JPH0435033A - 薄膜強誘電体の製造方法 - Google Patents
薄膜強誘電体の製造方法Info
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- JPH0435033A JPH0435033A JP2143113A JP14311390A JPH0435033A JP H0435033 A JPH0435033 A JP H0435033A JP 2143113 A JP2143113 A JP 2143113A JP 14311390 A JP14311390 A JP 14311390A JP H0435033 A JPH0435033 A JP H0435033A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- vapor deposition
- producing
- gas
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明６え 薄膜強誘電体の製造方法に関すム従来の技
術 ＰｂＴｉ０ａ、 ＰＬＺＴ［（Ｐｂ＋−ｘＬａｘ）
（ＺｒｕＴｉｌ−ｙ）＋−＋ｃｌｚＯｓ コ。
術 ＰｂＴｉ０ａ、 ＰＬＺＴ［（Ｐｂ＋−ｘＬａｘ）
（ＺｒｕＴｉｌ−ｙ）＋−＋ｃｌｚＯｓ コ。
ＢａＴｉＯｓ等に代表される多元系酸化物強誘電体は優
れた圧電性、焦電性、電気光学特性等を示しこれを利用
した種々の機能デバイスが検討されている。特く 半導
体ＩＣメモリの分野において（よその高い誘電率を利用
してＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜に用い４ また（よ
その分極反転を利用して不揮発性ＲＡＭを構築すゑ な
どの新しいメモリー領域を切り開こうとする試みがでて
きている。
れた圧電性、焦電性、電気光学特性等を示しこれを利用
した種々の機能デバイスが検討されている。特く 半導
体ＩＣメモリの分野において（よその高い誘電率を利用
してＤＲＡＭのキャパシタ絶縁膜に用い４ また（よ
その分極反転を利用して不揮発性ＲＡＭを構築すゑ な
どの新しいメモリー領域を切り開こうとする試みがでて
きている。
これらの材料の特性の向上または集積化のためにζ瓜
その薄膜化が非常に重要であり、特Ｋ シリコン基板上
に作製する技術の開発が重要であａさらに 高性能（１
，高機能化を考えた場合、単結晶薄膜またはＣ軸配向膜
であることが望ましｔ、％これらに関する研究（よ ス
パッタ蒸着を中心凶いくつかの研究機関で行われてきた
しかし 多元複合酸化物であることか収 組成 結晶
構造等を制御して所望の特性を有する薄膜強誘電体を得
ることは 一般には容易ではなかっ九 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の製造方法において、薄膜強誘電
体の作製を複雑にしている原因の一つ番へ成膜時の温度
が比較的高いということが挙げられる。すなわちこの種
の材料Ｉｔ、 作製される薄膜強誘電体の結晶構造が
基板温度に依存し 結晶化温度より低い場合には非晶質
膜力丈 高い場合には結晶質の薄膜が形成される。この
種の薄膜強誘電体の場合、結晶化温度はだいたい５５０
〜６００℃程度である。したがって成膜は６００℃程度
以上の温度で行うた数 蒸気圧の高い元素の制御が難し
く、またシリコン基板上に形成された素子上に成膜する
場合には素子を損なうという課題を有してい九 加えて
このような比較的高い基板温度で（戴 基体と薄膜強誘
電体の相互拡散や柱状成長によるピンホールが生じるな
どの課題を有してい九本発明は上記従来の課題を解決す
るもので、組成制御性良く膜形成を行（＼ ピンホール
の無い結晶性の高い薄膜を焦 さらにシリコン基板上に
形成された素子上に低温で膜形成できる薄膜強誘電体の
製造方法を提供することを目的とする。
その薄膜化が非常に重要であり、特Ｋ シリコン基板上
に作製する技術の開発が重要であａさらに 高性能（１
，高機能化を考えた場合、単結晶薄膜またはＣ軸配向膜
であることが望ましｔ、％これらに関する研究（よ ス
パッタ蒸着を中心凶いくつかの研究機関で行われてきた
しかし 多元複合酸化物であることか収 組成 結晶
構造等を制御して所望の特性を有する薄膜強誘電体を得
ることは 一般には容易ではなかっ九 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の製造方法において、薄膜強誘電
体の作製を複雑にしている原因の一つ番へ成膜時の温度
が比較的高いということが挙げられる。すなわちこの種
の材料Ｉｔ、 作製される薄膜強誘電体の結晶構造が
基板温度に依存し 結晶化温度より低い場合には非晶質
膜力丈 高い場合には結晶質の薄膜が形成される。この
種の薄膜強誘電体の場合、結晶化温度はだいたい５５０
〜６００℃程度である。したがって成膜は６００℃程度
以上の温度で行うた数 蒸気圧の高い元素の制御が難し
く、またシリコン基板上に形成された素子上に成膜する
場合には素子を損なうという課題を有してい九 加えて
このような比較的高い基板温度で（戴 基体と薄膜強誘
電体の相互拡散や柱状成長によるピンホールが生じるな
どの課題を有してい九本発明は上記従来の課題を解決す
るもので、組成制御性良く膜形成を行（＼ ピンホール
の無い結晶性の高い薄膜を焦 さらにシリコン基板上に
形成された素子上に低温で膜形成できる薄膜強誘電体の
製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の薄膜強誘電体の製造
方法でζ友 電子共鳴マイクロ波プラズマにより生成さ
れた酸素の活性種を基体に照射しつつ薄膜強誘電体を蒸
着荷より形成するものであもまた 第２の製造方法ζ友
オゾンガスを導入した雰囲気のもとで薄膜強誘電体の
蒸着を行うものである。
方法でζ友 電子共鳴マイクロ波プラズマにより生成さ
れた酸素の活性種を基体に照射しつつ薄膜強誘電体を蒸
着荷より形成するものであもまた 第２の製造方法ζ友
オゾンガスを導入した雰囲気のもとで薄膜強誘電体の
蒸着を行うものである。
さらに第３の製造方法Ｃヨ 原子状酸素を導入した雰
囲気のもとで薄膜強誘電体の蒸着を行うものである。
囲気のもとで薄膜強誘電体の蒸着を行うものである。
さらに第４の製造方法ｉ上 ＮａＯガスを導入した雰囲
気のもとで薄膜強誘電体の蒸着を行うというものである
。
気のもとで薄膜強誘電体の蒸着を行うというものである
。
作用
従来の方法におけるこの種の薄膜強誘電体の作製温度が
６００℃程度に達するのに対し 本発明の製造方法を用
いると作製温度が５０〜１００℃程度低下できも この
場合なぜ作製温度の低下ができたのかは定かではない力
（蒸着時の導入雰囲気中にこの種の薄膜強誘電体の結晶
構造を構成し易くする酸素の活性種が存在するためであ
ると考えられる。また本発明の製造方法により良好に結
晶構造の構築が行われるたべ できた薄膜強誘電体の誘
電的性質もバルク材料と同等の特性を示す。
６００℃程度に達するのに対し 本発明の製造方法を用
いると作製温度が５０〜１００℃程度低下できも この
場合なぜ作製温度の低下ができたのかは定かではない力
（蒸着時の導入雰囲気中にこの種の薄膜強誘電体の結晶
構造を構成し易くする酸素の活性種が存在するためであ
ると考えられる。また本発明の製造方法により良好に結
晶構造の構築が行われるたべ できた薄膜強誘電体の誘
電的性質もバルク材料と同等の特性を示す。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明すも （実施例１） 第１図は本発明の一実施例における薄膜強誘電体の製造
方法に用いる蒸着装置内部の概略構成回出ある。図にお
いて１は蒸発鳳 ２は基４＊、３は基体加熱用ヒータス
４はマイクロ波源 ５は磁場発生源 ６はガス導入管
、 ７は真空槽であもこの装置を用いて４元系複合酸化
物強誘電体Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ ［（Ｐｂ＋−ｘＬａｘ）（
ＺｒｕＴｉ＋−ｗ）＋−ｘ／４０ｓｌの薄膜作製を行っ
た 蒸発源１として、Ｐｂ、 Ｌａ、 ＺｒおよびＴｉ
の合金を用し入 電子ビーム加熱により蒸発させた 基
体２は白金板とヒ 膜組成をＰｂ＠、 ｅ２Ｌａｓ、５
ａＺｒｓ、 ｅｓＴｉｓ、５ｓｏｓに調整しｋ ガス導
入管６より酸素ガスを入札マイクロ波電源４で２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生させ磁場発生源５により８７
５ガウス程度の磁場をかけると電子のザイクロトロン共
鳴が生し この放電により生じた酸素の活性種を白金基
体２に照射しつつヒーター３により５００℃程度に加熱
された基体２上に 薄膜作製を行った この結果 良好
な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され九 この薄膜強誘
電体の誘電特性を、金薄膜を上部電極として測定し九
第２図は種々の雰囲気のもとで作製したＰＬＺＴ薄膜の
室温での誘電率と膜形成時基板温度との相関図である。
明すも （実施例１） 第１図は本発明の一実施例における薄膜強誘電体の製造
方法に用いる蒸着装置内部の概略構成回出ある。図にお
いて１は蒸発鳳 ２は基４＊、３は基体加熱用ヒータス
４はマイクロ波源 ５は磁場発生源 ６はガス導入管
、 ７は真空槽であもこの装置を用いて４元系複合酸化
物強誘電体Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ ［（Ｐｂ＋−ｘＬａｘ）（
ＺｒｕＴｉ＋−ｗ）＋−ｘ／４０ｓｌの薄膜作製を行っ
た 蒸発源１として、Ｐｂ、 Ｌａ、 ＺｒおよびＴｉ
の合金を用し入 電子ビーム加熱により蒸発させた 基
体２は白金板とヒ 膜組成をＰｂ＠、 ｅ２Ｌａｓ、５
ａＺｒｓ、 ｅｓＴｉｓ、５ｓｏｓに調整しｋ ガス導
入管６より酸素ガスを入札マイクロ波電源４で２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生させ磁場発生源５により８７
５ガウス程度の磁場をかけると電子のザイクロトロン共
鳴が生し この放電により生じた酸素の活性種を白金基
体２に照射しつつヒーター３により５００℃程度に加熱
された基体２上に 薄膜作製を行った この結果 良好
な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され九 この薄膜強誘
電体の誘電特性を、金薄膜を上部電極として測定し九
第２図は種々の雰囲気のもとで作製したＰＬＺＴ薄膜の
室温での誘電率と膜形成時基板温度との相関図である。
通常の酸素ガスを導入して膜形成した場合には曲線２Ｏ
の結果となる力丈 本実施例の電子共鳴マイクロ波プラ
ズマにより生成された酸素の活性種を照射した場合には
曲線２１となり、同じ特性の膜が１００℃低温で作製さ
れ かつ誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４００
０に達することが確認され九 すなりち実施例１の方法
により、低温で良質の薄膜強誘電体が形成されることが
判る。
の結果となる力丈 本実施例の電子共鳴マイクロ波プラ
ズマにより生成された酸素の活性種を照射した場合には
曲線２１となり、同じ特性の膜が１００℃低温で作製さ
れ かつ誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４００
０に達することが確認され九 すなりち実施例１の方法
により、低温で良質の薄膜強誘電体が形成されることが
判る。
なおこの方法ζよ 電子共鳴マイクロ波プラズマ放電を
用いたスパッタ蒸着にも有効であり、同様に作製温度の
低温化が見い出され九 またこの方法ζよ （Ｐｂ、 Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ）（Ｎｂ、 Ｚｎ、
Ｍｇ、 Ｔｉ）Ｏｓなどの他の複合酸化物に対しても有
効であることを確認した （実施例２） 第３図は実施例２で用いた蒸着装置内部の概略構成図で
ある。同図において、 ２は白金基体 ３はヒーター、
７は真空攬 ３１はｐｂ蒸発棟３２はＬａ蒸発Ｉｔ
３３はＺｒ蒸発採 ３４はＴｉ蒸発淑３５はガス導入管
を示す。各蒸発源３１〜３４の蒸発量を調整し 白金基
体２上に組成 Ｐｂｓ、ｏ２Ｌａ＠、ｅａＺｒ＠、ｅｓＴｉｓ、＊ｓＯ
ｓの薄膜強誘電体を作製し九 その際 導入管３５より
１０ｃｍ３／分程度のオゾンガス（Ｏ８）を人れ 白金
基体２の近傍に噴出させ丸 オゾンガス（よ 酸素を原
料とするオゾン発生器により発生させたものであり、導
入した酸素ガスの約１０％が有効にオゾンとなっている
。加熱した基体２上に薄膜作製を行ったとこへ 良好な
結晶構造の薄膜強誘電体が形成されム この方法で作製
した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依存性を第２図の
曲線２２に示す。通常の酸素ガスを用いた曲線２Ｏと比
べて同じ特性の膜が１００℃程度低温で形成され かつ
誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４０００に達す
ることが確認され九 （実施例３） 本実施例で（よ 第３図と同様の装置を用いて、ガス導
入管３５より５ｃｍ’／分程度の原子状酸素（○）を大
株 白金基体２の近傍に噴出させた原子状酸素はガス導
入管で酸素を流す途中でマイクロ波放電を行い発生させ
た 加熱した白金基体２上に薄膜作製を行ったとこへ
良好な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され丸 この方法
で作製した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依存性を第
２図の曲線２３に示す。通常の酸素ガスを用いた曲線２
Ｏと比べて同じ特性の膜が１００℃程度低温で形成され
かつ誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値程度に達す
ることが確認され九 （実施例４） 第４図は実施例４で用いた蒸着装置内部の概略構成図で
ある。同図において、 ｌはＰｂ、 Ｌａ、 Ｚｒおよ
びＴｉの合金蒸発緑 ２は白金基体 ３はヒーター、７
は真空樵 ３５はガス導入管、４１は紫外線光源である
。電子ビーム加熱で蒸発源１の蒸発を行（＼ 白金基体
２上に組成 Ｐｂ＠、＊２Ｌａｓ 、５ｓＺｒ＠、ｅｓＴｉ＠、５ｓ
Ｏｓの薄膜を作製し九 その際 導入管３５より１０ａ
ｍ’／分程度のＮ ２Ｏガスを入れ 白金基体２の近傍
に噴出させ丸 さらに波長３００ ｎｍ程度の紫外線光
を照射しつつ加熱した白金基体２上に薄膜作製を行った
とこへ 良好な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され九
この方法で作製した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依
存性を第２図の曲線２４．２５に示す。曲線２４はＮｅ
Ｏガスのみを導大した場合、曲線２５はＮｅＯ導入に加
えて紫外線光を照射した場合である。通常の酸素ガスを
用いた曲線２Ｏと比べてＮａＯガスでは約３０℃の形成
温度低下が認められるが（曲線２４）、さらに紫外線光
を用いると１００℃程度低温で形成され（曲線２５）、
誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４０００に達す
ることが確認され丸 このことは紫外線光の照射でＮ２
Ｏガスがより効果的に有効な酸素の活性種を放出するた
めと思われる。
用いたスパッタ蒸着にも有効であり、同様に作製温度の
低温化が見い出され九 またこの方法ζよ （Ｐｂ、 Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ）（Ｎｂ、 Ｚｎ、
Ｍｇ、 Ｔｉ）Ｏｓなどの他の複合酸化物に対しても有
効であることを確認した （実施例２） 第３図は実施例２で用いた蒸着装置内部の概略構成図で
ある。同図において、 ２は白金基体 ３はヒーター、
７は真空攬 ３１はｐｂ蒸発棟３２はＬａ蒸発Ｉｔ
３３はＺｒ蒸発採 ３４はＴｉ蒸発淑３５はガス導入管
を示す。各蒸発源３１〜３４の蒸発量を調整し 白金基
体２上に組成 Ｐｂｓ、ｏ２Ｌａ＠、ｅａＺｒ＠、ｅｓＴｉｓ、＊ｓＯ
ｓの薄膜強誘電体を作製し九 その際 導入管３５より
１０ｃｍ３／分程度のオゾンガス（Ｏ８）を人れ 白金
基体２の近傍に噴出させ丸 オゾンガス（よ 酸素を原
料とするオゾン発生器により発生させたものであり、導
入した酸素ガスの約１０％が有効にオゾンとなっている
。加熱した基体２上に薄膜作製を行ったとこへ 良好な
結晶構造の薄膜強誘電体が形成されム この方法で作製
した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依存性を第２図の
曲線２２に示す。通常の酸素ガスを用いた曲線２Ｏと比
べて同じ特性の膜が１００℃程度低温で形成され かつ
誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４０００に達す
ることが確認され九 （実施例３） 本実施例で（よ 第３図と同様の装置を用いて、ガス導
入管３５より５ｃｍ’／分程度の原子状酸素（○）を大
株 白金基体２の近傍に噴出させた原子状酸素はガス導
入管で酸素を流す途中でマイクロ波放電を行い発生させ
た 加熱した白金基体２上に薄膜作製を行ったとこへ
良好な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され丸 この方法
で作製した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依存性を第
２図の曲線２３に示す。通常の酸素ガスを用いた曲線２
Ｏと比べて同じ特性の膜が１００℃程度低温で形成され
かつ誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値程度に達す
ることが確認され九 （実施例４） 第４図は実施例４で用いた蒸着装置内部の概略構成図で
ある。同図において、 ｌはＰｂ、 Ｌａ、 Ｚｒおよ
びＴｉの合金蒸発緑 ２は白金基体 ３はヒーター、７
は真空樵 ３５はガス導入管、４１は紫外線光源である
。電子ビーム加熱で蒸発源１の蒸発を行（＼ 白金基体
２上に組成 Ｐｂ＠、＊２Ｌａｓ 、５ｓＺｒ＠、ｅｓＴｉ＠、５ｓ
Ｏｓの薄膜を作製し九 その際 導入管３５より１０ａ
ｍ’／分程度のＮ ２Ｏガスを入れ 白金基体２の近傍
に噴出させ丸 さらに波長３００ ｎｍ程度の紫外線光
を照射しつつ加熱した白金基体２上に薄膜作製を行った
とこへ 良好な結晶構造の薄膜強誘電体が形成され九
この方法で作製した薄膜強誘電体の誘電率の基板温度依
存性を第２図の曲線２４．２５に示す。曲線２４はＮｅ
Ｏガスのみを導大した場合、曲線２５はＮｅＯ導入に加
えて紫外線光を照射した場合である。通常の酸素ガスを
用いた曲線２Ｏと比べてＮａＯガスでは約３０℃の形成
温度低下が認められるが（曲線２４）、さらに紫外線光
を用いると１００℃程度低温で形成され（曲線２５）、
誘電率の飽和値もバルク材料と同じ値の４０００に達す
ることが確認され丸 このことは紫外線光の照射でＮ２
Ｏガスがより効果的に有効な酸素の活性種を放出するた
めと思われる。
またこの方法Ｃよ
（Ｐｂ、 Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ ）（Ｎｂ、 Ｚｎ、
Ｍｇ、 Ｔｉ ）Ｏｎなどの他の強誘電体複合酸化物
に対しても有効であっ九 発明の効果 以上のように本発明（よ 酸素の活性種を基体に照射し
つつ膜形成することにより従来より低温で作製でき、ま
た制御性の良いプロセスで欠陥の少ない良質な膜をシリ
コン基板上などに形成できる優れた薄膜強誘電体の製造
方法を実現できるものである。
Ｍｇ、 Ｔｉ ）Ｏｎなどの他の強誘電体複合酸化物
に対しても有効であっ九 発明の効果 以上のように本発明（よ 酸素の活性種を基体に照射し
つつ膜形成することにより従来より低温で作製でき、ま
た制御性の良いプロセスで欠陥の少ない良質な膜をシリ
コン基板上などに形成できる優れた薄膜強誘電体の製造
方法を実現できるものである。
第１図は本発明の実施例１の薄膜強誘電体の製造方法に
用いる製造装置の概略構成凰 第２図は種々の雰囲気の
もとで作製したＰＬＺＴ薄膜の室温での誘電率と膜形成
時基板温度との相関医 第３図は本発明の実施例２およ
び実施例３で用いた製造装置内部の概略構成は 第４図
は本発明の実施例４で用いた製造装置内部の概略構成図
である。 １・・・蒸発損 ２・・・基４＊、３・・・基体加熱用
ヒーター、 ４・・・マイクロ波源 ５・・・磁場発生
淑６・・・ガス導入悦
用いる製造装置の概略構成凰 第２図は種々の雰囲気の
もとで作製したＰＬＺＴ薄膜の室温での誘電率と膜形成
時基板温度との相関医 第３図は本発明の実施例２およ
び実施例３で用いた製造装置内部の概略構成は 第４図
は本発明の実施例４で用いた製造装置内部の概略構成図
である。 １・・・蒸発損 ２・・・基４＊、３・・・基体加熱用
ヒーター、 ４・・・マイクロ波源 ５・・・磁場発生
淑６・・・ガス導入悦
Claims (5)
- （１）ＡＢＯ＿３で表わされる強誘電体化合物の薄膜作
製において、電子共鳴マイクロ波プラズマにより生成さ
れた酸素の活性種を基体に照射しつつ蒸着を行う薄膜強
誘電体の製造方法。 ここで、Ａは、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、ランタン（Ｌ
ａ）のうち少なくとも１種以上、Ｂはチタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも１種以上で構
成される。 - （２）ＡＢＯ＿３で表わされる強誘電体化合物の薄膜作
製において、オゾンガスを導入した雰囲気のもとで蒸着
を行う薄膜強誘電体の製造方法。 ここで、Ａは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｌａのうち少
なくとも１種以上、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ
のうち少なくとも１種以上で構成される。 - （３）ＡＢＯ＿３で表わされる強誘電体化合物の薄膜作
製において、原子状酸素を導入した雰囲気のもとで蒸着
を行う薄膜強誘電体の製造方法。 ここで、Ａは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｌａのうち少
なくとも１種あるいは２種以上、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ
、Ｍｇ、Ｚｎのうち少なくとも１種あるいは２種以上で
構成される。 - （４）ＡＢＯ＿３で表わされる強誘電体化合物の薄膜作
製において、一酸化二窒素（Ｎ＿２Ｏ）ガスを導入した
雰囲気のもとで蒸着を行う薄膜強誘電体の製造方法。 ここで、Ａは、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｌａのうち少
なくとも１種以上、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ
のうち少なくとも１種以上で構成される。 - （５）Ｎ＿２Ｏガスを導入して蒸着する際に、紫外光を
基体または基体付近に照射す請求項４記載の薄膜強誘電
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143113A JPH0435033A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 薄膜強誘電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143113A JPH0435033A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 薄膜強誘電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435033A true JPH0435033A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15331216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143113A Pending JPH0435033A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 薄膜強誘電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018676B2 (en) * | 2000-03-29 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Method and device for manufacturing ceramics, semiconductor device and piezoelectric device |
| JPWO2005117103A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-04-03 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011195348A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Yukio Watabe | 酸化物強誘電体の分極電場の増大法 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143113A patent/JPH0435033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018676B2 (en) * | 2000-03-29 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Method and device for manufacturing ceramics, semiconductor device and piezoelectric device |
| JPWO2005117103A1 (ja) * | 2004-05-28 | 2008-04-03 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4823895B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-11-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011195348A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Yukio Watabe | 酸化物強誘電体の分極電場の増大法 |
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