JPH04340225A - 半導体基板の薄膜除去方法及びその装置 - Google Patents
半導体基板の薄膜除去方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH04340225A JPH04340225A JP14135491A JP14135491A JPH04340225A JP H04340225 A JPH04340225 A JP H04340225A JP 14135491 A JP14135491 A JP 14135491A JP 14135491 A JP14135491 A JP 14135491A JP H04340225 A JPH04340225 A JP H04340225A
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- suction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種半導体装置の基
板等として用いられる半導体基板のオートドーピングを
防止するために設けた酸化保護膜等の薄膜を所要部分だ
け除去むらなく除去できる半導体基板の酸化膜除去方法
とその装置に関する。
板等として用いられる半導体基板のオートドーピングを
防止するために設けた酸化保護膜等の薄膜を所要部分だ
け除去むらなく除去できる半導体基板の酸化膜除去方法
とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板は、アクセプタとなるボロ
ンＢまたはドナーとなるリンＰ、ヒ素Ａｓ、アンチモン
Ｓｂを添加し、いわゆるドーピングにより導電形や電気
抵抗の制御が行われている。
ンＢまたはドナーとなるリンＰ、ヒ素Ａｓ、アンチモン
Ｓｂを添加し、いわゆるドーピングにより導電形や電気
抵抗の制御が行われている。
【０００３】このドーピングしたシリコン基板を高温に
加熱して気相成長を行うと、オートドーピング現象が起
り、添加した不純物がエピタキシャル層中に取込まれ電
気特性が変動する。
加熱して気相成長を行うと、オートドーピング現象が起
り、添加した不純物がエピタキシャル層中に取込まれ電
気特性が変動する。
【０００４】上記オートドーピング現象を防止するため
、一般には基板裏面にシリコン酸化膜などの保護膜を形
成することが行われている（特開昭６２−１２８５２０
号公報）。しかし、かかる保護膜は後述の如く、後工程
で種々の問題をもたらしている。
、一般には基板裏面にシリコン酸化膜などの保護膜を形
成することが行われている（特開昭６２−１２８５２０
号公報）。しかし、かかる保護膜は後述の如く、後工程
で種々の問題をもたらしている。
【０００５】例えば図４に示すノジュール１１は、半導
体基板６の面取り周縁部９に形成された多孔質なＳｉＯ
２膜を通してシリコンが多結晶の小瘤として異常成長し
たものである。このノジュール１１は搬送中に破壊され
てパーティクルが発生し、結晶性が著しく劣化したり、
ディバイスプロセスに汚染を与えるなどの悪影響を及ぼ
す。
体基板６の面取り周縁部９に形成された多孔質なＳｉＯ
２膜を通してシリコンが多結晶の小瘤として異常成長し
たものである。このノジュール１１は搬送中に破壊され
てパーティクルが発生し、結晶性が著しく劣化したり、
ディバイスプロセスに汚染を与えるなどの悪影響を及ぼ
す。
【０００６】そこで、気相成長を行う前に面取り部のＳ
ｉＯ２膜を取り除く必要があり、従来は図５、図６に示
すように、半導体基板６にＨＦ水溶液を浸した綿棒１０
を押し当ててＳｉＯ２膜を除去すべき部分の周縁部９を
拭き取っていた。また、多数の半導体基板を処理するた
めに、一定間隔で並列させて回転可能に保持した半導体
基板のＳｉＯ２膜を除去すべき部分に当接するように、
ＨＦ水溶液を含浸したロール状のパッドを当てて、半導
体基板を回転させる装置が提案されている。
ｉＯ２膜を取り除く必要があり、従来は図５、図６に示
すように、半導体基板６にＨＦ水溶液を浸した綿棒１０
を押し当ててＳｉＯ２膜を除去すべき部分の周縁部９を
拭き取っていた。また、多数の半導体基板を処理するた
めに、一定間隔で並列させて回転可能に保持した半導体
基板のＳｉＯ２膜を除去すべき部分に当接するように、
ＨＦ水溶液を含浸したロール状のパッドを当てて、半導
体基板を回転させる装置が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法では、半導体基板の大口径化に伴い、ＨＦを浸
した綿棒、パッドにてふき取るウエーハ周縁部長さが長
くなるため、その分多量のＨＦ水溶液を綿棒、パッドに
浸す必要が生じ、そのためＨＦ水溶液がにじみ、半導体
基板面内にＨＦ水溶液が流れこみ、必要以上のシリコン
酸化膜を除去したり、ＨＦ水溶液量が不足して、シリコ
ン酸化膜を除去し残す、所謂除去むらが生じることがあ
る。この発明は、半導体ウェーハの酸化保護膜などの薄
膜を所要部分だけ除去むらなく除去できる半導体基板の
酸化膜除去方法及びその装置を提供することを目的とし
ている。
来の方法では、半導体基板の大口径化に伴い、ＨＦを浸
した綿棒、パッドにてふき取るウエーハ周縁部長さが長
くなるため、その分多量のＨＦ水溶液を綿棒、パッドに
浸す必要が生じ、そのためＨＦ水溶液がにじみ、半導体
基板面内にＨＦ水溶液が流れこみ、必要以上のシリコン
酸化膜を除去したり、ＨＦ水溶液量が不足して、シリコ
ン酸化膜を除去し残す、所謂除去むらが生じることがあ
る。この発明は、半導体ウェーハの酸化保護膜などの薄
膜を所要部分だけ除去むらなく除去できる半導体基板の
酸化膜除去方法及びその装置を提供することを目的とし
ている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体基板
表面に設けた薄膜を部分的に除去するに際し、半導体基
板を薄膜の非除去部を吸着板にて吸着保持して溶液に浸
漬させ、薄膜の除去予定部において槽内の溶液を吸引し
て所要部の薄膜を溶解除去することを特徴とする半導体
基板の薄膜除去方法である。
表面に設けた薄膜を部分的に除去するに際し、半導体基
板を薄膜の非除去部を吸着板にて吸着保持して溶液に浸
漬させ、薄膜の除去予定部において槽内の溶液を吸引し
て所要部の薄膜を溶解除去することを特徴とする半導体
基板の薄膜除去方法である。
【０００９】また、この発明は、薄膜の非除去部に対向
する位置に半導体基板を吸着保持するため吸着孔を設け
、薄膜の除去予定部に対向する位置に溶液の吸引孔を設
け、吸着孔と吸引孔との間に大気との開放孔を設けた吸
着板からなり、半導体基板を吸着板に吸着し溶液に浸漬
させた際に、所要部分より槽内の溶液と空気を同時に吸
引可能にしたことを特徴とする半導体基板の薄膜除去装
置である。
する位置に半導体基板を吸着保持するため吸着孔を設け
、薄膜の除去予定部に対向する位置に溶液の吸引孔を設
け、吸着孔と吸引孔との間に大気との開放孔を設けた吸
着板からなり、半導体基板を吸着板に吸着し溶液に浸漬
させた際に、所要部分より槽内の溶液と空気を同時に吸
引可能にしたことを特徴とする半導体基板の薄膜除去装
置である。
【００１０】
【作用】この発明による薄膜除去方法は、半導体基板の
薄膜の除去予定部に対応させて、吸着板に除去したいパ
ターンで溶液吸引溝を作成し、吸着板に薄膜の非除去部
で半導体基板を吸着保持させ、これを溶液中に浸漬し、
所要の部分へ槽内の溶液を吸引することにより、溶液が
侵入した部分において薄膜が溶解除去されるが、他部分
は溶液が侵入しないため薄膜が除去されずに残り、予め
吸着板に設定したパターンで薄膜の所要部を除去むらな
く均一に除去することができる。
薄膜の除去予定部に対応させて、吸着板に除去したいパ
ターンで溶液吸引溝を作成し、吸着板に薄膜の非除去部
で半導体基板を吸着保持させ、これを溶液中に浸漬し、
所要の部分へ槽内の溶液を吸引することにより、溶液が
侵入した部分において薄膜が溶解除去されるが、他部分
は溶液が侵入しないため薄膜が除去されずに残り、予め
吸着板に設定したパターンで薄膜の所要部を除去むらな
く均一に除去することができる。
【００１１】さらに、吸着孔と吸引孔との間に大気との
開放孔を設けた吸着板を用い、これを溶液中に浸漬して
所要部分へ槽内の溶液を吸引する際に、同時に開放孔か
ら空気を吸引することにより溶液の拡散を防止でき、所
要部分以外の薄膜が除去されるのを防止することで、薄
膜の所要部を除去むらなく均一に除去することができる
。
開放孔を設けた吸着板を用い、これを溶液中に浸漬して
所要部分へ槽内の溶液を吸引する際に、同時に開放孔か
ら空気を吸引することにより溶液の拡散を防止でき、所
要部分以外の薄膜が除去されるのを防止することで、薄
膜の所要部を除去むらなく均一に除去することができる
。
【００１２】この発明において、吸着板に設ける吸着支
持のための吸着孔、溶液の吸引孔、大気の開放孔は、薄
膜の除去予定部に対応させたパターンで形成されるが、
吸着、吸引時に半導体ウェーハに反りを生じさせないパ
ターン、寸法を適宜選定する必要があり、溶液の吸引孔
はできるだけ細幅のものが好ましく、大気の開放孔は、
溶液の吸引孔に平行して設けできるだけ細幅のものが好
ましく、特に除去むらなく除去面と薄膜との境をシャー
プにするには、大気の開放孔の配置が重要になる。
持のための吸着孔、溶液の吸引孔、大気の開放孔は、薄
膜の除去予定部に対応させたパターンで形成されるが、
吸着、吸引時に半導体ウェーハに反りを生じさせないパ
ターン、寸法を適宜選定する必要があり、溶液の吸引孔
はできるだけ細幅のものが好ましく、大気の開放孔は、
溶液の吸引孔に平行して設けできるだけ細幅のものが好
ましく、特に除去むらなく除去面と薄膜との境をシャー
プにするには、大気の開放孔の配置が重要になる。
【００１３】吸着支持のための減圧吸着は、５０〜７０
ｃｍＨｇの減圧が好ましい。また、溶液の吸引力は、吸
引孔や大気の開放孔の配置に応じて、半導体ウェーハに
反りを生じさせないよう設定する必要がある。
ｃｍＨｇの減圧が好ましい。また、溶液の吸引力は、吸
引孔や大気の開放孔の配置に応じて、半導体ウェーハに
反りを生じさせないよう設定する必要がある。
【００１４】
【実施例】この発明による薄膜除去装置は、ＨＦ液８を
入れる溶液槽１と半導体基板６を吸着する吸着板２から
なる。吸着板２には半導体基板６を吸着するための吸着
孔４があり、また、溶液槽１からのＨＦ液８を吸引しか
つ開放孔３からの空気を吸引するための吸引孔５が設け
てある。かかる構成からなる薄膜除去装置を用いて、半
導体基板６上のシリコン酸化膜７のうち周縁部９の部分
を除去するには、まず、槽外で半導体基板６を吸着孔５
によって真空で吸着させ、溶液槽１へ吸着板２及び吸着
した半導体基板６を浸漬させ、吸引孔５からＨＦ液８と
空気を吸引する。ＨＦ濃度、薄膜厚みによって除去され
る時間に差があるが、例えば、ＨＦ濃度２５％、６００
０Å厚みのＳｉＯ２であれば、１５秒ほどで薄膜の除去
を完了する。
入れる溶液槽１と半導体基板６を吸着する吸着板２から
なる。吸着板２には半導体基板６を吸着するための吸着
孔４があり、また、溶液槽１からのＨＦ液８を吸引しか
つ開放孔３からの空気を吸引するための吸引孔５が設け
てある。かかる構成からなる薄膜除去装置を用いて、半
導体基板６上のシリコン酸化膜７のうち周縁部９の部分
を除去するには、まず、槽外で半導体基板６を吸着孔５
によって真空で吸着させ、溶液槽１へ吸着板２及び吸着
した半導体基板６を浸漬させ、吸引孔５からＨＦ液８と
空気を吸引する。ＨＦ濃度、薄膜厚みによって除去され
る時間に差があるが、例えば、ＨＦ濃度２５％、６００
０Å厚みのＳｉＯ２であれば、１５秒ほどで薄膜の除去
を完了する。
【００１５】
【発明の効果】この発明は半導体基板を薄膜の非除去部
を吸着板にて吸着保持して溶液に浸漬させ、薄膜の除去
予定部において槽内の溶液を吸引して所要部の薄膜を溶
解除去するもので、実施例に明らかな如く、半導体基板
の薄膜を所要部分だけ除去でき、除去残りや溶かしすぎ
等の除去むらもなく除去でき、除去後の薄膜の形状性が
極めて良好になる半導体基板の薄膜除去方法である。
を吸着板にて吸着保持して溶液に浸漬させ、薄膜の除去
予定部において槽内の溶液を吸引して所要部の薄膜を溶
解除去するもので、実施例に明らかな如く、半導体基板
の薄膜を所要部分だけ除去でき、除去残りや溶かしすぎ
等の除去むらもなく除去でき、除去後の薄膜の形状性が
極めて良好になる半導体基板の薄膜除去方法である。
【図１】この発明よる薄膜除去方法を実施するための吸
着板を示す断面説明図である。
着板を示す断面説明図である。
【図２】この発明よる薄膜除去方法によって処理された
半導体基板の説明図である。
半導体基板の説明図である。
【図３】半導体基板の周縁部の酸化膜を示す断面説明図
である。
である。
【図４】半導体基板のノジュールを示す断面説明図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体基板の薄膜除去方法を示す斜視説
明図である。
明図である。
【図６】従来の半導体基板の薄膜除去方法を示す斜視説
明図である。
明図である。
１ 溶液槽
２ 吸着板
３ 開放孔
４ 吸着孔
５ 吸引孔
６ 半導体基板
７ シリコン酸化膜
８ ＨＦ液
９ 周縁部
１０ 綿棒
１１ ノジュール
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板表面に設けた薄膜を部分的
に除去するに際し、半導体基板を薄膜の非除去部を吸着
板にて吸着保持して溶液に浸漬させ、薄膜の除去予定部
において槽内の溶液を吸引して所要部の薄膜を溶解除去
することを特徴とする半導体基板の薄膜除去方法。 - 【請求項２】 薄膜の非除去部に対向する位置に半導
体基板を吸着保持するため吸着孔を設け、薄膜の除去予
定部に対向する位置に溶液の吸引孔を設け、吸着孔と吸
引孔との間に大気との開放孔を設けた吸着板からなり、
半導体基板を吸着板に吸着し溶液に浸漬させた際に、所
要部分より槽内の溶液と空気を同時に吸引可能にしたこ
とを特徴とする半導体基板の薄膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14135491A JPH081901B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体基板の薄膜除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14135491A JPH081901B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体基板の薄膜除去方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340225A true JPH04340225A (ja) | 1992-11-26 |
| JPH081901B2 JPH081901B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=15290027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14135491A Expired - Lifetime JPH081901B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 半導体基板の薄膜除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081901B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19728962A1 (de) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP14135491A patent/JPH081901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19728962A1 (de) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081901B2 (ja) | 1996-01-10 |
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