JPH04350628A - 導波路型光スイッチ - Google Patents
導波路型光スイッチInfo
- Publication number
- JPH04350628A JPH04350628A JP12385091A JP12385091A JPH04350628A JP H04350628 A JPH04350628 A JP H04350628A JP 12385091 A JP12385091 A JP 12385091A JP 12385091 A JP12385091 A JP 12385091A JP H04350628 A JPH04350628 A JP H04350628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output port
- optical switch
- intersection
- port
- input port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路型光スイッチに関
し、更に詳しくは、スイッチング動作時における光損失
が少ない導波路型光スイッチに関する。
し、更に詳しくは、スイッチング動作時における光損失
が少ない導波路型光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体材料などで構成する導波路
型光スイッチには各種タイプのものが提案されているが
、それらのうち、全反射型の光スイッチを平面パターン
図として図５に示す。この光スイッチの場合、直線導波
路Ａと直線導波路Ｂが交差角θで交差し、点線で示した
領域の交差部Ｃを形成している。これらの導波路Ａ，Ｂ
はいずれも例えば半導体材料を用いて基板，下部クラッ
ド層，コア層（導波路層），上部クラッド層を順次形成
し、その上面全体は絶縁膜で被覆されている。
型光スイッチには各種タイプのものが提案されているが
、それらのうち、全反射型の光スイッチを平面パターン
図として図５に示す。この光スイッチの場合、直線導波
路Ａと直線導波路Ｂが交差角θで交差し、点線で示した
領域の交差部Ｃを形成している。これらの導波路Ａ，Ｂ
はいずれも例えば半導体材料を用いて基板，下部クラッ
ド層，コア層（導波路層），上部クラッド層を順次形成
し、その上面全体は絶縁膜で被覆されている。
【０００３】交差部Ｃにおいては、導波路Ａ，Ｂの略中
央の絶縁膜を除去して窓１０を形成し、ここに例えば、
導電材料を蒸着して上部電極１１が添着されている。そ
して、窓１０の直下の交差部Ｃを含む部分には、図の点
線の領域９で示したように、Ｚｎが拡散されたＺｎ拡散
域が形成されている。この上部電極１１，Ｚｎ拡散域９
と、基板の裏面に形成される図示しない下部電極とを組
合わせて屈折率変化手段が構成されている。
央の絶縁膜を除去して窓１０を形成し、ここに例えば、
導電材料を蒸着して上部電極１１が添着されている。そ
して、窓１０の直下の交差部Ｃを含む部分には、図の点
線の領域９で示したように、Ｚｎが拡散されたＺｎ拡散
域が形成されている。この上部電極１１，Ｚｎ拡散域９
と、基板の裏面に形成される図示しない下部電極とを組
合わせて屈折率変化手段が構成されている。
【０００４】この光スイッチにおいて、屈折率変化手段
を動作しない場合は、導波路Ａの入射ポートＡ１ ，導
波路Ｂの入射ポートＢ１ から入射した光は、交差部Ｃ
を直進し、導波路Ａの出射ポートＡ２ ，導波路Ｂの出
射ポートＢ２ からそれぞれ出射していく。ここで、上
部電極１１から例えば所定値の電流を注入すると、窓１
０の直下のＺｎ拡散域９ではプラズマ効果やバンドフィ
リング効果が発現してその屈折率低下が引き起こされる
ので、前記Ｚｎ拡散域９とＺｎが拡散していない光導波
路との界面に全反射面が形成される。
を動作しない場合は、導波路Ａの入射ポートＡ１ ，導
波路Ｂの入射ポートＢ１ から入射した光は、交差部Ｃ
を直進し、導波路Ａの出射ポートＡ２ ，導波路Ｂの出
射ポートＢ２ からそれぞれ出射していく。ここで、上
部電極１１から例えば所定値の電流を注入すると、窓１
０の直下のＺｎ拡散域９ではプラズマ効果やバンドフィ
リング効果が発現してその屈折率低下が引き起こされる
ので、前記Ｚｎ拡散域９とＺｎが拡散していない光導波
路との界面に全反射面が形成される。
【０００５】したがって、例えば入射ポートＡ１ から
の光は、交差部Ｃにおいて、窓１０直下に発現した全反
射面で反射して出射ポートＢ２ を伝搬していくことに
なる。すなわち交差部Ｃの屈折率変化手段を動作させる
ことにより、入射ポートＡ１ からの光は、出射ポート
Ａ２ から反射側の出射ポートＢ２ へと光路変更して
ここにスイッチング動作が発現する。
の光は、交差部Ｃにおいて、窓１０直下に発現した全反
射面で反射して出射ポートＢ２ を伝搬していくことに
なる。すなわち交差部Ｃの屈折率変化手段を動作させる
ことにより、入射ポートＡ１ からの光は、出射ポート
Ａ２ から反射側の出射ポートＢ２ へと光路変更して
ここにスイッチング動作が発現する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した全
反射型光スイッチの場合、互いに交差する直線導波路Ａ
，Ｂは単純に交差角θで交差しているだけである。その
ため、屈折率変化手段を動作して全反射面を形成し、入
射ポートＡ１からの光をこの全反射面で反射させて反射
側の出射ポートＢ２ に光路変更する場合、反射した光
は出射ポートＢ２ に伝搬しにくく、反射光は導波路以
外の個所に拡散することがあり、結果として光損失が増
大する、すなわち漏話の増大という問題が生ずる。
反射型光スイッチの場合、互いに交差する直線導波路Ａ
，Ｂは単純に交差角θで交差しているだけである。その
ため、屈折率変化手段を動作して全反射面を形成し、入
射ポートＡ１からの光をこの全反射面で反射させて反射
側の出射ポートＢ２ に光路変更する場合、反射した光
は出射ポートＢ２ に伝搬しにくく、反射光は導波路以
外の個所に拡散することがあり、結果として光損失が増
大する、すなわち漏話の増大という問題が生ずる。
【０００７】本発明は上記した問題を解決し、スイッチ
ング動作時の反射光の漏話を減少させることができる導
波路型光スイッチの提供を目的とする。
ング動作時の反射光の漏話を減少させることができる導
波路型光スイッチの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、光導波路を互いに交差する
ことにより入射ポート群と出射ポート群に接続する交差
部を形成し、前記交差部に屈折率変化手段を配設して、
前記入射ポート群のうちの１本の入射ポートから入射す
る光を前記出射ポート群の１本の出射ポートへ反射させ
て光路変更できるようにした導波路型光スイッチにおい
て、前記光が入射する入射ポートと光が反射する側の前
記出射ポートとを結ぶ前記交差部の少なくとも前記出射
ポートの側部を曲線形状にしたことを特徴とする導波路
型光スイッチが提供される。
ために、本発明においては、光導波路を互いに交差する
ことにより入射ポート群と出射ポート群に接続する交差
部を形成し、前記交差部に屈折率変化手段を配設して、
前記入射ポート群のうちの１本の入射ポートから入射す
る光を前記出射ポート群の１本の出射ポートへ反射させ
て光路変更できるようにした導波路型光スイッチにおい
て、前記光が入射する入射ポートと光が反射する側の前
記出射ポートとを結ぶ前記交差部の少なくとも前記出射
ポートの側部を曲線形状にしたことを特徴とする導波路
型光スイッチが提供される。
【０００９】
【作用】入射ポートと反射側の出射ポートとを結ぶ交差
部の少なくとも出射ポートの側部は曲線を描いて変化し
ていて、従来のように、単純な直線ではないので、屈折
率変化手段を動作することにより交差部の略中央の位置
で反射した光は、円滑に反射側の出射ポートに伝搬する
ことができるようになり、その結果、スイッチング動作
時における漏話は減少する。
部の少なくとも出射ポートの側部は曲線を描いて変化し
ていて、従来のように、単純な直線ではないので、屈折
率変化手段を動作することにより交差部の略中央の位置
で反射した光は、円滑に反射側の出射ポートに伝搬する
ことができるようになり、その結果、スイッチング動作
時における漏話は減少する。
【００１０】
【実施例】以下に、実施例光スイッチを示す添付図面に
基づいて本発明の光スイッチを詳細に説明する。図１は
、本発明の光スイッチの平面パターンを示す概略平面図
である。本発明の光スイッチは、交差部Ｃの両側部Ｃ１
，Ｃ２ が曲線形状をしていることを除いては、図５
として示した従来の光スイッチと変わることはない。
基づいて本発明の光スイッチを詳細に説明する。図１は
、本発明の光スイッチの平面パターンを示す概略平面図
である。本発明の光スイッチは、交差部Ｃの両側部Ｃ１
，Ｃ２ が曲線形状をしていることを除いては、図５
として示した従来の光スイッチと変わることはない。
【００１１】すなわち、入射ポートＡ１ ，Ｂ１ 、出
射ポートＡ２ ，Ｂ２ はいずれも直線導波路である。 しかし、導波路Ａ，Ｂが交差して形成する交差部Ｃにお
いては、入射ポートＡ１ と出射ポートＢ２ との間を
結ぶ側部Ｃ１ および入射ポートＢ１ と出射ポートＡ
２ との間を結ぶ側部Ｃ２ が所定の曲率半径Ｒを有す
る円弧になっている。
射ポートＡ２ ，Ｂ２ はいずれも直線導波路である。 しかし、導波路Ａ，Ｂが交差して形成する交差部Ｃにお
いては、入射ポートＡ１ と出射ポートＢ２ との間を
結ぶ側部Ｃ１ および入射ポートＢ１ と出射ポートＡ
２ との間を結ぶ側部Ｃ２ が所定の曲率半径Ｒを有す
る円弧になっている。
【００１２】このときの曲率半径Ｒは、各入射ポートＡ
１ ，Ｂ１と各出射ポートＡ２ ，Ｂ２ を円滑に交差
部Ｃと接続させることからすると、５〜１０ｍｍ程度で
ある。また、交差部の両側部Ｃ１ ，Ｃ２ は上記した
ような円弧に限らず、例えば、楕円形状であってもよい
。なお、本発明の光スイッチにおいては、入射ポートＡ
１ から光を入射する場合、出射ポートＢ２ が反射側
の出射ポートになるが、この入射ポートＡ１ と出射ポ
ートＢ２ を結ぶ交差部の側部Ｃ１ だけを円弧や楕円
にし、他の側部Ｃ２ は従来と同じように直線形状であ
ってもよい。両側部Ｃ１ ，Ｃ２ を曲線にした方が光
損失は少なくなる。
１ ，Ｂ１と各出射ポートＡ２ ，Ｂ２ を円滑に交差
部Ｃと接続させることからすると、５〜１０ｍｍ程度で
ある。また、交差部の両側部Ｃ１ ，Ｃ２ は上記した
ような円弧に限らず、例えば、楕円形状であってもよい
。なお、本発明の光スイッチにおいては、入射ポートＡ
１ から光を入射する場合、出射ポートＢ２ が反射側
の出射ポートになるが、この入射ポートＡ１ と出射ポ
ートＢ２ を結ぶ交差部の側部Ｃ１ だけを円弧や楕円
にし、他の側部Ｃ２ は従来と同じように直線形状であ
ってもよい。両側部Ｃ１ ，Ｃ２ を曲線にした方が光
損失は少なくなる。
【００１３】入射ポートＡ１ ，Ｂ１ 、出射ポートＡ
２，Ｂ２ は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である
図２で示したような構造になっており、また交差部Ｃは
図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である図３ に示
したような構造になっている。これらの構造は例えば半
導体を用いて次のようにして製造される。すなわち、ま
ずｎ＋ ＧａＡｓから成る基板２の上に、ＭＯＣＶＤ法
によって、ｎ＋ ＧａＡｓから成る厚み０．５μｍのバ
ッファ層３，ｎ＋ Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓから
成る厚み３．０μｍの下部クラッド層４，ｎ− ＧａＡ
ｓから成る厚み０．９μｍのコア層５，ｎ− Ａｌ０．
１ Ｇａ０．９ Ａｓから成る厚み０．８μｍの下部ク
ラッド層６，更にｎ− ＧａＡｓから成る厚み０．２μ
ｍのキャップ層７を順次積層する。
２，Ｂ２ は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である
図２で示したような構造になっており、また交差部Ｃは
図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である図３ に示
したような構造になっている。これらの構造は例えば半
導体を用いて次のようにして製造される。すなわち、ま
ずｎ＋ ＧａＡｓから成る基板２の上に、ＭＯＣＶＤ法
によって、ｎ＋ ＧａＡｓから成る厚み０．５μｍのバ
ッファ層３，ｎ＋ Ａｌ０．１ Ｇａ０．９ Ａｓから
成る厚み３．０μｍの下部クラッド層４，ｎ− ＧａＡ
ｓから成る厚み０．９μｍのコア層５，ｎ− Ａｌ０．
１ Ｇａ０．９ Ａｓから成る厚み０．８μｍの下部ク
ラッド層６，更にｎ− ＧａＡｓから成る厚み０．２μ
ｍのキャップ層７を順次積層する。
【００１４】そして、入射ポート，出射ポートの場合は
、導波路Ａ１ ，Ａ２ ，Ｂ１ ，Ｂ２ の部分を除い
て、キャップ層７，上部クラッド層６を適当にエッチン
グする。例えば、導波光がシングルモードになるように
、波長１．３μｍの光の場合は、上部クラッド層６を０
．４μｍ程度残すようにエッチングする。その後、全体
の表面をＳｉＯ２のような絶縁膜８で被覆し、基板２の
下辺を研磨したのち、そこにＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着
して下部電極１が形成される。
、導波路Ａ１ ，Ａ２ ，Ｂ１ ，Ｂ２ の部分を除い
て、キャップ層７，上部クラッド層６を適当にエッチン
グする。例えば、導波光がシングルモードになるように
、波長１．３μｍの光の場合は、上部クラッド層６を０
．４μｍ程度残すようにエッチングする。その後、全体
の表面をＳｉＯ２のような絶縁膜８で被覆し、基板２の
下辺を研磨したのち、そこにＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着
して下部電極１が形成される。
【００１５】交差部Ｃの場合は、ＭＯＣＶＤ法で基板２
の上に前記と同様のバッファ層３，下部クラッド層４，
コア層５，上部クラッド層６，キャップ層７を積層した
のち、屈折率を変化させる個所にＺｎを拡散してＺｎ拡
散域９を形成し、ついで入・出射ポートの場合と同様に
してエッチング処理を行なう。このエッチングによって
、図１で示した平面パターンの交差部Ｃが形成される。 その後、全面を絶縁膜８で被覆し、交差部Ｃの略中央位
置の絶縁膜の一部を除去して窓１０を形成し、ここにＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して上部電極１１を装荷したのち
、基板２の下面を研磨しそこにＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸
着して下部電極１を形成する。
の上に前記と同様のバッファ層３，下部クラッド層４，
コア層５，上部クラッド層６，キャップ層７を積層した
のち、屈折率を変化させる個所にＺｎを拡散してＺｎ拡
散域９を形成し、ついで入・出射ポートの場合と同様に
してエッチング処理を行なう。このエッチングによって
、図１で示した平面パターンの交差部Ｃが形成される。 その後、全面を絶縁膜８で被覆し、交差部Ｃの略中央位
置の絶縁膜の一部を除去して窓１０を形成し、ここにＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して上部電極１１を装荷したのち
、基板２の下面を研磨しそこにＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸
着して下部電極１を形成する。
【００１６】ここで、上部電極１１と下部電極１および
Ｚｎ拡散域９で屈折率変化手段が構成されていて、上部
電極１１から所定値の電流を注入すると、Ｚｎ拡散域９
の屈折率が低下し、上部クラッド層６におけるＺｎ拡散
域９の境界が反射面として発現する。なお、光スイッチ
の構成材料としては、上記した半導体材料の外に、例え
ば、ＬｉＮｂＯ３ のような誘電体材料であってもよい
。
Ｚｎ拡散域９で屈折率変化手段が構成されていて、上部
電極１１から所定値の電流を注入すると、Ｚｎ拡散域９
の屈折率が低下し、上部クラッド層６におけるＺｎ拡散
域９の境界が反射面として発現する。なお、光スイッチ
の構成材料としては、上記した半導体材料の外に、例え
ば、ＬｉＮｂＯ３ のような誘電体材料であってもよい
。
【００１７】また、屈折率変化手段は、上記した上部電
極１１からの電流注入で動作させる場合にだけ限られる
ことなく、導波路の構成によっては電圧印加で動作させ
ることもできる。今、図１で示した光スイッチにおいて
交差部Ｃにおける両側部Ｃ１ ，Ｃ２ の曲率半径Ｒを
５ｍｍとした場合のスイッチング特性を図４に示す。
極１１からの電流注入で動作させる場合にだけ限られる
ことなく、導波路の構成によっては電圧印加で動作させ
ることもできる。今、図１で示した光スイッチにおいて
交差部Ｃにおける両側部Ｃ１ ，Ｃ２ の曲率半径Ｒを
５ｍｍとした場合のスイッチング特性を図４に示す。
【００１８】図中、○印はスルーポートの受光パワーの
変化、●印は反射ポートの受光パワーの変化を表す。図
４から明らかなように、この光スイッチは、電極１１か
ら電流注入しないとき（非スイッチング時）には、例え
ば入射ポートＡ１ から入射した光は交差部Ｃを直進し
てスルーポート（出射ポートＡ２ ）を伝搬する。そし
て、電極１１からの注入電流を増加していくと、Ｚｎ拡
散域９の屈折率が低下していき、それに応じて反射ポー
ト（出射ポートＢ２ ）の受光パワーは増大し、注入電
流２５０ｍＡでスイッチング動作が実現する。
変化、●印は反射ポートの受光パワーの変化を表す。図
４から明らかなように、この光スイッチは、電極１１か
ら電流注入しないとき（非スイッチング時）には、例え
ば入射ポートＡ１ から入射した光は交差部Ｃを直進し
てスルーポート（出射ポートＡ２ ）を伝搬する。そし
て、電極１１からの注入電流を増加していくと、Ｚｎ拡
散域９の屈折率が低下していき、それに応じて反射ポー
ト（出射ポートＢ２ ）の受光パワーは増大し、注入電
流２５０ｍＡでスイッチング動作が実現する。
【００１９】つぎに図１で示した光スイッチにおいて、
導波路の交差角θ，交差部の両側部Ｃ１ ，Ｃ２ の曲
率半径Ｒを表１で示したような値にして４種類の光スイ
ッチを製造した。これらの光スイッチにつき、スイッチ
ング動作発現時の漏話量を測定した。その結果を表１に
示した。なお、比較のため、表１に示した交差角θを有
する図５で示した従来の光スイッチについても、同様に
して、スイッチング動作発現時の漏話量を測定した。そ
の結果を表１に併記した。
導波路の交差角θ，交差部の両側部Ｃ１ ，Ｃ２ の曲
率半径Ｒを表１で示したような値にして４種類の光スイ
ッチを製造した。これらの光スイッチにつき、スイッチ
ング動作発現時の漏話量を測定した。その結果を表１に
示した。なお、比較のため、表１に示した交差角θを有
する図５で示した従来の光スイッチについても、同様に
して、スイッチング動作発現時の漏話量を測定した。そ
の結果を表１に併記した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
導波路型光スイッチは、光導波路が互いに交差して交差
部を形成し、前記交差部に屈折率変化手段が設けられて
いる導波路型光スイッチにおいて、光が入射する入射ポ
ートと光が反射する側の出射ポートとを結ぶ前記交差部
の側部が曲線形状になっているので、スイッチング動作
時の光損失が少なくなる。
導波路型光スイッチは、光導波路が互いに交差して交差
部を形成し、前記交差部に屈折率変化手段が設けられて
いる導波路型光スイッチにおいて、光が入射する入射ポ
ートと光が反射する側の出射ポートとを結ぶ前記交差部
の側部が曲線形状になっているので、スイッチング動作
時の光損失が少なくなる。
【図１】本発明光スイッチの平面パターン例を示す概略
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿う断面図であ
る。
る。
【図４】従来の光スイッチ例の平面パターンを示す概略
平面図である。
平面図である。
【図５】本発明光スイッチのスイッチング特性例を示す
グラフである。
グラフである。
Ａ 導波路
Ａ１ 入射ポート
Ａ２ 出射ポート
Ｂ 導波路
Ｂ１ 入射ポート
Ｂ２ 出射ポート
Ｃ 交差部
Ｃ１ ，Ｃ２ 交差部Ｃの側部
θ 導波路の交差角
Ｒ 側部Ｃ１ ，Ｃ２ の曲率半径
１ 下部電極
２ 基板
３ バッファ層
４ 下部クラッド層
５ コア層
６ 上部クラッド層
７ キャップ層
８ 絶縁膜
９ Ｚｎ拡散域
１０ 窓
１１ 上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 光導波路を互いに交差することにより
入射ポート群と出射ポート群に接続する交差部を形成し
、前記交差部に屈折率変化手段を配設して、前記入射ポ
ート群のうちの１本の入射ポートから入射する光を前記
出射ポート群の１本の出射ポートへ反射させて光路変更
できるようにした導波路型光スイッチにおいて、前記光
が入射する入射ポートと光が反射する側の前記出射ポー
トとを結ぶ前記交差部の少なくとも前記出射ポートの側
部を曲線形状にしたことを特徴とする導波路型光スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12385091A JPH04350628A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 導波路型光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12385091A JPH04350628A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 導波路型光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350628A true JPH04350628A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14870947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12385091A Pending JPH04350628A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 導波路型光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04350628A (ja) |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP12385091A patent/JPH04350628A/ja active Pending
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