JPH04349461A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH04349461A JPH04349461A JP3123527A JP12352791A JPH04349461A JP H04349461 A JPH04349461 A JP H04349461A JP 3123527 A JP3123527 A JP 3123527A JP 12352791 A JP12352791 A JP 12352791A JP H04349461 A JPH04349461 A JP H04349461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- resist film
- pattern
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドや半導体
装置等の製造におけるフォトリソグラフィ工程に用いら
れるフォトマスクに係り、特にレジスト膜面に密着露光
後のフォトマスクを該レジスト膜面より引き離し易くし
たフォトマスクの構成に関するものである。
装置等の製造におけるフォトリソグラフィ工程に用いら
れるフォトマスクに係り、特にレジスト膜面に密着露光
後のフォトマスクを該レジスト膜面より引き離し易くし
たフォトマスクの構成に関するものである。
【０００２】薄膜磁気ヘッドや半導体装置等を製造する
場合にフォトリソグラフィ技術は今や欠くことのできな
い技術として広く用いられている。フォトリソグラフィ
技術を用いて基板上に微細な薄膜パターンを精度良く形
成する場合、金属薄膜等が形成された基板上に塗設した
レジスト膜面にフォトマスクを密着した状態で露光して
フォトマスクパターンをレジスト面に転写してレジスト
パターンを形成する密着露光が好ましいが、該密着露光
においては露光後にレジスト膜に密着しているフォトマ
スクを引き離すことが困難になったり、またその引き離
し時にレジスト膜の剥がれが生じ易い傾向があった。こ
のため、密着露光後にレジスト膜より容易に引き離すこ
とを可能とするフォトマスクが必要とされている。
場合にフォトリソグラフィ技術は今や欠くことのできな
い技術として広く用いられている。フォトリソグラフィ
技術を用いて基板上に微細な薄膜パターンを精度良く形
成する場合、金属薄膜等が形成された基板上に塗設した
レジスト膜面にフォトマスクを密着した状態で露光して
フォトマスクパターンをレジスト面に転写してレジスト
パターンを形成する密着露光が好ましいが、該密着露光
においては露光後にレジスト膜に密着しているフォトマ
スクを引き離すことが困難になったり、またその引き離
し時にレジスト膜の剥がれが生じ易い傾向があった。こ
のため、密着露光後にレジスト膜より容易に引き離すこ
とを可能とするフォトマスクが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来のフォトマスクは透明なガラスから
なるマスク基板の一方の面にＣｒ等からなる金属膜、ま
たは金属酸化物膜を所定パターンにパターニングした転
写用マスクパターンを構成するパターン被膜を設けたも
のからなり、このようなフォトマスクを用いて例えば薄
膜磁気ヘッド等の製造工程において基板上に被着された
金属薄膜を所定の微細パターンに精度良くパターニング
する場合、該金属薄膜上にレジスト膜を塗設し、そのレ
ジスト膜上に微細な前記パターン被膜を有するフォトマ
スクを密着した状態で露光して微細なマスクパターンを
レジスト面に転写し、これを現像してレジストパターン
を形成した後、該レジストパターンより露出した金属薄
膜部分をエッチング処理し、引続きレジストパターンを
除去することによって基板上に微細な金属薄膜パターン
を形成している。
なるマスク基板の一方の面にＣｒ等からなる金属膜、ま
たは金属酸化物膜を所定パターンにパターニングした転
写用マスクパターンを構成するパターン被膜を設けたも
のからなり、このようなフォトマスクを用いて例えば薄
膜磁気ヘッド等の製造工程において基板上に被着された
金属薄膜を所定の微細パターンに精度良くパターニング
する場合、該金属薄膜上にレジスト膜を塗設し、そのレ
ジスト膜上に微細な前記パターン被膜を有するフォトマ
スクを密着した状態で露光して微細なマスクパターンを
レジスト面に転写し、これを現像してレジストパターン
を形成した後、該レジストパターンより露出した金属薄
膜部分をエッチング処理し、引続きレジストパターンを
除去することによって基板上に微細な金属薄膜パターン
を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の密着露光においては露光後にレジスト膜
に密着しているフォトマスクを引き離す際に、該レジス
ト膜の粘着性に起因してそのレジスト膜より前記フォト
マスクを引き離し難くなり、また引き離した際にレジス
ト膜に剥離が生じるといった問題があった。
たような従来の密着露光においては露光後にレジスト膜
に密着しているフォトマスクを引き離す際に、該レジス
ト膜の粘着性に起因してそのレジスト膜より前記フォト
マスクを引き離し難くなり、また引き離した際にレジス
ト膜に剥離が生じるといった問題があった。
【０００５】そこでそのような問題を解決するために、
図４（ａ） に示すように透明なガラスからなるマスク
基板１２の一方の面に、例えばＣｒ等からなる金属膜、
または金属酸化物膜を所定パターンにパターニングした
転写用マスクパターンを構成するパターン被膜１３を設
けたフォトマスク１１の全面に、該レジスト膜と接着し
難く容易に離反することが可能な例えばポリビニールア
ルコール（ＰＶＡ）等をスピンコーティングしておき、
かかるフォトマスク１１を対向する処理基板２１上のレ
ジスト膜２２と図４（ｂ） に示すようにＰＶＡコート
１４を介して密着させた状態で露光する方法を用いてい
た。
図４（ａ） に示すように透明なガラスからなるマスク
基板１２の一方の面に、例えばＣｒ等からなる金属膜、
または金属酸化物膜を所定パターンにパターニングした
転写用マスクパターンを構成するパターン被膜１３を設
けたフォトマスク１１の全面に、該レジスト膜と接着し
難く容易に離反することが可能な例えばポリビニールア
ルコール（ＰＶＡ）等をスピンコーティングしておき、
かかるフォトマスク１１を対向する処理基板２１上のレ
ジスト膜２２と図４（ｂ） に示すようにＰＶＡコート
１４を介して密着させた状態で露光する方法を用いてい
た。
【０００６】ところが、前記フォトマスク１１のレジス
ト膜と密着する面にコーティングしているＰＶＡコート
１４は数回の露光工程において剥げてしまってその効果
が消失していくことから、その都度、該フォトマスク１
１の前記全面にＰＶＡをコーティングし直す必要が生じ
るため、その分だけ余分な工程及び時間がかかり、露光
工程全般での作業効率が悪くなるといった問題があった
。
ト膜と密着する面にコーティングしているＰＶＡコート
１４は数回の露光工程において剥げてしまってその効果
が消失していくことから、その都度、該フォトマスク１
１の前記全面にＰＶＡをコーティングし直す必要が生じ
るため、その分だけ余分な工程及び時間がかかり、露光
工程全般での作業効率が悪くなるといった問題があった
。
【０００７】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、密
着露光後のレジスト膜より、該レジスト膜を剥離させる
ことなく容易に引き離すことが可能な新規なフォトマス
クを提供することを目的とするものである。
着露光後のレジスト膜より、該レジスト膜を剥離させる
ことなく容易に引き離すことが可能な新規なフォトマス
クを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、マスク基板の一方の面に転写用マスクパ
ターンを構成するパターン被膜を設けてなるフォトマス
クであって、前記マスク基板のパターン被膜の配設面に
おける該パターン被膜を避けた領域上に、レジスト膜と
は密着性の低い高分子材料膜を形成してなる構成とする
。
達成するため、マスク基板の一方の面に転写用マスクパ
ターンを構成するパターン被膜を設けてなるフォトマス
クであって、前記マスク基板のパターン被膜の配設面に
おける該パターン被膜を避けた領域上に、レジスト膜と
は密着性の低い高分子材料膜を形成してなる構成とする
。
【０００９】また、前記密着性の低い高分子材料膜は、
レジスト膜を設けた基板との位置合わせ用マークの形状
に設け、該位置合わせ用マークと兼ねるように構成する
。
レジスト膜を設けた基板との位置合わせ用マークの形状
に設け、該位置合わせ用マークと兼ねるように構成する
。
【００１０】
【作用】本発明では、マスク基板上の転写用マスクパタ
ーンを構成するパターン被膜の配設面における該パター
ン被膜を避けた領域上に、レジスト膜とは密着性の低い
、例えばポリテトラフルオルエチレン（商品名：テフロ
ン）等からなる１０μｍ程度、或いはそれ以下の薄い膜
厚の高分子材料膜を設け、この高分子材料膜をレジスト
膜とのギャップ層とを兼ねた構成とする。
ーンを構成するパターン被膜の配設面における該パター
ン被膜を避けた領域上に、レジスト膜とは密着性の低い
、例えばポリテトラフルオルエチレン（商品名：テフロ
ン）等からなる１０μｍ程度、或いはそれ以下の薄い膜
厚の高分子材料膜を設け、この高分子材料膜をレジスト
膜とのギャップ層とを兼ねた構成とする。
【００１１】そしてかかるフォトマスクと対向するレジ
スト膜が塗着された基板とを位置合わせして密着した状
態で、該フォトマスクを介して前記レジスト膜を露光し
、その後、該レジスト膜上よりフォトマスクを引き離す
ことにより、該フォトマスクは密着性の低い高分子材料
膜を介してレジスト膜と密着され、しかも前記高分子材
料膜とレジスト膜との密着面積も減少しているため、該
レジスト膜を剥離させることなく容易に引き離すことが
可能となる。
スト膜が塗着された基板とを位置合わせして密着した状
態で、該フォトマスクを介して前記レジスト膜を露光し
、その後、該レジスト膜上よりフォトマスクを引き離す
ことにより、該フォトマスクは密着性の低い高分子材料
膜を介してレジスト膜と密着され、しかも前記高分子材
料膜とレジスト膜との密着面積も減少しているため、該
レジスト膜を剥離させることなく容易に引き離すことが
可能となる。
【００１２】また、前記密着性の低い高分子材料膜は、
例えばフォトマスクの四隅にレジスト膜を設けた基板と
の位置合わせ用マークの形状にパターニングして設け、
該位置合わせ用マークと兼ねた構成とすることもできる
。
例えばフォトマスクの四隅にレジスト膜を設けた基板と
の位置合わせ用マークの形状にパターニングして設け、
該位置合わせ用マークと兼ねた構成とすることもできる
。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１（ａ）， （ｂ）は本発明に係るフ
ォトマスクの一実施例を示す図であり、図（ａ）は平面
図、図（ｂ） は図（ａ） に示すＡ−Ａ’切断線に沿
った要部断面図である。
細に説明する。図１（ａ）， （ｂ）は本発明に係るフ
ォトマスクの一実施例を示す図であり、図（ａ）は平面
図、図（ｂ） は図（ａ） に示すＡ−Ａ’切断線に沿
った要部断面図である。
【００１４】これら両図において、１２は透明なガラス
からなるマスク基板であり、該マスク基板１２の一方の
面には、例えばＣｒ等からなる金属膜、またはその金属
酸化物膜を所定の転写用マスクパターンに形成したパタ
ーン被膜１３と、そのパターン被膜１３を避けた例えば
四隅の領域にレジスト膜とは密着性の低い、例えばポリ
テトラフルオルエチレン（商品名：テフロン）等を被着
しパターン形成した５〜１０μｍの膜厚の高分子材料膜
３２が設けられている。また、かかる高分子材料膜３２
は、その膜厚の均一化と所定膜厚に制御することにより
レジスト膜との間のギャップ層をも兼ねている。
からなるマスク基板であり、該マスク基板１２の一方の
面には、例えばＣｒ等からなる金属膜、またはその金属
酸化物膜を所定の転写用マスクパターンに形成したパタ
ーン被膜１３と、そのパターン被膜１３を避けた例えば
四隅の領域にレジスト膜とは密着性の低い、例えばポリ
テトラフルオルエチレン（商品名：テフロン）等を被着
しパターン形成した５〜１０μｍの膜厚の高分子材料膜
３２が設けられている。また、かかる高分子材料膜３２
は、その膜厚の均一化と所定膜厚に制御することにより
レジスト膜との間のギャップ層をも兼ねている。
【００１５】従って、図２に示すようにこのようなフォ
トマスク３１とレジスト膜２２が塗着された処理基板２
１とを対向させて位置合わせを行い、該フォトマスク３
１の高分子材料膜３２と処理基板２１のレジスト膜２２
とを密着させた状態で、該フォトマスク３１を介して前
記レジスト膜２２を露光した後、該レジスト膜２２上よ
りフォトマスク３１を引き離すことにより、該フォトマ
スク３１とレジスト膜２２とは密着性が低く、かつ減少
された接触面積の高分子材料膜を介して密着され、フォ
トマスク３１とレジスト膜２２とが直接的に接触するこ
とがないので、該レジスト膜２２を剥離させることなく
両者を容易に引き離すことが可能となる。
トマスク３１とレジスト膜２２が塗着された処理基板２
１とを対向させて位置合わせを行い、該フォトマスク３
１の高分子材料膜３２と処理基板２１のレジスト膜２２
とを密着させた状態で、該フォトマスク３１を介して前
記レジスト膜２２を露光した後、該レジスト膜２２上よ
りフォトマスク３１を引き離すことにより、該フォトマ
スク３１とレジスト膜２２とは密着性が低く、かつ減少
された接触面積の高分子材料膜を介して密着され、フォ
トマスク３１とレジスト膜２２とが直接的に接触するこ
とがないので、該レジスト膜２２を剥離させることなく
両者を容易に引き離すことが可能となる。
【００１６】更に、図３（ａ）， （ｂ）は本発明に係
るフォトマスクの他の実施例を示す図であり、図（ａ）
は平面図、図（ｂ） は図（ａ） に示すＡ−Ａ’切
断線に沿った要部断面図である。
るフォトマスクの他の実施例を示す図であり、図（ａ）
は平面図、図（ｂ） は図（ａ） に示すＡ−Ａ’切
断線に沿った要部断面図である。
【００１７】この図で示す実施例が図１（ａ）， （ｂ
）の例と異なる点は、マスク基板１２上の転写用マスク
パターンを構成するパターン被膜１３の配設面における
該パターン被膜１３を避けた領域、本実施例ではレジス
ト膜を設けた処理基板との位置合わせ用マークの配設位
置に、レジスト膜とは密着性の低い、例えばポリテトラ
フルオルエチレン（商品名：テフロン）等からなる５〜
１０μｍの膜厚の高分子材料膜を図示のような位置合わ
せ用マーク形状にパターン形成して、レジスト膜との密
着後の引き離しを容易とし、かつレジスト膜とのギャッ
プ層と位置合わせ用マークとを兼ねる高分子マーク４１
を設けたフォトマスクの構成としたことである。
）の例と異なる点は、マスク基板１２上の転写用マスク
パターンを構成するパターン被膜１３の配設面における
該パターン被膜１３を避けた領域、本実施例ではレジス
ト膜を設けた処理基板との位置合わせ用マークの配設位
置に、レジスト膜とは密着性の低い、例えばポリテトラ
フルオルエチレン（商品名：テフロン）等からなる５〜
１０μｍの膜厚の高分子材料膜を図示のような位置合わ
せ用マーク形状にパターン形成して、レジスト膜との密
着後の引き離しを容易とし、かつレジスト膜とのギャッ
プ層と位置合わせ用マークとを兼ねる高分子マーク４１
を設けたフォトマスクの構成としたことである。
【００１８】このような実施例の構成によっても前記図
１（ａ）， （ｂ）及び図２による実施例と同様な効果
が得られる。なお、前記実施例におけるレジスト膜に対
する密着性の低い高分子材料膜としてはポリテトラフル
オルエチレン（商品名：テフロン）膜の他に、例えばポ
リエチレン膜やポリエステル膜等も適用可能であり、同
様な効果が得られる。
１（ａ）， （ｂ）及び図２による実施例と同様な効果
が得られる。なお、前記実施例におけるレジスト膜に対
する密着性の低い高分子材料膜としてはポリテトラフル
オルエチレン（商品名：テフロン）膜の他に、例えばポ
リエチレン膜やポリエステル膜等も適用可能であり、同
様な効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るフォトマスクによれば、密着露光後のレジスト膜
との引き離しが、該レジスト膜を剥離させることなく極
めて容易に実現できるので、露光工程での歩留り向上と
、作業効率が向上するなど実用上の効果は大きい。
に係るフォトマスクによれば、密着露光後のレジスト膜
との引き離しが、該レジスト膜を剥離させることなく極
めて容易に実現できるので、露光工程での歩留り向上と
、作業効率が向上するなど実用上の効果は大きい。
【図１】 本発明に係るフォトマスクの一実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】 本発明に係るフォトマスクを用いた露光工
程を説明するための要部断面図である。
程を説明するための要部断面図である。
【図３】 本発明に係るフォトマスクの他の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図４】 従来のフォトマスクと露光工程を説明する
ための要部断面図である。
ための要部断面図である。
１２ マスク基板
１３ パターン被膜
２１ 処理基板
２２ レジスト膜
３１ フォトマスク
３２ 高分子材料膜
４１ 高分子マーク
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク基板（１２）の一方の面に転写
用マスクパターンを構成するパターン被膜（１３）を設
けてなるフォトマスクであって、前記マスク基板（１２
）のパターン被膜（１３）の配設面における該パターン
被膜（１３）を避けた領域上に、レジスト膜と密着性の
低い高分子材料膜（３２）が形成されてなることを特徴
とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記密着性の低い高分子材料膜（４１
）は、レジスト膜を設けた基板との位置合わせ用マーク
の形状に設け、該位置合わせ用マークと兼ねることを特
徴とする請求項１のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123527A JPH04349461A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123527A JPH04349461A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349461A true JPH04349461A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14862822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3123527A Withdrawn JPH04349461A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230187A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Motorola Inc | 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP3123527A patent/JPH04349461A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230187A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Motorola Inc | 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |