JPH043385Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH043385Y2 JPH043385Y2 JP15210081U JP15210081U JPH043385Y2 JP H043385 Y2 JPH043385 Y2 JP H043385Y2 JP 15210081 U JP15210081 U JP 15210081U JP 15210081 U JP15210081 U JP 15210081U JP H043385 Y2 JPH043385 Y2 JP H043385Y2
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- JP
- Japan
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- sample
- ions
- slit
- analyzer
- energy
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- Expired
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 102100024539 Chymase Human genes 0.000 description 1
- 101000909983 Homo sapiens Chymase Proteins 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は表面分析装置に関し、特に同軸円筒型
エネルギ分析器（Cylindrical Mirror
Analyzer：以下CMAと称す。）を使用した表面
分析装置に関する。
エネルギ分析器（Cylindrical Mirror
Analyzer：以下CMAと称す。）を使用した表面
分析装置に関する。
CMAの軸上に配置されたイオン源からの一次
荷電粒子を試料に照射し、該試料との弾性衝突に
より散乱したイオンのエネルギを該CMAによつ
て分析すれば、該試料表面の組成を調べることが
できる。しかしながらこのような分析方法におい
ては一次元方向の原子配列の情報しか得られず、
従つて該試料表面の２次元又は立体的構造につい
ての情報を得ることはできない。
荷電粒子を試料に照射し、該試料との弾性衝突に
より散乱したイオンのエネルギを該CMAによつ
て分析すれば、該試料表面の組成を調べることが
できる。しかしながらこのような分析方法におい
ては一次元方向の原子配列の情報しか得られず、
従つて該試料表面の２次元又は立体的構造につい
ての情報を得ることはできない。
本考案は同軸円筒型エネルギ分析器の軸上に一
次荷電粒子線発生手段を配置し、該発生手段から
の荷電粒子線を試料に照射することによつて該試
料から散乱する荷電粒子を該分析器によつてエネ
ルギ分析するように構成した表面分析装置におい
て、該分析器の出射スリツトを通過する同一エネ
ルギの荷電粒子を該スリツトからの出射方向に応
じて検出するための複数の検出器を備えるように
構成し、該試料表面の立体的な構成についての情
報を得ることができる表面分析装置を提供する。
次荷電粒子線発生手段を配置し、該発生手段から
の荷電粒子線を試料に照射することによつて該試
料から散乱する荷電粒子を該分析器によつてエネ
ルギ分析するように構成した表面分析装置におい
て、該分析器の出射スリツトを通過する同一エネ
ルギの荷電粒子を該スリツトからの出射方向に応
じて検出するための複数の検出器を備えるように
構成し、該試料表面の立体的な構成についての情
報を得ることができる表面分析装置を提供する。
以下本考案の一実施例を添付図面に基づき詳述
する。
する。
図中１はCMAであり、該CMA１の軸上にはイ
オン銃２、収束レンズ３、イオン走査手段４が配
置されている。該イオン銃２から発生したイオン
は収束レンズ３によつてCMA１の軸上に配置さ
れた試料５上に細く収束され、更にイオン走査手
段によつて偏向される。該試料５へのイオンの照
射に伴い該試料５から散乱されたイオンはCMA
１によつてエネルギ分析され、特定エネルギのイ
オンがCMA１の出射側の軸上に配置されたスリ
ツト６を通過する。該スリツト６を通過したイオ
ンはリング状に配置された複数のイオン検出器７
ａ，７ｂ，……７ｎ……（７ａ，７ｎのみ図示）
によつて検出される。
オン銃２、収束レンズ３、イオン走査手段４が配
置されている。該イオン銃２から発生したイオン
は収束レンズ３によつてCMA１の軸上に配置さ
れた試料５上に細く収束され、更にイオン走査手
段によつて偏向される。該試料５へのイオンの照
射に伴い該試料５から散乱されたイオンはCMA
１によつてエネルギ分析され、特定エネルギのイ
オンがCMA１の出射側の軸上に配置されたスリ
ツト６を通過する。該スリツト６を通過したイオ
ンはリング状に配置された複数のイオン検出器７
ａ，７ｂ，……７ｎ……（７ａ，７ｎのみ図示）
によつて検出される。
上述した如き構成において、イオン銃２からの
イオンを試料５の微小領域に照射すると、散乱イ
オンが該領域から得られる。該散乱イオンのエネ
ルギは該試料の微小領域の元素によつて相異し、
又イオンの散乱の方向から試料表面の立体的構造
が決定される。その結果本考案においては特定の
散乱角のイオンをCMA１内に導き、分析された
特定エネルギのイオンのみをスリツト６を介して
取り出すと共に、該スリツト６を通過したイオン
をリング状に配置された多数のイオン検出器７
ａ，……７ｎ……によつて検出するようにしてい
るため、該検出器からの多数の信号により、試料
５表面部分の組成に関する情報のみならず、イオ
ンの散乱方向に関する情報、すなわち試料表面の
２次元および立体構造に関する情報を得ることが
できる。従つてCMA１に印加する電圧を掃引し、
スリツト６を通過する次々と異つたエネルギのイ
オンを多数の検出器７ａ……７ｎ……によつて検
出し、得られた多数の検出信号を処理すれば、試
料表面の多様な分析を行い得る。更に試料上の一
次イオンの照射点を走査手段４によつて変化させ
れば、試料の幅広い範囲に亙つて表面分析を行い
得る。
イオンを試料５の微小領域に照射すると、散乱イ
オンが該領域から得られる。該散乱イオンのエネ
ルギは該試料の微小領域の元素によつて相異し、
又イオンの散乱の方向から試料表面の立体的構造
が決定される。その結果本考案においては特定の
散乱角のイオンをCMA１内に導き、分析された
特定エネルギのイオンのみをスリツト６を介して
取り出すと共に、該スリツト６を通過したイオン
をリング状に配置された多数のイオン検出器７
ａ，……７ｎ……によつて検出するようにしてい
るため、該検出器からの多数の信号により、試料
５表面部分の組成に関する情報のみならず、イオ
ンの散乱方向に関する情報、すなわち試料表面の
２次元および立体構造に関する情報を得ることが
できる。従つてCMA１に印加する電圧を掃引し、
スリツト６を通過する次々と異つたエネルギのイ
オンを多数の検出器７ａ……７ｎ……によつて検
出し、得られた多数の検出信号を処理すれば、試
料表面の多様な分析を行い得る。更に試料上の一
次イオンの照射点を走査手段４によつて変化させ
れば、試料の幅広い範囲に亙つて表面分析を行い
得る。
添付図面は本考案の一実施例を示すブロツク図
である。 １……CMA、２……イオン銃、３……収束レ
ンズ、４……イオン走査手段、５……試料、６…
…スリツト、７……イオン検出器。
である。 １……CMA、２……イオン銃、３……収束レ
ンズ、４……イオン走査手段、５……試料、６…
…スリツト、７……イオン検出器。
Claims (1)
- 同軸円筒型エネルギ分析器の軸上に一次荷電粒
子線発生手段を配置し、該発生手段からの荷電粒
子線を試料に照射し、該試料との弾性衝突に基づ
き発生する荷電粒子を該分析器によつてエネルギ
分析するように構成した表面分析装置において、
該分析器の出射スリツトを通過する同一エネルギ
の荷電粒子を該スリツトからの出射方向に応じて
検出するための複数の検出器を備えた表面分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210081U JPS5857065U (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210081U JPS5857065U (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 表面分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857065U JPS5857065U (ja) | 1983-04-18 |
| JPH043385Y2 true JPH043385Y2 (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=29944766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15210081U Granted JPS5857065U (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857065U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2730578B2 (ja) * | 1988-06-16 | 1998-03-25 | 洋太郎 畑村 | マイクロマニピユレータ |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP15210081U patent/JPS5857065U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5857065U (ja) | 1983-04-18 |
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