JPH04350169A - 成膜処理装置 - Google Patents
成膜処理装置Info
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- JPH04350169A JPH04350169A JP3149221A JP14922191A JPH04350169A JP H04350169 A JPH04350169 A JP H04350169A JP 3149221 A JP3149221 A JP 3149221A JP 14922191 A JP14922191 A JP 14922191A JP H04350169 A JPH04350169 A JP H04350169A
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- JP
- Japan
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- gas
- nozzle
- heat
- processing chamber
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は成膜処理装置に関する
もので、更に詳細には、加熱保持された被処理体の表面
に反応性ガスを供給し、被処理体表面での化学反応によ
り被処理体表面に薄膜を形成する成膜処理装置に関する
ものである。
もので、更に詳細には、加熱保持された被処理体の表面
に反応性ガスを供給し、被処理体表面での化学反応によ
り被処理体表面に薄膜を形成する成膜処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ（以下にウエハと
いう）の表面に電極材料や導電材料の薄膜を堆積する成
膜技術として、薄膜を構成する元素からなる一種又はそ
れ以上の化合物気体（反応性ガス）をウエハ表面に供給
し、ウエハ表面上で化学反応させて所望の薄膜を形成す
る成膜処理装置（ＣＶＤ）が知られている。
いう）の表面に電極材料や導電材料の薄膜を堆積する成
膜技術として、薄膜を構成する元素からなる一種又はそ
れ以上の化合物気体（反応性ガス）をウエハ表面に供給
し、ウエハ表面上で化学反応させて所望の薄膜を形成す
る成膜処理装置（ＣＶＤ）が知られている。
【０００３】この成膜処理装置は、例えば真空雰囲気の
処理室内にウエハを搬入し、所定温度（約６００℃〜７
００℃）まで加熱保持した状態で、ウエハの保持部と対
向する部位から六ふっ化タングステン（ＷＦ６ ）とジ
クロルシラン（ＳｉＨ２ Ｃｌ２）等の反応性ガスを所
定の割合に混合して処理室内のウエハ表面に供給し、ウ
エハ表面での化学反応によって所望の薄膜を形成するも
のである。この場合、ウエハは各カセット内に収容され
た複数枚（例えば２５枚）を１単位として１単位ごとに
連続的に薄膜処理されている。
処理室内にウエハを搬入し、所定温度（約６００℃〜７
００℃）まで加熱保持した状態で、ウエハの保持部と対
向する部位から六ふっ化タングステン（ＷＦ６ ）とジ
クロルシラン（ＳｉＨ２ Ｃｌ２）等の反応性ガスを所
定の割合に混合して処理室内のウエハ表面に供給し、ウ
エハ表面での化学反応によって所望の薄膜を形成するも
のである。この場合、ウエハは各カセット内に収容され
た複数枚（例えば２５枚）を１単位として１単位ごとに
連続的に薄膜処理されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の薄膜処理装置においては、ウエハの保持部の加
熱源からの輻射熱が反応性ガスの供給ノズルに伝達され
るため、供給ノズルの表面に反応性ガスの生成物等の膜
が付着することがあり、この膜によって反応性ガスの供
給が不均一となって各ウエハの膜厚が不均一となるとい
う問題があった。また、供給ノズルに付着した膜が熱に
よって剥離して微細粒子となって被処理体に付着するこ
ともあり、製品歩留りの低下をきたすばかりか成膜処理
の信頼性に欠けるという問題があった。この問題を解決
する手段として、供給ノズルを被処理体保持部から離れ
た位置に配設して供給ノズルに直接被処理体保持部側か
らの輻射熱が伝達されないようにすることも考えられる
が、このような構造とすると、供給ノズルから供給され
る反応性ガスを効率よく被処理体に供給することができ
ないという問題がある。
この種の薄膜処理装置においては、ウエハの保持部の加
熱源からの輻射熱が反応性ガスの供給ノズルに伝達され
るため、供給ノズルの表面に反応性ガスの生成物等の膜
が付着することがあり、この膜によって反応性ガスの供
給が不均一となって各ウエハの膜厚が不均一となるとい
う問題があった。また、供給ノズルに付着した膜が熱に
よって剥離して微細粒子となって被処理体に付着するこ
ともあり、製品歩留りの低下をきたすばかりか成膜処理
の信頼性に欠けるという問題があった。この問題を解決
する手段として、供給ノズルを被処理体保持部から離れ
た位置に配設して供給ノズルに直接被処理体保持部側か
らの輻射熱が伝達されないようにすることも考えられる
が、このような構造とすると、供給ノズルから供給され
る反応性ガスを効率よく被処理体に供給することができ
ないという問題がある。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
、反応性ガスの供給ノズルの熱による悪影響を防止する
ことにより、全てのウエハを均一に薄膜処理し、成膜処
理の信頼性及び製品歩留りの向上を図れるようにした成
膜処理装置を提供することを目的とするものである。
、反応性ガスの供給ノズルの熱による悪影響を防止する
ことにより、全てのウエハを均一に薄膜処理し、成膜処
理の信頼性及び製品歩留りの向上を図れるようにした成
膜処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の成膜処理装置は、処理室内において被処
理体を所定温度まで加熱した状態で保持する被処理体保
持部と、上記処理室内に反応性ガスを供給する供給ノズ
ルとを具備する成膜処理装置を前提とし、上記被処理体
保持部と供給ノズルとの間のガス流通部に、被処理体保
持部側の熱が直接供給ノズルに照射されるのを阻止する
熱遮断部を設けてなるものである。
に、この発明の成膜処理装置は、処理室内において被処
理体を所定温度まで加熱した状態で保持する被処理体保
持部と、上記処理室内に反応性ガスを供給する供給ノズ
ルとを具備する成膜処理装置を前提とし、上記被処理体
保持部と供給ノズルとの間のガス流通部に、被処理体保
持部側の熱が直接供給ノズルに照射されるのを阻止する
熱遮断部を設けてなるものである。
【０００７】この発明において、ガス流通部中に少なく
とも熱遮断部が設けられていれば、ガス流通部における
被処理体保持部と対向する面は熱を反射するものであっ
てもよいが、好ましくはガス流通部における少なくとも
被処理体保持部と対向する面に熱吸収のための黒色を施
してなる方がよい。この場合、黒色はガス流通部の面に
耐熱性を有するカーボン等の顔料を着色してもよく、あ
るいは例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のような高温の靭
性が高い材質にてガス流通部を形成してもよい。
とも熱遮断部が設けられていれば、ガス流通部における
被処理体保持部と対向する面は熱を反射するものであっ
てもよいが、好ましくはガス流通部における少なくとも
被処理体保持部と対向する面に熱吸収のための黒色を施
してなる方がよい。この場合、黒色はガス流通部の面に
耐熱性を有するカーボン等の顔料を着色してもよく、あ
るいは例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のような高温の靭
性が高い材質にてガス流通部を形成してもよい。
【０００８】
【作用】上記のように構成されるこの発明の成膜処理装
置によれば、被処理体保持部と供給ノズルとの間のガス
流通部に、被処理体保持部側の熱が直接供給ノズルに照
射されるのを阻止する熱遮断部を設けることにより、被
処理体の加熱源からの輻射熱に対して供給ノズルが加熱
されるのを防止することができると共に、供給ノズル表
面に反応性ガスの生成物等による膜の付着を防止するこ
とができるので、反応性ガスを適正な混合割合で供給す
ることができ、膜厚の均一な薄膜処理を行うことができ
る。
置によれば、被処理体保持部と供給ノズルとの間のガス
流通部に、被処理体保持部側の熱が直接供給ノズルに照
射されるのを阻止する熱遮断部を設けることにより、被
処理体の加熱源からの輻射熱に対して供給ノズルが加熱
されるのを防止することができると共に、供給ノズル表
面に反応性ガスの生成物等による膜の付着を防止するこ
とができるので、反応性ガスを適正な混合割合で供給す
ることができ、膜厚の均一な薄膜処理を行うことができ
る。
【０００９】また、ガス流通部における少なくとも被処
理体保持部と対向する面に熱吸収のための黒色を施すこ
とにより、被処理体保持部側からの輻射熱を効率よく吸
収することができるので、供給ノズルの加熱による悪影
響を一層防止することができる。
理体保持部と対向する面に熱吸収のための黒色を施すこ
とにより、被処理体保持部側からの輻射熱を効率よく吸
収することができるので、供給ノズルの加熱による悪影
響を一層防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１はこの発明の成膜処理装置の要部の概
略断面図、図２はこの発明におけるガス流通部の概略断
面斜視図が示されている。
略断面図、図２はこの発明におけるガス流通部の概略断
面斜視図が示されている。
【００１２】この発明の成膜処理装置は、被処理体であ
る半導体ウエハ１（以下にウエハという）を図示しない
フィンガーで保持するチャックプレート２を天井部に配
設する真空処理室３と、この真空処理室３の下部に連通
する反応性ガスの混合室４とで構成されており、混合室
４に反応性ガス（例えばＷＦ６ ，ＳｉＨ２ Ｃｌ２
）を供給する環状のガスノズル５が配設され、また、真
空処理室３の天井部には同心円周上の４箇所に排気口６
が設けられている。これら排気口６は図示しない吸引手
段と接続されて、真空処理室３及び混合室４内が真空雰
囲気に維持されるようになっている。なお、真空処理室
３の側壁にはウエハ１の搬入・搬出用の窓７が開設され
ており、この窓７には閉塞時に真空処理室３及び混合室
４内を真空雰囲気に保持するゲートバルブ８が開閉可能
に取付られている。
る半導体ウエハ１（以下にウエハという）を図示しない
フィンガーで保持するチャックプレート２を天井部に配
設する真空処理室３と、この真空処理室３の下部に連通
する反応性ガスの混合室４とで構成されており、混合室
４に反応性ガス（例えばＷＦ６ ，ＳｉＨ２ Ｃｌ２
）を供給する環状のガスノズル５が配設され、また、真
空処理室３の天井部には同心円周上の４箇所に排気口６
が設けられている。これら排気口６は図示しない吸引手
段と接続されて、真空処理室３及び混合室４内が真空雰
囲気に維持されるようになっている。なお、真空処理室
３の側壁にはウエハ１の搬入・搬出用の窓７が開設され
ており、この窓７には閉塞時に真空処理室３及び混合室
４内を真空雰囲気に保持するゲートバルブ８が開閉可能
に取付られている。
【００１３】チャックプレート２の背面側すなわち上方
側には、大気と真空処理室３とを遮断する石英ガラス９
がＯリング９ａを介して取付けられており、この石英ガ
ラス９の上部に加熱用ランプ１０が配設されて、チャッ
クプレート２が約６００℃〜７００℃に加熱されるよう
になっている。なお、加熱用ランプ１０に変えてチャッ
クプレート２内に加熱ヒーターを埋設することも可能で
ある。
側には、大気と真空処理室３とを遮断する石英ガラス９
がＯリング９ａを介して取付けられており、この石英ガ
ラス９の上部に加熱用ランプ１０が配設されて、チャッ
クプレート２が約６００℃〜７００℃に加熱されるよう
になっている。なお、加熱用ランプ１０に変えてチャッ
クプレート２内に加熱ヒーターを埋設することも可能で
ある。
【００１４】また、真空処理室３と混合室４との間のガ
ス流通部には、反応性ガスの流れ制御部１１が形成され
ている。この流れ制御部１１は、連通口１２の上部に立
設する整流筒体１３と、この整流筒体１３の下部側から
整流筒体１３の内方側に向って突出してチャックプレー
ト２からの輻射熱がガスノズル５に直接照射されるのを
阻止する熱遮断部である突壁１４と、整流筒体１３内に
隙間１５ａをおいて移動可能に配設されると共に突壁１
４との隙間１５ｂを可変にして反応性ガスの流れを制御
する整流体１６とで構成されている。この場合、整流筒
体１３、突壁１４及び整流体１６の少なくともチャック
プレート２と対向する面に、加熱源からの熱を吸収する
ための黒色１７を施すことによってチャックプレート２
からの熱によってガスノズル５が過剰に加熱されるのを
防止することができる。なお、整流体１６のプランジャ
部１６ａと混合室４との間にはＯリング１８ａが介在さ
れて気密性が維持されている。また、整流筒体１３と整
流体１６には水冷室１９が形成されており、この水冷室
１９内に冷却用水が循環供給されるようになっている。
ス流通部には、反応性ガスの流れ制御部１１が形成され
ている。この流れ制御部１１は、連通口１２の上部に立
設する整流筒体１３と、この整流筒体１３の下部側から
整流筒体１３の内方側に向って突出してチャックプレー
ト２からの輻射熱がガスノズル５に直接照射されるのを
阻止する熱遮断部である突壁１４と、整流筒体１３内に
隙間１５ａをおいて移動可能に配設されると共に突壁１
４との隙間１５ｂを可変にして反応性ガスの流れを制御
する整流体１６とで構成されている。この場合、整流筒
体１３、突壁１４及び整流体１６の少なくともチャック
プレート２と対向する面に、加熱源からの熱を吸収する
ための黒色１７を施すことによってチャックプレート２
からの熱によってガスノズル５が過剰に加熱されるのを
防止することができる。なお、整流体１６のプランジャ
部１６ａと混合室４との間にはＯリング１８ａが介在さ
れて気密性が維持されている。また、整流筒体１３と整
流体１６には水冷室１９が形成されており、この水冷室
１９内に冷却用水が循環供給されるようになっている。
【００１５】一方、ガスノズル５は、図２及び図３に示
すように、例えばステンレス鋼製の環状基体５ａの同心
円上に設けられた２つの環状室５ｂ，５ｃの上面４５°
の位置にそれぞれ複数の噴口（図示せず）を適宜間隔を
おいて穿設した構造となっており、また、両環状室５ｂ
，５ｃの間には環状の水冷室２０が形成されている。 この水冷室２０に接続される冷媒供給管路２１に開閉弁
２２を介して冷媒供給源である循環ポンプ２３及び冷却
水収容タンク２４が接続されており、タンク２４内の冷
却水がポンプ２３の駆動によって冷媒供給管２１から水
冷室２０内に循環供給され、ガスノズル５が加熱用ラン
プ１０からの輻射熱によって過剰に加熱されるのを防止
し得るようになっている。なお、各環状室５ｂ，５ｃに
はそれぞれ管路２５，２６が接続されており、この管路
２５，２６にそれぞれ開閉弁２７を介してＷＦ６ ガス
ボンベ２８又はＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスボンベ２９が接
続されて、ＷＦ６ ガスとＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスとが
所定の割合で混合室４内に供給され、混合室４内で混合
された後、真空処理室３内に供給されるようになってい
る。
すように、例えばステンレス鋼製の環状基体５ａの同心
円上に設けられた２つの環状室５ｂ，５ｃの上面４５°
の位置にそれぞれ複数の噴口（図示せず）を適宜間隔を
おいて穿設した構造となっており、また、両環状室５ｂ
，５ｃの間には環状の水冷室２０が形成されている。 この水冷室２０に接続される冷媒供給管路２１に開閉弁
２２を介して冷媒供給源である循環ポンプ２３及び冷却
水収容タンク２４が接続されており、タンク２４内の冷
却水がポンプ２３の駆動によって冷媒供給管２１から水
冷室２０内に循環供給され、ガスノズル５が加熱用ラン
プ１０からの輻射熱によって過剰に加熱されるのを防止
し得るようになっている。なお、各環状室５ｂ，５ｃに
はそれぞれ管路２５，２６が接続されており、この管路
２５，２６にそれぞれ開閉弁２７を介してＷＦ６ ガス
ボンベ２８又はＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスボンベ２９が接
続されて、ＷＦ６ ガスとＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスとが
所定の割合で混合室４内に供給され、混合室４内で混合
された後、真空処理室３内に供給されるようになってい
る。
【００１６】なお、真空処理室３及び混合室４はそれぞ
れ耐蝕性及び伝熱性の良好な材質例えばアルミニウム合
金等にて形成されており、その任意の箇所には環状の冷
水・温水室３０が形成されて、薄膜処理時に真空処理室
３及び混合室４が高温になるのを防止している。この場
合、冷水・温水室３０には供給管３１が接続されており
、この供給管３１に切換弁３２を介して冷却水供給源３
３と温水供給源３４とが選択的に切換接続されるように
なっている。このように配管することにより、成膜処理
中は冷却水供給源３３から冷却水が供給管３１を介して
冷水・温水室３０内に供給されて、真空処理室３及び混
合室４内が約１５℃に冷却され、また、薄膜処理後に真
空処理室３が開放されたときには、切換弁３２を切換え
て温水供給源３４から温水が供給管３１を介して冷水・
温水室３０内に供給されて、真空処理室３及び混合室４
内の温度を約５０℃に加温し、真空処理室３の壁面の水
分を揮発することによってメンテナンスの向上及び耐蝕
性の向上が図れるようにしてある。なおこの場合、図１
に想像線で示すように、流れ制御部１１の水冷室１９に
も温水を供給し得るように配管することも可能であり、
このように配管することによって更にメンテナンス及び
耐蝕性の向上を図ることができる。
れ耐蝕性及び伝熱性の良好な材質例えばアルミニウム合
金等にて形成されており、その任意の箇所には環状の冷
水・温水室３０が形成されて、薄膜処理時に真空処理室
３及び混合室４が高温になるのを防止している。この場
合、冷水・温水室３０には供給管３１が接続されており
、この供給管３１に切換弁３２を介して冷却水供給源３
３と温水供給源３４とが選択的に切換接続されるように
なっている。このように配管することにより、成膜処理
中は冷却水供給源３３から冷却水が供給管３１を介して
冷水・温水室３０内に供給されて、真空処理室３及び混
合室４内が約１５℃に冷却され、また、薄膜処理後に真
空処理室３が開放されたときには、切換弁３２を切換え
て温水供給源３４から温水が供給管３１を介して冷水・
温水室３０内に供給されて、真空処理室３及び混合室４
内の温度を約５０℃に加温し、真空処理室３の壁面の水
分を揮発することによってメンテナンスの向上及び耐蝕
性の向上が図れるようにしてある。なおこの場合、図１
に想像線で示すように、流れ制御部１１の水冷室１９に
も温水を供給し得るように配管することも可能であり、
このように配管することによって更にメンテナンス及び
耐蝕性の向上を図ることができる。
【００１７】次に、この発明の成膜処理装置の作用につ
いて説明する。まず、真空処理室３及び混合室４内の真
空引きを行い、真空雰囲気が確認された後、真空処理室
３内にＷＦ６ ガス及びＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスを供給
（以下に空デポという）して、チャックプレート２の表
面に薄膜処理によって生じる生成物の膜を付着させる。 そして、始動スイッチをＯＮにして、ウエハ１が搬入さ
れていない状態で真空処理室３内にＷＦ６ ガス及びＳ
ｉＨ２ Ｃｌ２ ガスを空デポする。この処理前空デポ
により真空処理室３内が薄膜処理雰囲気と同等の状態と
なる。この状態のときウエハ１は窓７から真空処理室３
に搬入され、そして、ウエハ１はチャックプレート２で
保持されて、加熱用ランプ１０からの加熱によって所定
温度に加熱される。この状態で、ＷＦ６ ガス及びＳｉ
Ｈ２ Ｃｌ２ ガスが混合室４内に供給されて混合され
た後、ガス流れ制御部１１を通って真空処理室３内に流
入されると、ウエハ１の表面で化学反応が生じ、この化
学反応によってウエハ表面に所望の薄膜が形成されるの
である。この際、加熱用ランプ１０からの輻射熱はガス
流通部の突壁１４によって阻止されるので、ガスノズル
５は過剰に加熱されることがなく、ＷＦ６ ガス及びＳ
ｉＨ２ Ｃｌ２ ガスの生成物等の膜が付着することが
ない。
いて説明する。まず、真空処理室３及び混合室４内の真
空引きを行い、真空雰囲気が確認された後、真空処理室
３内にＷＦ６ ガス及びＳｉＨ２ Ｃｌ２ ガスを供給
（以下に空デポという）して、チャックプレート２の表
面に薄膜処理によって生じる生成物の膜を付着させる。 そして、始動スイッチをＯＮにして、ウエハ１が搬入さ
れていない状態で真空処理室３内にＷＦ６ ガス及びＳ
ｉＨ２ Ｃｌ２ ガスを空デポする。この処理前空デポ
により真空処理室３内が薄膜処理雰囲気と同等の状態と
なる。この状態のときウエハ１は窓７から真空処理室３
に搬入され、そして、ウエハ１はチャックプレート２で
保持されて、加熱用ランプ１０からの加熱によって所定
温度に加熱される。この状態で、ＷＦ６ ガス及びＳｉ
Ｈ２ Ｃｌ２ ガスが混合室４内に供給されて混合され
た後、ガス流れ制御部１１を通って真空処理室３内に流
入されると、ウエハ１の表面で化学反応が生じ、この化
学反応によってウエハ表面に所望の薄膜が形成されるの
である。この際、加熱用ランプ１０からの輻射熱はガス
流通部の突壁１４によって阻止されるので、ガスノズル
５は過剰に加熱されることがなく、ＷＦ６ ガス及びＳ
ｉＨ２ Ｃｌ２ ガスの生成物等の膜が付着することが
ない。
【００１８】なお、上記実施例では突壁１４が整流筒体
１３の下部に突設される場合について説明したが、必ず
しもこのような構造である必要はなく、整流筒体１３の
内周面に突壁１４を突設してもよく、あるいは整流体１
６の外周面に突壁１４を突設してもよい。
１３の下部に突設される場合について説明したが、必ず
しもこのような構造である必要はなく、整流筒体１３の
内周面に突壁１４を突設してもよく、あるいは整流体１
６の外周面に突壁１４を突設してもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の成膜
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
被処理体の加熱源からの輻射熱に対して供給ノズルが加
熱されるのを防止することができると共に、供給ノズル
表面に反応性ガスの生成物等による膜の付着を防止する
ことができる。したがって、成膜処理の効率の向上及び
製品歩留りの向上を図ることができる。
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
被処理体の加熱源からの輻射熱に対して供給ノズルが加
熱されるのを防止することができると共に、供給ノズル
表面に反応性ガスの生成物等による膜の付着を防止する
ことができる。したがって、成膜処理の効率の向上及び
製品歩留りの向上を図ることができる。
【図１】この発明の成膜処理装置を示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】この発明におけるガス流通部の概略を示す断面
斜視図である。
斜視図である。
１ 半導体ウエハ（被処理体）
２ チャックプレート（被処理体保持部）３ 真空
処理室 ５ ガスノズル（供給ノズル） １０ 加熱用ランプ １１ 流れ制御部 １３ 整流筒体 １４ 突壁（熱遮断部） １６ 整流体 １７ 黒色部
処理室 ５ ガスノズル（供給ノズル） １０ 加熱用ランプ １１ 流れ制御部 １３ 整流筒体 １４ 突壁（熱遮断部） １６ 整流体 １７ 黒色部
Claims (2)
- 【請求項１】 処理室内において被処理体を所定温度
まで加熱した状態で保持する被処理体保持部と、上記処
理室内に反応性ガスを供給する供給ノズルとを具備する
成膜処理装置において、上記被処理体保持部と供給ノズ
ルとの間のガス流通部に、被処理体保持部側の熱が直接
供給ノズルに照射されるのを阻止する熱遮断部を設けた
ことを特徴とする成膜処理装置。 - 【請求項２】 ガス流通部における少なくとも被処理
体保持部と対向する面に熱吸収のための黒色を施してな
ることを特徴とする請求項１記載の成膜処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149221A JPH04350169A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 成膜処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149221A JPH04350169A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 成膜処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350169A true JPH04350169A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=15470507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149221A Withdrawn JPH04350169A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 成膜処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04350169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448181B2 (en) | 2000-01-13 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Method for forming film |
| JP2009224765A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-10-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3149221A patent/JPH04350169A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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