JPH04342116A - エピタキシャル成長ウエハの製造方法 - Google Patents
エピタキシャル成長ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPH04342116A JPH04342116A JP3142582A JP14258291A JPH04342116A JP H04342116 A JPH04342116 A JP H04342116A JP 3142582 A JP3142582 A JP 3142582A JP 14258291 A JP14258291 A JP 14258291A JP H04342116 A JPH04342116 A JP H04342116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- wafer
- polysilicon film
- epitaxial layer
- epitaxial growth
- Prior art date
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- Pending
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャル成長ウ
エハの製造方法に関するものである。
エハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）に用いるエピタキシャル
成長ウエハは画像欠陥の一つの白点欠陥を防止する必要
がある。このため、ＣＣＤを形成するウエハには、強い
ゲッタリングとして例えばエクストリンシックゲッタリ
ング（以下ＥＧと略記する）を行う。
ｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）に用いるエピタキシャル
成長ウエハは画像欠陥の一つの白点欠陥を防止する必要
がある。このため、ＣＣＤを形成するウエハには、強い
ゲッタリングとして例えばエクストリンシックゲッタリ
ング（以下ＥＧと略記する）を行う。
【０００３】次にポリシリコン膜によりＥＧを行うエピ
タキシャル成長ウエハの製造方法を図２の流れ図により
説明する。図に示すように、シリコンウエハ２１には単
結晶シリコンウエハをエッチング等により洗浄したエッ
チドウエハを用いる。そして化学的気相成長法によって
、上記洗浄したシリコンウエハ２１の全面（ウエハ面２
１ａ，２１ｂと外周面２１ｃ）にＥＧを行うためのポリ
シリコン膜２２を形成する。続いて化学的気相成長法に
よって、ポリシリコン膜２２の全面にシリコン酸化膜２
３を被覆する。このシリコン酸化膜２３を被覆すること
によって、後述するエピタキシャル成長時にポリシリコ
ン膜２２とエピタキシャル成長装置のポリシリコン被膜
を施したサセプタ（図示せず）とが成長したエピタキシ
ャル層（２４）と反応して接着するのを防ぐ。
タキシャル成長ウエハの製造方法を図２の流れ図により
説明する。図に示すように、シリコンウエハ２１には単
結晶シリコンウエハをエッチング等により洗浄したエッ
チドウエハを用いる。そして化学的気相成長法によって
、上記洗浄したシリコンウエハ２１の全面（ウエハ面２
１ａ，２１ｂと外周面２１ｃ）にＥＧを行うためのポリ
シリコン膜２２を形成する。続いて化学的気相成長法に
よって、ポリシリコン膜２２の全面にシリコン酸化膜２
３を被覆する。このシリコン酸化膜２３を被覆すること
によって、後述するエピタキシャル成長時にポリシリコ
ン膜２２とエピタキシャル成長装置のポリシリコン被膜
を施したサセプタ（図示せず）とが成長したエピタキシ
ャル層（２４）と反応して接着するのを防ぐ。
【０００４】その後、シリコン酸化膜２３（２点鎖線部
分）とポリシリコン膜２２（１点鎖線部分）とを例えば
研磨（ラッピング，ポリシング）して除去し、シリコン
ウエハ２１の一方側の面を露出する。露出したシリコン
ウエハ２１の面は平滑な鏡面になる。次いでエピタキシ
ャル成長法によって、露出したシリコンウエハ２１の面
にエピタキシャル層２４を形成する。このエピタキシャ
ル層２４は単結晶シリコンよりなる。シリコンウエハ２
１の外周部分におけるシリコン酸化膜２３の表面にはこ
のエピタキシャル成長時にポリシリコン層２５が形成さ
れる。上記の如くして、エピタキシャル成長ウエハ２０
が完成する。
分）とポリシリコン膜２２（１点鎖線部分）とを例えば
研磨（ラッピング，ポリシング）して除去し、シリコン
ウエハ２１の一方側の面を露出する。露出したシリコン
ウエハ２１の面は平滑な鏡面になる。次いでエピタキシ
ャル成長法によって、露出したシリコンウエハ２１の面
にエピタキシャル層２４を形成する。このエピタキシャ
ル層２４は単結晶シリコンよりなる。シリコンウエハ２
１の外周部分におけるシリコン酸化膜２３の表面にはこ
のエピタキシャル成長時にポリシリコン層２５が形成さ
れる。上記の如くして、エピタキシャル成長ウエハ２０
が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術によって製造したエピタキシャル成長ウエハを用い
て前工程ウエハプロセスを行った場合には、以下の問題
を生じる。図３に示す如く、前工程ウエハプロセスでフ
ッ酸系のエッチングを行った場合には、シリコン酸化膜
２３の表層がエッチングされて除去される。このため、
シリコン酸化膜２３を被覆するポリシリコン層２５が剥
がれる。この剥がれたエピタキシャル層２５は異物にな
って、エピタキシャル層２４の表面に再付着する。この
ため、前工程プロセスのエッチング後に例えばホトリソ
グラフィー工程を行った場合には、付着した異物がマス
クの作用をしてパターン不良を発生する。また例えば成
膜工程ではカバレジ不良を発生する。したがって前工程
プロセスの歩留りは低下する。
技術によって製造したエピタキシャル成長ウエハを用い
て前工程ウエハプロセスを行った場合には、以下の問題
を生じる。図３に示す如く、前工程ウエハプロセスでフ
ッ酸系のエッチングを行った場合には、シリコン酸化膜
２３の表層がエッチングされて除去される。このため、
シリコン酸化膜２３を被覆するポリシリコン層２５が剥
がれる。この剥がれたエピタキシャル層２５は異物にな
って、エピタキシャル層２４の表面に再付着する。この
ため、前工程プロセスのエッチング後に例えばホトリソ
グラフィー工程を行った場合には、付着した異物がマス
クの作用をしてパターン不良を発生する。また例えば成
膜工程ではカバレジ不良を発生する。したがって前工程
プロセスの歩留りは低下する。
【０００６】本発明は、異物の発生がないエピタキシャ
ル成長ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
ル成長ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたものである。すなわち、シリコン
ウエハの全面にポリシリコン膜を形成する。その後シリ
コンウエハの外周面におけるポリシリコン膜を除去しか
つシリコンウエハの一方側の面におけるポリシリコン膜
を除去する。次いでポリシリコン膜を除去したシリコン
ウエハの一方側の面と同外周面とにエピタキシャル層を
形成する。
成するためになされたものである。すなわち、シリコン
ウエハの全面にポリシリコン膜を形成する。その後シリ
コンウエハの外周面におけるポリシリコン膜を除去しか
つシリコンウエハの一方側の面におけるポリシリコン膜
を除去する。次いでポリシリコン膜を除去したシリコン
ウエハの一方側の面と同外周面とにエピタキシャル層を
形成する。
【０００８】
【作用】上記エピタキシャル成長ウエハの製造方法では
、エピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエハの
外周面のポリシリコン膜を除去し、シリコンウエハの外
周面を露出する。このためエピタキシャル成長によって
、シリコンウエハの一方側の面と同外周面とには同質で
ほぼ十分な厚さのエピタキシャル層が形成される。この
結果、エピタキシャル層は剥がれ難くなる。
、エピタキシャル層を形成する前に、シリコンウエハの
外周面のポリシリコン膜を除去し、シリコンウエハの外
周面を露出する。このためエピタキシャル成長によって
、シリコンウエハの一方側の面と同外周面とには同質で
ほぼ十分な厚さのエピタキシャル層が形成される。この
結果、エピタキシャル層は剥がれ難くなる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図１に示す流れ図により説
明する。図に示すように、エピタキシャル成長ウエハ１
を製造するには、まずシリコンウエハ１１の全面（ウエ
ハ面１１ａ，１１ｂと外周面１１ｃ）をエッチング等に
より洗浄する。次いで例えば化学的気相成長法によって
、洗浄したシリコンウエハ１１の全面にポリシリコン膜
１２を形成する。続いて例えば化学的気相成長法によっ
て、ポリシリコン膜１２の全面にシリコン酸化膜１３を
形成する。なお後述するエピタキシャル成長時にポリシ
リコン１２とエピタキシャル成長装置のサセプタ（図示
せず）とが付着することがない場合には、シリコン酸化
膜１３を形成する必要はない。
明する。図に示すように、エピタキシャル成長ウエハ１
を製造するには、まずシリコンウエハ１１の全面（ウエ
ハ面１１ａ，１１ｂと外周面１１ｃ）をエッチング等に
より洗浄する。次いで例えば化学的気相成長法によって
、洗浄したシリコンウエハ１１の全面にポリシリコン膜
１２を形成する。続いて例えば化学的気相成長法によっ
て、ポリシリコン膜１２の全面にシリコン酸化膜１３を
形成する。なお後述するエピタキシャル成長時にポリシ
リコン１２とエピタキシャル成長装置のサセプタ（図示
せず）とが付着することがない場合には、シリコン酸化
膜１３を形成する必要はない。
【００１０】その後、例えば矢印Ａ方向で示す工程に進
む。この工程では、例えばシリコンウエハ外周面１１ｃ
を研削して面取りを行う通常のウエハの外周研削によっ
て、シリコンウエハ１１の外周面１１ｃにおけるポリシ
リコン膜１２（１点鎖線部分）とシリコン酸化膜１３（
２点鎖線部分）とを除去する。このとき、ポリシリコン
膜１２を十分に除去するために、シリコンウエハ１１の
外周面１１ｃ（破線部分）も研削する。その後例えばア
ンモニア過水等の洗浄液による洗浄を行ってポリシリコ
ン膜１２の表面に付着した外周研削による研削屑を除去
する。続いて、シリコンウエハ１１の一方側のウエハ面
１１ａにおけるシリコン酸化膜１３とポリシリコン膜１
２とを例えば研磨により除去する。通常この場合の研磨
では、ラッピングを行った後、ラッピングによって生じ
た加工変質層をエッチングによって除去する。そしてポ
リシングにより表面を平坦でかつ鏡面に仕上げる。
む。この工程では、例えばシリコンウエハ外周面１１ｃ
を研削して面取りを行う通常のウエハの外周研削によっ
て、シリコンウエハ１１の外周面１１ｃにおけるポリシ
リコン膜１２（１点鎖線部分）とシリコン酸化膜１３（
２点鎖線部分）とを除去する。このとき、ポリシリコン
膜１２を十分に除去するために、シリコンウエハ１１の
外周面１１ｃ（破線部分）も研削する。その後例えばア
ンモニア過水等の洗浄液による洗浄を行ってポリシリコ
ン膜１２の表面に付着した外周研削による研削屑を除去
する。続いて、シリコンウエハ１１の一方側のウエハ面
１１ａにおけるシリコン酸化膜１３とポリシリコン膜１
２とを例えば研磨により除去する。通常この場合の研磨
では、ラッピングを行った後、ラッピングによって生じ
た加工変質層をエッチングによって除去する。そしてポ
リシングにより表面を平坦でかつ鏡面に仕上げる。
【００１１】次いでエピタキシャル成長法によって、露
出したシリコンウエハ１１の一方側のウエハ面１１ａと
同外周面１１ｃとにエピタキシャル層１４を形成する。 このエピタキシャル層１４は、単結晶シリコン製のシリ
コンウエハ１１より成長するので、単結晶シリコン層に
なる。そしてエピタキシャル成長ウエハ１が完成する。
出したシリコンウエハ１１の一方側のウエハ面１１ａと
同外周面１１ｃとにエピタキシャル層１４を形成する。 このエピタキシャル層１４は、単結晶シリコン製のシリ
コンウエハ１１より成長するので、単結晶シリコン層に
なる。そしてエピタキシャル成長ウエハ１が完成する。
【００１２】あるいはシリコンウエハ１１にポリシリコ
ン膜１２とシリコン酸化膜１３とを形成した後に、矢印
Ｂ方向で示す工程に進む。この工程では、上記シリコン
ウエハ１１の一方側のウエハ面１１ｃにおけるシリコン
酸化膜１３とポリシリコン膜１２とを例えば研磨により
除去する。次いで、通常のウエハの外周研削によって、
シリコンウエハ１１の外周面１１ｃにおけるポリシリコ
ン膜１２（２点鎖線部分）とシリコン酸化膜１３（１点
鎖線部分）とを除去する。このとき、ポリシリコン膜１
２を十分に除去するために、シリコンウエハ１１の外周
面１１ｃ（破線部分）も研削する。続いてアンモニア過
水等の洗浄液を用いて、ポリシリコン膜１２の表面およ
びウエハ研磨面に付着した研削屑を除去する。その後上
記エピタキシャル成長を行うことによって、エピタキシ
ャル成長ウエハ１を形成することも可能である。
ン膜１２とシリコン酸化膜１３とを形成した後に、矢印
Ｂ方向で示す工程に進む。この工程では、上記シリコン
ウエハ１１の一方側のウエハ面１１ｃにおけるシリコン
酸化膜１３とポリシリコン膜１２とを例えば研磨により
除去する。次いで、通常のウエハの外周研削によって、
シリコンウエハ１１の外周面１１ｃにおけるポリシリコ
ン膜１２（２点鎖線部分）とシリコン酸化膜１３（１点
鎖線部分）とを除去する。このとき、ポリシリコン膜１
２を十分に除去するために、シリコンウエハ１１の外周
面１１ｃ（破線部分）も研削する。続いてアンモニア過
水等の洗浄液を用いて、ポリシリコン膜１２の表面およ
びウエハ研磨面に付着した研削屑を除去する。その後上
記エピタキシャル成長を行うことによって、エピタキシ
ャル成長ウエハ１を形成することも可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ポリシリコン膜を除去してシリコンウエハの一方側の面
と同外周面とを露出させたので、露出させた一方側の面
と外周面とには同質で十分な厚さのエピタキシャル層が
形成される。このため、前工程プロセスを行ってもシリ
コンウエハの外周面のエピタキシャル層は剥がれなくな
る。よって、前工程プロセスの歩留りの向上が図れる。
ポリシリコン膜を除去してシリコンウエハの一方側の面
と同外周面とを露出させたので、露出させた一方側の面
と外周面とには同質で十分な厚さのエピタキシャル層が
形成される。このため、前工程プロセスを行ってもシリ
コンウエハの外周面のエピタキシャル層は剥がれなくな
る。よって、前工程プロセスの歩留りの向上が図れる。
【図１】実施例の製造方法の流れ図である。
【図２】従来例の製造方法の流れ図である。
【図３】課題の説明図である。
１ エピタキシャル成長ウエハ
１１ シリコンウエハ
１２ ポリシリコン膜
１４ エピタキシャル層
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンウエハの全面にポリシリコン
膜を形成する工程と、前記シリコンウエハの外周面にお
ける前記ポリシリコン膜を除去しかつ前記シリコンウエ
ハの一方側の面における前記ポリシリコン膜を除去する
工程と、前記ポリシリコン膜を除去したシリコンウエハ
の一方側の面と同外周面とにエピタキシャル層を形成す
る工程とを順に行うことを特徴とするエピタキシャル成
長ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142582A JPH04342116A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | エピタキシャル成長ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142582A JPH04342116A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | エピタキシャル成長ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342116A true JPH04342116A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15318662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142582A Pending JPH04342116A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | エピタキシャル成長ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342116A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120865A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Sumco Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 |
| JP2008034608A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sumco Corp | シリコンウェーハの加工方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3142582A patent/JPH04342116A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120865A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Sumco Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 |
| JP2008034608A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sumco Corp | シリコンウェーハの加工方法 |
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