JPH04348028A - 半導体試料の斜研磨法 - Google Patents
半導体試料の斜研磨法Info
- Publication number
- JPH04348028A JPH04348028A JP14945891A JP14945891A JPH04348028A JP H04348028 A JPH04348028 A JP H04348028A JP 14945891 A JP14945891 A JP 14945891A JP 14945891 A JP14945891 A JP 14945891A JP H04348028 A JPH04348028 A JP H04348028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- sample
- diamond
- surface plate
- oblique
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエーハの深
さ方向評価に使用される拡がり抵抗測定装置用サンプル
の斜研磨法の改良に係り、特定定盤を用いた粗研磨の後
清浄化処理を施し、さらに特定定盤を用いた仕上げ研磨
を行うことにより、すぐれた研磨仕上げ精度を得て測定
誤差を低減でき、さらに研磨時間を大幅に短縮した半導
体試料の斜研磨法に関する。
さ方向評価に使用される拡がり抵抗測定装置用サンプル
の斜研磨法の改良に係り、特定定盤を用いた粗研磨の後
清浄化処理を施し、さらに特定定盤を用いた仕上げ研磨
を行うことにより、すぐれた研磨仕上げ精度を得て測定
誤差を低減でき、さらに研磨時間を大幅に短縮した半導
体試料の斜研磨法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル成長、埋込拡散等の処理
を行なった多層構造を持つシリコンウエーハにおいて、
表面から深さ方向に各層での拡がり抵抗、比抵抗、不純
物濃度、Ｐ／Ｎ判定評価を行なう必要があり、これが拡
がり抵抗測定方法である。この測定のために、シリコン
試料サンプルを測定用治具に貼りつけ、斜研磨する必要
があり、この研磨したサンプルを使用して拡がり抵抗を
測定する。
を行なった多層構造を持つシリコンウエーハにおいて、
表面から深さ方向に各層での拡がり抵抗、比抵抗、不純
物濃度、Ｐ／Ｎ判定評価を行なう必要があり、これが拡
がり抵抗測定方法である。この測定のために、シリコン
試料サンプルを測定用治具に貼りつけ、斜研磨する必要
があり、この研磨したサンプルを使用して拡がり抵抗を
測定する。
【０００３】拡がり抵抗測定法は、四探針法を単純化し
たもので、広い範囲の抵抗率に応用できる。２探針をウ
エーハ表面上に置き、２つの探針の先端間に電圧（Ｖ）
を印加して抵抗を測定する。印加探針電圧は最大電界が
１ｋＶ／ｃｍ以下になるように３０ｍＶに保持される。 これは多数キャリアの移動度を一定に保ち、探針先端か
らのキャリアの注入を防ぎ、ジュール熱による温度上昇
を０．１℃以下に押さえるためである。対象とする試料
を斜研磨後、斜研磨面上で探針を各層の順に移動させる
ことにより、ａ層、ｂ層、ｃ層というように、深さ方向
（表面〜裏面間）で、各層の拡がり抵抗を測定すること
ができ、表面からの距離の関数として抵抗の分布を得る
ことができる。
たもので、広い範囲の抵抗率に応用できる。２探針をウ
エーハ表面上に置き、２つの探針の先端間に電圧（Ｖ）
を印加して抵抗を測定する。印加探針電圧は最大電界が
１ｋＶ／ｃｍ以下になるように３０ｍＶに保持される。 これは多数キャリアの移動度を一定に保ち、探針先端か
らのキャリアの注入を防ぎ、ジュール熱による温度上昇
を０．１℃以下に押さえるためである。対象とする試料
を斜研磨後、斜研磨面上で探針を各層の順に移動させる
ことにより、ａ層、ｂ層、ｃ層というように、深さ方向
（表面〜裏面間）で、各層の拡がり抵抗を測定すること
ができ、表面からの距離の関数として抵抗の分布を得る
ことができる。
【０００４】サンプル試料の斜研磨方法として、従来、
ガラス板またはアクリル板の研磨プレート上に研磨剤と
オイルを塗り、その上に研磨する半導体試料を接着剤で
固定した研磨用治具を乗せ、研磨プレートを回転させる
ことにより研磨する方法が取られている。
ガラス板またはアクリル板の研磨プレート上に研磨剤と
オイルを塗り、その上に研磨する半導体試料を接着剤で
固定した研磨用治具を乗せ、研磨プレートを回転させる
ことにより研磨する方法が取られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の研磨方法には、
以下の問題点があった。 ａ）深い測定を必要とする試料の作製では、表面からの
測定範囲が例えば５０μｍの場合、９０分程度の長時間
の研磨を必要とした。 ｂ）斜研磨面の仕上げ精度が悪く、拡がり抵抗測定時に
測定プローブに悪影響を与え、結果的に測定誤差を生じ
ていた。
以下の問題点があった。 ａ）深い測定を必要とする試料の作製では、表面からの
測定範囲が例えば５０μｍの場合、９０分程度の長時間
の研磨を必要とした。 ｂ）斜研磨面の仕上げ精度が悪く、拡がり抵抗測定時に
測定プローブに悪影響を与え、結果的に測定誤差を生じ
ていた。
【０００６】この発明は、すぐれた研磨仕上げ精度を得
て測定誤差を低減でき、さらに研磨時間を大幅に短縮し
た半導体試料の斜研磨法の提供を目的としている。
て測定誤差を低減でき、さらに研磨時間を大幅に短縮し
た半導体試料の斜研磨法の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、拡がり抵抗
評価用試料の作製に際し、ダイヤモンド研磨定盤を用い
た粗研磨の後、試料の清浄化処理を施し、さらにセラミ
ック定盤を用いた仕上げ研磨を行うことをことを特徴と
する半導体試料の斜研磨法である。
評価用試料の作製に際し、ダイヤモンド研磨定盤を用い
た粗研磨の後、試料の清浄化処理を施し、さらにセラミ
ック定盤を用いた仕上げ研磨を行うことをことを特徴と
する半導体試料の斜研磨法である。
【０００８】
【作用】この発明は、ガラス板上で研磨剤とオイルを用
いた１段研磨にて長時間の研摩を必要とする従来の研磨
方法に対して、ダイヤモンド研磨定盤を用いて粗研磨し
、さらにセラミック定盤を用いて仕上げ研磨する２段階
研磨法であり、研磨時間を大幅に短縮でき、仕上げ研磨
に際して、粗研磨後に試料の清浄化処理を行なうことに
より研磨精度を大きく向上させることができる。
いた１段研磨にて長時間の研摩を必要とする従来の研磨
方法に対して、ダイヤモンド研磨定盤を用いて粗研磨し
、さらにセラミック定盤を用いて仕上げ研磨する２段階
研磨法であり、研磨時間を大幅に短縮でき、仕上げ研磨
に際して、粗研磨後に試料の清浄化処理を行なうことに
より研磨精度を大きく向上させることができる。
【０００９】この発明による研磨方法を詳述すると、以
下の手順による。 手順１（粗研磨） 例えばアルミ板の上に均一にダイヤモンドをコーティン
グしたダイヤモンド研磨定盤を用い、この上に研磨する
シリコン試料を接着剤で固定した研磨治具を載せ、研磨
定盤あるいは研磨治具を回転させることにより研磨を行
なう。この時、研磨により発生する熱を取り除くため純
水または界面活性剤入りの純水を研磨面に流す。 手順２（清浄化処理） 研磨した半導体試料に残った研磨屑等をアルコール等で
洗浄除去する。 手順３（仕上げ研磨） 面粗度を特定したセラミック板を用いてこれにオイルと
ダイヤモンドベーストを塗り、この上に手順２でクリー
ニングしたサンプル試料を載せる。研磨定盤または研磨
治具を回転させることにより研磨を行なう。 手順４（清浄化処理） 所要の研磨を完了したのち、再度半導体試料に残った研
磨屑や研磨砥粒等を洗浄除去する。
下の手順による。 手順１（粗研磨） 例えばアルミ板の上に均一にダイヤモンドをコーティン
グしたダイヤモンド研磨定盤を用い、この上に研磨する
シリコン試料を接着剤で固定した研磨治具を載せ、研磨
定盤あるいは研磨治具を回転させることにより研磨を行
なう。この時、研磨により発生する熱を取り除くため純
水または界面活性剤入りの純水を研磨面に流す。 手順２（清浄化処理） 研磨した半導体試料に残った研磨屑等をアルコール等で
洗浄除去する。 手順３（仕上げ研磨） 面粗度を特定したセラミック板を用いてこれにオイルと
ダイヤモンドベーストを塗り、この上に手順２でクリー
ニングしたサンプル試料を載せる。研磨定盤または研磨
治具を回転させることにより研磨を行なう。 手順４（清浄化処理） 所要の研磨を完了したのち、再度半導体試料に残った研
磨屑や研磨砥粒等を洗浄除去する。
【００１０】この発明において、ダイヤモンド研磨定盤
は表面に均一にダイヤモンドをコーティングしたもので
、ダイヤモンド粒子メッシュは、図４に示す如く＃２０
００以上のものでなければ、試料の研摩精度が０．３μ
ｍ以上となり拡がり抵抗測定精度を劣化させる。定盤に
は電着法にてダイヤモンドをコーティングしたアルミ板
のほか、所要粒子を均一にコーティングされれば、どの
ような材質、コーティング法のものでも使用できる。
は表面に均一にダイヤモンドをコーティングしたもので
、ダイヤモンド粒子メッシュは、図４に示す如く＃２０
００以上のものでなければ、試料の研摩精度が０．３μ
ｍ以上となり拡がり抵抗測定精度を劣化させる。定盤に
は電着法にてダイヤモンドをコーティングしたアルミ板
のほか、所要粒子を均一にコーティングされれば、どの
ような材質、コーティング法のものでも使用できる。
【００１１】この発明において、清浄化処理は、粗研磨
で発生した半導体研磨屑を仕上げ研磨段階まで持ち込み
、きず発生の要因としないためであり、純水、揮発性低
分子溶剤（アルコール、トリクレン等）により洗浄して
半導体研磨粉等を除去する。
で発生した半導体研磨屑を仕上げ研磨段階まで持ち込み
、きず発生の要因としないためであり、純水、揮発性低
分子溶剤（アルコール、トリクレン等）により洗浄して
半導体研磨粉等を除去する。
【００１２】この発明において、セラミック定盤にはＲ
ｍａｘ＝１．６〜６．３μｍの範囲の表面粗さのものが
好ましい。セラミック定盤表面粗さＲｍａｘ（μｍ）と
拡がり抵抗測定精度（％）の関係を調べたところ、図３
に示す如く、セラミック定盤の表面粗さがＲｍａｘ＝６
．３μｍを越えると、拡がり抵抗測定精度が５％を越え
るため測定評価に悪影響を及ぼして使用できず、Ｒｍａ
ｘ＝１．６μｍ未満では、研磨レートが従来と比較して
も１／１０以下と低いため研磨時間が掛かりすぎ、事実
上使用できない。
ｍａｘ＝１．６〜６．３μｍの範囲の表面粗さのものが
好ましい。セラミック定盤表面粗さＲｍａｘ（μｍ）と
拡がり抵抗測定精度（％）の関係を調べたところ、図３
に示す如く、セラミック定盤の表面粗さがＲｍａｘ＝６
．３μｍを越えると、拡がり抵抗測定精度が５％を越え
るため測定評価に悪影響を及ぼして使用できず、Ｒｍａ
ｘ＝１．６μｍ未満では、研磨レートが従来と比較して
も１／１０以下と低いため研磨時間が掛かりすぎ、事実
上使用できない。
【００１３】セラミック定盤を用いた仕上げ研磨に使用
するダイヤモンドペーストは、従来研磨法のものと同等
でよく、平均粒径が１μｍ以下、好ましくは最大粒径が
０．５μｍ以下で、平均粒径０．２５μｍ以下とできる
だけ平均粒径の小さなものがよい。定盤材質としては、
アルミナなどのセラミックが適宜選定できる。
するダイヤモンドペーストは、従来研磨法のものと同等
でよく、平均粒径が１μｍ以下、好ましくは最大粒径が
０．５μｍ以下で、平均粒径０．２５μｍ以下とできる
だけ平均粒径の小さなものがよい。定盤材質としては、
アルミナなどのセラミックが適宜選定できる。
【００１４】
実施例１
図１のＡに示す如く、半導体ウエーハからダイヤモンド
カッターを用いて試料３を切り出し、斜研磨用治具１の
尾根に接着剤２で張り付ける。図１のＢに示す如く、ア
ルミ板にダイヤモンドコーティングしたダイヤモンド定
盤４を回転させ、コーティング面に界面活性剤入りの純
水５を流し、その上で斜研磨用治具１に張り付けた試料
の粗研磨を行なう。粗研磨終了後、試料３の研磨面と斜
研磨用治具１をアルコールにより洗浄し、半導体の研磨
屑を除去する。粗研磨と洗浄の後、図２のＡに示す如く
、平均粒径０．２５μｍのダイヤモンドペーストを塗布
したセラミック定盤６の上に試料３をセットし、回転さ
せることにより仕上げ研磨を行なう。図２のＢに示す如
く、再度、試料３の研磨面を洗浄し、斜研磨試料の作製
を完了する。拡がり抵抗評価用の斜研磨試料を拡がり抵
抗測定装置にセットし、サンプル試料の深さ方向評価を
行なった。
カッターを用いて試料３を切り出し、斜研磨用治具１の
尾根に接着剤２で張り付ける。図１のＢに示す如く、ア
ルミ板にダイヤモンドコーティングしたダイヤモンド定
盤４を回転させ、コーティング面に界面活性剤入りの純
水５を流し、その上で斜研磨用治具１に張り付けた試料
の粗研磨を行なう。粗研磨終了後、試料３の研磨面と斜
研磨用治具１をアルコールにより洗浄し、半導体の研磨
屑を除去する。粗研磨と洗浄の後、図２のＡに示す如く
、平均粒径０．２５μｍのダイヤモンドペーストを塗布
したセラミック定盤６の上に試料３をセットし、回転さ
せることにより仕上げ研磨を行なう。図２のＢに示す如
く、再度、試料３の研磨面を洗浄し、斜研磨試料の作製
を完了する。拡がり抵抗評価用の斜研磨試料を拡がり抵
抗測定装置にセットし、サンプル試料の深さ方向評価を
行なった。
【００１５】比較例１
また、比較のためにガラス定盤と平均粒径０．２５μｍ
のダイヤモンドペーストを使用する従来の斜研磨法によ
る試料を作製し、試料の深さ方向評価を行なった。この
発明の斜研磨法と従来の斜研磨法による複数の試料の拡
がり抵抗測定誤差を調べたところ、従来の斜研磨法によ
る試料の場合、測定誤差のばらつきは、一例として１７
．６％であったが、この発明の斜研磨法による試料の場
合は９．８％であり、研磨精度が大きく向上しているこ
とが分かる。
のダイヤモンドペーストを使用する従来の斜研磨法によ
る試料を作製し、試料の深さ方向評価を行なった。この
発明の斜研磨法と従来の斜研磨法による複数の試料の拡
がり抵抗測定誤差を調べたところ、従来の斜研磨法によ
る試料の場合、測定誤差のばらつきは、一例として１７
．６％であったが、この発明の斜研磨法による試料の場
合は９．８％であり、研磨精度が大きく向上しているこ
とが分かる。
【００１６】実施例２
実施例１及び比較例１の斜研磨試料を作製に際し、表面
から測定可能な深さを種々変えて斜研磨を行い、その研
磨時間を調べたところ、図５に示す如くこの発明の斜研
磨法は研磨時間を従来の１／３に短縮できた。
から測定可能な深さを種々変えて斜研磨を行い、その研
磨時間を調べたところ、図５に示す如くこの発明の斜研
磨法は研磨時間を従来の１／３に短縮できた。
【００１７】
【発明の効果】従来のダイヤモンドペーストとガラス板
またはアクリル板を使用する研摩方法では、研磨スピー
ドを上げるとサンプル試料と研磨板の間にダイヤモンド
ペーストが入って行かず、研磨板、試料共にキズを付け
てしまい、このため研磨スピードを上げることはできな
いため、長い研磨時間を必要とした。これに対して、こ
の発明はダイヤモンドコーティングの定盤を用いること
により、短時間で試料の斜研磨を実現でき、試料の清浄
化により粗研磨で発生した半導体研磨屑を仕上げ研磨段
階まで持ち込むことがなく、この研磨屑による試料への
疵付きを防止でき、高精度な研磨面が得られる。
またはアクリル板を使用する研摩方法では、研磨スピー
ドを上げるとサンプル試料と研磨板の間にダイヤモンド
ペーストが入って行かず、研磨板、試料共にキズを付け
てしまい、このため研磨スピードを上げることはできな
いため、長い研磨時間を必要とした。これに対して、こ
の発明はダイヤモンドコーティングの定盤を用いること
により、短時間で試料の斜研磨を実現でき、試料の清浄
化により粗研磨で発生した半導体研磨屑を仕上げ研磨段
階まで持ち込むことがなく、この研磨屑による試料への
疵付きを防止でき、高精度な研磨面が得られる。
【００１８】すなわちこの発明の斜研磨法は、実施例に
示す如く、研磨時間を従来の１／３に短縮でき、また試
料の研磨面精度が向上するため、拡がり抵抗の測定評価
に悪影響を及ぼすことが防止できる。
示す如く、研磨時間を従来の１／３に短縮でき、また試
料の研磨面精度が向上するため、拡がり抵抗の測定評価
に悪影響を及ぼすことが防止できる。
【図１】この発明による斜研磨法の工程を示す説明図で
あり、Ａは研磨用治具への試料の接着状態を示す説明図
であり、Ｂは粗研磨方法を示すダイヤモンド研磨定盤の
説明図であり、Ｃは清浄化工程を示す研磨用治具の説明
図である。
あり、Ａは研磨用治具への試料の接着状態を示す説明図
であり、Ｂは粗研磨方法を示すダイヤモンド研磨定盤の
説明図であり、Ｃは清浄化工程を示す研磨用治具の説明
図である。
【図２】この発明による斜研磨法の工程を示す説明図で
あり、Ａは仕上げ研磨方法を示すセラミックス研磨定盤
の説明図であり、Ｂは研磨を完了した試料の説明図であ
る。
あり、Ａは仕上げ研磨方法を示すセラミックス研磨定盤
の説明図であり、Ｂは研磨を完了した試料の説明図であ
る。
【図３】この発明によるセラミックス研磨定盤の表面粗
さと拡がり抵抗測定精度との関係を示すグラフである。
さと拡がり抵抗測定精度との関係を示すグラフである。
【図４】この発明によるダイヤモンド定盤の表面メッシ
ュサイズと試料研磨精度（μｍ）との関係を示すグラフ
である。
ュサイズと試料研磨精度（μｍ）との関係を示すグラフ
である。
【図５】研磨時間（ｍｉｎ）と表面からの測定可能な深
さ（μｍ）との関係を示すグラフである。
さ（μｍ）との関係を示すグラフである。
１ 斜研磨用治具
２ 接着剤
３ 試料
４ ダイヤモンド定盤
５ 純水
６ セラミック定盤
Claims (2)
- 【請求項１】 拡がり抵抗評価用試料の作製に際し、
ダイヤモンド研磨定盤を用いた粗研磨の後、試料の清浄
化処理を施し、さらにセラミック定盤を用いた仕上げ研
磨を行うことをことを特徴とする半導体試料の斜研磨法
。 - 【請求項２】 セラミック定盤の表面粗度がＲｍａｘ
＝１．６〜６．３μｍであることを特徴とする請求項１
記載の半導体試料の斜研磨法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149458A JPH0736398B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体試料の斜研磨法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149458A JPH0736398B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体試料の斜研磨法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348028A true JPH04348028A (ja) | 1992-12-03 |
| JPH0736398B2 JPH0736398B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=15475565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149458A Expired - Lifetime JPH0736398B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体試料の斜研磨法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736398B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223567A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-26 | Fujitsu Ltd | 研磨紙，研磨テ−プ表面の処理方法 |
| JPS60201877A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPH02129728U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149458A patent/JPH0736398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223567A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-26 | Fujitsu Ltd | 研磨紙，研磨テ−プ表面の処理方法 |
| JPS60201877A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPH02129728U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736398B2 (ja) | 1995-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5609719A (en) | Method for performing chemical mechanical polish (CMP) of a wafer | |
| US6609946B1 (en) | Method and system for polishing a semiconductor wafer | |
| US4244775A (en) | Process for the chemical etch polishing of semiconductors | |
| WO2010068753A2 (en) | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes | |
| CN110634776B (zh) | 一种硅片样品的制备装置及制备方法 | |
| JP2001196334A (ja) | 多数の半導体ウェーハの製造法 | |
| JPS6296400A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| DE112017006401T5 (de) | Verfahren zum polieren eines siliziumwafers und verfahren zum produzieren eines siliziumwafers | |
| US8557132B2 (en) | Inline monitoring of pad loading for CuCMP and developing an endpoint technique for cleaning | |
| JPH04348028A (ja) | 半導体試料の斜研磨法 | |
| JP3686910B2 (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法 | |
| CN1460573A (zh) | 掺钛蓝宝石晶体激光捧的表面加工方法 | |
| JPH0817768A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置 | |
| CN117571410A (zh) | 扩展电阻测试样品的研磨方法 | |
| CN117007395A (zh) | 一种超高性能混凝土微观分析试样的制备方法 | |
| EP1125688A4 (en) | POLISHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD USING THEREOF | |
| Mayer et al. | The preparation of bevelled surfaces for spreading resistance probing by diamond grinding and laser measurement of bevel angles | |
| JP2021106226A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨布の使用開始時期の判定方法及びそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法、並びに半導体ウェーハ研磨システム | |
| Hammond et al. | Non-encapsulated microsectioning as a construction and failure analysis technique | |
| JP2001217213A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| Sasani et al. | Relationship between concentration, time and surface roughness of GaAs wafer in lapping process: an experimental investigation | |
| JPH0122112B2 (ja) | ||
| Frank et al. | Correlating Shear Force and Coefficient of Friction to Platen Motor Current in Copper, Cobalt, and Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization at Steady-State Conditions | |
| KR100226506B1 (ko) | 시편 제작방법 | |
| Hansen | Encapsulated Surface Barrier Particle Detectors Some Methods and Techniques |