JPH04348570A - 集積型光起電力素子モジュール及びその製法 - Google Patents
集積型光起電力素子モジュール及びその製法Info
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- JPH04348570A JPH04348570A JP3149809A JP14980991A JPH04348570A JP H04348570 A JPH04348570 A JP H04348570A JP 3149809 A JP3149809 A JP 3149809A JP 14980991 A JP14980991 A JP 14980991A JP H04348570 A JPH04348570 A JP H04348570A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/37—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate comprising means for obtaining partial light transmission through the integrated devices, or the assemblies of multiple devices, e.g. partially transparent thin-film photovoltaic modules for windows
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、背景が透過できる集積
型光起電力素子モジュール及びその製法に関する。
型光起電力素子モジュール及びその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より太陽光の光エネルギーの有効利
用のため、図５に示すような透光性基板６の上に透明電
極（ＴＣＯ）７、光起電力素子８及び裏面電極９がこの
順で積層されてなる積層体（光起電力部）が、直列、並
列または直並列に接続されている集積型太陽電池が用い
られている。かかる集積型太陽電池では、裏面電極９と
してアルミニウムや銀が用いられている。アルミニウム
や銀などからなる裏面電極９は透光性を有しないため、
太陽電池を通して背景を見ることができない。
用のため、図５に示すような透光性基板６の上に透明電
極（ＴＣＯ）７、光起電力素子８及び裏面電極９がこの
順で積層されてなる積層体（光起電力部）が、直列、並
列または直並列に接続されている集積型太陽電池が用い
られている。かかる集積型太陽電池では、裏面電極９と
してアルミニウムや銀が用いられている。アルミニウム
や銀などからなる裏面電極９は透光性を有しないため、
太陽電池を通して背景を見ることができない。
【０００３】かかる問題を解決するため、図６に示すよ
うに光起電力部にパンチングメタル状に透光部１０１を
形成した集積型太陽電池が提案されている。図中、１０
は裏面電極９の分離線である。
うに光起電力部にパンチングメタル状に透光部１０１を
形成した集積型太陽電池が提案されている。図中、１０
は裏面電極９の分離線である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ごとき集積型太陽電池は、いったん通常の集積型太陽電
池を完成させた後、所定個所の光起電力素子および裏面
電極を除去する必要がある。また、背景の透過部分を増
加させるためには、単位素子内の除去部分を増やす必要
があるが、視覚的に透過して見えるというレベルにする
には、相当量除去する必要がある。
ごとき集積型太陽電池は、いったん通常の集積型太陽電
池を完成させた後、所定個所の光起電力素子および裏面
電極を除去する必要がある。また、背景の透過部分を増
加させるためには、単位素子内の除去部分を増やす必要
があるが、視覚的に透過して見えるというレベルにする
には、相当量除去する必要がある。
【０００５】本発明はかかる従来技術の問題点に鑑みな
されたもので、特別の除去工程を要することなく、所定
量の透過部分が確保できる集積型光起電力素子モジュー
ル及びその製法を提供することを目的とする。
されたもので、特別の除去工程を要することなく、所定
量の透過部分が確保できる集積型光起電力素子モジュー
ル及びその製法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の集積型光起電力
素子モジュールは、透光性基板上に、透明導電膜、光起
電力素子、裏面電極の順に積層されている積層体が、直
列、並列または直並列に接続されてなる集積型光起電力
素子モジュールであって、裏面電極の分離線上にある光
起電力素子が除去されていることを特徴としている。
素子モジュールは、透光性基板上に、透明導電膜、光起
電力素子、裏面電極の順に積層されている積層体が、直
列、並列または直並列に接続されてなる集積型光起電力
素子モジュールであって、裏面電極の分離線上にある光
起電力素子が除去されていることを特徴としている。
【０００７】また、本発明の集積型光起電力素子モジュ
ールの製法は、光起電力素子の除去がレーザスクライブ
により裏面電極の除去と同時になされることを特徴とし
ている。
ールの製法は、光起電力素子の除去がレーザスクライブ
により裏面電極の除去と同時になされることを特徴とし
ている。
【０００８】
【作用】本発明の集積型光起電力素子モジュールによれ
ば比較的少ない除去量で、透過背景量を視覚的に増加さ
せることが可能となる。また、本発明の製法によれば、
光起電力素子の除去を裏面電極の除去と同時に行うこと
ができる。
ば比較的少ない除去量で、透過背景量を視覚的に増加さ
せることが可能となる。また、本発明の製法によれば、
光起電力素子の除去を裏面電極の除去と同時に行うこと
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を実施例に
基づいて詳細に説明するが、本発明はかかる実施例にの
み限定されるものではない。
基づいて詳細に説明するが、本発明はかかる実施例にの
み限定されるものではない。
【００１０】図１は本発明の集積型光起電力素子モジュ
ールの概念図、図２は図１に示す集積型光起電力素子モ
ジュールの光起電力部に溝状の透光部が裏面電極のパタ
ーン線に略平行に形成された実施例（実施例１）の概略
図、図３は図１に示す集積型光起電力素子モジュールの
光起電力部に溝状の透光部が裏面電極のパターン線に斜
めに形成された実施例（実施例２）の概略図、図４は図
１に示す集積型光起電力素子モジュールの光起電力部に
溝状の透光部が文字パターンとして形成された実施例（
実施例３）の概略図である。図１〜４において、１は透
光性基板、２は透明導電膜（ＴＣＯ）、３は光起電力素
子、４は裏面電極、５は裏面電極の分離線である。
ールの概念図、図２は図１に示す集積型光起電力素子モ
ジュールの光起電力部に溝状の透光部が裏面電極のパタ
ーン線に略平行に形成された実施例（実施例１）の概略
図、図３は図１に示す集積型光起電力素子モジュールの
光起電力部に溝状の透光部が裏面電極のパターン線に斜
めに形成された実施例（実施例２）の概略図、図４は図
１に示す集積型光起電力素子モジュールの光起電力部に
溝状の透光部が文字パターンとして形成された実施例（
実施例３）の概略図である。図１〜４において、１は透
光性基板、２は透明導電膜（ＴＣＯ）、３は光起電力素
子、４は裏面電極、５は裏面電極の分離線である。
【００１１】本発明の集積型光起電力素子モジュールに
おいては、成膜、積層及び集積は次のようにしてなされ
る。
おいては、成膜、積層及び集積は次のようにしてなされ
る。
【００１２】まず要求される電力仕様に合わせ、透光性
基板１上に透明導電膜２を成膜し、パターン化する。こ
の成膜及びパターン化は従来技術と同様であるので、そ
の詳細な説明は省略する。このパターン化された透明導
電膜２が形成された透光性基板１上に、光起電力素子３
を成膜し、例えばレーザを用いてパターン化する。この
パターン化は、ウェットエッチング、ドライエッチング
、リフトオフ、ワイヤマスク等を用いて行ってもよい。 このように透明導電膜２及び光起電力素子３が積層され
た透光性基板１上に裏面電極４を、例えばスパッタ等に
より成膜する。この裏面電極４の成膜は、電子ビーム蒸
着、抵抗加熱蒸着などにより行ってもよい。また、この
裏面電極４の材質は、光起電力素子３とオーミックコン
タクトのとれるものであれば特に限定はなく、その透光
性、非透光性は問われない。ついでこの裏面電極４のパ
ターン化を行うが、本発明ではこのパターン化の際に、
裏面電極４の分離部の直下にある光起電力素子３も同時
に除去する。裏面電極４及び光起電力素子３の同時除去
は、例えばレーザスクライブを透光性基板１側から行う
ことにより達成できる。なお、ウェットエッチングによ
ってもこの同時除去は可能である。このように裏面電極
４と光起電力素子３を同時に除去すれば、通常の集積工
程そのままで、別個の工程を付加することなく背景の透
過量を増大することができる。
基板１上に透明導電膜２を成膜し、パターン化する。こ
の成膜及びパターン化は従来技術と同様であるので、そ
の詳細な説明は省略する。このパターン化された透明導
電膜２が形成された透光性基板１上に、光起電力素子３
を成膜し、例えばレーザを用いてパターン化する。この
パターン化は、ウェットエッチング、ドライエッチング
、リフトオフ、ワイヤマスク等を用いて行ってもよい。 このように透明導電膜２及び光起電力素子３が積層され
た透光性基板１上に裏面電極４を、例えばスパッタ等に
より成膜する。この裏面電極４の成膜は、電子ビーム蒸
着、抵抗加熱蒸着などにより行ってもよい。また、この
裏面電極４の材質は、光起電力素子３とオーミックコン
タクトのとれるものであれば特に限定はなく、その透光
性、非透光性は問われない。ついでこの裏面電極４のパ
ターン化を行うが、本発明ではこのパターン化の際に、
裏面電極４の分離部の直下にある光起電力素子３も同時
に除去する。裏面電極４及び光起電力素子３の同時除去
は、例えばレーザスクライブを透光性基板１側から行う
ことにより達成できる。なお、ウェットエッチングによ
ってもこの同時除去は可能である。このように裏面電極
４と光起電力素子３を同時に除去すれば、通常の集積工
程そのままで、別個の工程を付加することなく背景の透
過量を増大することができる。
【００１３】なお、裏面電極４の除去はつぎの関係式を
満足するように行うのが好ましい。 ７≦（ｎｘｗｘＬｓ／Ｓｏ）ｘ１００≦３０ここに、 ｎ：集積段数 ｗ：除去幅〔ｍｍ〕 Ｌｓ：除去長さ〔ｍｍ〕 Ｓｏ：受光可能なモジュール面積〔ｍｍ２〕
満足するように行うのが好ましい。 ７≦（ｎｘｗｘＬｓ／Ｓｏ）ｘ１００≦３０ここに、 ｎ：集積段数 ｗ：除去幅〔ｍｍ〕 Ｌｓ：除去長さ〔ｍｍ〕 Ｓｏ：受光可能なモジュール面積〔ｍｍ２〕
【００１４
】また、裏面電極４を透光性にすれば、透明電極２、光
起電力素子３及び裏面電極４からなる光起電力部も自然
光透過に寄与するので、光起電力素子３の総面積をＳａ
、透光性を有する裏面電極４の透過率をＴとすると、Ｓ
ａｘＴ／Ｓｏだけ透過部分が増えることになり、このＳ
ａｘＴと裏面電極４の分離部の面積の総和が自然光の透
過する部分となり実質的に透過光量を増加させることが
できる。
】また、裏面電極４を透光性にすれば、透明電極２、光
起電力素子３及び裏面電極４からなる光起電力部も自然
光透過に寄与するので、光起電力素子３の総面積をＳａ
、透光性を有する裏面電極４の透過率をＴとすると、Ｓ
ａｘＴ／Ｓｏだけ透過部分が増えることになり、このＳ
ａｘＴと裏面電極４の分離部の面積の総和が自然光の透
過する部分となり実質的に透過光量を増加させることが
できる。
【００１５】さらに、光起電力素子３として、アモルフ
ァスシリコン膜を用いれば、アモルファスシリコン膜は
本来可視光域の透過があるので、視覚的な透過背景量は
さらに増え、アモルファスシリコン膜により調光された
背景と、自然透過光との組合せにより美観も向上する。 この場合、アモルファスシリコン膜の透過率が、波長６
００ｎｍで２０％程度あるものが美観上好ましい。
ァスシリコン膜を用いれば、アモルファスシリコン膜は
本来可視光域の透過があるので、視覚的な透過背景量は
さらに増え、アモルファスシリコン膜により調光された
背景と、自然透過光との組合せにより美観も向上する。 この場合、アモルファスシリコン膜の透過率が、波長６
００ｎｍで２０％程度あるものが美観上好ましい。
【００１６】実施例１〜３
図２は図１に示す集積型光起電力素子モジュールの光起
電力部に溝状の透光部が裏面電極４のパターン線に略平
行に形成された実施例（実施例１）の概略図、図３は図
１に示す集積型光起電力素子モジュールの光起電力部に
溝状の透光部が裏面電極４のパターン線に斜めに形成さ
れた実施例（実施例２）の概略図、図４は図１に示す集
積型光起電力素子モジュールの光起電力部に溝状の透光
部が文字パターンとして形成された実施例（実施例３）
の概略図である。図中、５は裏面電極４の分離線、５１
〜５３は光起電力部に形成された溝状の透光部である。 この溝部の幅は、４０〜３００ミクロンであり、またそ
の総面積は集積型光起電力素子モジュール全表面積に対
し、３〜５０％、好ましくは７〜３０％である。具体的
には、必要透過背景量及び所要電力量に応じて、前記範
囲内で適宜選定される。溝部の幅及び総面積をこのよう
に制限するのは、出力の低下及び透明性の低下防止のた
めである。
電力部に溝状の透光部が裏面電極４のパターン線に略平
行に形成された実施例（実施例１）の概略図、図３は図
１に示す集積型光起電力素子モジュールの光起電力部に
溝状の透光部が裏面電極４のパターン線に斜めに形成さ
れた実施例（実施例２）の概略図、図４は図１に示す集
積型光起電力素子モジュールの光起電力部に溝状の透光
部が文字パターンとして形成された実施例（実施例３）
の概略図である。図中、５は裏面電極４の分離線、５１
〜５３は光起電力部に形成された溝状の透光部である。 この溝部の幅は、４０〜３００ミクロンであり、またそ
の総面積は集積型光起電力素子モジュール全表面積に対
し、３〜５０％、好ましくは７〜３０％である。具体的
には、必要透過背景量及び所要電力量に応じて、前記範
囲内で適宜選定される。溝部の幅及び総面積をこのよう
に制限するのは、出力の低下及び透明性の低下防止のた
めである。
【００１７】この溝部の形成は、例えばレーザスクライ
ブにより裏面電極４のパターン化と同時に行うことがで
き、溝部形成のために別個の工程を設ける必要はない。
ブにより裏面電極４のパターン化と同時に行うことがで
き、溝部形成のために別個の工程を設ける必要はない。
【００１８】このように、光起電力部に溝状の透光部を
形成したものは、図６のように透光部をパンチングメタ
ル状に形成したものよりも、視覚効果を格段に向上させ
ることができる。
形成したものは、図６のように透光部をパンチングメタ
ル状に形成したものよりも、視覚効果を格段に向上させ
ることができる。
【００１９】なお、溝状の透光部を形成する場合、無用
の発電ロスを防ぐため、電気的に孤立した部分が光起電
力部に生じないように注意して行う必要がある。
の発電ロスを防ぐため、電気的に孤立した部分が光起電
力部に生じないように注意して行う必要がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の集積型光
起電力素子モジュールによれば、発電効率を実質上低下
させることなく、透過背景量の増大を図ることができる
ので、視覚効果を向上させることができる。また、本発
明の製法によれば、特別の工程を設けることなく、透過
背景量の増大した集積型光起電力素子モジュールを製造
することができる。
起電力素子モジュールによれば、発電効率を実質上低下
させることなく、透過背景量の増大を図ることができる
ので、視覚効果を向上させることができる。また、本発
明の製法によれば、特別の工程を設けることなく、透過
背景量の増大した集積型光起電力素子モジュールを製造
することができる。
【図１】本発明の集積型光起電力素子モジュールの概念
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１の概略図である。
【図３】本発明の実施例２の概略図である。
【図４】本発明の実施例３の概略図である。
【図５】従来の集積型太陽電池の概念図である。
【図６】光起電力部に透光部を設けた従来例の概略図で
ある。
ある。
１ 透光性基板
２ 透明導電膜
３ 光起電力素子
４ 裏面電極
５ 裏面電極の分離線
Claims (9)
- 【請求項１】 透光性基板上に、透明導電膜、光起電
力素子、裏面電極の順に積層されている積層体が、直列
、並列または直並列に接続されてなる集積型光起電力素
子モジュールであって、裏面電極の分離線上にある光起
電力素子が除去されていることを特徴とする集積型光起
電力素子モジュール。 - 【請求項２】 前記積層体の裏面電極及び光起電力素
子に電気的不連続部を生ずることなく溝部が形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の集積型光起電力素
子モジュール。 - 【請求項３】 前記溝部が複数個形成されていること
を特徴とする請求項２記載の集積型光起電力素子モジュ
ール。 - 【請求項４】 光起電力素子が集積型光起電力素子モ
ジュールの全表面積に対し３％以上５０％以下の割合で
除去されていることを特徴とする請求項１、２または３
記載の集積型光起電力素子モジュール。 - 【請求項５】 前記割合が７％以上３０％以下である
ことを特徴とする請求項４記載の集積型光起電力素子モ
ジュール。 - 【請求項６】 前記溝部の幅が４０ミクロン以上３０
０ミクロン以下であること特徴とする請求項２または３
記載の集積型光起電力素子モジュール。 - 【請求項７】 前記光起電力素子がアモルファス半導
体層を含んでいることを特徴とする請求項１、２、３、
４、５または６記載の集積型光起電力素子モジュール。 - 【請求項８】 前記裏面電極が透光性を有することを
特徴とする請求項１、２、３、４、５、６または７記載
の集積型光起電力素子モジュール。 - 【請求項９】 光起電力素子の除去がレーザスクライ
ブにより裏面電極の除去と同時になされることを特徴と
する集積型光起電力素子モジュールの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149809A JPH04348570A (ja) | 1991-05-25 | 1991-05-25 | 集積型光起電力素子モジュール及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149809A JPH04348570A (ja) | 1991-05-25 | 1991-05-25 | 集積型光起電力素子モジュール及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348570A true JPH04348570A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15483188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149809A Pending JPH04348570A (ja) | 1991-05-25 | 1991-05-25 | 集積型光起電力素子モジュール及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348570A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5781683A (en) * | 1993-05-14 | 1998-07-14 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Video reproducing apparatus with non-repetitive selecting function |
| JP2004503112A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | 部分透過性光起電モジュール |
| WO2004064167A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Kaneka Corporation | 透光性薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| KR100811234B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-03-07 | 엘지전자 주식회사 | 투광성 조절 가능한 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| EP2369630A3 (en) * | 2010-03-25 | 2015-07-08 | Raytheon Company | Radio frequency transparent photovoltaic cell |
| CN111316450A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-06-19 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 半透明薄膜太阳能模块 |
| CN111448671A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-07-24 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 半透明薄膜太阳能模块 |
| CN111630665A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-09-04 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 半透明薄膜太阳能模块 |
-
1991
- 1991-05-25 JP JP3149809A patent/JPH04348570A/ja active Pending
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| CN111316450A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-06-19 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 半透明薄膜太阳能模块 |
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| EP3698409A4 (en) * | 2017-09-29 | 2021-12-01 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | SEMITRANSPARENT THIN-FILM SOLAR MODULE |
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