JPH04348871A - 微細氷粒を用いる洗浄方法 - Google Patents
微細氷粒を用いる洗浄方法Info
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- JPH04348871A JPH04348871A JP12117791A JP12117791A JPH04348871A JP H04348871 A JPH04348871 A JP H04348871A JP 12117791 A JP12117791 A JP 12117791A JP 12117791 A JP12117791 A JP 12117791A JP H04348871 A JPH04348871 A JP H04348871A
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- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims abstract description 8
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ製造工程にお
けるウエハー表面の精密洗浄装置等の微細氷粒を用いる
洗浄装置に関する。
けるウエハー表面の精密洗浄装置等の微細氷粒を用いる
洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細氷粒の製造方法としては、従来より
、 １．氷点下の低温気体中に、水（純水）スプレーを噴射
し、微細氷粒を作る。 ２．純水の氷塊を粉砕して微細氷粒を作る。 等が利用されており、清浄装置では、これらの微細氷粒
を気体搬送して、高圧ジェットを作り、固体表面に噴射
し、氷粒の衝突で表面の汚染物質を除去する方法が取ら
れている。
、 １．氷点下の低温気体中に、水（純水）スプレーを噴射
し、微細氷粒を作る。 ２．純水の氷塊を粉砕して微細氷粒を作る。 等が利用されており、清浄装置では、これらの微細氷粒
を気体搬送して、高圧ジェットを作り、固体表面に噴射
し、氷粒の衝突で表面の汚染物質を除去する方法が取ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の微細氷粒の製造
方法では、発生する氷粒について、 １．氷粒の粒子径の均一性が悪い。（粒子径分布が拡い
。） ２．氷粒の微粒化（サブミクロン化）が難しい。 ３．氷粒の粒子径の制御が難しい。 等の問題がある。
方法では、発生する氷粒について、 １．氷粒の粒子径の均一性が悪い。（粒子径分布が拡い
。） ２．氷粒の微粒化（サブミクロン化）が難しい。 ３．氷粒の粒子径の制御が難しい。 等の問題がある。
【０００４】本発明は、以上の問題点を解決することが
できる微細氷粒を用いる洗浄装置を提供しようとするも
のである。
できる微細氷粒を用いる洗浄装置を提供しようとするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の微細氷粒を用い
る洗浄装置は、氷点以下の清浄空気の供給装置、純水蒸
気の発生装置、及び前記供給装置からの清浄空気と前期
発生装置からの純水蒸気が供給されこの両者を混合させ
て微細氷粒を形成し、これを清浄空気と共に噴射する混
合ノズルを備えた。
る洗浄装置は、氷点以下の清浄空気の供給装置、純水蒸
気の発生装置、及び前記供給装置からの清浄空気と前期
発生装置からの純水蒸気が供給されこの両者を混合させ
て微細氷粒を形成し、これを清浄空気と共に噴射する混
合ノズルを備えた。
【０００６】
【作用】本発明では、氷点以下に冷却された清浄空気と
、純水蒸気が混合ノズルに供給されて気相混合すること
により、純水蒸気は清浄空気中で均一凝縮されて純粋な
微細氷粒が形成される。この微細氷粒を清浄空気ととも
に噴射することによって、目的とする物体表面の洗浄が
行われる。
、純水蒸気が混合ノズルに供給されて気相混合すること
により、純水蒸気は清浄空気中で均一凝縮されて純粋な
微細氷粒が形成される。この微細氷粒を清浄空気ととも
に噴射することによって、目的とする物体表面の洗浄が
行われる。
【０００７】また、気相混合する氷点以下の清浄空気の
量と純水蒸気の量の状態量及び混合割合を調整すること
により、氷粒の粒子径が制御される。即ち、清浄空気の
温度を低くするほど、また清浄空気の割合を多くするほ
ど発生する氷粒の平均粒径は小さくなる。また、粒子径
の制御範囲は数１０−３〜１０１ μｍのオーダである
。従って、従来では難しかったサブミクロン以下の微細
氷粒を容易に製造することができる。
量と純水蒸気の量の状態量及び混合割合を調整すること
により、氷粒の粒子径が制御される。即ち、清浄空気の
温度を低くするほど、また清浄空気の割合を多くするほ
ど発生する氷粒の平均粒径は小さくなる。また、粒子径
の制御範囲は数１０−３〜１０１ μｍのオーダである
。従って、従来では難しかったサブミクロン以下の微細
氷粒を容易に製造することができる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を、図１によって説明する
。２は大気１が導入される大気汚質除去装置、３は大気
汚質除去装置２に接続された空気冷却器であり、両者で
冷却された清浄空気の供給装置が形成されている。５は
純水を蒸気発生器６へ供給する超純水供給装置であり、
両者で超純水蒸気の発生装置が形成されている。前記空
気冷却器３と前記蒸気発生装置６は、それぞれ流量調整
バルブ４，７を介して混合ノズル８へ接続されている。 １０は、混合ノズル８の出口に対向して配置された半導
体ウエハ等の洗浄対象物の表面である。
。２は大気１が導入される大気汚質除去装置、３は大気
汚質除去装置２に接続された空気冷却器であり、両者で
冷却された清浄空気の供給装置が形成されている。５は
純水を蒸気発生器６へ供給する超純水供給装置であり、
両者で超純水蒸気の発生装置が形成されている。前記空
気冷却器３と前記蒸気発生装置６は、それぞれ流量調整
バルブ４，７を介して混合ノズル８へ接続されている。 １０は、混合ノズル８の出口に対向して配置された半導
体ウエハ等の洗浄対象物の表面である。
【０００９】本実施例では、大気汚染質を含む空気１は
、大気汚染質除去装置２で粒子状物質、ガス状物質、水
分等が除去され、乾燥した超清浄空気となる。超清浄空
気は、空気冷却器３で氷点以下まで冷却され、流量調整
バルブ４を介して混合ノズル８へ送られる。また、超純
水供給装置５からの純水は、蒸気発生器６で気化されて
超純水蒸気となり流量調整バルブ７を介して混合ノズル
８へ送られる。
、大気汚染質除去装置２で粒子状物質、ガス状物質、水
分等が除去され、乾燥した超清浄空気となる。超清浄空
気は、空気冷却器３で氷点以下まで冷却され、流量調整
バルブ４を介して混合ノズル８へ送られる。また、超純
水供給装置５からの純水は、蒸気発生器６で気化されて
超純水蒸気となり流量調整バルブ７を介して混合ノズル
８へ送られる。
【００１０】混合ノズル８内では、氷点下の超清浄冷却
空気と超純水蒸気が混合し、超清浄冷却空気中において
超純水蒸気が均一凝縮し、純粋な微細氷粒９が形成され
る。
空気と超純水蒸気が混合し、超清浄冷却空気中において
超純水蒸気が均一凝縮し、純粋な微細氷粒９が形成され
る。
【００１１】この混合ノズル８内での微細氷粒９の形成
過程を図２によって説明する。氷点下に設定された超清
浄冷却空気（状態Ａ）と超純水蒸気（状態Ｂ）は、混合
ノズル８内で瞬間的に混合され（状態Ｃ）、水蒸気の過
飽和状態が形成される。この過飽和状態において、水蒸
気分子のクラスタ化が起こり、ほぼ球形の微細氷粒が形
成され、状態は飽和状態（状態Ｄ）へ移行する。
過程を図２によって説明する。氷点下に設定された超清
浄冷却空気（状態Ａ）と超純水蒸気（状態Ｂ）は、混合
ノズル８内で瞬間的に混合され（状態Ｃ）、水蒸気の過
飽和状態が形成される。この過飽和状態において、水蒸
気分子のクラスタ化が起こり、ほぼ球形の微細氷粒が形
成され、状態は飽和状態（状態Ｄ）へ移行する。
【００１２】なお、この超清浄冷却空気と超純水蒸気の
混合条件としては、混合状態Ｃが固相領域となるように
、超清浄冷却空気と超純水蒸気の状態量（温度、圧力）
、混合割合等を調節する。
混合条件としては、混合状態Ｃが固相領域となるように
、超清浄冷却空気と超純水蒸気の状態量（温度、圧力）
、混合割合等を調節する。
【００１３】以上のように混合ノズル８内で形成された
微細氷粒９は、清浄空気とともに混合ノズル８外へ噴射
され、目標となる洗浄対象物の表面１０上へ衝突する。 この微細氷粒９の衝突効果によって洗浄対象物表面１０
上の汚染物質が除去される。
微細氷粒９は、清浄空気とともに混合ノズル８外へ噴射
され、目標となる洗浄対象物の表面１０上へ衝突する。 この微細氷粒９の衝突効果によって洗浄対象物表面１０
上の汚染物質が除去される。
【００１４】前記の混合ノズル８内で発生する微細氷粒
９の平均粒子径は、超清浄冷却空気及び超純水蒸気のそ
れぞれの温度と圧力、超清浄冷却空気と超純水蒸気の混
合割合等を流量調整バルブ４，７によって調節すること
により制御することができる。微細氷粒９の平均粒子径
は、冷却空気と水蒸気の温度差が大きいほど、また、超
清浄冷却空気の混合割合が多いほど小さくなる。また、
粒子径の制御範囲は数１０−３〜１０１ μｍのオーダ
である。
９の平均粒子径は、超清浄冷却空気及び超純水蒸気のそ
れぞれの温度と圧力、超清浄冷却空気と超純水蒸気の混
合割合等を流量調整バルブ４，７によって調節すること
により制御することができる。微細氷粒９の平均粒子径
は、冷却空気と水蒸気の温度差が大きいほど、また、超
清浄冷却空気の混合割合が多いほど小さくなる。また、
粒子径の制御範囲は数１０−３〜１０１ μｍのオーダ
である。
【００１５】また、更に目標となる固体表面への氷粒の
衝突圧力は、混合気体（超清浄空気と微細氷粒の混合）
の流量により調整する。
衝突圧力は、混合気体（超清浄空気と微細氷粒の混合）
の流量により調整する。
【００１６】以上説明したように、本実施例では、従来
困難であったサブミクロン以下の微細氷粒を容易に製造
することが可能であり、またその平均粒子径を制御する
ことができる。これによって、サブミクロン以下のサイ
ズの洗浄を行なうことができる。
困難であったサブミクロン以下の微細氷粒を容易に製造
することが可能であり、またその平均粒子径を制御する
ことができる。これによって、サブミクロン以下のサイ
ズの洗浄を行なうことができる。
【００１７】なお、前記実施例では、大気汚染物質除去
装置の下流に空気冷却器を配置しているが、その配置を
逆にすることもできる。
装置の下流に空気冷却器を配置しているが、その配置を
逆にすることもできる。
【００１８】
【発明の効果】本発明では、清浄空気の供給装置からの
氷点以下の清浄空気と蒸気の発生装置からの純水蒸気を
混合ノズルにおいて混合することによって、同混合ノズ
ルで形成される微細氷粒の粒子径を制御し、かつ同微細
氷粒径を数１０−３〜１０１ μｍのオーダの範囲で制
御することができる。
氷点以下の清浄空気と蒸気の発生装置からの純水蒸気を
混合ノズルにおいて混合することによって、同混合ノズ
ルで形成される微細氷粒の粒子径を制御し、かつ同微細
氷粒径を数１０−３〜１０１ μｍのオーダの範囲で制
御することができる。
【００１９】このように形成される微細氷粒を調整した
上、清浄空気と共にこれを混合ノズルから噴射すること
によって、サブミクロン以下のサイズの洗浄を行なうこ
とができる。
上、清浄空気と共にこれを混合ノズルから噴射すること
によって、サブミクロン以下のサイズの洗浄を行なうこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例の説明図である。
【図２】同実施例の混合ノズルにおける微細氷粒形成を
示す模式図である。
示す模式図である。
１ 大気
２ 大気汚染質除去装置
３ 空気冷却装置
４ 流量調整バルブ
５ 超純水供給装置
６ 蒸気発生器
７ 流量調整バルブ
８ 混合ノズル
９ 微細氷粒
１０ 洗浄対象物の表面
Claims (1)
- 【請求項１】 氷点以下の清浄空気の供給装置、純水
蒸気の発生装置、及び前記供給装置からの清浄空気と前
記発生装置からの純水蒸気が供給されこの両者を混合さ
せて微細氷粒を形成し、これを清浄空気と共に噴射する
混合ノズルを備えたことを特徴とする微細氷粒を用いる
洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121177A JP2877263B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 微細氷粒を用いる洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121177A JP2877263B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 微細氷粒を用いる洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348871A true JPH04348871A (ja) | 1992-12-03 |
| JP2877263B2 JP2877263B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=14804760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121177A Expired - Fee Related JP2877263B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 微細氷粒を用いる洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2877263B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| US6508258B1 (en) * | 1998-10-05 | 2003-01-21 | Lorimer D'arcy Harold | Method and apparatus for cleaning flat workpieces within a semiconductor manufacturing system |
| KR100433453B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2004-05-31 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 세정용 버블 제트 샤워 모듈 |
| WO2016093098A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | アクアサイエンス株式会社 | 液滴噴射流生成装置及び液滴噴射流生成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155168A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Taiyo Sanso Co Ltd | 超微細凍結粒子の生成装置 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3121177A patent/JP2877263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155168A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Taiyo Sanso Co Ltd | 超微細凍結粒子の生成装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6508258B1 (en) * | 1998-10-05 | 2003-01-21 | Lorimer D'arcy Harold | Method and apparatus for cleaning flat workpieces within a semiconductor manufacturing system |
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
| KR100433453B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2004-05-31 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 세정용 버블 제트 샤워 모듈 |
| WO2016093098A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | アクアサイエンス株式会社 | 液滴噴射流生成装置及び液滴噴射流生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2877263B2 (ja) | 1999-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981222 |
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