JPH04342176A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
- Publication number
- JPH04342176A JPH04342176A JP3114294A JP11429491A JPH04342176A JP H04342176 A JPH04342176 A JP H04342176A JP 3114294 A JP3114294 A JP 3114294A JP 11429491 A JP11429491 A JP 11429491A JP H04342176 A JPH04342176 A JP H04342176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- hologram
- optical coupling
- emitting element
- receiving elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、1つの入力信号に対し
複数の出力信号を出せる光結合素子に関するものである
。
複数の出力信号を出せる光結合素子に関するものである
。
【0002】
【従来の技術】光結合素子は、発光素子と受光素子を組
み合わせて1つの素子を構成し、入出力間を電気的に絶
縁し、光により信号を伝えることができる特性を持った
素子である。
み合わせて1つの素子を構成し、入出力間を電気的に絶
縁し、光により信号を伝えることができる特性を持った
素子である。
【0003】図3に光結合素子の基本原理図を示す。一
般に光結合素子の発光素子102には発光効率の高いG
aAs赤外発光ダイオードが使用され、受光素子103
にはSiのフオトトランジスタ,フオトダイオード、ま
たはフオトサイリスタなどが使用される。また、最近で
はフオトダイオードと信号処理回路を1つのチップに集
積した光集積素子も使用されている。
般に光結合素子の発光素子102には発光効率の高いG
aAs赤外発光ダイオードが使用され、受光素子103
にはSiのフオトトランジスタ,フオトダイオード、ま
たはフオトサイリスタなどが使用される。また、最近で
はフオトダイオードと信号処理回路を1つのチップに集
積した光集積素子も使用されている。
【0004】光結合素子は上述のごとく、入出力間が電
気的に絶縁されていること、直流から高周波まで幅広い
信号伝達が可能、信号伝達が一方向性であり出力側での
雑音が入力側に影響しない、論理素子との接続が容易、
小型軽量等といった特徴を有する。
気的に絶縁されていること、直流から高周波まで幅広い
信号伝達が可能、信号伝達が一方向性であり出力側での
雑音が入力側に影響しない、論理素子との接続が容易、
小型軽量等といった特徴を有する。
【0005】さらに、この光による情報伝達という特徴
を活かして、1つの発光素子に対し複数の受光素子を組
み合わせた光結合素子があり、前記特徴を兼ね備えた信
号分配素子も提案されている。図4にその概念図を示す
。図4は1つの発光素子102に対して3つの受光素子
103を組み合わせた光結合素子である。
を活かして、1つの発光素子に対し複数の受光素子を組
み合わせた光結合素子があり、前記特徴を兼ね備えた信
号分配素子も提案されている。図4にその概念図を示す
。図4は1つの発光素子102に対して3つの受光素子
103を組み合わせた光結合素子である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この複数個
の受光素子を組み込んだ光結合素子では、図4に示すよ
うに、光を分配するために発光素子102と受光素子1
03とを空間的に離して設置する必要性があるため、発
光素子102と受光素子103の間の伝達効率が低下し
、受光素子103からの出力信号レベルが低下するとい
った問題が発生する。
の受光素子を組み込んだ光結合素子では、図4に示すよ
うに、光を分配するために発光素子102と受光素子1
03とを空間的に離して設置する必要性があるため、発
光素子102と受光素子103の間の伝達効率が低下し
、受光素子103からの出力信号レベルが低下するとい
った問題が発生する。
【0007】本発明は、このような問題点を解決し、1
入力,複数出力の光結合素子において、出力信号レベル
が低下しない素子を提供することを目的とするものであ
る。
入力,複数出力の光結合素子において、出力信号レベル
が低下しない素子を提供することを目的とするものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光素子と複
数の受光素子を備えた光結合素子において、発光素子か
ら出射された光を複数の受光素子に分配するホログラム
を、発光素子と受光素子との間に介挿させてなることを
特徴とする。
数の受光素子を備えた光結合素子において、発光素子か
ら出射された光を複数の受光素子に分配するホログラム
を、発光素子と受光素子との間に介挿させてなることを
特徴とする。
【0009】
【作用】発光素子と受光素子間に介挿させたホログラム
により、発光素子から出射された光は複数の受光素子そ
れぞれに分配されるとともに、同時に集光して各受光素
子に入射され、発光素子からの出力光を複数の受光素子
それぞれに効率よく伝達し、受光素子からの出力信号レ
ベルの低下を抑制することができる。
により、発光素子から出射された光は複数の受光素子そ
れぞれに分配されるとともに、同時に集光して各受光素
子に入射され、発光素子からの出力光を複数の受光素子
それぞれに効率よく伝達し、受光素子からの出力信号レ
ベルの低下を抑制することができる。
【0010】
【実施例】図1に本発明の一実施例を示す。
【0011】本実施例では、絶縁性Si基板201上に
、発光素子としての半導体レーザ素子202、受光素子
として3つのSiフオトダイオード203、光分配用の
ホログラムユニット205を設置して構成されている。
、発光素子としての半導体レーザ素子202、受光素子
として3つのSiフオトダイオード203、光分配用の
ホログラムユニット205を設置して構成されている。
【0012】信号を半導体レーザ素子202に入力する
と、信号に応じて半導体レーザ素子202からレーザ光
が出力される。このレーザ光はガラスにホログラム20
8,209が印刻されたホログラムユニット205に入
射する。本実施例では光を3本に分割するホログラムユ
ニット205が示され、分割された光206(1次光)
,207(2次光)はそれぞれ受光素子203に入射し
、電気信号として出力される。これらの構成により、発
光素子202から放出された光は効率よく各受光素子2
03に伝達され、この結果受光素子203からの出力電
流が増大する。これらの発光素子202、受光素子20
3及びホログラムユニット205は、絶縁性の基板1上
に設置されているため、電気的に入力と出力とが分離さ
れている。
と、信号に応じて半導体レーザ素子202からレーザ光
が出力される。このレーザ光はガラスにホログラム20
8,209が印刻されたホログラムユニット205に入
射する。本実施例では光を3本に分割するホログラムユ
ニット205が示され、分割された光206(1次光)
,207(2次光)はそれぞれ受光素子203に入射し
、電気信号として出力される。これらの構成により、発
光素子202から放出された光は効率よく各受光素子2
03に伝達され、この結果受光素子203からの出力電
流が増大する。これらの発光素子202、受光素子20
3及びホログラムユニット205は、絶縁性の基板1上
に設置されているため、電気的に入力と出力とが分離さ
れている。
【0013】図2に具体的な製作例を示す。まず、図2
(a)に示すように絶縁性Si基板201に、蒸着で半
導体レーザ素子202、Siフオトダイオード203を
設置するための分離電極を形成する。続いて図2(b)
のように、この電極に半導体レーザ素子202、Siフ
オトダイオード203をボンディングする。
(a)に示すように絶縁性Si基板201に、蒸着で半
導体レーザ素子202、Siフオトダイオード203を
設置するための分離電極を形成する。続いて図2(b)
のように、この電極に半導体レーザ素子202、Siフ
オトダイオード203をボンディングする。
【0014】光分割用のホログラムユニット205は、
図2(c)のように、約5mm角のガラスの1画にコリ
メート用ホログラムレンズ208を、これと向かい合わ
せた面に光分割用ホログラム209をRIE等のエッチ
ング装置で印刻する。この後、図2(d)のようにホロ
グラムユニット205を基板201に紫外線硬化性の接
着剤で固定し、続いて各素子から電極をAuワイヤで引
き出す。
図2(c)のように、約5mm角のガラスの1画にコリ
メート用ホログラムレンズ208を、これと向かい合わ
せた面に光分割用ホログラム209をRIE等のエッチ
ング装置で印刻する。この後、図2(d)のようにホロ
グラムユニット205を基板201に紫外線硬化性の接
着剤で固定し、続いて各素子から電極をAuワイヤで引
き出す。
【0015】最後に、リードピン210を備える基台2
11に基板201をセットし、ワイヤ等で配線した後、
金属蓋212等により封止する。
11に基板201をセットし、ワイヤ等で配線した後、
金属蓋212等により封止する。
【0016】以上の実施例において、発光素子としての
半導体レーザ素子202は、出射される光出力自体が大
きく各受光素子への光量をより増加させる利点があるも
のであるが、通常のGaAs赤外発光ダイオード等を使
用することも可能である。すなわち、本発明では発光素
子と受光素子との間にホログラムが介在することとなる
が、このホログラムは光分配の機能とともに光集光の機
能も有しているので、受光素子への入力光量を低減する
ことなく複数の各受光素子へ光を分配できる。図2のS
iホトダイオード203は、例えば図1に示されるよう
に、側面に受光部204を有するものであり、基板表面
の電極と接続するため、受光部の一部は底面に延長して
形成されている。また、基板201と平行にPNジャン
クションが形成され、ジャンクション形成の壁面より受
光する構造であってもよい。更に台形等の支持台を設け
、受光素子を斜めに配置して受光部をホログラム側に向
くようにしてもよい。又、受光素子として実施例以外に
APD、複数の受光部を有する1チップ受光素子、光集
積素子等を使用することができることは当然である。 又、ホログラムユニットの材質にはガラスを使用したが
、樹脂等の使用も可能である。
半導体レーザ素子202は、出射される光出力自体が大
きく各受光素子への光量をより増加させる利点があるも
のであるが、通常のGaAs赤外発光ダイオード等を使
用することも可能である。すなわち、本発明では発光素
子と受光素子との間にホログラムが介在することとなる
が、このホログラムは光分配の機能とともに光集光の機
能も有しているので、受光素子への入力光量を低減する
ことなく複数の各受光素子へ光を分配できる。図2のS
iホトダイオード203は、例えば図1に示されるよう
に、側面に受光部204を有するものであり、基板表面
の電極と接続するため、受光部の一部は底面に延長して
形成されている。また、基板201と平行にPNジャン
クションが形成され、ジャンクション形成の壁面より受
光する構造であってもよい。更に台形等の支持台を設け
、受光素子を斜めに配置して受光部をホログラム側に向
くようにしてもよい。又、受光素子として実施例以外に
APD、複数の受光部を有する1チップ受光素子、光集
積素子等を使用することができることは当然である。 又、ホログラムユニットの材質にはガラスを使用したが
、樹脂等の使用も可能である。
【0017】
【発明の効果】以上本発明によれば、発光素子からの光
をホログラムを使い分割したことで複数個の受光素子か
らの出力電流を増大し、回路設計を容易にした光結合素
子を提供できる。
をホログラムを使い分割したことで複数個の受光素子か
らの出力電流を増大し、回路設計を容易にした光結合素
子を提供できる。
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】具体的な製作例を示す斜視図である。
【図3】従来例を示す要部断面図である。
【図4】他の従来例を示す概念図である。
202 発光素子
203 受光素子
205 ホログラムユニット
Claims (1)
- 【請求項1】 発光素子と複数の受光素子とを備え、
前記発光素子から出射された光を前記複数の受光素子そ
れぞれに分配するホログラムを、前記発光素子と受光素
子の間に介挿させてなることを特徴とする光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114294A JPH04342176A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114294A JPH04342176A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342176A true JPH04342176A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14634262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3114294A Pending JPH04342176A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014187205A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および光結合装置 |
| CN105390576A (zh) * | 2014-09-02 | 2016-03-09 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及光耦合装置 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3114294A patent/JPH04342176A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014187205A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および光結合装置 |
| US9263629B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and light coupling device |
| CN105390576A (zh) * | 2014-09-02 | 2016-03-09 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及光耦合装置 |
| US9847447B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting element and optical coupling device |
| TWI617050B (zh) * | 2014-09-02 | 2018-03-01 | 東芝股份有限公司 | Semiconductor light-emitting element and optical coupling device |
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