JPH04343421A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して半
導体等に対する微細加工あるいは成膜等の処理を行うプ
ラズマ処理装置に関し、特に中性粒子ビームによるサブ
ミクロン以下の微細加工に好適なプラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プラズマを利用したプラズマ処理
装置としては、いわゆるドライエッチング装置がある。 このドライエッチング装置では、高周波グロー放電（Ｒ
Ｆ放電）により反応性ガスをプラズマ化して、イオン及
び化学的に活性な中性化学種等を発生させ、これらを被
処理体の表面に輸送し、反応させてエッチングを行う方
法が一般に採用されて来た。

【０００３】上記エッチング方法においては、高周波電
極上に表面がエッチングマスクで被覆された被処理体を
設置し、当該被処理体の表面上に誘起される負のバイア
ス電位によって、正イオンを当該被処理体の表面に対し
て垂直方向に加速して当該被処理体に入射させることに
より入射方向の反応を増速させ、上記エッチングマスク
に忠実な異方性の高い高精度加工を達成しようとしてい
る。

【０００４】ところが、上述のエッチング方法では、電
気的に中性であるために方向性の無いラジカル（中性化
学種）による等方エッチングが同時に進行する。そのた
め、サイドエッチングも進行し、完全な異方性形状を得
ることが難しくなり、例えば半導体に対するサブミクロ
ンの微細加工では、このサイドエッチングは大きな問題
となる。

【０００５】このサイドエッチングの問題を解決するた
めに、加工部（エッチング部）の側壁面に反応を阻害す
る保護膜を形成させる方法、被処理体を低温にして当該
側壁面におけるラジカル反応を抑制する方法、あるいは
ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）法によって、よりイ
オン密度が高く、且つ低圧でラジカル密度が低いプラズ
マを生成させて行うエッチング方法等が提案されている
。

【０００６】サイドエッチングの問題を解決するための
これらの方法は、いずれも方向の揃った正電荷イオンを
用いている。従って、イオンの運動方向は電場により決
まるため、サブミクロン程度の微細パターンの加工にお
いては、以下の問題がある。

【０００７】図６は、エッチング中の被処理体の表面近
傍の一部を示しており、該被処理体１０の表面はエッチ
ングマスク１２で被覆されている。

【０００８】上記図６に示すように、エッチングが進行
すると、被処理体１０の表面に沿った電場Ｅ（破線で示
す）の乱れ（凹凸）により、イオンＩの入射方向が曲げ
られ側壁にイオンＩが衝突してサイドエッチングが起こ
るため、期待した異方性が得られなくなる。

【０００９】又、エッチング部１４、１６、１８では、
底面、例えば１４Ａに到達するイオン束が減少するため
、パターンの微細なエッチング部（図では１６、１８）
のエッチング速度が広いパターンのエッチング部１４に
比べて低下する、いわゆるマイクロローディング効果（
あるいはＲＩＥｌａｇ　）が生じてしまう。

【００１０】更に、電荷を持ったイオンでエッチングす
る場合には、チャージアップが原因で絶縁破壊を起こし
、信頼性の低下をきたすという問題もある。

【００１１】従って、良好な異方性、マイクロローディ
ング効果の抑制及び信頼性向上を確保するためには方向
の揃った、電気的に中性な活性種によるエッチングが不
可欠となる。この目的にあった中性粒子ビームを得る方
法としては、同種のイオンとラジカルとの間の効率的な
電荷交換により高速中性ラジカルビームを得る方法（特
開昭６１−２４８４２８）や、被処理体とプラズマとの
間にグリッドを設置し、グリッドからイオンへの電子移
動によりイオンを中性化させる方法（第５１回応用物理
学界学術講演会予稿集，２７Ｐ−ＺＦ−５，１９９０）
が提案されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記両
方法では、どちらの場合もイオンを中性にする効率が１
００％ではなく、イオンの一部は被処理体に入射してく
るので、このイオンを被処理体に到達する前に対向した
２枚の電極の間を通過させ、その入射方向を曲げること
により、被処理体に該イオンが到達しないようにする必
要がある。

【００１３】ところが、６インチウェハ等の大面積の被
処理体を処理する場合、上記対向電極から遠く離れたウ
ェハ中央部ではイオンの飛散を十分に曲げることができ
ず、そのイオンの大部分が被処理体に斜めに入射してし
まう。そのため、異方性向上及びマイクロローディング
の抑制について期待したような結果が得られないという
問題がある。

【００１４】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、方向の揃った全体的に均一な中性粒
子ビームを生成させ、被処理体の表面が大面積であって
も、該被処理体に対してサブミクロン程度の微細加工を
高精度で行うことができるプラズマ処理装置を提供する
ことを課題とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ発生
手段を有するプラズマ室と、被処理体を収容し、該被処
理体をプラズマ処理する処理室とを備えたプラズマ処理
装置であって、プラズマ室と処理室との間に設けられた
、プラズマ室から処理室へ微小粒子を通過させる多数の
直線状のマイクロチャネル孔を有する絶縁材からなる多
孔質板と、上記多孔質板の両面にそれぞれ付設された２
つの表面電極と、上記両表面電極間にマイクロチャネル
孔が電子増倍作用を呈するに必要な電圧を印加する電源
と、を備えた構成とすることにより、前記課題を達成し
たものである。

【００１６】本発明は、又、前記プラズマ処理装置にお
いて、プラズマ室側の表面電極に対向する対向電極と、
これら対向電極と表面電極との間にプラズマを発生させ
るための高周波電圧を印加する高周波電源と、を設置し
たことにより、同様に前記課題を達成したものである。

【００１７】本発明は、更に、前記いずれかのプラズマ
処理装置において、多孔質板と被処理体設置位置との間
にグリッド電極を設置したことにより、一層確実に前記
課題を達成したものである。

【００１８】

【作用】本発明においては、処理室内の所定位置に被処
理体を設置し、プラズマ室をプラズマが発生可能な条件
に設定すると共に、処理室を該プラズマ室よりも低圧力
に設定し、且つマイクロチャネル孔を有する多孔質板（
以下、マイクロチャネル板ともいう）の両面に形成され
ている表面電極間にマイクロチャネル孔が電子増倍作用
を呈するに必要な電圧を印加する。

【００１９】上記条件の下で、プラズマ室でプラズマを
発生させると、遊離した電子の一部がマイクロチャネル
板方向に飛んでいき、マイクロチャネル孔内に導入され
ると、電子増倍作用により該マイクロチャネル孔内に多
数の電子が発生する。この電子増倍作用は、プラズマ中
のイオンがマイクロチャネル孔表面に衝突した際に生じ
る２次電子によっても誘起される。

【００２０】上記マイクロチャネル孔の電子増倍作用の
利得は、マイクロチャネル板の両面に形成した表面電極
間に印加する電圧、マイクロチャネル孔の径、その材質
等によっても異なるが、例えば１００〜１０，０００に
することができる。

【００２１】一方、プラズマ中に存在する正イオンは、
プラズマ電位により加速されて上記マイクロチャネル板
の方向に移動し、マイクロチャネル孔に導入される。マ
イクロチャネル孔には、上記電子増倍作用により発生し
ている多数の電子が存在するため、該マイクロチャネル
孔に導入された正イオンはこれら多数の電子により確実
に中和される。その結果、中和された正イオンは、マイ
クロチャネル孔の延びている方向に移動し、方向の揃っ
た中性粒子として処理室内に入射されることになる。

【００２２】従って、直線状のマイクロチャネル孔に対
して、被処理体の表面を垂直に配置しておくことにより
、該表面に対して、全く正イオン粒子を含まないビーム
状の中性粒子を垂直に照射することが可能となる。

【００２３】その結果、例えばプラズマ処理としてエッ
チングを行う場合には、被処理体に対して異方性の高い
エッチングが可能となると共に、マイクロローディング
効果が生じないので、極めて高精度のエッチングパター
ンを形成することが可能となる。又、全く正イオンを含
んでいないため、チャージアップに起因する破壊が起こ
ることもない。従って、信頼性を向上することもできる
。

【００２４】又、プラズマ室に、プラズマ室側の表面電
極に対向する対向電極を設ける場合は、該表面電極をプ
ラズマ発生電極として利用することができるので、これ
ら両電極間に所定の高周波電圧を印加することにより、
効率良くプラズマを発生させることができる。

【００２５】更に、マイクロチャネル板と被処理体設置
位置との間にグリッド電極を設置する場合は、該グリッ
ド電極を所定の負電位に設定することにより、電子増倍
作用によってマイクロチャネル孔内に生じ、且つ両表面
電極間に印加されている電圧により加速されている多数
の電子のエネルギを低下させることができる。従って、
マイクロチャネル孔内における電子の移動速度を減少さ
せることが可能となり、正イオンとの反応を更に確実に
行わせ、一層確実に中性粒子ビームを発生させることが
できる。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００２７】図１は、本発明に係る第１実施例のエッチ
ング装置を示す概略構成図で、図２は該エッチング装置
の要部の破断部を拡大して示す部分斜視図である。

【００２８】本実施例のエッチング装置（プラズマ処理
装置）は、プラズマ室２０とエッチング室（処理室）２
２とからなる密閉空間を備えており、これら両室２０、
２２はマイクロチャネル板２４により仕切られている。 上記プラズマ室２０には、プラズマ原料ガスを導入する
ガス導入口２６が設けられ、上記エッチング室２２には
真空系に接続された排気口２８が設けられており、これ
らプラズマ室２０及びエッチング室２２をそれぞれ所望
の減圧状態にすることが可能になっている。

【００２９】又、上記プラズマ室２０内には、プラズマ
を発生させるための高周波電極（プラズマ発生手段）３
０が設置され、該高周波電極３０には電源（図示せず）
が接続されている。又、上記エッチング室２２内には、
エッチング処理（プラズマ処理）を行う対象である被処
理体３２が、上記マイクロチャネル板２４に対して平行
に設置されている。

【００３０】更に、プラズマ室２０とエッチング室２２
とを仕切る上記マイクロチャネル板２４は、微細なチャ
ネル孔を有する絶縁材で形成されている。

【００３１】即ち、上記マイクロチャネル板２４には、
その破断した一部を図２に拡大して示すように、該マイ
クロチャネル板２４の厚さ方向に延びる直線状のマイク
ロチャネル孔２４Ａが多数形成されており、該マイクロ
チャネル孔２４Ａを通して、プラズマ室２０からエッチ
ング室２２へ中性粒子（ラジカル）、イオン等の微小粒
子が通過可能になっている。

【００３２】上記マイクロチャネル板２４は、例えば、
直径ｄ　が数μｍ〜１００μｍ　程度の孔を有する中空
状のグラスファイバ集合体からなる石英製の薄板で形成
でき、その厚さｌ　は数百μｍ　〜数ｍｍ程度にするこ
とができる。

【００３３】又、上記マイクロチャネル板２４のプラズ
マ室２０側及びエッチング室２２側の表面には、第１表
面電極３４及び第２表面電極３６がそれぞれ付設されて
おり、これら両表面電極３４、３６には電子増倍用電源
３８が接続され、該両表面電極３４、３６間に、上記マ
イクロチャネル孔２４Ａに電子増倍作用を生じさせる条
件の電圧を印加することが可能となっている。これら第
１及び第２表面電極３４、３６は、例えば、上記マイク
ロチャネル板２４のそれぞれの面に、インコネル合金（
Ｆｅ　−Ｎｉ　−Ｃｒ　）を焼付けることにより形成で
きる。

【００３４】次に、本実施例の作用を説明する。

【００３５】まず、前記プラズマ室２０に、塩素ガス（
Ｃｌ　２　）をガス導入口２６より導入し、例えば１０
−１Ｔｏｒｒ　程度の圧力下で高周波電極３０により、
放電を行わせる。

【００３６】このとき、プラズマ室２０ではプラズマが
発生し、Ｃｌ　＋等の塩素イオン及び塩素原子（Ｃｌ　
・）　等の中性活性種（ラジカル）が生成する。

【００３７】発生したプラズマ中においては、安定な分
子（Ｃｌ　２　）、イオン及び中性活性種の密度は、放
電方式やプラズマ室２０の圧力に依存するが、ＲＦ放電
では中性活性種／イオンの比は１０３　程度である。

【００３８】上記放電条件では、元々の塩素分子（Ｃｌ
　２　）、中性活性種及びイオンの密度は、各々３×１
０１４個／ｃｍ３　、５×１０１２個／ｃｍ３　、１×
１０１０個／ｃｍ３　程度と観測された。

【００３９】一方、前記エッチング室２２は、排気口２
８により排気し、上記プラズマ室２０よりも低い圧力に
設定する。

【００４０】又、前記マイクロチャネル板２４に付設さ
れている第１及び第２表面電極３４及び３６の間に、マ
イクロチャネル孔２４Ａに電子増倍作用が生じる程度の
電圧を印加する。

【００４１】この電子増倍作用は、図３の拡大部分断面
図に示すように、上記放電状態の下で、第１表面電極３
４及び第２表面電極３６の間に所定の電圧を印加すると
、マイクロチャネル孔２４Ａに入射された電子が厖大な
数の電子に増倍され、その電子が反対側から出力される
現象である。

【００４２】従って、上記のようにプラズマ室２０でプ
ラズマを発生させると、マイクロチャネル板２４に対し
ては、プラズマ室においてプラズマ電位により加速され
た正イオンが入射してくるが、該正イオンはマイクロチ
ャネル孔２４Ａ内に導入されると、該マイクロチャネル
孔２４Ａ内で増倍された電子により中和され、ラジカル
等の中性粒子としてエッチング室２２に入射される。

【００４３】このように、本実施例では、上記正イオン
を増倍された多数の電子により中和するため、従来のよ
うにグリッド電極を使用して中和させる場合に比べ、極
めて効率良く中和することができる。その上、正イオン
を直線状に延びる微細なマイクロチャネル孔２４Ａ内で
中和することができるため、生成した中性粒子を、該マ
イクロチャネル孔２４Ａの延びる方向に沿って移動させ
、エッチング室２２内に方向の揃ったビーム状で入射さ
せることが可能となる。

【００４４】又、エッチング室２２の圧力をプラズマ室
２０よりも低くしておくので、上記プラズマ室２０から
プラズマ中の中性活性種（ラジカル等）の微小粒子をも
、マイクロチャネル孔２４Ａを通して方向の揃ったビー
ム状でエッチング室２２に流入させることが可能となる
。

【００４５】更に、上述の如く、エッチング室２２をプ
ラズマ室２０より低圧にしてあるので、マイクロチャネ
ル板３４を経て、該エッチング室２２に流入してくる中
性粒子が、該エッチング室２２内の気体粒子等と衝突す
ることによって散乱されることをも防止できる。

【００４６】例えば、エッチング室２２の圧力を１０−
３Ｔｏｒｒに設定すると、この条件の下では気体の平均
自由経路が１０ｃｍ程度となる。従って、マイクロチャ
ネル板２４と被処理体３２との間隔を、例えば１ｃｍ程
度とすれば、マイクロチャネル孔２４Ａを通過した中性
粒子は殆ど散乱されないため、該中性粒子を方向の揃っ
た中性粒子ビームとして被処理体３２の表面に入射させ
ることができる。

【００４７】上述した如く、本実施例によれば、上記マ
イクロチャネル孔２４Ａが直線状で、且つ被処理体３２
の表面に垂直になっているので、プラズマ室２０で生成
したプラズマからマイクロチャネル板２４へ入射される
中性粒子はもとより、正イオンをも、方向の揃った中性
粒子ビームとして被処理体３２の表面に垂直に入射させ
ることができる。

【００４８】従って、このように被処理体３２の表面に
垂直に入射する、方向の揃った中性の活性粒子（ラジカ
ル）によって、該被処理体３２をエッチングすることが
できるため、異方性の高いエッチングが可能であり、そ
の上、イオン粒子の入射がないためマイクロローディン
グ効果が生じないため、極めて高精度のエッチングパタ
ーンの形成が可能となる。

【００４９】又、本実施例では、被処理体３２に対する
イオン粒子の入射を防止するための前記特開昭６１−２
４８４２８に開示されているような対向電極を使用する
必要がなく、しかも該被処理体３２の表面積より広い範
囲に亘って形成されたマイクロチャネル孔２４Ａから、
中性粒子ビームが該被処理体３２の表面に入射するよう
にしてあるため、被処理体３２の表面積が大きい場合で
も、異方性の高いエッチングを全体的に行うことが可能
となる。

【００５０】次に、具体例を示し、本実施例の効果を明
らかにする。

【００５１】エッチング装置としては、マイクロチャネ
ル孔２４Ａの直径ｄ　が約２０μｍ　で、厚さｌ　が約
１ｍｍの石英製マイクロチャネル板２４を設けたものを
使用した。

【００５２】被処理体３２としては、表面にエッチング
マスクとなるレジストパターンを被着形成した６インチ
のシリコン基板（ウェハ）を使用し、該シリコン基板の
表面（エッチング面）と、マイクロチャネル板２４の表
面とは約１ｃｍ離して平行にした。

【００５３】プラズマ室２０に塩素を３０ｓｃｃｍで導
入し、５０ｍ　Ｔｏｒｒ　の圧力の下でＲＦ放電させる
と共に、エッチング室２２を１０ｍ　Ｔｏｒｒ　とし、
且つマイクロチャネル板２４に形成した第１表面電極３
４と第２表面電極３６との間に約１００Ｖの電圧を印加
して、上記シリコン基板のエッチングを行った。このと
き、生成したプラズマ中の塩素イオン（Ｃｌ　＋　）の
密度は約１０９　個／ｃｍ３　であり、又、上記マイク
ロチャネル孔２４Ａにおける電子増倍率は約１０２　〜
１０３　であった。

【００５４】上記エッチングの結果、上記シリコン基板
に対しては、深さ０．５μｍ　で幅０．３μｍ　の加工
が、±１０ｎｍ以下の誤差で、マスクパターン通りに再
現性良く行うことができた。その結果、サイドエッチン
グが無く、垂直な異方性の高いエッチング形状を形成す
ることができた。又、エッチング速度はパターン（エッ
チング部）の粗密等に依存せず、マイクロローディング
効果は全く見られなかった。

【００５５】図４は、本発明に係る第２実施例のエッチ
ング装置を示す、前記図１に相当する概略構成図である
。

【００５６】本実施例のエッチング装置は、マイクロチ
ャネル板２４と被処理体３２との間にグリッド電極４０
を、マイクロチャネル板２４の第２表面電極３６に平行
に設置すると共に、グリッド電源４２より上記第２表面
電極３６と上記グリッド電極４０との間に該グリッド電
極を負電位とする所定の電圧を印加可能とした以外は、
前記第１実施例と同構成である。

【００５７】本実施例によれば、マイクロチャネル孔２
４Ａで増倍された電子のエネルギを制御し、該電子によ
る正イオンの中和反応を一段と確実に行わせることがで
きる。

【００５８】即ち、マイクロチャネル孔２４Ａ内で増倍
生成された電子は、第１表面電極３４と第２表面電極３
６との間に印加されている電圧によりエッチング室２２
の方向に加速されるが、電子の動きが速過ぎると正イオ
ンを中和する反応が起こり難い。このような場合は、上
記中和反応を効率良く進行させるためには電子の動きを
適切な速さに減速してやることが必要になるが、本実施
例では、グリッド電極４０を負電位としているため、こ
の負電位の大きさを調整することにより、マイクロチャ
ネル孔２４Ａを移動する電子を適切な速さにすることが
可能となる。

【００５９】その結果、マイクロチャネル孔２４Ａ内で
増倍された電子が、第１表面電極３４及び第２表面電極
３６間の印加電圧によって中和反応が起こり難い程に加
速されている場合でも、該電子を適切な速さに減速でき
るため、正イオンに対する中和反応を効率良く行わせる
ことが可能となる。

【００６０】又、前記グリッド電極４０を設置したこと
により、仮に正イオンがマイクロチャネル孔２４Ａ内で
中和されずにエッチング室２２に入射された場合でも、
該正イオンをグリッド電極４０からの電子移動により中
和させることができるため、中性粒子の生成を更に確実
にすることが可能となる。

【００６１】次に、本実施例の装置を用いて行った具体
例を示す。

【００６２】マイクロチャネル板２４に形成されている
第２表面電極３６とグリッド電極４０及び被処理体３２
との間の距離をそれぞれ５ｍｍ及び２０ｍｍとし、且つ
、第２表面電極３６とグリッド電極４０との間に１０５
Ｖの電圧を印加した以外は、前記第１実施例の場合と同
一の条件の下で、６インチのシリコン基板（被処理体３
２）に対してエッチングを行ったところ、前記第１実施
例の場合と同程度以上の精度でパターン形成を行うこと
ができた。

【００６３】図５は、本発明に係る第３実施例のエッチ
ング装置を示す概略構成図である。

【００６４】本実施例のエッチング装置は、マイクロチ
ャネル板２４の第１表面電極３４に平行に配された対向
電極４４と、これら第１表面電極３４と対向電極４４と
の間にＲＦ高周波電圧を印加するためのＲＦ電源４６と
、該ＲＦ電源４６と第１表面電極３４等との間に配され
たブロッキングコンデンサ４８とを備えているもので、
プラズマ室２０における放電用電極（プラズマ発生手段
）の構成が異なる以外は、前記第１実施例のエッチング
装置と実質的に同一の構成である。

【００６５】本実施例によれば、第１表面電極３４をＲ
Ｆプラズマの発生電極としても機能させることができる
ので、前記第１実施例の効果に加えて、プラズマの発生
を促進することができるので、被処理体３２に対するエ
ッチングを一層効率良く行うことが可能となる。

【００６６】本実施例の装置を用いて、前記第１実施例
における具体例の場合と略同一の条件の下で６インチシ
リコン基板に対してエッチングを行ったところ、前記第
１実施例の場合と同様に高精度のエッチングを、効率良
く行うことができた。

【００６７】以上、本発明を具体的に説明したが、本発
明は前記実施例に示したものに限定されるものでなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

【００６８】例えば、マイクロチャネル板は、石英製グ
ラスファイバの集合体に限るものでなく、同様の目的に
使用できるものであれば任意の絶縁材料で形成すること
ができる。

【００６９】又、マイクロチャネル板に形成するマイク
ロチャネル孔の形成密度は、必要に応じて任意に変更可
能であり、第１表面電極及び第２表面電極もアルミニウ
ム等の他の導電材料で形成することができる。

【００７０】又、前記実施例では、第１表面電極３４と
第２表面電極３６との間に電圧を印加する際、第２表面
電極３６を正電位とする場合を示したが、該電圧の印加
方向は、マイクロチャネル孔２４Ａに電子増倍作用を生
じさせることができる条件であれば逆にしてもよい。

【００７１】又、前記第２実施例では、グリッド電極４
０に負電位を印加したが、逆に正電位を印加することに
より、マイクロチャネル孔２４Ａ内で中和しきれなかっ
た正イオンを押し返し、正イオンが被処理体３２に入射
されないようにしてもよい。

【００７２】又、前記第３実施例のエッチング装置に、
第２実施例と同様にグリッド電極を配設してもよい。

【００７３】又、本発明のプラズマ処理装置は、エッチ
ング装置に限られるものでなく、他のプラズマ処理にも
適用可能であることはいうまでもない。

【００７４】例えば、成膜装置としても有効であり、本
発明のプラズマ処理装置によれば、低ダメージ、低応力
、高緻密で良質な膜を得ることができ、極めて有益であ
ることが確認された。

【００７５】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、方
向の揃った全体的に均一な中性粒子ビームを生成させる
ことにより、被処理体の表面が大面積である場合でも、
該被処理体に対してサブミクロン程度の微細加工を高精
度で行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の第１実施例であるエッチング
装置を示す概略構成図である。

【図２】図２は、上記エッチング装置の要部の一部を拡
大して示す部分斜視図である。

【図３】図３は、電子増倍作用の原理を示す概略説明図
である。

【図４】図４は、本発明に係る第２実施例のエッチング
装置を示す概略構成図である。

【図５】図５は、本発明に係る第３実施例のエッチング
装置を示す概略構成図である。

【図６】図６は、従来の問題点を示す概略説明図である
。

【符号の説明】

２０…プラズマ室、 ２２…エッチング室、 ２４…マイクロチャネル板、 ２４Ａ…マイクロチャネル孔、 ３０…高周波電極、 ３２…被処理体、 ３４…第１表面電極、 ３６…第２表面電極、 ３８…電子増倍用電源、 ４０…グリッド電極、 ４２…グリッド電源、 ４４…対向電極、 ４６…ＲＦ電源。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】プラズマ発生手段を有するプラズマ室と、
   被処理体を収容し、該被処理体をプラズマ処理する処理
   室とを備えたプラズマ処理装置であって、プラズマ室と
   処理室との間に設けられた、プラズマ室から処理室へ微
   小粒子を通過させる多数の直線状のマイクロチャネル孔
   を有する絶縁材からなる多孔質板と、上記多孔質板の両
   面にそれぞれ付設された２つの表面電極と、上記両表面
   電極間にマイクロチャネル孔が電子増倍作用を呈するに
   必要な電圧を印加する電源と、を備えていることを特徴
   とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】請求項１において、プラズマ室側の表面電
   極に対向する対向電極と、これら対向電極と表面電極と
   の間にプラズマを発生させるための高周波電圧を印加す
   る高周波電源と、を設置したことを特徴とするプラズマ
   処理装置。
3. 【請求項３】請求項１又は２において、多孔質板と被処
   理体設置位置との間にグリッド電極を設置したことを特
   徴とするプラズマ処理装置。