下に配置された高圧空気が噴出されるエアナイフ３０
’によって乾燥され、アンローダ１０４に搬送されて，
たとえば、カセットに収容される。
続して配置された乾燥槽１０３に搬送され、たとえば，
上下に配置された高圧空気が噴出されるエアナイフ３０
’によって乾燥され、アンローダ１０４に搬送されて，
たとえば、カセットに収容される。
【０００６】図５は従来の基板ウエット処理の例を示す
図で、たとえば，アクティブマトリクス型液晶表示装置
に用いる薄膜トランジスタマトリクス基板の製造工程の
中間処理の状況を模式的に図示したものである。
図で、たとえば，アクティブマトリクス型液晶表示装置
に用いる薄膜トランジスタマトリクス基板の製造工程の
中間処理の状況を模式的に図示したものである。
【０００７】図では１つのトランジスタ素子部分につい
て示してあるが、実際には多数の素子がマトリクス状に
配列して形成され、ゲート部分が下部に形成されている
，いわゆる、ボトムゲートトランジスタタイプの場合の
例である。
て示してあるが、実際には多数の素子がマトリクス状に
配列して形成され、ゲート部分が下部に形成されている
，いわゆる、ボトムゲートトランジスタタイプの場合の
例である。
【０００８】先ず、大型のガラス板からなる基板１の上
に、たとえば，Ｔｉからなるゲート２ａを形成し、その
上に ＳｉＮｘ ／ＳｉＯ２ などからなるゲート絶縁
膜２ｂ、さらに，たとえばアモルファスＳｉ膜からなる
動作半導体層２ｃ，チャネル保護部となる ＳｉＮｘ
膜などからなる絶縁層２ｄを積層形成する。この際、大
型の基板１の４辺は基板ホルダ１１’で保持されている
〔同図（１）〕。
に、たとえば，Ｔｉからなるゲート２ａを形成し、その
上に ＳｉＮｘ ／ＳｉＯ２ などからなるゲート絶縁
膜２ｂ、さらに，たとえばアモルファスＳｉ膜からなる
動作半導体層２ｃ，チャネル保護部となる ＳｉＮｘ
膜などからなる絶縁層２ｄを積層形成する。この際、大
型の基板１の４辺は基板ホルダ１１’で保持されている
〔同図（１）〕。
【０００９】次に、基板ホルダ１１’を外し、絶縁層２
ｄ上にゲート２ａの位置と一致させてエッチングマスク
となるレジストパターン２０を形成する〔同図（２）〕
。次いで、レジストパターン２０をマスクとしてＨＦと
ＮＨ４Ｆの混酸中で絶縁層２ｄのウエットエッチングを
行ってチャネル保護部を形成する〔同図（３）〕。
ｄ上にゲート２ａの位置と一致させてエッチングマスク
となるレジストパターン２０を形成する〔同図（２）〕
。次いで、レジストパターン２０をマスクとしてＨＦと
ＮＨ４Ｆの混酸中で絶縁層２ｄのウエットエッチングを
行ってチャネル保護部を形成する〔同図（３）〕。
【００１０】次いで、前記エッチング液をリンス液シャ
ワー４’，たとえば、純水で洗浄する〔同図（４）〕。 そして、リンス洗浄された基板１を，たとえば、高圧空
気を噴出するエアナイフによって乾燥したあと〔同図（
５）、ただし，レジストマスクパターン２０などは図示
を省略してある〕、次工程，たとえば、ソース・ドレイ
ン電極のリフトオフ工程に進めている。
ワー４’，たとえば、純水で洗浄する〔同図（４）〕。 そして、リンス洗浄された基板１を，たとえば、高圧空
気を噴出するエアナイフによって乾燥したあと〔同図（
５）、ただし，レジストマスクパターン２０などは図示
を省略してある〕、次工程，たとえば、ソース・ドレイ
ン電極のリフトオフ工程に進めている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の膜
形成基板の処理方法では、図４（ロ）に示したごとくエ
ッチング槽１０２のリンス液シャワー４と乾燥槽１０３
のエアナイフ３０’との間にはある移動距離があり、し
かも，絶縁層２ｄのウエットエッチングによって露出し
た動作半導体層２ｃは溌水性があってリンス液である純
水が部分的にはじかれる，すなわち、水玉が生じてしま
うので、図５（５）に図示したように乾燥のあとに，い
わゆる、ウォータマーク４”が生じてしまう。
形成基板の処理方法では、図４（ロ）に示したごとくエ
ッチング槽１０２のリンス液シャワー４と乾燥槽１０３
のエアナイフ３０’との間にはある移動距離があり、し
かも，絶縁層２ｄのウエットエッチングによって露出し
た動作半導体層２ｃは溌水性があってリンス液である純
水が部分的にはじかれる，すなわち、水玉が生じてしま
うので、図５（５）に図示したように乾燥のあとに，い
わゆる、ウォータマーク４”が生じてしまう。
【００１２】また、基板１は膜形成時に４辺を基板ホル
ダ１１’で保持しており、したがって，基板周辺は全て
細い露出ガラス面１０’で囲まれている。通常、ガラス
面はよく水に濡れるので、図５（４）に図示したごとく
リンス液４’，すなわち、純水はそこに溜まり易く、そ
の結果，水玉となった動作半導体槽２ｃ上の純水は露出
ガラス面上に濡れて付着した水に堰き止められ、さらに
，ウォータマーク４”の形成が増進される。
ダ１１’で保持しており、したがって，基板周辺は全て
細い露出ガラス面１０’で囲まれている。通常、ガラス
面はよく水に濡れるので、図５（４）に図示したごとく
リンス液４’，すなわち、純水はそこに溜まり易く、そ
の結果，水玉となった動作半導体槽２ｃ上の純水は露出
ガラス面上に濡れて付着した水に堰き止められ、さらに
，ウォータマーク４”の形成が増進される。
【００１３】このように、ウォータマーク４”が動作半
導体層２ｃ上に形成されると、表面汚染の原因となり製
品品質の劣化を来すといった重大な問題があり、その解
決が求められている。
導体層２ｃ上に形成されると、表面汚染の原因となり製
品品質の劣化を来すといった重大な問題があり、その解
決が求められている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板１上
に複数の膜２が形成され、少なくともウエットエッチン
グ，洗浄，エアナイフ乾燥が行われるウエット処理方法
において、洗浄終了のあと前記基板１の最上層の膜２表
面が濡れた状態で直ちにエアナイフ領域３に搬送される
ようにした膜形成基板の処理方法によって解決すること
ができる。さらに、前記エアナイフ領域３で前記基板１
が傾斜搬送されるようにしたり、前記基板１の少なくと
も一端辺１０まで最上層の膜２を形成し、前記一端辺１
０が下端になるようにして傾斜搬送させることによって
、より効果を高めることができる。
に複数の膜２が形成され、少なくともウエットエッチン
グ，洗浄，エアナイフ乾燥が行われるウエット処理方法
において、洗浄終了のあと前記基板１の最上層の膜２表
面が濡れた状態で直ちにエアナイフ領域３に搬送される
ようにした膜形成基板の処理方法によって解決すること
ができる。さらに、前記エアナイフ領域３で前記基板１
が傾斜搬送されるようにしたり、前記基板１の少なくと
も一端辺１０まで最上層の膜２を形成し、前記一端辺１
０が下端になるようにして傾斜搬送させることによって
、より効果を高めることができる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、リンス洗浄からエアナイフ乾
燥の間、基板１の最上層の膜２の表面をリンス液，たと
えば、純水で膜状に覆うことができ、乾燥前に表面に水
玉を生じる余地がなくなり、かつ，エアナイフ領域３で
は基板１は傾斜しているので膜状の水が極めて急速に除
去されるので、ウォータマーク４”の発生が抑止される
のである。
燥の間、基板１の最上層の膜２の表面をリンス液，たと
えば、純水で膜状に覆うことができ、乾燥前に表面に水
玉を生じる余地がなくなり、かつ，エアナイフ領域３で
は基板１は傾斜しているので膜状の水が極めて急速に除
去されるので、ウォータマーク４”の発生が抑止される
のである。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図である。図
中、１２はリンス槽，１３は乾燥槽，３はエアナイフ領
域，３０はエアナイフである。なお、前記の諸図面で説
明したものと同等の部分については同一符号を付し、か
つ、同等部分についての説明は省略する。
中、１２はリンス槽，１３は乾燥槽，３はエアナイフ領
域，３０はエアナイフである。なお、前記の諸図面で説
明したものと同等の部分については同一符号を付し、か
つ、同等部分についての説明は省略する。
【００１７】リンス槽１２のリンス液シャワー４は、リ
ンス槽１２と乾燥槽１３の間の隔壁１５に近接した位置
まで配設し、乾燥槽１３のリンス槽側，すなわち、左側
の領域の，少なくとも、上方にリンス液シャワー４を配
設する。
ンス槽１２と乾燥槽１３の間の隔壁１５に近接した位置
まで配設し、乾燥槽１３のリンス槽側，すなわち、左側
の領域の，少なくとも、上方にリンス液シャワー４を配
設する。
【００１８】この乾燥槽１３のリンス液シャワー４はエ
アナイフ３０が設けられたエアナイフ領域３に密接する
ところまで配置しておく。これによって基板１の最上層
の膜２，すなわち、動作半導体層２ｃに水玉が生じるい
とまがないうちに、高圧空気を噴出するエアナイフ３０
によって乾燥されてしまう。
アナイフ３０が設けられたエアナイフ領域３に密接する
ところまで配置しておく。これによって基板１の最上層
の膜２，すなわち、動作半導体層２ｃに水玉が生じるい
とまがないうちに、高圧空気を噴出するエアナイフ３０
によって乾燥されてしまう。
【００１９】さらに、エアナイフ領域３の搬送コロ５の
配列を傾斜，たとえば、１０〜２０°傾斜させておくこ
とによって、基板１もその領域で傾斜搬送されるので表
面の膜状の水はより一層急速な除去が行われる効果があ
る。
配列を傾斜，たとえば、１０〜２０°傾斜させておくこ
とによって、基板１もその領域で傾斜搬送されるので表
面の膜状の水はより一層急速な除去が行われる効果があ
る。
【００２０】図２は本発明の他の実施例を示す図である
。本実施例では、乾燥槽１３にリンス液４’を満たした
ディップ槽４０’を配置してある点が上記一実施例の場
合と異なるが、エアナイフ領域３に搬送されるまでは基
板１の最上層の膜２，すなわち、動作半導体層２ｃには
膜状の水が覆い水玉が生じるいとまがないようにされて
いることでは同様であり、したがって，ウォータマーク
が発生しないという効果が全く同様に得られることは言
うまでもない。
。本実施例では、乾燥槽１３にリンス液４’を満たした
ディップ槽４０’を配置してある点が上記一実施例の場
合と異なるが、エアナイフ領域３に搬送されるまでは基
板１の最上層の膜２，すなわち、動作半導体層２ｃには
膜状の水が覆い水玉が生じるいとまがないようにされて
いることでは同様であり、したがって，ウォータマーク
が発生しないという効果が全く同様に得られることは言
うまでもない。
【００２１】図３は本発明の基板構成の実施例を示す図
で、前記図５に示したものと同様にアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタマトリクス
基板の製造工程の中間処理の状況を模式的に図示したも
のである。
で、前記図５に示したものと同様にアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタマトリクス
基板の製造工程の中間処理の状況を模式的に図示したも
のである。
【００２２】図では１つのトランジスタ素子部分につい
て示してあるが、実際には多数の素子がマトリクス状に
配列して形成され、ゲート部分が下部に形成されている
，いわゆる、ボトムゲートトランジスタタイプの場合の
例である。
て示してあるが、実際には多数の素子がマトリクス状に
配列して形成され、ゲート部分が下部に形成されている
，いわゆる、ボトムゲートトランジスタタイプの場合の
例である。
【００２３】図中、１０は基板１の一端辺、１１は基板
ホルダである。なお、前記の諸図面で説明したものと同
等の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分に
ついての説明は省略する。
ホルダである。なお、前記の諸図面で説明したものと同
等の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分に
ついての説明は省略する。
【００２４】本実施例では基板１上に膜形成を行う間、
基板１を保持するために基板１の少なくとも一端辺１０
を残した基板ホルダ１１を用いる点が従来の場合と異な
っている。
基板１を保持するために基板１の少なくとも一端辺１０
を残した基板ホルダ１１を用いる点が従来の場合と異な
っている。
【００２５】したがって、この一端辺１０のエッジ部ま
で最上層の膜２，すなわち、この場合アモルファスＳｉ
からなる動作半導体層２ｃによって覆われる〔同図（１
）］。その結果、この一端辺１０が下端になるように基
板１を傾斜させてリンス洗浄を行へば、リンス液４’，
すなわち、純水が濡れて堰き止められる露出ガラス面１
０’がないので一様に流れ落ち〔同図（２）〕、ウォー
タマーク形成による汚染が生じない〔同図（３）〕。
で最上層の膜２，すなわち、この場合アモルファスＳｉ
からなる動作半導体層２ｃによって覆われる〔同図（１
）］。その結果、この一端辺１０が下端になるように基
板１を傾斜させてリンス洗浄を行へば、リンス液４’，
すなわち、純水が濡れて堰き止められる露出ガラス面１
０’がないので一様に流れ落ち〔同図（２）〕、ウォー
タマーク形成による汚染が生じない〔同図（３）〕。
【００２６】なお、上記の実施例は例を示したものであ
り、本発明の趣旨に反しない限り、その他のデバイス用
の基板に適用してもよく、また，使用する素材や装置構
成なども適宜他のもの，あるいは、それらの組み合わせ
用いてもよいことは言うまでもない。
り、本発明の趣旨に反しない限り、その他のデバイス用
の基板に適用してもよく、また，使用する素材や装置構
成なども適宜他のもの，あるいは、それらの組み合わせ
用いてもよいことは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればリ
ンス洗浄からエアナイフ乾燥の間、基板１の最上層の膜
２の表面をリンス液，たとえば、純水で膜状に覆うこと
ができ、乾燥前に表面に水玉を生じる余地がなくなり、
かつ，エアナイフ領域３では基板１は傾斜しているので
膜状の水が極めて急速に除去されるので、ウォータマー
ク４”の発生が抑止され、製品の品質及び歩留りの向上
に寄与するところが極めて大きい。
ンス洗浄からエアナイフ乾燥の間、基板１の最上層の膜
２の表面をリンス液，たとえば、純水で膜状に覆うこと
ができ、乾燥前に表面に水玉を生じる余地がなくなり、
かつ，エアナイフ領域３では基板１は傾斜しているので
膜状の水が極めて急速に除去されるので、ウォータマー
ク４”の発生が抑止され、製品の品質及び歩留りの向上
に寄与するところが極めて大きい。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明の基板構成の実施例を示す図である。
【図４】従来の処理方法の例を示す図である。
【図５】従来の基板ウエット処理の例を示す図である。
１は基板、
２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ）は膜、
３はエアナイフ領域、
４はリンス液シャワー、４’はリンス液、５は搬送コロ
、 １０は基板の一端面、 １１は基板ホルダ、 １２はリンス槽、 １３は乾燥槽、 ３０はエアナイフ、 ４０’はディップ槽、
、 １０は基板の一端面、 １１は基板ホルダ、 １２はリンス槽、 １３は乾燥槽、 ３０はエアナイフ、 ４０’はディップ槽、
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（１）上に複数の膜（２）が形成
され、少なくともウエットエッチング，洗浄，エアナイ
フ乾燥が行われるウエット処理方法において、洗浄終了
のあと、前記基板（１）の最上層の膜（２）表面が濡れ
た状態で直ちにエアナイフ領域（３）に搬送されること
を特徴とした膜形成基板の処理方法。 - 【請求項２】 前記エアナイフ領域（３）で前記基板
（１）が傾斜搬送されることを特徴とした請求項１記載
の膜形成基板の処理方法。 - 【請求項３】 前記基板（１）の少なくとも一端辺（
１０）まで最上層の膜（２）を形成し、前記一端辺（１
０）が下端になるように傾斜させることを特徴とした請
求項２記載の膜形成基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3109504A JPH04337637A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 膜形成基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3109504A JPH04337637A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 膜形成基板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337637A true JPH04337637A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14511942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3109504A Withdrawn JPH04337637A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 膜形成基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068694A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの洗浄装置及びウェーハの接着装置 |
| JP2023180487A (ja) * | 2022-06-09 | 2023-12-21 | 株式会社ディスコ | 搬送ユニット及び加工装置 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP3109504A patent/JPH04337637A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068694A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの洗浄装置及びウェーハの接着装置 |
| JP2023180487A (ja) * | 2022-06-09 | 2023-12-21 | 株式会社ディスコ | 搬送ユニット及び加工装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |