JPH04344508A - 電圧／電流特性制御回路 - Google Patents

電圧／電流特性制御回路

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JPH04344508A
JPH04344508A JP3337032A JP33703291A JPH04344508A JP H04344508 A JPH04344508 A JP H04344508A JP 3337032 A JP3337032 A JP 3337032A JP 33703291 A JP33703291 A JP 33703291A JP H04344508 A JPH04344508 A JP H04344508A
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JP
Japan
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transistor
resistor
voltage
terminal
power
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Withdrawn
Application number
JP3337032A
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English (en)
Inventor
Davide Brambilla
ダビデ・ブランビーラ
Edoardo Botti
エドアルド・ボッティ
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STMicroelectronics SRL
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SRL
SGS Thomson Microelectronics Inc
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Publication date
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/04113—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches

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  • Amplifiers (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】この発明は、特定的には電力トランジス
タを保護するための電圧／電流特性制御回路に関するも
のである。
【０００２】
【発明の背景】パワー集積回路において、ＭＯＳテクノ
ロジーまたはバイポーラテクノロジーのいずれにおいて
も電力トランジスタを過負荷から十分に保護する必要性
が高まっている。あらゆるトランジスタと同様電力トラ
ンジスタは図１により明確に示されるように電圧／電流
面において安全作動領域の頭字語である通常ＳＯＡと呼
ばれる作動領域を実際に有する。
【０００３】素子の動作点は常にＳＯＡ内になければな
らず、これに反すれば素子そのものが破壊される。この
ようなイベントは明らかに迅速かつ徹底的な保守介入を
必要とし、したがってその中でこのイベントが起こる機
械または装置の管理費を増加する。
【０００４】ＳＯＡの境界は通常３つの制限によって規
定される。すなわち出力素子によって耐え得る最大電流
ＩＭＡＸ　、その最高電圧ＶＭＡＸおよびその素子によ
って消失され得る最大電力によって規定される。
【０００５】素子の場合、状況は図１に破線で示される
ＩＩ降伏の既知の現象によってさらに制限され、この現
象は結局高電圧の、すなわち３０ボルトより高い供給電
圧Ｖｃｃを有するバイポーラ電力素子の製造における主
要制限である。
【０００６】さらに、部分的に誘導負荷を有する増幅器
のような特定の条件において、ＳＯＡは図２により明確
に示される動作点領域を表わす電圧／電流面の点の軌跡
によってむしろしばしば廃棄され得る。この境界交差は
この素子の最終破壊を不可避的に要する。
【０００７】したがって技術的問題はこの場合電力トラ
ンジスタがＳＯＡの境界を交差しようとするときを検出
し、それをオフに切換える保護回路を製造することにあ
る。
【０００８】ＳＯＡの境界と動作点との間の差が極めて
小さいとき状況はさらに悪くなる。したがって保護回路
はＳＯＡにきっちり従うような、かつむしろそれがＳＯ
Ａ内にまだあるとき、すなわち通常の作動状態において
トランジスタをオフに切換えることを回避するような分
解能を有さねばならない。
【０００９】最終的に前記保護回路の製造およびそれら
の製造の生産工程の変化に関するそれらの動作の安定性
のほとんどすべてが保護回路の主要問題の１つである。
【００１０】
【発明の概要】この発明のねらいは、動作点がＳＯＡの
境界を上回るとき電力トランジスタをオフに切換えるた
めにＳＯＡの境界に忠実に従う、特定的には電力トラン
ジスタを保護するための電圧／電流特性制御回路を設け
ることによって既知の制御回路の既知の型における上述
の不利益を除去または実質的に削減することである。
【００１１】このねらいの範囲内において、この発明の
目的は、たとえ製造工程が変化しても動作において安定
した制御回路を提供することである。
【００１２】さらにこの発明の目的は、製造が比較的容
易でかつ競合的コストの、特定的には電力トランジスタ
を保護するための電圧／電流特性制御回路を提供するこ
とである。
【００１３】このねらい、これらの目的および後文より
明らかになるであろう他の目的は、この発明に従った特
定的には電力トランジスタを保護するための電圧電流特
性制御回路によって達成され、この回路は少なくとも１
つの電力トランジスタを含み、第２のトランジスタのエ
ミッタ端子は前記電力トランジスタの出力に直接接続さ
れ、第１のトランジスタのエミッタ端子は第１の抵抗器
によって前記電力トランジスタの出力に接続され、前記
第２のトランジスタのコレクタ端子およびベース端子は
電源に接続され、前記第１のトランジスタのベース端子
は前記第２のトランジスタのベース端子に接続され、さ
らに保護回路を含む回路であって、前記保護回路は第３
のトランジスタおよび第４のトランジスタを含む差動段
を介して前記第１のトランジスタのコレクタ端子に接続
され、前記第３のトランジスタおよび第４のトランジス
タはそれぞれ第２の抵抗器および第３の抵抗器を直列に
配列され、分割手段が設けられ、前記分割手段は前記少
なくとも１つの電力トランジスタの入力端子と前記第３
のトランジスタおよび第４のトランジスタのベース端子
との間に介挿されることを特徴とする。
【００１４】この発明のさらなる特徴および利点は添付
の図面における非制限的例示によってのみ示される、こ
の発明に従った特定的には電力トランジスタを保護する
ための電圧／電流特性制御回路の好ましいが排他的では
ない実施例の説明から明らかになるであろう。
【００１５】
【好ましい実施例の詳細な説明】
図３を参照すると、前記図は電力素子１を流れる電流を
検出するための基本回路を概略的に示す。前記回路は保
護回路２および電源３を含み、これらはカレントミラー
接続される第１のＮＰＮトランジスタ４および第２のＮ
ＰＮトランジスタ５のそれぞれのコレクタ端子にそれぞ
れ接続される。換言すれば、２つのトランジスタ４およ
び５のベース端子は互いに接続され、かつ第２のトラン
ジスタ５のコレクタ端子および電源３に接続される。
【００１６】第１のトランジスタ４のエミッタ端子は第
１の抵抗器６の端子に接続され、かつ接地に接続され、
他方第２のトランジスタ５のエミッタ端子は電力素子１
の出力端子および第１の抵抗器６の他方の端子に接続さ
れる。
【００１７】もしＩ０　と呼ばれる素子１からの出力の
電流が０であれば、第１の抵抗器６の電圧降下が０であ
り、トランジスタ４および５によって写される電流Ｉ２
　は電源３によって発生される電流Ｉ１　に等しい。
【００１８】もし０でない電流Ｉ０　が素子１を流れれ
ば、第１の抵抗器６の電圧降下によって電流Ｉ２　はし
きい値Ｉ２　に到達するまで増加し、それを上回ると保
護回路２の介入が起こる。
【００１９】したがって、この回路において保護回路２
は出力電流だけを感知し、したがって高電圧回路には適
当でない。
【００２０】図４に示される回路は上述の回路に関する
改良である。この既知の型の回路において、前に与えら
れた基準を変化せずに、ツェナダイオード８の陰極に接
続される抵抗器７によって構成された直列は第２のトラ
ンジスタ５のベース端子、第２のトランジスタ５のコレ
クタ端子および電源３に接続される。ツェナダイオード
８の陽極は電力素子１の入力端子に接続される。
【００２１】この最後の回路において、電力素子１の電
圧Ｖ０　がツェナ電圧ＶＺ　より低い限り、回路は前の
回路のように電流Ｉ０　を値Ｉ０ＭＡＸに制限する。も
し電圧Ｖ０　がツェナ電圧ＶＺ　を上回れば、第１のト
ランジスタ４を流れる電流も増加し、したがって保護回
路２を起動する電流値Ｉ２　に到達するために第１の抵
抗器６のより小さい電圧降下が必要である。図４の回路
の保護曲線は図５に示される。
【００２２】図６を参照すると、特定的には電力トラン
ジスタを保護するための電圧／電流特性制御回路は上述
の構成要素を含み、それらの参照数字は明瞭にするため
に図６において維持される。保護回路２は第３のトラン
ジスタ９および第４のトランジスタ１０を含む差動段を
介して第１のトランジスタ４のコレクタ端子に接続され
る。前記第３および第４のトランジスタはそれぞれの第
２の抵抗器１２および第３抵抗器１３をそれらに直列に
接続される。後文に説明される分割手段１４がさらに設
けられ、電力トランジスタまたは電力素子１の入力端子
と第３のトランジスタ９および第４のトランジスタ１０
のベース端子との間に介挿される。
【００２３】第３のトランジスタ９のコレクタ端子は値
がＶｃｃに等しい供給電圧１５に接続され、かつそのエ
ミッタ端子は第２の抵抗器１２によって第１のトランジ
スタ４のコレクタ端子に接続され、かつ第３の抵抗器１
３によって第４のトランジスタ１０のエミッタ端子に接
続される。
【００２４】第４のトランジスタ１０のコレクタ端子は
保護回路２に接続される。電流Ｉ２　は次の規則に従っ
た電流Ｉ０　の関数である。
【００２５】 Ｉ２　＝Ｉ１　（Ａ４　／Ａ５　）ｅｘｐ（Ｉ０　Ｒ６
　／ＶＴ　）ここではＲ６　は抵抗器６の抵抗値であり
、ＶＴ　は通常２６ミリボルトに等しい熱電圧であり、
（Ａ４　／Ａ５　）は第１のトランジスタ４と第２のト
ランジスタ５との間の面積比である。
【００２６】電力素子１の電圧Ｖ０　に対して回路の感
度をよくするために、電流Ｉ２　は第３のトランジスタ
９および第４のトランジスタ１０によって構成される差
動段によって分割される。差動段はさらに第２の抵抗器
１２および第３の抵抗器１３の存在によって意図的に退
行される。
【００２７】説明される差動段は分割手段１４によって
駆動され、これらの分割手段は後文でさらに説明され、
かつバイアスおよび差電圧ＶＤ　の両方を設ける。電圧
ＶＤ　は電圧Ｖ０　の関数であり、図７に定性的に示さ
れる作用を行なう。
【００２８】高電圧Ｖ０　について、電圧ＶＤ　は正で
あり、すべての電流Ｉ２　は第４のトランジスタ１０を
介して流れる。電流Ｉ２　がしきい値Ｉ２　に到達する
とき、保護が介入し、素子１をオフに切換える。図８に
示されるようにＳＯＡのこの領域において、電流Ｉ０　
はＶ０　＞Ｖ０２について値Ｉ０２に限定される。
【００２９】より低い電圧Ｖ０　とともに、ＶＤ　は最
初に取消され、徐々に負になる。したがって電流Ｉ２　
は一部は第３のトランジスタ９に、かつ一部は第４のト
ランジスタ１０に流れる。したがって、しきい値電流Ｉ
２　に到達し、かつ保護介入を行なうために、より高い
電流Ｉ０　が必要である。この結果生じる曲線は図８に
示される。
【００３０】図８のプロットから明らかであるように、
もし素子１が一定電流Ｉ０　＝Ｉ０１で電圧Ｖ０　＝Ｖ
０１より下で保護されるべきであれば、ＶＤ　＝ＶＤ１
に等しい一定値で分割手段の出力における差動電圧ＶＤ
　を固定することが必要である。したがって分割手段１
４の伝達関数、すなわちＶＤ　＝ＶＤ　（Ｖ０　）はＳ
ＯＡ曲線にできるだけ従うように計算されなければなら
ない。
【００３１】図９を参照すると、分割手段１４は第４の
抵抗器１６を含み、これは供給電圧１５およびダイオー
ド１７の陰極に接続され、このダイオードの陽極は接地
に接続される第５の抵抗器１８に接続される。ダイオー
ド１７の陰極は第３のトランジスタ９のベース端子に接
続される。
【００３２】ツェナダイオード１９の陽極はダイオード
１７の陽極に接続される。前記ツェナダイオードの陰極
は第６の抵抗器２０によって電力素子１の入力端子に接
続され、かつ第７の抵抗器２１によって第４の抵抗器１
０のベース端子に接続される。
【００３３】したがって分割手段１４は優れた近似でＳ
ＯＡ曲線を追うことを許容する様々な勾配を有する非線
形分割器であり、上述の分割手段１４の伝達関数ＶＤ　
＝ＶＤ　（Ｖ０　）のプロットは図１０に示される。し
たがって、得られた保護曲線は図１１に図表的に示され
るものである。
【００３４】この発明は極めて近く、かつ図９の例示に
よって示されるような１つの３勾配の非線形分割器１４
でも容易に再生可能な態様で電力素子１の保護曲線を概
算することを便利に許容する。
【００３５】分割器１４によって規定される曲線は図１
０に示され、図６の回路によって得られる素子１の保護
曲線は図１１に示されるものである。
【００３６】図４の前述の既知の回路で、Ｖ０　はツェ
ナダイオード８および抵抗器７によって基準電流Ｉ１　
を増加することによって実際に検出され、特定的には生
産工程による温度変化およびツェナ電圧ＶＺ　の変化の
観点からこの付加的電流をトリガ電流Ｉ２　に結合する
ことは困難である。
【００３７】有利なことに、この発明に従った回路はト
ランジスタ９および１０と、図６に示されるように、抵
抗比にもっぱら依存する分割器１４とによって構成され
る差動段によって電流Ｉ２　を正確に分割することによ
って作用され、より再生可能でかつ温度安定している保
護曲線を得る。
【００３８】したがって考案されるこの発明は多数の修
正および変化が可能であり、それらのすべてはこの発明
概念の範囲内である。構造的観点から、トランジスタ４
、５、９および１０はＮＰＮバイポーラトランジスタで
あるが、明らかに必要な回路の適用とともに、ＰＮＰバ
イポーラトランジスタによるこの発明に従った回路の実
行は概念的に禁止されない。さらに詳細な点はすべて他
の技術的に同等のエレメントと置換えられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】安全作動領域（ＳＯＡ）の電圧／電流プロット
の図である。
【図２】動作点の領域を含むＳＯＡの電圧／電流プロッ
トの図である。
【図３】既知の保護回路の図である。
【図４】別の既知の保護回路の図である。
【図５】図４の回路のＳＯＡの電圧／電流プロットの図
である。
【図６】この発明に従った保護回路の図である。
【図７】この発明に従った回路の差動電圧の作用の電圧
／電流プロットの図である。
【図８】図７の回路のＳＯＡの電圧／電流図である。
【図９】図７の回路内に含まれる非線形分割器の図であ
る。
【図１０】図９の分割器の差動電圧の作用の電圧／電流
プロットの図である。
【図１１】図１０の分割器によって完了される図７の回
路のＳＯＡの電圧／電流プロットの図である。
【符号の説明】
２：保護回路 ３：電源 ４，５，９，１０：トランジスタ ６，１２，１３：抵抗器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　特定的には電力トランジスタを保護す
    るための電圧／電流特性制御回路であって、少なくとも
    １つの電力トランジスタを有し、第２のトランジスタ（
    ５）のエミッタ端子は前記電力トランジスタの出力に直
    接接続され、第１のトランジスタ（４）のエミッタ端子
    は第１の抵抗器（６）によって前記電力トランジスタの
    出力に接続され、前記第２のトランジスタ（５）のコレ
    クタ端子およびベース端子は電源（３）に接続され、前
    記第１のトランジスタ（４）のベース端子は前記第２の
    トランジスタ（５）のベース端子に接続され、さらに保
    護回路を含み、前記保護回路（２）は第３のトランジス
    タ（９）および第４のトランジスタ（１０）を含む差動
    段を介して前記第１のトランジスタ（４）のコレクタ端
    子に接続され、前記第３のトランジスタ（９）および第
    ４のトランジスタ（１０）はそれぞれ第２の抵抗器（１
    ２）および第３の抵抗器（１３）を直列に配列され、分
    割手段（１４）が設けられ、前記分割手段（１４）は前
    記少なくとも１つの電力トランジスタの入力端子と前記
    第３のトランジスタ（９）および第４のトランジスタ（
    １０）のベース端子との間に介挿されることを特徴とす
    る、制御回路。
  2. 【請求項２】　　前記第３のトランジスタ（９）のコレ
    クタ端子は供給電圧に接続され、そのエミッタ端子は前
    記第２の抵抗器（１２）によって前記第１のトランジス
    タ（４）のコレクタ端子に接続されるとともに、前記第
    ３の抵抗器（１３）によって前記第４のトランジスタ（
    １０）のエミッタ端子に接続されることを特徴とする、
    請求項１に記載の制御回路。
  3. 【請求項３】　　前記第４のトランジスタ（１０）のコ
    レクタ端子は前記保護回路（２）に接続されることを特
    徴とする、請求項１に記載の制御回路。
  4. 【請求項４】　　前記分割手段（１４）は前記供給電圧
    （１５）およびダイオード（１７）の陰極に接続され、
    そのダイオードの陽極は接地に接続される第５の抵抗器
    （１８）に接続される第４の抵抗器（１６）を含むこと
    を特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
  5. 【請求項５】　　前記第３のトランジスタ（９）のベー
    ス端子は前記ダイオード（１７）の前記陰極に接続され
    ることを特徴とする、請求項４に記載の制御回路。
  6. 【請求項６】　　ツェナダイオード（１９）の陽極は前
    記ダイオード（１７）の前記陽極に接続され、前記ツェ
    ナダイオード（１９）の陰極は第６の抵抗器（２０）に
    よって前記少なくとも１つの電力トランジスタの入力端
    子に接続され、かつ第７の抵抗器（２１）によって前記
    第４のトランジスタ（１０）のベース端子に接続される
    ことを特徴とする、請求項５に記載の制御回路。
JP3337032A 1990-12-20 1991-12-19 電圧／電流特性制御回路 Withdrawn JPH04344508A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
IT22448A/90 1990-12-20
IT02244890A IT1244209B (it) 1990-12-20 1990-12-20 Circuito di controllo di caratteristiche tensione/corrente particolarmente per la protezione di transistori di potenza

Publications (1)

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JPH04344508A true JPH04344508A (ja) 1992-12-01

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ID=11196431

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3337032A Withdrawn JPH04344508A (ja) 1990-12-20 1991-12-19 電圧／電流特性制御回路

Country Status (6)

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US (1) US5210481A (ja)
EP (1) EP0492375B1 (ja)
JP (1) JPH04344508A (ja)
KR (1) KR920013841A (ja)
DE (1) DE69113227T2 (ja)
IT (1) IT1244209B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5272392A (en) * 1992-12-04 1993-12-21 North American Philips Corporation Current limited power semiconductor device
EP0606160A1 (en) * 1993-01-08 1994-07-13 National Semiconductor Corporation Protection circuit used for deactivating a transistor during a short circuit having an inductive component
US5475270A (en) * 1993-01-08 1995-12-12 Ford Motor Company Starter motor energization circuit for an internal combustion engine
EP0782236A1 (en) * 1995-12-29 1997-07-02 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Circuit for the protection against overcurrents in power electronic devices, and corresponding method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2738897C2 (de) * 1977-08-29 1984-04-05 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Spannungsregler
US4225897A (en) * 1979-01-29 1980-09-30 Rca Corporation Overcurrent protection circuit for power transistor
US4302792A (en) * 1980-06-26 1981-11-24 Rca Corporation Transistor protection circuit
FR2516317A1 (fr) * 1981-11-09 1983-05-13 Marchal Equip Auto Dispositif de protection du transistor de commande d'un moteur electrique, ensemble constitue par un tel dispositif et son moteur associe et utilisation dans un vehicule automobile
DE3202319A1 (de) * 1982-01-26 1983-07-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schutzschaltung fuer einen leistungstransistor
NL8302197A (nl) * 1983-06-21 1985-01-16 Philips Nv Beveiligingsschakeling.
JPS6068721A (ja) * 1983-09-22 1985-04-19 Fujitsu Ltd Ｅｃｌ回路
US4680664A (en) * 1985-12-09 1987-07-14 Hughes Tool Company Overcurrent protection circuit for power transistors
US4789842A (en) * 1987-11-23 1988-12-06 Jiri Naxera Composite transistor device with over-current protection
JPH07113861B2 (ja) * 1988-01-29 1995-12-06 株式会社日立製作所 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路

Also Published As

Publication number Publication date
IT1244209B (it) 1994-07-08
EP0492375A1 (en) 1992-07-01
EP0492375B1 (en) 1995-09-20
KR920013841A (ko) 1992-07-29
IT9022448A1 (it) 1992-06-21
IT9022448A0 (it) 1990-12-20
DE69113227D1 (de) 1995-10-26
US5210481A (en) 1993-05-11
DE69113227T2 (de) 1996-05-15

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