JPH04349686A - チップキャリア - Google Patents
チップキャリアInfo
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- JPH04349686A JPH04349686A JP12333091A JP12333091A JPH04349686A JP H04349686 A JPH04349686 A JP H04349686A JP 12333091 A JP12333091 A JP 12333091A JP 12333091 A JP12333091 A JP 12333091A JP H04349686 A JPH04349686 A JP H04349686A
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- Japan
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- chip carrier
- flexible substrate
- optical semiconductor
- integrated circuit
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子を実装す
るチップキャリアに関する。
るチップキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信や光情報処理における伝送
速度，処理速度の高速化にともない、光半導体素子の高
速応答特性が重要になってきた。高速応答特性を実現す
るためには素子自体の高速性とともに、高速応答に適し
た素子の実装が必要である。
速度，処理速度の高速化にともない、光半導体素子の高
速応答特性が重要になってきた。高速応答特性を実現す
るためには素子自体の高速性とともに、高速応答に適し
た素子の実装が必要である。
【０００３】半導体素子実装用のチップキャリアは、光
半導体素子を搭載するエリアと、光半導体素子の電極と
ワイヤーボンディング等によって接続される電極パッド
とが設けられた最も単純な形態のパッケージである。チ
ップキャリアに実装された光半導体素子は、他の光半導
体素子や集積回路素子と組合せが容易で、光ファイバ等
との光学結合系の設計に自由度が大きいため、様々な用
途に使用されている。
半導体素子を搭載するエリアと、光半導体素子の電極と
ワイヤーボンディング等によって接続される電極パッド
とが設けられた最も単純な形態のパッケージである。チ
ップキャリアに実装された光半導体素子は、他の光半導
体素子や集積回路素子と組合せが容易で、光ファイバ等
との光学結合系の設計に自由度が大きいため、様々な用
途に使用されている。
【０００４】図７に従来用いられてきたチップキャリア
の例を光半導体素子としてレーザダイオードチップを実
装した場合について示す。
の例を光半導体素子としてレーザダイオードチップを実
装した場合について示す。
【０００５】図７において、レーザダイオード１は、金
属製の基台２上に固定したヒートシンク３上に半田によ
って固定される。ヒートシンク３はレーザダイオード１
の発熱を効率よく基台２に放熱すると同時に、レーザダ
イオード１と基台２の熱膨脹の差を吸収する緩衡部材で
ある。レーザダイオード１の電極は金属ワイヤ４により
アノード側は基台２に直接、カソード側はヒートシンク
３上から電極パッド５に接続される。電極パッド５はセ
ラミックで作製され、基台２とは電気的に絶縁されてい
る。電極パッド５上には外部回路と接続するための金属
製のリード６が設けられている。
属製の基台２上に固定したヒートシンク３上に半田によ
って固定される。ヒートシンク３はレーザダイオード１
の発熱を効率よく基台２に放熱すると同時に、レーザダ
イオード１と基台２の熱膨脹の差を吸収する緩衡部材で
ある。レーザダイオード１の電極は金属ワイヤ４により
アノード側は基台２に直接、カソード側はヒートシンク
３上から電極パッド５に接続される。電極パッド５はセ
ラミックで作製され、基台２とは電気的に絶縁されてい
る。電極パッド５上には外部回路と接続するための金属
製のリード６が設けられている。
【０００６】このようなチップキャリアを使用すれば、
リード６と基台２とを電極として外部の駆動回路と接続
すればレーザダイオード１を変調することが可能である
。しかしながら、変調速度が数百ＭＨｚ以上と高速であ
る場合には、レーザダイオード１がいかに高速応答特性
に優れていても実装による寄生インピーダンスの影響に
より高速変調が困難になる。図７に示すチップキャリア
を用いてレーザダイオード１を変調した場合の等価回路
を図８に示す。図８中のＬＬ ，ＣＣ はそれぞれリー
ド６の寄生インダクタンス，電極パッド５の寄生キャパ
シタンスである。これらの寄生インダクタンスやキャパ
シタンスはチップキャリアの構造上、無視しうる程小さ
くするには物理的に困難であり、数百ＭＨｚ以上の高速
の変調信号を伝送した場合は、波形劣化が生じてしまう
ことから、変調可能な速度には限界があった。
リード６と基台２とを電極として外部の駆動回路と接続
すればレーザダイオード１を変調することが可能である
。しかしながら、変調速度が数百ＭＨｚ以上と高速であ
る場合には、レーザダイオード１がいかに高速応答特性
に優れていても実装による寄生インピーダンスの影響に
より高速変調が困難になる。図７に示すチップキャリア
を用いてレーザダイオード１を変調した場合の等価回路
を図８に示す。図８中のＬＬ ，ＣＣ はそれぞれリー
ド６の寄生インダクタンス，電極パッド５の寄生キャパ
シタンスである。これらの寄生インダクタンスやキャパ
シタンスはチップキャリアの構造上、無視しうる程小さ
くするには物理的に困難であり、数百ＭＨｚ以上の高速
の変調信号を伝送した場合は、波形劣化が生じてしまう
ことから、変調可能な速度には限界があった。
【０００７】また、ＩＣ化した駆動回路を同一チップキ
ャリア上に実装するような場合には、電極パッド５上に
必要な本数のリードを設ける必要がある。これらのリー
ドは機械的に電極パッド上に固定されるため、加工上の
問題で小型化するには限界があり高密度実装が困難であ
った。
ャリア上に実装するような場合には、電極パッド５上に
必要な本数のリードを設ける必要がある。これらのリー
ドは機械的に電極パッド上に固定されるため、加工上の
問題で小型化するには限界があり高密度実装が困難であ
った。
【０００８】また、レーザダイオード１は熱電気冷却素
子を用いて温度制御して使用する場合がある。図９に従
来のチップキャリアを使用した熱電気冷却素子内蔵型レ
ーザダイオードモジュールの断面図を示す。基台２はネ
ジ等によって第２の基台８上に固定され、熱電気冷却素
子９上に搭載される。光ファイバ１０はレーザダイオー
ド１と光軸調整され、心線部分が半田により第２の基台
８上に固定される。さらに、１１はパッケージであり、
チップキャリア，熱電気冷却素子９を収容すると共に、
十分な機械的強度で光ファイバ１０及びチップキャリア
のリード６に接続する信号入力端子１２が固定されてい
る。このような構成では、熱電気冷却素子９によってチ
ップキャリア部分が例えば摂氏２５度になるように温度
制御されていても、パッケージ１１外部の環境温度が例
えば８０度と高い場合には、外部の熱がチップキャリア
のリード６を通じて流れ込むために、熱電気冷却素子９
を大きな電力で駆動して冷却しなければならず、温度差
が大きい場合には十分な冷却能力が得られないという欠
点が生じていた。また、パッケージの熱膨脹による熱応
力がリード６を通じてチップキャリアに加わるため、レ
ーザダイオード１の光軸ずれを生じ光ファイバ１０から
の光出力が変動してしまうという欠点があった。
子を用いて温度制御して使用する場合がある。図９に従
来のチップキャリアを使用した熱電気冷却素子内蔵型レ
ーザダイオードモジュールの断面図を示す。基台２はネ
ジ等によって第２の基台８上に固定され、熱電気冷却素
子９上に搭載される。光ファイバ１０はレーザダイオー
ド１と光軸調整され、心線部分が半田により第２の基台
８上に固定される。さらに、１１はパッケージであり、
チップキャリア，熱電気冷却素子９を収容すると共に、
十分な機械的強度で光ファイバ１０及びチップキャリア
のリード６に接続する信号入力端子１２が固定されてい
る。このような構成では、熱電気冷却素子９によってチ
ップキャリア部分が例えば摂氏２５度になるように温度
制御されていても、パッケージ１１外部の環境温度が例
えば８０度と高い場合には、外部の熱がチップキャリア
のリード６を通じて流れ込むために、熱電気冷却素子９
を大きな電力で駆動して冷却しなければならず、温度差
が大きい場合には十分な冷却能力が得られないという欠
点が生じていた。また、パッケージの熱膨脹による熱応
力がリード６を通じてチップキャリアに加わるため、レ
ーザダイオード１の光軸ずれを生じ光ファイバ１０から
の光出力が変動してしまうという欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のチップキャリアでは、リードや絶縁用部材による寄
生インピーダンスにより、十分な高速応答特性や高密度
実装の実現が困難であった。また、チップキャリアを熱
電気冷却素子上に実装した場合、外部の温度が高いと十
分な冷却能力が得られず，レーザダイオードの光軸ずれ
という問題も生じていた。
来のチップキャリアでは、リードや絶縁用部材による寄
生インピーダンスにより、十分な高速応答特性や高密度
実装の実現が困難であった。また、チップキャリアを熱
電気冷却素子上に実装した場合、外部の温度が高いと十
分な冷却能力が得られず，レーザダイオードの光軸ずれ
という問題も生じていた。
【００１０】本発明は上記の課題を解決すべくなされた
もので、寄生インピーダンスによって高速応答特性を劣
化させることがなく、高密度実装可能で、熱電気冷却素
子上に実装した場合には十分な冷却能力が得られ、光半
導体素子の光軸ずれを生じないチップキャリアを提供す
ることを目的とする。 ［発明の構成］
もので、寄生インピーダンスによって高速応答特性を劣
化させることがなく、高密度実装可能で、熱電気冷却素
子上に実装した場合には十分な冷却能力が得られ、光半
導体素子の光軸ずれを生じないチップキャリアを提供す
ることを目的とする。 ［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに本発明のチップキャリアは、光半導体素子，あるい
は光半導体素子に加えて集積回路素子を載置する基台と
、前記基台上に載置されるフレキシブル配線基板と、前
記光半導体素子あるいは集積回路素子と前記フレキシブ
ル配線基板とを電気的に接続する接続手段とを具備した
ことを特徴とし、前記フレキシブル基板は金属導体層と
ポリイミド絶縁層よりなり、インピーダンス整合された
伝送線路が形成されていることを特徴する。
めに本発明のチップキャリアは、光半導体素子，あるい
は光半導体素子に加えて集積回路素子を載置する基台と
、前記基台上に載置されるフレキシブル配線基板と、前
記光半導体素子あるいは集積回路素子と前記フレキシブ
ル配線基板とを電気的に接続する接続手段とを具備した
ことを特徴とし、前記フレキシブル基板は金属導体層と
ポリイミド絶縁層よりなり、インピーダンス整合された
伝送線路が形成されていることを特徴する。
【００１２】
【作用】上記構成のチップキャリアでは、光半導体素子
が搭載される基台上にフレキシブル基板を設け、このフ
レキシブル基板には、伝送線路が形成されており、外部
回路と接続した際にインピーダンス整合が容易にでき、
寄生インピーダンスによる影響を受けることはないので
、高周波信号の波形劣化が生じなくなる。また、フレキ
シブル基板の線路の配線パターンは微細加工が可能であ
ることから、複数の配線が必要な場合でも実装面積は小
さくなる。
が搭載される基台上にフレキシブル基板を設け、このフ
レキシブル基板には、伝送線路が形成されており、外部
回路と接続した際にインピーダンス整合が容易にでき、
寄生インピーダンスによる影響を受けることはないので
、高周波信号の波形劣化が生じなくなる。また、フレキ
シブル基板の線路の配線パターンは微細加工が可能であ
ることから、複数の配線が必要な場合でも実装面積は小
さくなる。
【００１３】また、フレキシブル基板には高い熱抵抗が
あるので、外部から前記光半導体素子に伝わる熱を低減
させることができる。さらにフレキシブル基板のもつ柔
軟性により外部から加わる応力を吸収できる。
あるので、外部から前記光半導体素子に伝わる熱を低減
させることができる。さらにフレキシブル基板のもつ柔
軟性により外部から加わる応力を吸収できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１５】図１は、本発明の光半導体素子用チップキ
ャリアの実施例を示した図である。図１に示すチップキ
ャリアは、外部回路（図示せず）とレーザダイオード１
との接続にフレキシブル基板１５を用いている。このフ
レキシブル基板１５上には伝送線路としてマイクロスト
リップライン１４が形成され、金属製の基台２に固定さ
れている。フレキシブル基板１５は、例えば図２に示す
ようにポリイミドを用いた絶縁層Ａと銅を用いた導体層
Ｂ，Ｃにより形成され、絶縁層Ａ上部の導体層Ｂのライ
ンパターンはエッチングにより微細加工されたものであ
る。
ャリアの実施例を示した図である。図１に示すチップキ
ャリアは、外部回路（図示せず）とレーザダイオード１
との接続にフレキシブル基板１５を用いている。このフ
レキシブル基板１５上には伝送線路としてマイクロスト
リップライン１４が形成され、金属製の基台２に固定さ
れている。フレキシブル基板１５は、例えば図２に示す
ようにポリイミドを用いた絶縁層Ａと銅を用いた導体層
Ｂ，Ｃにより形成され、絶縁層Ａ上部の導体層Ｂのライ
ンパターンはエッチングにより微細加工されたものであ
る。
【００１６】図１に戻り、１３は回路を終端するインピ
ーダンス整合抵抗ある。基台２上にヒートシンク３を介
して固定されたレーザダイオード１の電極は、一方がマ
イクロストリップライン１４へもう一方はインピーダン
ス整合抵抗１３に金属ワイヤ４で接続されている。この
金属ワイヤ４は例えばワイヤーボンディング法でボンデ
ィングされ、１０〜１００μｍ程度の直径である。
ーダンス整合抵抗ある。基台２上にヒートシンク３を介
して固定されたレーザダイオード１の電極は、一方がマ
イクロストリップライン１４へもう一方はインピーダン
ス整合抵抗１３に金属ワイヤ４で接続されている。この
金属ワイヤ４は例えばワイヤーボンディング法でボンデ
ィングされ、１０〜１００μｍ程度の直径である。
【００１７】上記構成のチップキャリアを用いて、レー
ザダイオード１を変調した時の等価回路を図３に示す。 図３の回路で、レーザダイオード（ＬＤ）を駆動回路か
ら出力される数１００ＭＨｚの高周波信号で変調する際
は、前記したマイクロストリップライン１４の特性イン
ピーダンスと前記インピーダンス整合抵抗を所定の値（
例えば５０Ω）に設定しておけば、高周波信号を波形劣
化を生じることなくレーザダイオードに印加させること
ができる。マイクロストリップライン１４のインピーダ
ンス設定は、図２に示すフレキシブル基板１５の絶縁層
Ａの厚さｈ，ラインパターンの幅ｗ，厚さｔ，絶縁体の
比誘導率，金属の種類等を変えることによって容易に行
える。従って、従来生じていた寄生インピーダンスによ
る波形劣化は起きず、高速応答に優れたチップキャリア
が実現できる。
ザダイオード１を変調した時の等価回路を図３に示す。 図３の回路で、レーザダイオード（ＬＤ）を駆動回路か
ら出力される数１００ＭＨｚの高周波信号で変調する際
は、前記したマイクロストリップライン１４の特性イン
ピーダンスと前記インピーダンス整合抵抗を所定の値（
例えば５０Ω）に設定しておけば、高周波信号を波形劣
化を生じることなくレーザダイオードに印加させること
ができる。マイクロストリップライン１４のインピーダ
ンス設定は、図２に示すフレキシブル基板１５の絶縁層
Ａの厚さｈ，ラインパターンの幅ｗ，厚さｔ，絶縁体の
比誘導率，金属の種類等を変えることによって容易に行
える。従って、従来生じていた寄生インピーダンスによ
る波形劣化は起きず、高速応答に優れたチップキャリア
が実現できる。
【００１８】ところで前記フレキシブル基板は、特性イ
ンピーダンスの値にもよるが、熱伝導率の高い導体層は
数十ミクロンの薄さにでき、絶縁層は導体層と比べて３
桁程度熱伝導率が小さい。上記したチップキャリアを熱
電気冷却素子上に実装して、図９に示したパッケージ１
１に収容した場合、パッケージと光半導体素子間は高い
熱抵抗で接続することができる。即ち、熱電気冷却素子
によって温度制御されたチップキャリアの温度に対し、
パッケージの周囲の環境温度が高い場合でも、フレキシ
ブル基板の熱抵抗は高いことから、パッケージからの熱
の流れを十分に小さくできる。これにより、熱電気冷却
素子を必要以上に大きな電力で駆動せずに十分な冷却能
力を得ることができる。
ンピーダンスの値にもよるが、熱伝導率の高い導体層は
数十ミクロンの薄さにでき、絶縁層は導体層と比べて３
桁程度熱伝導率が小さい。上記したチップキャリアを熱
電気冷却素子上に実装して、図９に示したパッケージ１
１に収容した場合、パッケージと光半導体素子間は高い
熱抵抗で接続することができる。即ち、熱電気冷却素子
によって温度制御されたチップキャリアの温度に対し、
パッケージの周囲の環境温度が高い場合でも、フレキシ
ブル基板の熱抵抗は高いことから、パッケージからの熱
の流れを十分に小さくできる。これにより、熱電気冷却
素子を必要以上に大きな電力で駆動せずに十分な冷却能
力を得ることができる。
【００１９】さらに、前記フレキシブル基板１５は、そ
の柔軟性から図９のパッケージ１１の熱膨脹によって生
じる応力を吸収できる。パッケージ１１周囲の環境温度
が高くなると、パッケージ１１は例えば上下左右に拡が
るように熱膨脹を起こす。これに伴ない、パッケージ１
１と接続されているフレキシブル基板には引っ張りなど
の応力が発生するが、フレキシブル基板には柔軟性があ
ることから、この応力を見込んでフレキシブル基板をあ
らかじめ僅かにたるませておくことによって、応力が発
生した場合でもこれを吸収することができる。これによ
り、応力発生によるレーザダイオード１の光軸ずれは生
じることがなく、安定した光ファイバの出力を得ること
ができる。
の柔軟性から図９のパッケージ１１の熱膨脹によって生
じる応力を吸収できる。パッケージ１１周囲の環境温度
が高くなると、パッケージ１１は例えば上下左右に拡が
るように熱膨脹を起こす。これに伴ない、パッケージ１
１と接続されているフレキシブル基板には引っ張りなど
の応力が発生するが、フレキシブル基板には柔軟性があ
ることから、この応力を見込んでフレキシブル基板をあ
らかじめ僅かにたるませておくことによって、応力が発
生した場合でもこれを吸収することができる。これによ
り、応力発生によるレーザダイオード１の光軸ずれは生
じることがなく、安定した光ファイバの出力を得ること
ができる。
【００２０】次に第２の実施例を図４を参照して説明す
る。本実施例では第１の実施例と異なり、２本のマイク
ロストリップライン１４にレーザダイオード１の各電極
を金属ワイヤ４で接続した構成となっている。この様な
構成によればインピーダンス整合用抵抗（図示せず）に
よる回路の終端をチップキャリア上ではなく、チップキ
ャリアを収容するパッケージで行えるため、抵抗の発熱
がレーザダイオード１へ伝わることによって生じる悪影
響を防止することができる。
る。本実施例では第１の実施例と異なり、２本のマイク
ロストリップライン１４にレーザダイオード１の各電極
を金属ワイヤ４で接続した構成となっている。この様な
構成によればインピーダンス整合用抵抗（図示せず）に
よる回路の終端をチップキャリア上ではなく、チップキ
ャリアを収容するパッケージで行えるため、抵抗の発熱
がレーザダイオード１へ伝わることによって生じる悪影
響を防止することができる。
【００２１】次に第３の実施例を図５を参照して説明す
る。図５は光半導体素子に加えて、これを駆動する集積
回路素子であるレーザダイオード駆動回路１６もチップ
キャリア上に実装した例である。信号源（図示せず）と
集積回路素子１６とはインピーダンス整合されたマイク
ロストリップライン１４で接続されているため、信号源
から出力される高周波信号は波形劣化することなく集積
回路素子に入力される。集積回路素子を使用するには信
号ラインの他に電源ライン，バイアス調整用ライン等の
複数のライン１７を必要とする。フレキシブル基板１５
の配線パターンはエッチング等により形成されるのでラ
イン幅，ライン間隔とも１００μｍ程度の加工が可能で
、複数の配線が必要な場合でも実装に必要な面積は小さ
くすることができ、従来，実現困難だった高密度実装が
可能になる。
る。図５は光半導体素子に加えて、これを駆動する集積
回路素子であるレーザダイオード駆動回路１６もチップ
キャリア上に実装した例である。信号源（図示せず）と
集積回路素子１６とはインピーダンス整合されたマイク
ロストリップライン１４で接続されているため、信号源
から出力される高周波信号は波形劣化することなく集積
回路素子に入力される。集積回路素子を使用するには信
号ラインの他に電源ライン，バイアス調整用ライン等の
複数のライン１７を必要とする。フレキシブル基板１５
の配線パターンはエッチング等により形成されるのでラ
イン幅，ライン間隔とも１００μｍ程度の加工が可能で
、複数の配線が必要な場合でも実装に必要な面積は小さ
くすることができ、従来，実現困難だった高密度実装が
可能になる。
【００２２】次に第４の実施例について説明する。図６
は光半導体素子として裏面入射型フォトダイオード１８
，集積回路素子として例えば電流／電圧変換可能な増幅
回路素子１９を用いた第４の実施例を説明する図である
。この例では、フォトダイオード１８と集積回路素子で
ある増幅回路素子１９とは、フレキシブル基板１５に対
してバンプ２０を用いたフリップチップ実装法によって
電気的に接続されている。バンプ２０は半田や金，合金
等が適用可能である。このような構成によれば集積回路
素子からの高周波出力信号は、次段の電子回路（図示せ
ず）とインピーダンス整合されたマイクロストリップラ
イン１４で接続されているため波形劣化を生じることな
く接続することができる。また、高密度実装が可能であ
ることも第３の実施例と同様である。
は光半導体素子として裏面入射型フォトダイオード１８
，集積回路素子として例えば電流／電圧変換可能な増幅
回路素子１９を用いた第４の実施例を説明する図である
。この例では、フォトダイオード１８と集積回路素子で
ある増幅回路素子１９とは、フレキシブル基板１５に対
してバンプ２０を用いたフリップチップ実装法によって
電気的に接続されている。バンプ２０は半田や金，合金
等が適用可能である。このような構成によれば集積回路
素子からの高周波出力信号は、次段の電子回路（図示せ
ず）とインピーダンス整合されたマイクロストリップラ
イン１４で接続されているため波形劣化を生じることな
く接続することができる。また、高密度実装が可能であ
ることも第３の実施例と同様である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のチップキャ
リアによれば、高速応答性に優れ、高速変調信号の波形
劣化を防止し得、高密度実装可能で、熱電子冷却素子上
に実装した場合には十分な冷却能力が得られ、光半導体
素子の光軸ずれを防止することができる。
リアによれば、高速応答性に優れ、高速変調信号の波形
劣化を防止し得、高密度実装可能で、熱電子冷却素子上
に実装した場合には十分な冷却能力が得られ、光半導体
素子の光軸ずれを防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】本発明に用いられるフレキシブル基板を示す図
。
。
【図３】レーザダイオード変調時における等価回路を示
す図。
す図。
【図４】本発明の第２の実施例を示す図。
【図５】本発明の第３の実施例を示す図。
【図６】本発明の第４の実施例を示す図。
【図７】従来のチップキャリアを示す図。
【図８】従来のチップキャリアを用いてレーザダイオー
ドを変調した場合の等価回路を示す図。
ドを変調した場合の等価回路を示す図。
【図９】従来のチップキャリアを用いたレーザダイオー
ドモジュールを示す図。
ドモジュールを示す図。
Claims (9)
- 【請求項１】 光半導体素子を載置する基台と、前記
基台上に載置されるフレキシブル基板と、前記光半導体
素子と前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続
手段とを具備したことを特徴とするチップキャリア。 - 【請求項２】 前記接続手段は、金属ワイヤであるこ
とを特徴とする請求項１記載のチップキャリア。 - 【請求項３】 前記接続手段は、バンプであることを
特徴とする請求項１記載のチップキャリア。 - 【請求項４】 光半導体素子および集積回路素子を載
置する基台と、前記基台上に載置され複数の線路が形成
されたフレキシブル基板とを具備し、前記光半導体素子
と前記集積回路素子ならびに前記集積回路素子と前記フ
レキシブル基板は接続手段によって電気的に接続されて
いることを特徴とするチップキャリア。 - 【請求項５】 前記フレキシブル基板は金属導体層と
ポリイミド絶縁層よりなり、インピーダンス整合された
伝送線路が形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項４記載のチップキャリア。 - 【請求項６】 前記光半導体素子と前記集積回路素子
とを接続する接続手段は金属ワイヤであることを特徴と
する請求項４記載のチップキャリア。 - 【請求項７】 前記光半導体素子と前記集積回路素子
とを接続する接続手段はバンプであることを特徴とする
請求項４記載のチップキャリア。 - 【請求項８】 前記集積回路素子と前記フレキシブル
基板とを接続する接続手段は金属ワイヤであることを特
徴とする請求項４記載のチップキャリア。 - 【請求項９】 前記集積回路素子と前記フレキシブル
基板とを接続する接続手段はバンプであることを特徴と
する請求項４記載のチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333091A JPH04349686A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333091A JPH04349686A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | チップキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349686A true JPH04349686A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14857892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12333091A Pending JPH04349686A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | チップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349686A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1301061A3 (en) * | 2001-09-28 | 2003-11-12 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Flexible electrical interconnect for optical fibre transceivers |
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2006013202A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| JP2006237436A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Opnext Japan Inc | 発光素子モジュール |
| JP2008210962A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | フレキシブル基板、光学部品、光送信器および光受信器 |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP12333091A patent/JPH04349686A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1301061A3 (en) * | 2001-09-28 | 2003-11-12 | Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - | Flexible electrical interconnect for optical fibre transceivers |
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2006013202A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
| JP2006237436A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Opnext Japan Inc | 発光素子モジュール |
| JP2008210962A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | フレキシブル基板、光学部品、光送信器および光受信器 |
| US8283565B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-10-09 | Fujitsu Limited | Flexible substrate |
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