JPH04347929A - Output circuit - Google Patents
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- JPH04347929A JPH04347929A JP3149758A JP14975891A JPH04347929A JP H04347929 A JPH04347929 A JP H04347929A JP 3149758 A JP3149758 A JP 3149758A JP 14975891 A JP14975891 A JP 14975891A JP H04347929 A JPH04347929 A JP H04347929A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は相補的に接続されたP型
MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとから構
成される出力回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit composed of a P-type MOS transistor and an N-type MOS transistor connected in a complementary manner.
【0002】0002
【従来の技術】図3は従来のこの種の出力回路の回路図
である。入力端子1には入力信号S、電源端子3には正
極性の電源VDDが印加され、電源端子4はアースに接
続されている。P型MOSトランジスタ5はゲートが入
力端子1に、ソースが電源端子3に、ドレインが出力端
子2にそれぞれ接続されている。N型MOSトランジス
タ6は、ゲートが入力端子1に、ソースが電源端子4に
、ドレインが出力端子2にそれぞれ接続され、出力端子
2には出力信号Fが出力される。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional output circuit of this type. An input signal S is applied to the input terminal 1, a positive power supply VDD is applied to the power supply terminal 3, and the power supply terminal 4 is connected to ground. The P-type MOS transistor 5 has a gate connected to the input terminal 1, a source connected to the power supply terminal 3, and a drain connected to the output terminal 2. The N-type MOS transistor 6 has a gate connected to the input terminal 1 , a source connected to the power supply terminal 4 , and a drain connected to the output terminal 2 , to which the output signal F is output.
【0003】この出力回路における入出力波形図を図4
に示す。同図において、入力信号S上に示されたA点お
よびD点はN型MOSトランジスタ6のしきい値電圧で
あり、A点でN型MOSトランジスタ6が導通し始め、
D点でN型MOSトランジスタが非導通状態になる。ま
たB点およびC点はP型MOSトランジスタ5のしきい
値電圧に当たるため、B点でP型MOSトランジスタ5
が非導通状態となり、C点でP型MOSトランジスタ5
が導通し始める。したがって入力端子1に印加される入
力信号Sが図4に示すように変化する場合、この入力信
号Sが論理レベルLから論理レベルHに変化する間にお
いてA点からB点までの時間T1 、および論理レベル
Hから論理レベルLに変化する間においてC点からD点
までの時間T2 ではP型MOSトランジスタ5および
N型MOSトランジスタ6の両方が導通状態となるため
、貫通電流iが電源端子3−P型MOSトランジスタ5
−N型MOSトランジスタ6−電源端子4に向かって図
5のように流れる。特に外部の半導体集積回路とのイン
ターフェースを行う出力回路においてはP型MOSトラ
ンジスタ5およびN型MOSトランジスタ6はチャネル
幅が大きく駆動能力が大きいので、導通時の抵抗は小さ
くなり、貫通電流iは大きくなる。FIG. 4 shows an input/output waveform diagram of this output circuit.
Shown below. In the figure, points A and D shown on the input signal S are the threshold voltages of the N-type MOS transistor 6, and the N-type MOS transistor 6 begins to conduct at point A.
At point D, the N-type MOS transistor becomes non-conductive. In addition, since points B and C correspond to the threshold voltage of the P-type MOS transistor 5, the P-type MOS transistor 5 at the point B
becomes non-conductive, and the P-type MOS transistor 5 becomes non-conductive at point C.
begins to conduct. Therefore, when the input signal S applied to the input terminal 1 changes as shown in FIG. 4, the time T1 from point A to point B while this input signal S changes from logic level L to logic level H, and During the time T2 from point C to point D during the change from logic level H to logic level L, both the P-type MOS transistor 5 and the N-type MOS transistor 6 are in a conductive state, so that the through current i flows to the power supply terminal 3- P-type MOS transistor 5
-N-type MOS transistor 6-Flows toward power supply terminal 4 as shown in FIG. In particular, in the output circuit that interfaces with an external semiconductor integrated circuit, the P-type MOS transistor 5 and the N-type MOS transistor 6 have a large channel width and a large drive capability, so the resistance when conducting is small and the through current i is large. Become.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路は入力信号Sの論理レベルが変化する過程にお
いて、電源端子3,4間を流れる貫通電流iが大きいた
め電源ラインに乗る雑音も大きくなり、このような出力
回路を備えた半導体集積回路装置の製造工程における電
気的試験において論理の誤動作を引き起こすという問題
があった。本発明の目的は貫通電流を抑制した出力回路
を提供することにある。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional semiconductor integrated circuit described above, in the process of changing the logic level of the input signal S, the through current i flowing between the power supply terminals 3 and 4 is large, so the noise on the power supply line is also large. Therefore, there is a problem in that logic malfunctions occur during electrical testing during the manufacturing process of semiconductor integrated circuit devices equipped with such output circuits. An object of the present invention is to provide an output circuit in which through-current is suppressed.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の出力回路は、P
型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタを縦列
接続し、入力端子に印加される電位が出力端子に現れる
第1の出力回路部と、P型MOSトランジスタとN型M
OSトランジスタを縦列接続し、かつ各トランジスタの
ゲートを夫々論理接続して2つの入力端子を構成した第
2の出力回路部とを備えている。そして、第2の出力回
路部の一方の入力端子は第1の出力回路部の入力端子に
接続し、他方の入力端子は制御端子として構成し、かつ
その出力端子は第1の出力回路部の出力端子と接続し、
この制御端子に第1の電位が印加されると出力端子は高
インピーダンスとされ、これと反対の第2の電位が印加
されると第1の出力回路部の入力端子に印加された電位
が出力端子に現れるように構成する。又、第1の出力回
路部のP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジ
スタと、第2の出力回路部のP型MOSトランジスタ及
びN型MOSトランジスタとは出力最終段を構成するト
ランジスタのチャネル幅を分割、例えば2分割した構成
とする。[Means for Solving the Problems] The output circuit of the present invention has P
A first output circuit section includes a cascade-connected MOS transistor and an N-type MOS transistor, and a potential applied to the input terminal appears at the output terminal;
The second output circuit section has two input terminals configured by connecting OS transistors in series and logically connecting the gates of each transistor. One input terminal of the second output circuit section is connected to the input terminal of the first output circuit section, the other input terminal is configured as a control terminal, and the output terminal of the second output circuit section is connected to the input terminal of the first output circuit section. Connect to the output terminal,
When a first potential is applied to this control terminal, the output terminal becomes high impedance, and when a second potential opposite to this is applied, the potential applied to the input terminal of the first output circuit section is output. Configure it so that it appears on the terminal. Furthermore, the channel width of the P-type MOS transistor and N-type MOS transistor in the first output circuit section and the P-type MOS transistor and N-type MOS transistor in the second output circuit section are divided. , for example, a configuration in which it is divided into two.
【0006】[0006]
【作用】本発明によれば、制御端子に印加する電圧で第
2の出力回路部を導通或いは非導通とさせ、入力端子に
入力される信号をチャネル幅が縮小された第1の出力回
路部を通して出力することで、貫通電流を抑制する。[Operation] According to the present invention, the second output circuit section is made conductive or non-conductive by the voltage applied to the control terminal, and the signal input to the input terminal is transferred to the first output circuit section whose channel width is reduced. Through-current is suppressed by outputting through.
【0007】[0007]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の出力回路の一実施例を示す回路図で
ある。同図において、P型MOSトランジスタ7,N型
MOSトランジスタ8,及びインバータ11で第1の出
力回路部を構成する。又、P型MOSトランジスタ9,
N型MOSトランジスタ10,ナンド回路12,ノア回
路13,及びインバータ14で第2の出力回路部を構成
している。即ち、第1の出力回路部では、P型MOSト
ランジスタ7はゲートがインバータ11の出力に、ソー
スが電源端子(VDD)3に、ドレインが出力端子2に
夫々接続されている。N型MOSトランジスタ8はゲー
トがインバータ11の出力に、ソースが電源端子(アー
ス)4に、ドレインが出力端子2に夫々接続されている
。インバータ11の入力は入力端子1に接続されている
。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the output circuit of the present invention. In the figure, a P-type MOS transistor 7, an N-type MOS transistor 8, and an inverter 11 constitute a first output circuit section. Moreover, P-type MOS transistor 9,
The N-type MOS transistor 10, the NAND circuit 12, the NOR circuit 13, and the inverter 14 constitute a second output circuit section. That is, in the first output circuit section, the P-type MOS transistor 7 has its gate connected to the output of the inverter 11, its source connected to the power supply terminal (VDD) 3, and its drain connected to the output terminal 2. The N-type MOS transistor 8 has a gate connected to the output of the inverter 11, a source connected to the power supply terminal (earth) 4, and a drain connected to the output terminal 2. The input of the inverter 11 is connected to the input terminal 1.
【0008】一方、第2の出力回路部では、P型MOS
トランジスタ9はゲートがナンド回路12の出力に、ソ
ースが電源端子3に、ドレインが出力端子2に夫々接続
されている。ナンド回路12の一方の入力は入力端子1
に、もう一方の入力は制御端子15にそれぞれ接続され
ている。N型MOSトランジスタ10はゲートがノア回
路13の出力に、ソースが電源端子4に、ドレインが出
力端子2に夫々接続されている。ノア回路の一方の入力
は入力端子1に、もう一方の入力はインバータ14の出
力に夫々接続されている。インバータ14の入力は制御
端子15に接続されている。入力端子1,制御端子15
にはそれぞれ信号S1 ,S2 が印加され、出力端子
2には信号Fが出力される。ここで、前記P型MOSト
ランジスタ7と9、及びN型MOSトランジスタ8と1
0は各チャネル幅が2分割することで構成している。On the other hand, in the second output circuit section, a P-type MOS
The transistor 9 has a gate connected to the output of the NAND circuit 12, a source connected to the power supply terminal 3, and a drain connected to the output terminal 2. One input of the NAND circuit 12 is input terminal 1
The other input is connected to the control terminal 15, respectively. The N-type MOS transistor 10 has a gate connected to the output of the NOR circuit 13, a source connected to the power supply terminal 4, and a drain connected to the output terminal 2. One input of the NOR circuit is connected to the input terminal 1, and the other input is connected to the output of the inverter 14. An input of the inverter 14 is connected to a control terminal 15. Input terminal 1, control terminal 15
Signals S1 and S2 are applied to these terminals, respectively, and a signal F is outputted to the output terminal 2. Here, the P-type MOS transistors 7 and 9 and the N-type MOS transistors 8 and 1
0 is configured by dividing each channel width into two.
【0009】以上の構成の出力回路の動作について説明
する。ここで、論理は正論理を用い、論理的に正の状態
、つまり論理レベルHを“H”と記し、論理的に正でな
い状態、つまり論理レベルLを“L”と記す。先ず、制
御信号S2 が“L”の時、ナンド回路12の出力は“
H”、ノア回路13の出力は“L”となりP型MOSト
ランジスタ9及びN型MOSトランジスタ10は非導通
状態になる。この時出力信号Fには入力信号S1 の論
理レベルがインバータ11を経由して現れる。The operation of the output circuit configured as above will be explained. Here, positive logic is used, and a logically positive state, that is, logic level H, is written as "H", and a logically non-positive state, that is, logic level L, is written as "L". First, when the control signal S2 is "L", the output of the NAND circuit 12 is "
The output of the NOR circuit 13 becomes "L", and the P-type MOS transistor 9 and the N-type MOS transistor 10 become non-conductive.At this time, the output signal F receives the logic level of the input signal S1 via the inverter 11. appears.
【0010】次に、制御信号S2 が“H”の時、入力
信号S1 はナンド回路12、ノア回路13によって論
理が反転し、夫々P型MOSトランジスタ9とN型MO
Sトランジスタ10のゲートに印加される。又、入力信
号S1 はインバータ11によって論理が反転し、P型
MOSトランジスタ7とN型MOSトランジスタ8のゲ
ートに印加される。この時、入力信号S1 が“H”な
らばP型MOSトランジスタ7及び9は導通状態になり
N型MOSトランジスタ8及び10は非導通状態になる
ので、出力信号Fは“H”になる。又、入力信号S1
が“L”の時P型MOSトランジスタ7及び9は非導通
状態になり、N型MOSトランジスタ8及び10は導通
状態になるので出力信号Fは“L”になる。Next, when the control signal S2 is "H", the logic of the input signal S1 is inverted by the NAND circuit 12 and the NOR circuit 13, and the logic of the input signal S1 is inverted by the P-type MOS transistor 9 and the N-type MOS transistor 9, respectively.
It is applied to the gate of the S transistor 10. Furthermore, the logic of the input signal S1 is inverted by the inverter 11 and applied to the gates of the P-type MOS transistor 7 and the N-type MOS transistor 8. At this time, if the input signal S1 is "H", the P-type MOS transistors 7 and 9 are rendered conductive and the N-type MOS transistors 8 and 10 are rendered non-conductive, so that the output signal F becomes "H". Also, input signal S1
When F is "L", P-type MOS transistors 7 and 9 become non-conductive, and N-type MOS transistors 8 and 10 become conductive, so that output signal F becomes "L".
【0011】したがって、この回路では、入力信号S1
の入力レベルと同一レベルの出力が得られるが、各ト
ランジスタ7〜10はチャネル幅を2分割して1/2に
しているため、第1の出力回路部において貫通電流が生
じる場合でも、従来の1/2に低減することが可能とな
る。Therefore, in this circuit, the input signal S1
The output level is the same as the input level of It becomes possible to reduce it to 1/2.
【0012】図2は本発明の応用例を示す回路図である
。ここでは、図1に示した出力回路をn個並列配置し、
夫々の制御端子15には入力回路17を介して制御端子
16に接続している。このため、制御端子16に印加さ
れる信号は入力回路17を介してn個の出力回路の夫々
の制御端子15に印加される。ここで制御端子16に“
L”が印加される時、貫通電流が減少するとして入力回
路17の入力をプルアップ抵抗18で半導体集積回路装
置内で“H”にクランプしておけば、実使用時に外部に
て制御端子16を“H”にクランプする必要がない。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of application of the present invention. Here, n output circuits shown in Fig. 1 are arranged in parallel,
Each control terminal 15 is connected to a control terminal 16 via an input circuit 17. Therefore, a signal applied to the control terminal 16 is applied via the input circuit 17 to the control terminal 15 of each of the n output circuits. Here, the control terminal 16 is connected to “
If the input of the input circuit 17 is clamped to "H" within the semiconductor integrated circuit device by the pull-up resistor 18, since the through current will decrease when "L" is applied, the control terminal 16 will be connected externally during actual use. There is no need to clamp it to "H".
【0013】ここで、P型MOSトランジスタ7とN型
MOSトランジスタ8に対するP型MOSトランジスタ
8とN型MOSトランジスタ10のチャネル幅の比率を
大きくすることにより、貫通電流を更に小さくすること
が可能である。Here, by increasing the ratio of the channel widths of the P-type MOS transistor 8 and the N-type MOS transistor 10 to the P-type MOS transistor 7 and the N-type MOS transistor 8, it is possible to further reduce the through current. be.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、第2の出
力回路部を制御端子に印加する電圧で制御する一方で第
1の出力回路部によって入力信号を出力させるように構
成しているので、動作時には第1及び第2の出力回路部
の各トランジスタの合計出力電流が得られる一方で、そ
の際における貫通電流は第1の出力回路部のトランジス
タにおけるのみとなり、貫通電流を低減し、電源ライン
にのる雑音が小さくなり、半導体集積回路装置製造工程
における電気的試験時に安定した測定を行う事ができる
。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention is configured such that the second output circuit section is controlled by the voltage applied to the control terminal, while the input signal is outputted by the first output circuit section. Therefore, during operation, while the total output current of each transistor in the first and second output circuit sections is obtained, the through current at that time is only in the transistors in the first output circuit section, reducing the through current. Noise on the power supply line is reduced, and stable measurements can be performed during electrical testing in the manufacturing process of semiconductor integrated circuit devices.
【図1】本発明の出力回路の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an output circuit of the present invention.
【図2】本発明の応用例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of an application example of the present invention.
【図3】従来の出力回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional output circuit.
【図4】図3の出力回路の信号波形図である。FIG. 4 is a signal waveform diagram of the output circuit of FIG. 3;
【図5】図3の出力回路における貫通電流の波形図であ
る。FIG. 5 is a waveform diagram of a through current in the output circuit of FIG. 3;
1 入力端子 2 出力端子 3 電源端子(VDD) 4 電源端子(アース) 7,9 P型MOSトランジスタ 8,10 N型MOSトランジスタ 11,14 インバータ 12 ナンド回路 13 ノア回路 1 Input terminal 2 Output terminal 3 Power supply terminal (VDD) 4 Power terminal (ground) 7,9 P-type MOS transistor 8,10 N-type MOS transistor 11, 14 Inverter 12 NAND circuit 13 Noah circuit
Claims (2)
トランジスタを縦列接続し、入力端子に印加される電位
が出力端子に現れる第1の出力回路部と、P型MOSト
ランジスタとN型MOSトランジスタを縦列接続し、か
つ各トランジスタのゲートを夫々論理接続して2つの入
力端子を構成した第2の出力回路部とを備え、この第2
の出力回路部の一方の入力端子は前記第1の出力回路部
の入力端子に接続し、他方の入力端子は制御端子として
構成し、かつその出力端子は前記第1の出力回路部の出
力端子と接続し、前記制御端子に第1の電位が印加され
ると出力端子は高インピーダンスとされ、これと反対の
第2の電位が印加されると前記第1の出力回路部の入力
端子に印加された電位が出力端子に現れるように構成し
たことを特徴とする出力回路。[Claim 1] P-type MOS transistor and N-type MOS
A first output circuit section in which transistors are connected in cascade and a potential applied to an input terminal appears at an output terminal, a P-type MOS transistor and an N-type MOS transistor are connected in cascade, and the gates of each transistor are logically connected to each other. a second output circuit section configured with two input terminals;
One input terminal of the output circuit section is connected to the input terminal of the first output circuit section, the other input terminal is configured as a control terminal, and the output terminal is connected to the input terminal of the first output circuit section. When a first potential is applied to the control terminal, the output terminal becomes high impedance, and when a second potential opposite to this is applied, the impedance is applied to the input terminal of the first output circuit section. What is claimed is: 1. An output circuit characterized in that the output circuit is configured such that a potential applied to the output terminal appears at an output terminal.
ジスタ及びN型MOSトランジスタと、第2の出力回路
部のP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジス
タとは出力最終段を構成するトランジスタのチャネル幅
を分割して形成してなる請求項1の出力回路。2. The P-type MOS transistor and N-type MOS transistor of the first output circuit section and the P-type MOS transistor and N-type MOS transistor of the second output circuit section are channels of transistors constituting the output final stage. 2. The output circuit according to claim 1, wherein the output circuit is formed by dividing the width.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149758A JPH04347929A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Output circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149758A JPH04347929A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Output circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04347929A true JPH04347929A (en) | 1992-12-03 |
Family
ID=15482110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149758A Pending JPH04347929A (en) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Output circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04347929A (en) |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149758A patent/JPH04347929A/en active Pending
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