JPH04346277A - 層状超伝導体回路とその製造方法 - Google Patents
層状超伝導体回路とその製造方法Info
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- JPH04346277A JPH04346277A JP3119677A JP11967791A JPH04346277A JP H04346277 A JPH04346277 A JP H04346277A JP 3119677 A JP3119677 A JP 3119677A JP 11967791 A JP11967791 A JP 11967791A JP H04346277 A JPH04346277 A JP H04346277A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペロブスカイト構造の酸
化物超伝導体を用いた配線とジョセフソン接合を有する
層状超伝導体回路とその製造方法に関する。
化物超伝導体を用いた配線とジョセフソン接合を有する
層状超伝導体回路とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の酸化物超伝導体配線部上にジョセ
フソン接合を形成した構造の層状超伝導体回路が、例え
ば１９９０年発行のアプライド・フィジックス・レター
ズ誌，５６巻，１５号，１４８８ページ（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５
６，Ｎｏ．１５，ｐ１４８８，１９９０）に述べられて
いる。すなわち、酸化物超伝導体配線部とジョセフソン
接合の下部電極とは同じ配向性を有した膜で形成されて
いた。またその製造方法も、配線部の一部を下部電極と
共用するか単に互いに積層しただけのものであった。
フソン接合を形成した構造の層状超伝導体回路が、例え
ば１９９０年発行のアプライド・フィジックス・レター
ズ誌，５６巻，１５号，１４８８ページ（Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５
６，Ｎｏ．１５，ｐ１４８８，１９９０）に述べられて
いる。すなわち、酸化物超伝導体配線部とジョセフソン
接合の下部電極とは同じ配向性を有した膜で形成されて
いた。またその製造方法も、配線部の一部を下部電極と
共用するか単に互いに積層しただけのものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ペロブスカイト構造の
酸化物超伝導体においては、ａｂ面に沿ったコヒーレン
ス長ξａｂは、ｃ軸方向に沿ったコヒーレンス長ξｃ
と、ξａｂ＞ξｃ の関係がある。ジョセフソン接合を
形成する場合弱接合部の設計，余裕度が大きくなること
から、弱接合部の両側垂直方向にａｂ面が延びているこ
とが望ましい。一方、ａｂ面内を流れる最大超伝導電流
密度ｊａｂはｃ軸方向に沿って流れる同密度ｊｃ とｊ
ａｂ＞ｊｃ の関係があるので、電流余裕度が大きくな
ることから配線部はａｂ面に延びて形成した方が望まし
い。すなわち、配線部と接合部とが積層した構造で従来
技術により形成すると、接合部の設計余裕度，もしくは
配線部の電流余裕度のいずれかを犠牲にしなければなら
なかった。
酸化物超伝導体においては、ａｂ面に沿ったコヒーレン
ス長ξａｂは、ｃ軸方向に沿ったコヒーレンス長ξｃ
と、ξａｂ＞ξｃ の関係がある。ジョセフソン接合を
形成する場合弱接合部の設計，余裕度が大きくなること
から、弱接合部の両側垂直方向にａｂ面が延びているこ
とが望ましい。一方、ａｂ面内を流れる最大超伝導電流
密度ｊａｂはｃ軸方向に沿って流れる同密度ｊｃ とｊ
ａｂ＞ｊｃ の関係があるので、電流余裕度が大きくな
ることから配線部はａｂ面に延びて形成した方が望まし
い。すなわち、配線部と接合部とが積層した構造で従来
技術により形成すると、接合部の設計余裕度，もしくは
配線部の電流余裕度のいずれかを犠牲にしなければなら
なかった。
【０００４】本発明の目的は、超伝導配線の電流密度を
最大にし，かつ超伝導配線上に形成したジョセフソン接
合の設計余裕度を最大にする下部電極の配向性を有する
層状超伝導体回路の構造とその製造方法を提供すること
にある。
最大にし，かつ超伝導配線上に形成したジョセフソン接
合の設計余裕度を最大にする下部電極の配向性を有する
層状超伝導体回路の構造とその製造方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の層状超伝導体回
路の第１の態様は、ペロブスカイト構造を有してａｂ面
内に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソ
ン接合を有する層状超伝導体回路において、配線部内に
埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交するａｂ面を
有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、配線部のａ
ｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面の垂直断面か
ら傾いて配線部と下部電極とが接触する１つ以上の平面
と、を有している。
路の第１の態様は、ペロブスカイト構造を有してａｂ面
内に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソ
ン接合を有する層状超伝導体回路において、配線部内に
埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交するａｂ面を
有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、配線部のａ
ｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面の垂直断面か
ら傾いて配線部と下部電極とが接触する１つ以上の平面
と、を有している。
【０００６】本発明の層状超伝導体回路の第２の態様は
、配線部内に埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交
するａｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と
、配線部のａｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面
の垂直断面から傾いて配線部と下部電極とが接触する連
続した曲面と、を有している。
、配線部内に埋め込まれて配線部のａｂ面に対して直交
するａｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と
、配線部のａｂ面の垂直断面，および下部電極のａｂ面
の垂直断面から傾いて配線部と下部電極とが接触する連
続した曲面と、を有している。
【０００７】本発明の層状超伝導体回路の製造方法は、
ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に延びる酸化物超
伝導体配線部に接続したジョセフソン接合を有する層状
超伝導体回路の製造方法において、配線部の一部を等方
性エッチングして配線部内にａｂ面の垂直断面から傾い
た傾斜断面を形成する工程と、傾斜断面表面で配線部の
ａｂ面と直交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からな
る下部電極を形成する工程と、を有している。
ペロブスカイト構造を有してａｂ面内に延びる酸化物超
伝導体配線部に接続したジョセフソン接合を有する層状
超伝導体回路の製造方法において、配線部の一部を等方
性エッチングして配線部内にａｂ面の垂直断面から傾い
た傾斜断面を形成する工程と、傾斜断面表面で配線部の
ａｂ面と直交するａｂ面を有する酸化物超伝導体からな
る下部電極を形成する工程と、を有している。
【０００８】
【作用】ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体に
おいては、ａｂ面内のコヒーレンス長ξａｂ，同最大超
伝導電流密度ｊａｂとｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃ
，同最大超伝導電流密度ｊｃ との間には、ξａｂ＞ξ
ｃ ，およびｊａｂ＞ｊｃ の関係がある。すなわち、
配線部および接合部では、ａｂ面内に電流を流すことが
それぞれの電気的余裕を最大限生かすことになる。今考
えているａｂ面内方向の電流は、ａｂ面に垂直な断面か
ら傾いた傾斜断面上に全て流出してくる。すなわち、配
線部のａｂ面に対して垂直なａｂ面を有する下部電極が
配線部内に埋め込まれ、互いにそれぞれのａｂ面の垂直
断面から傾いた少なくとも１つの傾斜断面平面で接触さ
せることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度および
コヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向を
配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
おいては、ａｂ面内のコヒーレンス長ξａｂ，同最大超
伝導電流密度ｊａｂとｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃ
，同最大超伝導電流密度ｊｃ との間には、ξａｂ＞ξ
ｃ ，およびｊａｂ＞ｊｃ の関係がある。すなわち、
配線部および接合部では、ａｂ面内に電流を流すことが
それぞれの電気的余裕を最大限生かすことになる。今考
えているａｂ面内方向の電流は、ａｂ面に垂直な断面か
ら傾いた傾斜断面上に全て流出してくる。すなわち、配
線部のａｂ面に対して垂直なａｂ面を有する下部電極が
配線部内に埋め込まれ、互いにそれぞれのａｂ面の垂直
断面から傾いた少なくとも１つの傾斜断面平面で接触さ
せることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度および
コヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向を
配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
【０００９】また、配線部のａｂ面に対して垂直なａｂ
面を有する下部電極が配線部に埋め込まれ、互いにそれ
ぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた連続した曲面で接触
させることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度およ
びコヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向
を配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
面を有する下部電極が配線部に埋め込まれ、互いにそれ
ぞれのａｂ面の垂直断面から傾いた連続した曲面で接触
させることにより、ａｂ面内の最大超伝導電流密度およ
びコヒーレンス長を連続的に受け継いだまま電流の方向
を配線部の垂直方向に曲げることが可能となる。
【００１０】上述の２つの態様の層状超伝導体回路を実
現するために、酸化物超伝導体配線の一部を等方性エッ
チング法による除去を行なった。その結果、エッチング
マスク直下ほど酸化物超伝導体のサイドエッチ量が大き
く、ａｂ面に対して垂直断面から傾いた傾斜電面が配線
部内に形成された。この断面上に接して、配線部ａｂ面
の垂直方向にａｂ面配向した下部電極を形成すると、ａ
ｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を連
続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向に
曲げることが可能となる。
現するために、酸化物超伝導体配線の一部を等方性エッ
チング法による除去を行なった。その結果、エッチング
マスク直下ほど酸化物超伝導体のサイドエッチ量が大き
く、ａｂ面に対して垂直断面から傾いた傾斜電面が配線
部内に形成された。この断面上に接して、配線部ａｂ面
の垂直方向にａｂ面配向した下部電極を形成すると、ａ
ｂ面内の最大超伝導電流密度およびコヒーレンス長を連
続的に受け継いだまま電流の方向を配線部の垂直方向に
曲げることが可能となる。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例の層状超伝導
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面図
，分図（ｂ）は分図（ａ）のＡＡ線断面図である。
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面図
，分図（ｂ）は分図（ａ）のＡＡ線断面図である。
【００１３】例えば、ＳｒＴｉＯ３ 基板１上に、主表
面がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２
は例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ 膜から構成され、
幅は１０μｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２
の一部を横断してａｂ面の垂直断面から例えば６０°傾
斜した面上に、下部電極３が設けられている。下部電極
３も例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ の組成を有し、
配線部２のａｂ面と直交するａｂ面を有している。下部
電極３の主表面には、例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜
からなるトンネル障壁４が設けられ、トンネル障壁４を
介して、例えば膜厚２００ｎｍのＮｂ膜からなる上部電
極５が設けられている。配線部２，および下部電極３の
側面は絶縁膜（図示せず）で覆われている。トンネル障
壁４には、常伝導体金属，半導体等を用いることもでき
る。上部電極５には酸化物超伝導体を用いることもでき
る。更に、傾斜面は配線部２を横断せずに配線部２内に
含まれていねもよい。
面がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２
は例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ 膜から構成され、
幅は１０μｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２
の一部を横断してａｂ面の垂直断面から例えば６０°傾
斜した面上に、下部電極３が設けられている。下部電極
３も例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ の組成を有し、
配線部２のａｂ面と直交するａｂ面を有している。下部
電極３の主表面には、例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜
からなるトンネル障壁４が設けられ、トンネル障壁４を
介して、例えば膜厚２００ｎｍのＮｂ膜からなる上部電
極５が設けられている。配線部２，および下部電極３の
側面は絶縁膜（図示せず）で覆われている。トンネル障
壁４には、常伝導体金属，半導体等を用いることもでき
る。上部電極５には酸化物超伝導体を用いることもでき
る。更に、傾斜面は配線部２を横断せずに配線部２内に
含まれていねもよい。
【００１４】図２は本実施例に係わる層状超伝導体回路
の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
【００１５】まず、例えば（１００）面を主表面とする
ＳｒＴｉＯ３ 基板１上に、基板温度４００℃の下でＹ
Ｂ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ を真空蒸着し、主表面がａｂ
面となる膜厚５００ｎｍ程度の配線部２を形成する。続
いて、配線部２表面に接合形成部７の開口部を有するレ
ジストマスク６を形成する〔図２（ａ）〕。
ＳｒＴｉＯ３ 基板１上に、基板温度４００℃の下でＹ
Ｂ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ を真空蒸着し、主表面がａｂ
面となる膜厚５００ｎｍ程度の配線部２を形成する。続
いて、配線部２表面に接合形成部７の開口部を有するレ
ジストマスク６を形成する〔図２（ａ）〕。
【００１６】次に、例えばＣＣｌ２ Ｆ４ ガス，１５
Ｐａ，電力密度０．１６Ｗ／ｃｍ２ 下のプラズマ放電
中での反応性イオンエッチング法を用いて、配線部２の
露出部を等方的にエッチングする。その結果、レジスト
マスク６の開口部下に約６０°の傾斜角を有する傾斜断
面８が形成される〔図２（ｂ）〕。
Ｐａ，電力密度０．１６Ｗ／ｃｍ２ 下のプラズマ放電
中での反応性イオンエッチング法を用いて、配線部２の
露出部を等方的にエッチングする。その結果、レジスト
マスク６の開口部下に約６０°の傾斜角を有する傾斜断
面８が形成される〔図２（ｂ）〕。
【００１７】その後、レジストマスク７を除去し、例え
ばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ のスパッタ蒸着により、
配線部２のａｂ面と垂直なａｂ面を有する配向性の膜厚
５００ｎｍの下部電極３を形成する〔図２（ｃ）〕。
ばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ のスパッタ蒸着により、
配線部２のａｂ面と垂直なａｂ面を有する配向性の膜厚
５００ｎｍの下部電極３を形成する〔図２（ｃ）〕。
【００１８】次に、全面にポジ型のレジストをスピンコ
ートして下部電極３の窪みを埋め込んだ後、アルゴンガ
スによるエッチバックを行ない、主表面を平坦化する〔
図２（ｄ）〕。
ートして下部電極３の窪みを埋め込んだ後、アルゴンガ
スによるエッチバックを行ない、主表面を平坦化する〔
図２（ｄ）〕。
【００１９】次に、全面に絶縁膜（図示せず）の堆積，
これのエッチバックによる平坦化を行ない、配線部２，
および下部電極３の側面を絶縁膜により覆う。続いて、
全面に例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜，例えば膜厚２
００ｎｍのＮｂ膜を連続的にスパッタ蒸着し、反応性イ
オンエッチングによる異方性エッチングを行ない、下部
電極３上にトンネル障壁４，上部電極５を形成する〔図
２（ｅ）〕。
これのエッチバックによる平坦化を行ない、配線部２，
および下部電極３の側面を絶縁膜により覆う。続いて、
全面に例えば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜，例えば膜厚２
００ｎｍのＮｂ膜を連続的にスパッタ蒸着し、反応性イ
オンエッチングによる異方性エッチングを行ない、下部
電極３上にトンネル障壁４，上部電極５を形成する〔図
２（ｅ）〕。
【００２０】図３は本発明の第２の実施例の層状超伝導
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面図
、分図（ｂ），（ｃ）は分図（ａ）のＢＢ線，ＣＣ線断
面図である。
体回路を説明するための図であり、分図（ａ）は平面図
、分図（ｂ），（ｃ）は分図（ａ）のＢＢ線，ＣＣ線断
面図である。
【００２１】例えば、ＳｒＴｉＯ３ 基板１上に、主表
面がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２
は例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ 膜から構成され、
幅は１０μｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２
内には例えば側面がａｂ面の垂直断面から４５°傾斜し
た円錐状の窪みが設けられ、この窪み内には下部電極３
が設けられている。下部電極３も例えばＹＢ２ Ｃｕ３
Ｏ６．９ の組成を有し、配線部２のａｂ面と直交す
るａｂ面を有している。下部電極３の主表面には、例え
ば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜からなるトンネル障壁４が
設けられ、トンネル障壁４を介して、例えば膜厚２００
ｎｍのＮｂ膜からなる上部電極５が設けられている。配
線部２表面，および下部電極３におけるトンネル障壁４
が設けられていない表面は、絶縁膜９で覆われている。 トンネル障壁４には、常伝導体金属，半導体等を用いる
こともできる。上部電極５には酸化物超伝導体を用いる
こともできる。また、配線部２に設けられた窪みは円錐
状でなくてもよく、任意の曲線で囲まれた部分を上面と
する錐であればよい。 なお、本実施例ではトンネル障壁４が接合部のみに形成
されているが、配線部２表面，および下部電極３表面全
面にトンネル障壁を形成して全面に絶縁膜を形成した後
、接合部のみ絶縁膜を除去し、上部電極５を形成しても
よい。
面がａｂ面となる配線部２が設けられている。配線部２
は例えばＹＢ２ Ｃｕ３ Ｏ６．９ 膜から構成され、
幅は１０μｍ，膜厚は５００ｎｍ程度である。配線部２
内には例えば側面がａｂ面の垂直断面から４５°傾斜し
た円錐状の窪みが設けられ、この窪み内には下部電極３
が設けられている。下部電極３も例えばＹＢ２ Ｃｕ３
Ｏ６．９ の組成を有し、配線部２のａｂ面と直交す
るａｂ面を有している。下部電極３の主表面には、例え
ば膜厚１ｎｍのＳｉＯ２ 膜からなるトンネル障壁４が
設けられ、トンネル障壁４を介して、例えば膜厚２００
ｎｍのＮｂ膜からなる上部電極５が設けられている。配
線部２表面，および下部電極３におけるトンネル障壁４
が設けられていない表面は、絶縁膜９で覆われている。 トンネル障壁４には、常伝導体金属，半導体等を用いる
こともできる。上部電極５には酸化物超伝導体を用いる
こともできる。また、配線部２に設けられた窪みは円錐
状でなくてもよく、任意の曲線で囲まれた部分を上面と
する錐であればよい。 なお、本実施例ではトンネル障壁４が接合部のみに形成
されているが、配線部２表面，および下部電極３表面全
面にトンネル障壁を形成して全面に絶縁膜を形成した後
、接合部のみ絶縁膜を除去し、上部電極５を形成しても
よい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、層状超伝
導体回路において超伝導配線の電流密度を最大にし、か
つ超伝導配線上に形成したジョセフソン接合の設計余裕
度を最大にする配向性を有する下部電極の実現を可能に
する。
導体回路において超伝導配線の電流密度を最大にし、か
つ超伝導配線上に形成したジョセフソン接合の設計余裕
度を最大にする配向性を有する下部電極の実現を可能に
する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための平面図
および断面図である。
および断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係わる層状超伝導体回
路の製造方法を説明するための断面図である。
路の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための平面図
および断面図である。
および断面図である。
１ 基板
２ 配線部
３ 下部電極
４ トンネル障壁
５ 上部電極
６ レジストマスク
７ 接合形成部
８ 傾斜断面
９ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内
に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン
接合を有する層状超伝導体回路において、前記配線部内
に埋め込まれ、前記配線部のａｂ面に対して直交するａ
ｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、前記
配線部のａｂ面の垂直断面，および前記下部電極のａｂ
面の垂直断面から傾いて、前記配線部と前記下部電極と
が接触する１つ以上の平面と、を有することを特徴とす
る層状超伝導体回路。 - 【請求項２】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内
に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン
接合を有する層状超伝導体回路において、前記配線部内
に埋め込まれ、前記配線部のａｂ面に対して直交するａ
ｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極と、前記
配線部のａｂ面の垂直断面，および前記下部電極のａｂ
面の垂直断面から傾いて、前記配線部と前記下部電極と
が接触する連続した曲面と、を有することを特徴とする
層状超伝導体回路。 - 【請求項３】 ペロブスカイト構造を有してａｂ面内
に延びる酸化物超伝導体配線部に接続したジョセフソン
接合を有する層状超伝導体回路の製造方法において、前
記配線部の一部を等方性エッチングして前記配線部内に
ａｂ面の垂直断面から傾いた傾斜断面を形成する工程と
、前記傾斜断面表面で前記配線部のａｂ面と直交するａ
ｂ面を有する酸化物超伝導体からなる下部電極を形成す
る工程と、を有することを特徴とする層状超伝導体回路
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119677A JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
| US07/886,949 US5304817A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Superconductive circuit with film-layered josephson junction and process of fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119677A JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
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|---|---|
| JPH04346277A true JPH04346277A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2827572B2 JP2827572B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=14767322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119677A Expired - Lifetime JP2827572B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
Country Status (2)
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|---|---|
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| JP (1) | JP2827572B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0677545A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導薄膜縦型接合素子及びその製造方法 |
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-
1992
- 1992-05-22 US US07/886,949 patent/US5304817A/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2023139779A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 富士通株式会社 | ジョセフソン素子、超伝導回路、量子演算装置及びジョセフソン素子の製造方法 |
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