JPH04346035A - 処理液供給装置 - Google Patents
処理液供給装置Info
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- JPH04346035A JPH04346035A JP3148041A JP14804191A JPH04346035A JP H04346035 A JPH04346035 A JP H04346035A JP 3148041 A JP3148041 A JP 3148041A JP 14804191 A JP14804191 A JP 14804191A JP H04346035 A JPH04346035 A JP H04346035A
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- gas
- ultrasonic
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- Measuring Volume Flow (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は処理液をキャリアガス
に溶解させて搬送供給する処理液供給装置に係り、特に
処理液が貯留されるタンク内のキャリアガスの挙動を超
音波で非接触で監視するようにした処理液供給装置に関
するものである。
に溶解させて搬送供給する処理液供給装置に係り、特に
処理液が貯留されるタンク内のキャリアガスの挙動を超
音波で非接触で監視するようにした処理液供給装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製品等の製造工程において、処理
液をキャリアガス中に気相化させ、気相化した処理液を
キャリアガスと共に処理装置に供給する処理液供給装置
ないし気相化装置が用いられている。
液をキャリアガス中に気相化させ、気相化した処理液を
キャリアガスと共に処理装置に供給する処理液供給装置
ないし気相化装置が用いられている。
【０００３】図２は、この種の装置を適用した例として
、ヘキサメチルジシラザン（以下にＨＭＤＳという）を
用いて被処理体である半導体ウエハの表面処理を行うＨ
ＭＤＳ処理装置を示す。同図に示すように、処理液とし
てのＨＭＤＳ１はタンク２内に貯留されており、タンク
２内の底部に設けられるバブラー３にはキャリアガスと
して窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、Ｎ２ ガスの
泡４にＨＭＤＳ１が気化して溶け込む。そして、ＨＭＤ
Ｓ１はＮ２ ガスと共にＨＭＤＳガス供給管１０を通っ
て処理容器５へと送られ、処理容器５内に設けられてい
る半導体ウエハ６に吹き付けられる。これにより、半導
体ウエハ６の表面処理がなされ、処理後のガスは排気管
１１より排気される。
、ヘキサメチルジシラザン（以下にＨＭＤＳという）を
用いて被処理体である半導体ウエハの表面処理を行うＨ
ＭＤＳ処理装置を示す。同図に示すように、処理液とし
てのＨＭＤＳ１はタンク２内に貯留されており、タンク
２内の底部に設けられるバブラー３にはキャリアガスと
して窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、Ｎ２ ガスの
泡４にＨＭＤＳ１が気化して溶け込む。そして、ＨＭＤ
Ｓ１はＮ２ ガスと共にＨＭＤＳガス供給管１０を通っ
て処理容器５へと送られ、処理容器５内に設けられてい
る半導体ウエハ６に吹き付けられる。これにより、半導
体ウエハ６の表面処理がなされ、処理後のガスは排気管
１１より排気される。
【０００４】また、ＨＭＤＳ１を貯留するタンク２には
、タンク２内のＨＭＤＳ１の液面が所定値より低下した
ことを検出するための液面計としてフロートセンサ８が
設けられている。これは、液面があまり低いと、Ｎ２
ガスの泡４が大きくなってＨＭＤＳ１の濃度が適正でな
くなってしまうからである。なお、フロートセンサ８が
作動したときには、ＨＭＤＳ液供給管１３を通じて予備
タンク（図示せず）からタンク２にＨＭＤＳ１が補給さ
れるようになっている。
、タンク２内のＨＭＤＳ１の液面が所定値より低下した
ことを検出するための液面計としてフロートセンサ８が
設けられている。これは、液面があまり低いと、Ｎ２
ガスの泡４が大きくなってＨＭＤＳ１の濃度が適正でな
くなってしまうからである。なお、フロートセンサ８が
作動したときには、ＨＭＤＳ液供給管１３を通じて予備
タンク（図示せず）からタンク２にＨＭＤＳ１が補給さ
れるようになっている。
【０００５】更に、ＨＭＤＳガス供給管１０には、ＨＭ
ＤＳ１を溶解したＮ２ガスが所定流量、確かに流れてい
ることを確認するために、フロート式の流量計９が設け
られている。この流量計９は、テーパ管内を流れるガス
流量を管内を浮遊するフロートの位置によって測定する
もので、所定位置にフロートがあるか否かを光学的に検
知するようになっている。
ＤＳ１を溶解したＮ２ガスが所定流量、確かに流れてい
ることを確認するために、フロート式の流量計９が設け
られている。この流量計９は、テーパ管内を流れるガス
流量を管内を浮遊するフロートの位置によって測定する
もので、所定位置にフロートがあるか否かを光学的に検
知するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置のフロートセンサ８はタンク２のＨＭＤＳ１中に漬か
っているため、フロートセンサ８から摩耗等によって微
粒子が発生し易く、半導体ウエハ６に微粒子が付着する
と、半導体製品の歩留り低下を招く。そこで、ＨＭＤＳ
１に非接触でその液位を検出するためにタンク２の重量
変化を検出する歪センサ等の重量センサを設けることが
考えられる。ところが、タンク２には、ＨＭＤＳガス供
給管１０、Ｎ２ ガス供給管１２、ＨＭＤＳ液供給管１
３等の配管が接続されており、かつタンク２も小型軽量
であるため、重量センサによってタンク２の重量を正確
に検出するのは難しく誤動作し易い。
置のフロートセンサ８はタンク２のＨＭＤＳ１中に漬か
っているため、フロートセンサ８から摩耗等によって微
粒子が発生し易く、半導体ウエハ６に微粒子が付着する
と、半導体製品の歩留り低下を招く。そこで、ＨＭＤＳ
１に非接触でその液位を検出するためにタンク２の重量
変化を検出する歪センサ等の重量センサを設けることが
考えられる。ところが、タンク２には、ＨＭＤＳガス供
給管１０、Ｎ２ ガス供給管１２、ＨＭＤＳ液供給管１
３等の配管が接続されており、かつタンク２も小型軽量
であるため、重量センサによってタンク２の重量を正確
に検出するのは難しく誤動作し易い。
【０００７】また、流量計９のフロートにＨＭＤＳが液
化して付着すると、流量計９の精度が低下し、正しい流
量検出ができなくなってしまうという問題があった。
化して付着すると、流量計９の精度が低下し、正しい流
量検出ができなくなってしまうという問題があった。
【０００８】この発明は上記の従来技術の問題点を解消
すべくなされたもので、処理液の液位や処理液を溶解し
たキャリアガスの流量を非接触でかつ確実に検出するこ
とができる処理液供給装置を提供することを目的とする
ものである。
すべくなされたもので、処理液の液位や処理液を溶解し
たキャリアガスの流量を非接触でかつ確実に検出するこ
とができる処理液供給装置を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、処理液を貯留するタンクにキャリアガ
スを導入してキャリアガスを溶解させ、この処理液が溶
解したキャリアガスを処理液供給系に供給する処理液供
給装置であって、上記処理液中のキャリアガスの泡を検
出するための超音波検出手段を設けたものである。
に、この発明は、処理液を貯留するタンクにキャリアガ
スを導入してキャリアガスを溶解させ、この処理液が溶
解したキャリアガスを処理液供給系に供給する処理液供
給装置であって、上記処理液中のキャリアガスの泡を検
出するための超音波検出手段を設けたものである。
【００１０】上記処理液はＨＭＤＳやクロルシラン等の
キャリアガスにより気相化して搬送するものならばどの
ようなものでもよい。また、キャリアガスとしては、窒
素ガス等不活性なものが好ましい。
キャリアガスにより気相化して搬送するものならばどの
ようなものでもよい。また、キャリアガスとしては、窒
素ガス等不活性なものが好ましい。
【００１１】更に、上記超音波検出手段は、例えば超音
波の送波器（音源）と受波器を有する超音波センサを使
用することができ、これらには圧電、電歪材料等が用い
られる。この場合、上記タンクの材料は超音波を伝える
ものならばどのようなものでもよい。
波の送波器（音源）と受波器を有する超音波センサを使
用することができ、これらには圧電、電歪材料等が用い
られる。この場合、上記タンクの材料は超音波を伝える
ものならばどのようなものでもよい。
【００１２】
【作用】上記のように構成することにより、超音波検出
手段から発せられた超音波はタンク壁を通り、タンク内
の処理液中に放射される。液体と気体とでは音響インピ
ーダンスが著しく異なるので、処理液中にキャリアガス
の泡が存在すると、超音波はキャリアガスの泡で反射さ
れ、再びタンク壁を通って超音波検出手段に強い反射波
が戻される。したがって、反射波の強度によりキャリア
ガスの有無すなわち処理液の有無がわかり、処理液の液
位を検出できる。
手段から発せられた超音波はタンク壁を通り、タンク内
の処理液中に放射される。液体と気体とでは音響インピ
ーダンスが著しく異なるので、処理液中にキャリアガス
の泡が存在すると、超音波はキャリアガスの泡で反射さ
れ、再びタンク壁を通って超音波検出手段に強い反射波
が戻される。したがって、反射波の強度によりキャリア
ガスの有無すなわち処理液の有無がわかり、処理液の液
位を検出できる。
【００１３】また、処理液中のキャリアガスの泡は上方
に移動しているため、超音波の伝播方向に泡の移動速度
成分を有するときには、超音波検出手段の送信波と超音
波検出手段に受信される反射波との間には、ドップラー
効果により泡の移動速度に比例した周波数のシフトが生
じる。したがって、このシフトした分のドップラー周波
数を測定することにより、キャリアガスの泡の移動速度
がわかり、泡の移動速度からキャリアガスの流量を検出
することができる。
に移動しているため、超音波の伝播方向に泡の移動速度
成分を有するときには、超音波検出手段の送信波と超音
波検出手段に受信される反射波との間には、ドップラー
効果により泡の移動速度に比例した周波数のシフトが生
じる。したがって、このシフトした分のドップラー周波
数を測定することにより、キャリアガスの泡の移動速度
がわかり、泡の移動速度からキャリアガスの流量を検出
することができる。
【００１４】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１はこの発明の処理液供給装置をＨＭＤ
Ｓ処理装置に適用した場合の概略構成図が示されている
。
Ｓ処理装置に適用した場合の概略構成図が示されている
。
【００１６】図１において、２はＨＭＤＳ１を貯留する
タンクであり、タンク２はＨＭＤＳ１への不純物溶出等
を防止するために石英ガラスでできている。タンク２の
底部には、細かなＮ２ ガスの気泡を発生させるための
バブラー３例えば多孔質の部材が設けられており、バブ
ラー３にはＮ２ ガスボンベ等のＮ２ ガス源からＮ２
ガスを供給するＮ２ ガス供給管１２が接続されてい
る。一方、タンク２の頂部には、ＨＭＤＳ１を予備タン
クからタンク２に補給するためのＨＭＤＳ液供給管１３
が接続されている。また、タンク２の頂部と処理容器５
の頂部との間には、タンク２内で生成されたＨＭＤＳが
溶解したＮ２ ガスを送給するＨＭＤＳガス供給管１０
が連通接続されている。
タンクであり、タンク２はＨＭＤＳ１への不純物溶出等
を防止するために石英ガラスでできている。タンク２の
底部には、細かなＮ２ ガスの気泡を発生させるための
バブラー３例えば多孔質の部材が設けられており、バブ
ラー３にはＮ２ ガスボンベ等のＮ２ ガス源からＮ２
ガスを供給するＮ２ ガス供給管１２が接続されてい
る。一方、タンク２の頂部には、ＨＭＤＳ１を予備タン
クからタンク２に補給するためのＨＭＤＳ液供給管１３
が接続されている。また、タンク２の頂部と処理容器５
の頂部との間には、タンク２内で生成されたＨＭＤＳが
溶解したＮ２ ガスを送給するＨＭＤＳガス供給管１０
が連通接続されている。
【００１７】処理容器５のチャンバー７内には、半導体
ウエハ６が加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台５ａ
に載置されて収容されており、処理容器５の底部には、
処理後のガスを排気するための排気管１１が接続されて
いる。排気管１１にはチャンバー７内を負圧に吸引する
ためのエゼクタ１７（空気圧式真空装置）が設けられて
おり、エゼクタ１７には駆動用の圧力空気を供給する駆
動空気供給管１８が接続されている。なお、供給管１２
，１３，１１，１８にはそれぞれ開閉バルブ１９，２０
，２１，２２が設けられている。また、ＨＭＤＳガス供
給管１０には、供給管１０を吸気系に切換接続するため
の切換バルブ２３が設けられている。
ウエハ６が加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台５ａ
に載置されて収容されており、処理容器５の底部には、
処理後のガスを排気するための排気管１１が接続されて
いる。排気管１１にはチャンバー７内を負圧に吸引する
ためのエゼクタ１７（空気圧式真空装置）が設けられて
おり、エゼクタ１７には駆動用の圧力空気を供給する駆
動空気供給管１８が接続されている。なお、供給管１２
，１３，１１，１８にはそれぞれ開閉バルブ１９，２０
，２１，２２が設けられている。また、ＨＭＤＳガス供
給管１０には、供給管１０を吸気系に切換接続するため
の切換バルブ２３が設けられている。
【００１８】タンク２の外壁には、タンク２内のＨＭＤ
Ｓ１中のＮ２ ガスの泡４を計測するための超音波検出
手段である超音波センサ１４，１５が取り付けられてい
る。超音波センサ１４，１５はそれぞれ圧電材料からな
る送信素子と受信素子を有している。タンク２内のＨＭ
ＤＳ１の液面は適正な許容範囲内に保持する必要があり
、この許容範囲の上限レベル、下限レベルに対応させて
超音波センサ１４，１５がそれぞれ設けられている。 超音波センサ１４，１５には、これらを駆動制御すると
共に受信波信号からＮ２ ガスの泡４の挙動を検出する
ための制御手段１６が接続されている。この場合、タン
ク２の少なくとも超音波センサ１４，１５の取付部は、
超音波伝播媒体である必要がある。超音波伝播媒体でな
い場合は、超音波センサ１４，１５を例えばタンク２内
に設ける必要がある。
Ｓ１中のＮ２ ガスの泡４を計測するための超音波検出
手段である超音波センサ１４，１５が取り付けられてい
る。超音波センサ１４，１５はそれぞれ圧電材料からな
る送信素子と受信素子を有している。タンク２内のＨＭ
ＤＳ１の液面は適正な許容範囲内に保持する必要があり
、この許容範囲の上限レベル、下限レベルに対応させて
超音波センサ１４，１５がそれぞれ設けられている。 超音波センサ１４，１５には、これらを駆動制御すると
共に受信波信号からＮ２ ガスの泡４の挙動を検出する
ための制御手段１６が接続されている。この場合、タン
ク２の少なくとも超音波センサ１４，１５の取付部は、
超音波伝播媒体である必要がある。超音波伝播媒体でな
い場合は、超音波センサ１４，１５を例えばタンク２内
に設ける必要がある。
【００１９】次に、この実施例の動作を述べる。まず、
ＨＭＤＳ１を処理容器５に供給するときには、開閉バル
ブ２１，２２を開いて、エゼクタ１７に駆動空気供給管
１８から駆動用の圧力空気を送り、エゼクタ１７により
処理容器５のチャンバー７等の雰囲気を吸引排気して減
圧する。その後、開閉バルブ１９を開き、Ｎ２ ガスを
バブラー３より導入する。導入されたＮ２ ガスはＨＭ
ＤＳ１中に細かな泡４となって流入し、Ｎ２ ガスの泡
４にＨＭＤＳ１が気化して混入し、ＨＭＤＳ１が混入し
たＮ２ ガスが処理容器５に供給される。次いで、開閉
バルブ２２を閉じてエゼクタ１７を止め、Ｎ２ ガスの
陽圧により気相化したＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤ
Ｓ処理状態とする。
ＨＭＤＳ１を処理容器５に供給するときには、開閉バル
ブ２１，２２を開いて、エゼクタ１７に駆動空気供給管
１８から駆動用の圧力空気を送り、エゼクタ１７により
処理容器５のチャンバー７等の雰囲気を吸引排気して減
圧する。その後、開閉バルブ１９を開き、Ｎ２ ガスを
バブラー３より導入する。導入されたＮ２ ガスはＨＭ
ＤＳ１中に細かな泡４となって流入し、Ｎ２ ガスの泡
４にＨＭＤＳ１が気化して混入し、ＨＭＤＳ１が混入し
たＮ２ ガスが処理容器５に供給される。次いで、開閉
バルブ２２を閉じてエゼクタ１７を止め、Ｎ２ ガスの
陽圧により気相化したＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤ
Ｓ処理状態とする。
【００２０】処理容器５のチャンバー７内に供給された
気相状態のＨＭＤＳは加熱された半導体ウエハ６に吹き
付けられ、半導体ウエハ６表面が疎水化処理される。こ
れにより、後続のフォトレジスト塗布工程におけるフォ
トレジストと半導体ウエハ６との密着性・固着性が向上
する。
気相状態のＨＭＤＳは加熱された半導体ウエハ６に吹き
付けられ、半導体ウエハ６表面が疎水化処理される。こ
れにより、後続のフォトレジスト塗布工程におけるフォ
トレジストと半導体ウエハ６との密着性・固着性が向上
する。
【００２１】ＨＭＤＳ処理工程の間、Ｎ２ ガスはタン
ク２内に供給され、ＨＭＤＳ１液はＮ２ ガスの泡４に
よりバブリングされるが、泡４の挙動は超音波センサ１
４，１５の超音波により計測される。超音波センサ１４
，１５の発信素子には制御手段１６から超音波発生電圧
が加えられ、発信素子から超音波ビームが放射される。 この放射ビームはタンク２の外壁を通過しタンク２内へ
と放射され、この放射により発生する反射波は超音波セ
ンサ１４，１５の受信素子により電気信号として検出さ
れて制御手段１６に入力される。まず、超音波センサ１
４，１５の付近にＨＭＤＳ１液がないとすると、超音波
はタンク２内の内壁面で直ちに強く反射され、受信素子
から制御手段１６にほぼ一定の反射波の信号が連続的に
入力される。一方、超音波センサ１４，１５の付近にＨ
ＭＤＳ１液があるときには、超音波はタンク２の内壁面
ではあまり反射されずＨＭＤＳ１液中に放射され、ＨＭ
ＤＳ１中のＮ２ ガスの泡４に入射すると、この泡４で
強い反射を受ける。なお、泡４がないときには、超音波
はＨＭＤＳ１液を透過し反射波はほとんど観測されない
。このように、ＨＭＤＳ１液中に放射されたときの超音
波の反射物体は泡４であるので、超音波の入射方向に泡
４が存在するか否かにより制御手段１６に入力される信
号は変動する。したがって、制御手段１６に入力される
信号の強度変化から、泡４の有無すなわちＨＭＤＳ１液
の有無がわかり、これよりタンク２内のＨＭＤＳ１液の
液位例えば液面が所定範囲内にあるかを検出できる。こ
の液面は、超音波センサ１４，１５の設定位置である。 この超音波センサ１４，１５を多数個タンク２の深さ方
向に配設し、各センサを例えば順次動作させることによ
り、任意の液位を検出することもできる。
ク２内に供給され、ＨＭＤＳ１液はＮ２ ガスの泡４に
よりバブリングされるが、泡４の挙動は超音波センサ１
４，１５の超音波により計測される。超音波センサ１４
，１５の発信素子には制御手段１６から超音波発生電圧
が加えられ、発信素子から超音波ビームが放射される。 この放射ビームはタンク２の外壁を通過しタンク２内へ
と放射され、この放射により発生する反射波は超音波セ
ンサ１４，１５の受信素子により電気信号として検出さ
れて制御手段１６に入力される。まず、超音波センサ１
４，１５の付近にＨＭＤＳ１液がないとすると、超音波
はタンク２内の内壁面で直ちに強く反射され、受信素子
から制御手段１６にほぼ一定の反射波の信号が連続的に
入力される。一方、超音波センサ１４，１５の付近にＨ
ＭＤＳ１液があるときには、超音波はタンク２の内壁面
ではあまり反射されずＨＭＤＳ１液中に放射され、ＨＭ
ＤＳ１中のＮ２ ガスの泡４に入射すると、この泡４で
強い反射を受ける。なお、泡４がないときには、超音波
はＨＭＤＳ１液を透過し反射波はほとんど観測されない
。このように、ＨＭＤＳ１液中に放射されたときの超音
波の反射物体は泡４であるので、超音波の入射方向に泡
４が存在するか否かにより制御手段１６に入力される信
号は変動する。したがって、制御手段１６に入力される
信号の強度変化から、泡４の有無すなわちＨＭＤＳ１液
の有無がわかり、これよりタンク２内のＨＭＤＳ１液の
液位例えば液面が所定範囲内にあるかを検出できる。こ
の液面は、超音波センサ１４，１５の設定位置である。 この超音波センサ１４，１５を多数個タンク２の深さ方
向に配設し、各センサを例えば順次動作させることによ
り、任意の液位を検出することもできる。
【００２２】次に、超音波センサ１４，１５による泡４
の上昇速度ないし移動速度を検出する方法を述べる。こ
の場合には、超音波センサ１４，１５の発信素子から超
音波を水平より所定角度だけ傾けて入射する。このよう
にすると、超音波の入射方向に対して泡４は移動速度成
分を持つことになり、泡４で反射された反射波の周波数
はドップラー効果によりシフトする。この周波数のシフ
ト量すなわちドップラー周波数は泡４の移動速度に比例
するので、ドップラー周波数を測定することにより、泡
４の移動速度がわかる。ドップラー周波数は送信波と受
信波とを混成し、その際の送信波と受信波とをヘテロダ
イン検波することによりうなりの周波数として求まる。 この泡４の移動速度とＨＭＤＳ１を含んだＮ２ ガスの
流量との間の関係を実験等により予め求めておけば、泡
４の移動速度の測定値からＮ２ ガスの流量を検出でき
る。 このＮ２ ガスの流量に基づき、Ｎ２ ガス中のＨＭＤ
Ｓの濃度を算定することも可能であり、ＨＭＤＳ処理の
適正制御に有効である。なお、超音波は指向性がよいの
で、反射波のエコーより泡４の有無や泡４の大きさの検
知、あるいは超音波パルスを放射して泡４までの距離を
計測することにより、泡４の発生量、分布の測定も可能
となる。更に、泡４は液面に近付く程大きくなるので、
泡４の大きさより液面検出も可能である。
の上昇速度ないし移動速度を検出する方法を述べる。こ
の場合には、超音波センサ１４，１５の発信素子から超
音波を水平より所定角度だけ傾けて入射する。このよう
にすると、超音波の入射方向に対して泡４は移動速度成
分を持つことになり、泡４で反射された反射波の周波数
はドップラー効果によりシフトする。この周波数のシフ
ト量すなわちドップラー周波数は泡４の移動速度に比例
するので、ドップラー周波数を測定することにより、泡
４の移動速度がわかる。ドップラー周波数は送信波と受
信波とを混成し、その際の送信波と受信波とをヘテロダ
イン検波することによりうなりの周波数として求まる。 この泡４の移動速度とＨＭＤＳ１を含んだＮ２ ガスの
流量との間の関係を実験等により予め求めておけば、泡
４の移動速度の測定値からＮ２ ガスの流量を検出でき
る。 このＮ２ ガスの流量に基づき、Ｎ２ ガス中のＨＭＤ
Ｓの濃度を算定することも可能であり、ＨＭＤＳ処理の
適正制御に有効である。なお、超音波は指向性がよいの
で、反射波のエコーより泡４の有無や泡４の大きさの検
知、あるいは超音波パルスを放射して泡４までの距離を
計測することにより、泡４の発生量、分布の測定も可能
となる。更に、泡４は液面に近付く程大きくなるので、
泡４の大きさより液面検出も可能である。
【００２３】なお、ＨＭＤＳ１液の液面が超音波センサ
１５よりも下がったときには、予備タンクのＨＭＤＳ液
をＨＭＤＳ液供給管１３を通じてタンク２内に供給する
。この際、切換バルブ２３を作動してＨＭＤＳガス供給
管１０を排気系へと切換接続し、タンク２内の雰囲気を
排気可能にしてＨＭＤＳをスムーズに補給できるように
する。
１５よりも下がったときには、予備タンクのＨＭＤＳ液
をＨＭＤＳ液供給管１３を通じてタンク２内に供給する
。この際、切換バルブ２３を作動してＨＭＤＳガス供給
管１０を排気系へと切換接続し、タンク２内の雰囲気を
排気可能にしてＨＭＤＳをスムーズに補給できるように
する。
【００２４】上記実施例では、ＨＭＤＳ液の例について
説明したが、液体に泡が混入していれば、全ての液体に
ついてこの発明は適用実施可能であることは説明するま
でもないことである。例えば、現像液、レジスト溶液、
磁性粉溶液、試液等いずれでもよい。
説明したが、液体に泡が混入していれば、全ての液体に
ついてこの発明は適用実施可能であることは説明するま
でもないことである。例えば、現像液、レジスト溶液、
磁性粉溶液、試液等いずれでもよい。
【００２５】更に、上記実施例では貯留状態の液体の場
合について説明したが、パイプ中を流れている液体でも
、ノズルから流出している液体、その他静止状態の液体
等いずれにも適用できる。
合について説明したが、パイプ中を流れている液体でも
、ノズルから流出している液体、その他静止状態の液体
等いずれにも適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理液とは非接触に超音波検出手段を設けて、超音
波により処理液中のキャリアガスの挙動を監視するよう
にしたので、検出操作により処理液に微粒子が混入した
りすることがなく、クリーンな被処理体の処理ができ、
製品の歩留りの向上が図れる。また、指向性のよい超音
波による泡の計測なので、安定した信頼性の高い検出が
でき、自動化に好適である。更に、液位、液面、泡の流
速、液の流量のいずれかを得ることができる。
ば、処理液とは非接触に超音波検出手段を設けて、超音
波により処理液中のキャリアガスの挙動を監視するよう
にしたので、検出操作により処理液に微粒子が混入した
りすることがなく、クリーンな被処理体の処理ができ、
製品の歩留りの向上が図れる。また、指向性のよい超音
波による泡の計測なので、安定した信頼性の高い検出が
でき、自動化に好適である。更に、液位、液面、泡の流
速、液の流量のいずれかを得ることができる。
【００２７】また、超音波の反射波の強度からキャリア
ガスの有無すなわち処理液の有無がわかるので、超音波
検出手段で液面検出ができるが、こればかりでなく、ド
ップラー効果を利用して反射波の周波数シフトより泡の
移動速度を求めることにより、キャリアガスの流量検出
もできる。したがって、従来の液面計と流量計を１つの
超音波検出手段で兼用することができ、また、従来のガ
スの流路に設ける流量計のようにキャリアガスの流れを
阻害することもなく、安定した測定ができる。更に、キ
ャリアガスの流量を検出できるので、キャリアガス中の
処理液濃度が算定可能であり、処理液による処理工程の
適正制御が可能となる。
ガスの有無すなわち処理液の有無がわかるので、超音波
検出手段で液面検出ができるが、こればかりでなく、ド
ップラー効果を利用して反射波の周波数シフトより泡の
移動速度を求めることにより、キャリアガスの流量検出
もできる。したがって、従来の液面計と流量計を１つの
超音波検出手段で兼用することができ、また、従来のガ
スの流路に設ける流量計のようにキャリアガスの流れを
阻害することもなく、安定した測定ができる。更に、キ
ャリアガスの流量を検出できるので、キャリアガス中の
処理液濃度が算定可能であり、処理液による処理工程の
適正制御が可能となる。
【図１】この発明に係る処理液供給装置の一実施例をＨ
ＭＤＳ処理装置に適用した例を示す概略構成図である。
ＭＤＳ処理装置に適用した例を示す概略構成図である。
【図２】従来の処理液供給装置をＨＭＤＳ処理装置に適
用した例を示す概略構成図である。
用した例を示す概略構成図である。
１ ＨＭＤＳ（処理液）
２ タンク
３ バブラー
４ 泡
５ 処理容器
６ 半導体ウエハ（被処理体）
１０ ＨＭＤＳガス供給管（処理液供給系）１１
排気管 １２ Ｎ２ ガス供給管 １３ ＨＭＤＳ液供給管 １４ 超音波センサ（超音波検出手段）１５ 超音
波センサ（超音波検出手段）１６ 制御手段
排気管 １２ Ｎ２ ガス供給管 １３ ＨＭＤＳ液供給管 １４ 超音波センサ（超音波検出手段）１５ 超音
波センサ（超音波検出手段）１６ 制御手段
Claims (1)
- 【請求項１】 処理液を貯留するタンクにキャリアガ
スを導入してキャリアガスに処理液を溶解させ、この処
理液が溶解したキャリアガスを処理液供給系に供給する
処理液供給装置において、上記処理液中のキャリアガス
の泡を検出するための超音波検出手段を設けたことを特
徴とする処理液供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148041A JPH04346035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 処理液供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148041A JPH04346035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 処理液供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346035A true JPH04346035A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=15443807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3148041A Withdrawn JPH04346035A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 処理液供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346035A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516960A (ja) * | 1997-09-11 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気化・堆積装置および方法 |
| JP2002031561A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Daikin Ind Ltd | 液位、バブリング検出方法およびその装置 |
| US6419751B1 (en) | 1999-07-26 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| WO2002088692A3 (en) * | 2001-05-02 | 2003-02-20 | Air Liquide | Apparatus for detecting the presence of liquid in a storage container and corresponding method |
| EP1092474A3 (en) * | 1999-10-14 | 2003-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical delivery system with ultrasonic fluid sensors |
| JP2005116944A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
| KR100523935B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2005-10-26 | 한국표준과학연구원 | 화학 기상 증착공정을 위한 전구체의 기화장치 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3148041A patent/JPH04346035A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516960A (ja) * | 1997-09-11 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気化・堆積装置および方法 |
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| US6605550B2 (en) | 1999-07-26 | 2003-08-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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| US7435396B2 (en) | 2003-10-10 | 2008-10-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method |
| KR100523935B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2005-10-26 | 한국표준과학연구원 | 화학 기상 증착공정을 위한 전구체의 기화장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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