JPH0435105A - 超薄板圧電共振子の電極構造 - Google Patents
超薄板圧電共振子の電極構造Info
- Publication number
- JPH0435105A JPH0435105A JP13613490A JP13613490A JPH0435105A JP H0435105 A JPH0435105 A JP H0435105A JP 13613490 A JP13613490 A JP 13613490A JP 13613490 A JP13613490 A JP 13613490A JP H0435105 A JPH0435105 A JP H0435105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resonator
- ultra
- piezoelectric resonator
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は基本波振動によって数10乃至数100MHz
に及ぶ高い共振周波数を得ることのできる超薄板圧電共
振子の電極構造に関する。
に及ぶ高い共振周波数を得ることのできる超薄板圧電共
振子の電極構造に関する。
(従来の技術)
近年、各種電子機器、通信機器においては、高周波化と
高い周波数安定度の要求が厳しくなっているが、従来よ
り圧電デバイス(振動子、フィルタ)として多用されて
きた一般のATカット水晶振動子は温度−周波数特性は
極めて優れているもののその共振周波数は板厚に反比例
するため、製造技術及び機械的強度の観点より40MH
z程度が限界であった。
高い周波数安定度の要求が厳しくなっているが、従来よ
り圧電デバイス(振動子、フィルタ)として多用されて
きた一般のATカット水晶振動子は温度−周波数特性は
極めて優れているもののその共振周波数は板厚に反比例
するため、製造技術及び機械的強度の観点より40MH
z程度が限界であった。
又、ATカット水晶振動子の高調波成分を抽出して基本
波共振周波数の奇数倍の周波数を得る所謂オーバートー
ン発振手段も広く用いられているが、発振回路にコイル
を含むLC同調回路を必要とするため発振回路を半導体
集積回路化する一]−で不都合がある上、容置比が大き
く、1つインビダンスレベルが高い為発振が困難になる
場合があるという欠陥があった。
波共振周波数の奇数倍の周波数を得る所謂オーバートー
ン発振手段も広く用いられているが、発振回路にコイル
を含むLC同調回路を必要とするため発振回路を半導体
集積回路化する一]−で不都合がある上、容置比が大き
く、1つインビダンスレベルが高い為発振が困難になる
場合があるという欠陥があった。
方、インタディジタル・トランスジューサ電極の電極指
ピッチによって共振周波数が決定される弾性表面波共振
子は、フォトリソグラフィ技術の進歩によってIGHz
程度の共振まで可能となってはきたが、これに使用し得
る圧電基板の温度−周波数特性がATカット水晶に比し
て著しく劣るという問題があった。
ピッチによって共振周波数が決定される弾性表面波共振
子は、フォトリソグラフィ技術の進歩によってIGHz
程度の共振まで可能となってはきたが、これに使用し得
る圧電基板の温度−周波数特性がATカット水晶に比し
て著しく劣るという問題があった。
上述の如き問題を解決するため、従来より第4図(a)
(b)に示すごとき圧電共振子が研究されている。
(b)に示すごとき圧電共振子が研究されている。
即ち、この圧電共振子はATカット水晶ブロック1の片
面の中央部に機械加工又はエツチングによって凹陥部2
を形成するとともに、凹陥部2の底面に位置する振動部
3の厚さを、例えば100M I−1zの基本波共振周
波数を得んとするならば約17μmとする。
面の中央部に機械加工又はエツチングによって凹陥部2
を形成するとともに、凹陥部2の底面に位置する振動部
3の厚さを、例えば100M I−1zの基本波共振周
波数を得んとするならば約17μmとする。
凹陥部2を形成した結果、凹陥部2側のブロック面には
、超薄板状の振動部3の周縁部に厚肉の環状囲繞部(リ
ブ)4が前記振動部3と一体的に形成され超薄板状の振
動部を機械的に支持する。
、超薄板状の振動部3の周縁部に厚肉の環状囲繞部(リ
ブ)4が前記振動部3と一体的に形成され超薄板状の振
動部を機械的に支持する。
上述した如き構造を有する圧電素板の凹陥内側壁を含む
全面に導体膜5を付着すると共に、その対向面側の振動
部3の表面に部分電極6及びこれから延びる電極リード
7を真空蒸着等の手法を用いて付着すれば、共振周波数
の極めて高い圧電共振子を得ることができる。
全面に導体膜5を付着すると共に、その対向面側の振動
部3の表面に部分電極6及びこれから延びる電極リード
7を真空蒸着等の手法を用いて付着すれば、共振周波数
の極めて高い圧電共振子を得ることができる。
このような構造の圧電共振子は第5図に示す如きフラッ
ト型パッケージに収納するのに適する。
ト型パッケージに収納するのに適する。
即ち、中央に凹状の収納空所8を有するセラミック等の
ケース9内に前記水晶ブロック1の凹陥部2をケース底
面に向けて収納し、環状囲繞部4の凹陥側の一周縁平面
を顔面に線状に塗布した導電性接着剤10によって、収
納空所8の底面に露出しケースの壁を気密貫通するとと
もにケース外に突出或は露出する外部リートと接続した
導電性膜11と機械的に固定すると共に電気的に接着す
るのが常識的且つ有利であろう。
ケース9内に前記水晶ブロック1の凹陥部2をケース底
面に向けて収納し、環状囲繞部4の凹陥側の一周縁平面
を顔面に線状に塗布した導電性接着剤10によって、収
納空所8の底面に露出しケースの壁を気密貫通するとと
もにケース外に突出或は露出する外部リートと接続した
導電性膜11と機械的に固定すると共に電気的に接着す
るのが常識的且つ有利であろう。
なお、収納空所底面の導電性膜I+はケース9内部を気
密的に貫通する接続導体を介してケースの底面角部に形
成した端子12と接続する。
密的に貫通する接続導体を介してケースの底面角部に形
成した端子12と接続する。
又、前記共振子の部分電極6から伸びた電極リド7の端
部に位置するバット7aはワイヤボンディングによって
ケース内部の段差部13上に形成したパッド14と接続
するが、このパッドI4もケース9内部を気密的に貫通
ずる接続導体を介してケース底面の角部に形成した端子
15と接続するものであることはいうまでもあるまい。
部に位置するバット7aはワイヤボンディングによって
ケース内部の段差部13上に形成したパッド14と接続
するが、このパッドI4もケース9内部を気密的に貫通
ずる接続導体を介してケース底面の角部に形成した端子
15と接続するものであることはいうまでもあるまい。
このように構成した超薄板圧電共振子において問題とな
るのは、カ」記凹陥部2側表面全体が導体膜5で覆われ
ているために、前記部分電極6から延びる電極リート7
との間にコンデンサが形成される結果、圧電共振子の容
量比が増大し、周波数の変動し得る幅が小さくなるとい
う点である。
るのは、カ」記凹陥部2側表面全体が導体膜5で覆われ
ているために、前記部分電極6から延びる電極リート7
との間にコンデンサが形成される結果、圧電共振子の容
量比が増大し、周波数の変動し得る幅が小さくなるとい
う点である。
即ち、電極リード7と凹陥側導体膜5との間にコンデン
サが形成されると、第6図に示す圧電共振子の等価回路
ににおける並列容量C6が増大して、圧電共振子の容量
比γ−C8/C,が増大するために、斯かるタイプの共
振子は電圧制御水晶発振器(VCXO)の如く所定の範
囲内で発振周波数を変動せしめる必要のある発振回路へ
の適用が制限を受けるであろうし、又多重モードフィル
タ素子に適用せんとしても比鮫的広いバスバンドを要求
された場合には対応が困難であるという欠陥が予測され
る。
サが形成されると、第6図に示す圧電共振子の等価回路
ににおける並列容量C6が増大して、圧電共振子の容量
比γ−C8/C,が増大するために、斯かるタイプの共
振子は電圧制御水晶発振器(VCXO)の如く所定の範
囲内で発振周波数を変動せしめる必要のある発振回路へ
の適用が制限を受けるであろうし、又多重モードフィル
タ素子に適用せんとしても比鮫的広いバスバンドを要求
された場合には対応が困難であるという欠陥が予測され
る。
(発明の目的)
本考案は超薄板圧電共振子において予測される上述した
如き問題点に鑑みてなされたものであって、水晶等の圧
電ブロック表面に形成した凹陥部底面を超薄板状の圧電
振動部とした圧電共振子において、前記超薄肉の振動部
を介して電極と電極リートパターンとが相対面する結果
、コンデンサを形成し共振子の並列容量を増大させるこ
とに起因して発生する種々の不都合を解消することがで
きる超薄板圧電共振子の電極構造を提供することを目的
とする。
如き問題点に鑑みてなされたものであって、水晶等の圧
電ブロック表面に形成した凹陥部底面を超薄板状の圧電
振動部とした圧電共振子において、前記超薄肉の振動部
を介して電極と電極リートパターンとが相対面する結果
、コンデンサを形成し共振子の並列容量を増大させるこ
とに起因して発生する種々の不都合を解消することがで
きる超薄板圧電共振子の電極構造を提供することを目的
とする。
(発明の概要)
上記の目的を達成するため本発明に係る共振子は、少な
くとも超薄肉の振動部の一面に電極及びこれから伸びる
電極リードパターンを形成するとともに、該振動部の対
向面上の前記リートパターンと対応する領域を回避した
位置に対向電極たる導体膜を形成したことを特徴とする
。
くとも超薄肉の振動部の一面に電極及びこれから伸びる
電極リードパターンを形成するとともに、該振動部の対
向面上の前記リートパターンと対応する領域を回避した
位置に対向電極たる導体膜を形成したことを特徴とする
。
(発明の実施例)
以下、添付図面に示した好適な実施例に基づいて本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
実施例の説明に先立って、本発明の理解を助ける為本発
明の基礎となる超薄板圧電共振子が何故にその凹陥部に
前面電極を、その対向面側に部分電極を設ける如き電極
構成を採用するかについて少しく解説する。
明の基礎となる超薄板圧電共振子が何故にその凹陥部に
前面電極を、その対向面側に部分電極を設ける如き電極
構成を採用するかについて少しく解説する。
第1に真空蒸着技術の観点から前述した如き圧電基板凹
陥側振動部に部分電極を、又該電極から前記凹陥の内側
壁及び段差を越えて幅の狭い電極リードを延長すること
は、圧電基板を水平面に対し傾けて蒸着を行なう等の面
倒な手法を用いればとも角、極めて困難であって電極リ
ードの導通確保に不安がある為、顔面を全面電極としい
ずれかの部分で必ず電極リートを確保し得るようにした
ものである。
陥側振動部に部分電極を、又該電極から前記凹陥の内側
壁及び段差を越えて幅の狭い電極リードを延長すること
は、圧電基板を水平面に対し傾けて蒸着を行なう等の面
倒な手法を用いればとも角、極めて困難であって電極リ
ードの導通確保に不安がある為、顔面を全面電極としい
ずれかの部分で必ず電極リートを確保し得るようにした
ものである。
第2に斯かるタイプの共振子は元来デバイスの超小型化
を目的とし、圧電基板のサイズは例えば3mmX3mm
以下としたい。然りとすれば、枚の圧電ウニハートにバ
ッチ処理で一挙に多数のチップを形成し、最後にこれを
個々のチップに切断する製法を採用する。この場合、上
述したタイプの電極構成を採用すれば、ウェハーの一面
には単に導体膜の全面蒸着を行なえば足り、フォトマス
ク或はフォトリソグラフィ用マスクの微妙な位置合わせ
を要しないので、生産効率、歩留りを向上し、コストを
低減することができる。
を目的とし、圧電基板のサイズは例えば3mmX3mm
以下としたい。然りとすれば、枚の圧電ウニハートにバ
ッチ処理で一挙に多数のチップを形成し、最後にこれを
個々のチップに切断する製法を採用する。この場合、上
述したタイプの電極構成を採用すれば、ウェハーの一面
には単に導体膜の全面蒸着を行なえば足り、フォトマス
ク或はフォトリソグラフィ用マスクの微妙な位置合わせ
を要しないので、生産効率、歩留りを向上し、コストを
低減することができる。
以上の如き理由により、従来から本願発明者等によって
研究されていた超薄板圧電共振子は凹陥側表面に全面電
極を付着することを基本とするものであることに留意さ
れたい。
研究されていた超薄板圧電共振子は凹陥側表面に全面電
極を付着することを基本とするものであることに留意さ
れたい。
しかしながら、−上述した如き電極構成を用いれば、前
記振動部の板厚が極めて小さいこともあって該部表裏の
全面電極と、電極リード部との間に大容量のキャパシタ
が構成され、その結果共振器の容量比が大きくなり、種
々の不都合を生ずること前述の通りである。
記振動部の板厚が極めて小さいこともあって該部表裏の
全面電極と、電極リード部との間に大容量のキャパシタ
が構成され、その結果共振器の容量比が大きくなり、種
々の不都合を生ずること前述の通りである。
この問題を解決するため、本発明に係る超薄板圧電共振
子は以下の如き電極構造をとる。
子は以下の如き電極構造をとる。
第1図(a)は本発明の基本的構成を示す平面図であっ
て、超薄板圧電ブロック】の凹陥2側に付した全面電極
5からその対向電極6より延びる電極リード7の振動部
3領域に対応する部分16を除去したものである。
て、超薄板圧電ブロック】の凹陥2側に付した全面電極
5からその対向電極6より延びる電極リード7の振動部
3領域に対応する部分16を除去したものである。
斯くする理由は前記振動部3はその肉厚が極めて小さく
、該部表裏に導体膜が存在すれば大なる容量のキャパシ
タを構成するからである。
、該部表裏に導体膜が存在すれば大なる容量のキャパシ
タを構成するからである。
これに比して前記環状囲繞部4はその肉厚が大であって
仮にその表裏に導体膜が存在してもさほど大なる容量を
有することがなく、共振子の容量比には重大な影響を与
えないと考えられるからである。
仮にその表裏に導体膜が存在してもさほど大なる容量を
有することがなく、共振子の容量比には重大な影響を与
えないと考えられるからである。
尚、上述した如き空白のある電極を構成するには圧電ブ
ロック1の凹陥2側にも然るべきマスクを付して導体の
蒸着を行なうか、或は導体の全面蒸着の後、フォトリソ
グラフィ技術を用いて不要導体膜を除去する必要があり
、工程が少しく複雑になる難点はあるが、これに要する
コストは共振子の諸特性の向上によって十分補償される
ものである。。
ロック1の凹陥2側にも然るべきマスクを付して導体の
蒸着を行なうか、或は導体の全面蒸着の後、フォトリソ
グラフィ技術を用いて不要導体膜を除去する必要があり
、工程が少しく複雑になる難点はあるが、これに要する
コストは共振子の諸特性の向上によって十分補償される
ものである。。
尚、同図[b)は全面電極に対向する部分電極6の電極
リード7の幅が電極6の幅とほぼ等しい場合においては
電極リード7の側縁とこれと対向する全面電極から除去
すべき空白部16の側縁との間隔dをほぼ前記環状囲繞
部4の厚さ程度とすることにより、振動部3を介しての
容量をほぼ無視し得る程度となるであろうことを示した
ものである。
リード7の幅が電極6の幅とほぼ等しい場合においては
電極リード7の側縁とこれと対向する全面電極から除去
すべき空白部16の側縁との間隔dをほぼ前記環状囲繞
部4の厚さ程度とすることにより、振動部3を介しての
容量をほぼ無視し得る程度となるであろうことを示した
ものである。
しかしながら、前記部分電極6のリード部7と部分電極
6側縁に広がる対向導体膜との間でキャパシタが構成さ
れるので、これを除去するため同図(c)に示す如く全
面電極中の導体膜を除去すべき部分を部分電極6の側縁
に対応する部分17にまで拡張すれば効果的であろう。
6側縁に広がる対向導体膜との間でキャパシタが構成さ
れるので、これを除去するため同図(c)に示す如く全
面電極中の導体膜を除去すべき部分を部分電極6の側縁
に対応する部分17にまで拡張すれば効果的であろう。
ところで、上述した如く圧電ブロックlの凹陥側に付す
全面電極の−・部を除去するには前述した如く然るべき
形状の蒸着マスク或はフォトリソグラフィ技術を用いる
必要がある。
全面電極の−・部を除去するには前述した如く然るべき
形状の蒸着マスク或はフォトリソグラフィ技術を用いる
必要がある。
然らば、同図(d)又は(e)に示す如く全面電極から
導体膜を除去すべき範囲を圧電ブロックlの環状囲繞部
4における部分電極6の電極リード7に対向する部分に
まで拡張すれば、格別工数を増加することなく共振子の
容量比を低減するLでより効果的であろう。
導体膜を除去すべき範囲を圧電ブロックlの環状囲繞部
4における部分電極6の電極リード7に対向する部分に
まで拡張すれば、格別工数を増加することなく共振子の
容量比を低減するLでより効果的であろう。
なお、1−述した如き共振子は前記第5図に示す如く前
記全面電極を付した圧電ブロックl凹陥側をパッケージ
9の底面に設けた導体膜11と対面せしめ前記環状囲繞
部4の−・縁で導電性接着剤lOを用いて機械的に固定
すると共に電気的に接続するが、その接着部位は第1図
(d)に示すごとく部分電極6の電極リート7の延長方
向と対向する縁20でも良いし、前記電極6をそのリー
ト7先端においてバ・・・ケージのリート端子パッド1
4とワイヤにて接続する際のポンディングを確実にする
ため同図(elに示す如く部分電極6のリート7を延長
した側の環状囲繞部表面18でもよくこの場合のパッケ
ージングは第2図の如くなるう。
記全面電極を付した圧電ブロックl凹陥側をパッケージ
9の底面に設けた導体膜11と対面せしめ前記環状囲繞
部4の−・縁で導電性接着剤lOを用いて機械的に固定
すると共に電気的に接続するが、その接着部位は第1図
(d)に示すごとく部分電極6の電極リート7の延長方
向と対向する縁20でも良いし、前記電極6をそのリー
ト7先端においてバ・・・ケージのリート端子パッド1
4とワイヤにて接続する際のポンディングを確実にする
ため同図(elに示す如く部分電極6のリート7を延長
した側の環状囲繞部表面18でもよくこの場合のパッケ
ージングは第2図の如くなるう。
以上、本発明を圧電振動子に適用した場合について説明
し、だが、本発明は第3図に示す如く超薄板多重モート
フィルタにも同様に適用可能である。
し、だが、本発明は第3図に示す如く超薄板多重モート
フィルタにも同様に適用可能である。
多重子−ト圧電フィルタのうち最も一般的な2重モート
圧電フィルタは周知の如く、例えば圧電基板(この場合
には振動部3)の−面に近接した分割電極19を、その
対向面に全面電極を設け、分割電極19の両電極間に音
響結合を生ぜしめ、その結果励起する共振周波数の相異
なる2つの振動モードを利用してバンドパスフィルタを
構成するものである。
圧電フィルタは周知の如く、例えば圧電基板(この場合
には振動部3)の−面に近接した分割電極19を、その
対向面に全面電極を設け、分割電極19の両電極間に音
響結合を生ぜしめ、その結果励起する共振周波数の相異
なる2つの振動モードを利用してバンドパスフィルタを
構成するものである。
従って、分割電極19からは夫々電極リート21を圧電
ブロック1の縁部に引出す必要がある故、第3図(a)
に示ず如<+i7記両装置ト2Iと環状囲繞部4内壁と
で包囲される領域22から導体膜を除去すれば良い。
ブロック1の縁部に引出す必要がある故、第3図(a)
に示ず如<+i7記両装置ト2Iと環状囲繞部4内壁と
で包囲される領域22から導体膜を除去すれば良い。
更に、同図(b)に示す如< l′ii前記領域2Iを
環状囲繞部4表面まで延長してもよい。
環状囲繞部4表面まで延長してもよい。
斯くすることによって圧電共振子の容里比γを通常の圧
電共振子と同等とすることが可能となるので、数10乃
至100 M )−17,の共振周波数を基本波振動に
よって得る振動子或はこの周波数を中心層e数とするフ
ィルタ素子を超小型に形成し、しかもこれらの特性、殊
に共振周波数の可変幅、フィルタのバント幅を1−分大
きな値に確保することができる。
電共振子と同等とすることが可能となるので、数10乃
至100 M )−17,の共振周波数を基本波振動に
よって得る振動子或はこの周波数を中心層e数とするフ
ィルタ素子を超小型に形成し、しかもこれらの特性、殊
に共振周波数の可変幅、フィルタのバント幅を1−分大
きな値に確保することができる。
(発明の効果)
本発明は以上説明した如く構成するものであるから、超
薄板圧電共振子或はフィルタ素子の容計比を低い値に押
え、振動子にあっては共振周波数の可変幅を充分に確保
し、又フィルタ素子にあってはスプリアスを減少し、広
いパスバントを与える十で河しい効果があり、この効果
は電極形成に四する玉数増大を補って余りあるものであ
る。
薄板圧電共振子或はフィルタ素子の容計比を低い値に押
え、振動子にあっては共振周波数の可変幅を充分に確保
し、又フィルタ素子にあってはスプリアスを減少し、広
いパスバントを与える十で河しい効果があり、この効果
は電極形成に四する玉数増大を補って余りあるものであ
る。
第1図(a)乃至(e)は夫々本発明に係る超薄板圧電
共振子の電極構造の異なった実施例を示す平面図、第2
図は本発明に係る圧電共振子のパッケージ手法の一例を
示す断面図、第3図(a)及び(b)は夫々本発明を適
用した超薄板多重モードフィルタ素子の異なった実施例
を示す平面図、第4図(a)及び(b)は夫々従来から
研究されていた超薄板圧電共振子の構造を示す斜視図及
びX−X断面図、第5図はそのパッケージ手法を示す断
面図、第6図は共振子の等価回路図である。 l ・ ・ ・ 3 ・ ・ ・ 全面電極 ド I 0 16・・ 超薄板圧電ブロック 2・・・凹陥部 振動部 4・・・環状囲繞部 5・・−6・・・部分電
極 7・・・電極り ・・・導電性接着剤 11・・・導体膜・空白部 特許出願人 東洋通信機株式会社
共振子の電極構造の異なった実施例を示す平面図、第2
図は本発明に係る圧電共振子のパッケージ手法の一例を
示す断面図、第3図(a)及び(b)は夫々本発明を適
用した超薄板多重モードフィルタ素子の異なった実施例
を示す平面図、第4図(a)及び(b)は夫々従来から
研究されていた超薄板圧電共振子の構造を示す斜視図及
びX−X断面図、第5図はそのパッケージ手法を示す断
面図、第6図は共振子の等価回路図である。 l ・ ・ ・ 3 ・ ・ ・ 全面電極 ド I 0 16・・ 超薄板圧電ブロック 2・・・凹陥部 振動部 4・・・環状囲繞部 5・・−6・・・部分電
極 7・・・電極り ・・・導電性接着剤 11・・・導体膜・空白部 特許出願人 東洋通信機株式会社
Claims (1)
- (1)超薄肉の振動部と、該振動部周縁を支持する厚肉
の環状囲繞部とを一体成形した圧電共振子において、該
振動部の一面に電極及び該電極から伸びる電極リードパ
ターンを形成するとともに、少なくとも該振動部の対向
面上の前記リードパターンと対応する領域を回避した位
置に対向電極を形成したことを特徴とする超薄板圧電共
振子の電極構造。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13613490A JPH0435105A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 超薄板圧電共振子の電極構造 |
| US07/809,512 US5235240A (en) | 1990-05-25 | 1991-05-09 | Electrodes and their lead structures of an ultrathin piezoelectric resonator |
| PCT/JP1991/000615 WO1991019351A1 (fr) | 1990-05-25 | 1991-05-09 | Structure d'electrode et de sortie correspondante pour resonateur piezoelectrique a plaque mince |
| DE69124339T DE69124339T2 (de) | 1990-05-25 | 1991-05-09 | Elektroden- und elektrodenleitungsstruktur eines piezoelektrischen resonators aus einer ultradünnen schicht |
| EP91908864A EP0484545B1 (en) | 1990-05-25 | 1991-05-09 | Structure of electrode and lead thereof of ultra thin plate piezoelectric resonator |
| KR1019910700781A KR920702898A (ko) | 1990-05-25 | 1991-07-25 | 초박판 압전공진자의 전극 및 전극리드구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13613490A JPH0435105A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 超薄板圧電共振子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435105A true JPH0435105A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15168104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13613490A Pending JPH0435105A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 超薄板圧電共振子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435105A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010252143A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13613490A patent/JPH0435105A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010252143A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5925968A (en) | Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator device having the same and circuit device having the piezoelectric vibrator device | |
| EP0484545B1 (en) | Structure of electrode and lead thereof of ultra thin plate piezoelectric resonator | |
| JP2004200917A (ja) | 圧電振動片と圧電振動片を利用した圧電デバイス、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 | |
| EP0483358B1 (en) | Ultra thin quartz crystal filter element of multiple mode | |
| JP3102869B2 (ja) | 超薄板圧電共振子の構造 | |
| JP2004135357A (ja) | 水晶振動子、水晶ユニット、水晶発振器とそれらの製造方法 | |
| JP3068140B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JP4196641B2 (ja) | 超薄板圧電デバイスとその製造方法 | |
| JP3248630B2 (ja) | 水晶片の直接接合方法ならびにその方法を用いてなる水晶振動子,水晶発振器および水晶フィルタ | |
| JP3221609B2 (ja) | 超薄板圧電共振子の固定部構造 | |
| JP2001257560A (ja) | 超薄板圧電振動素子の電極構造 | |
| JPH0435105A (ja) | 超薄板圧電共振子の電極構造 | |
| WO2002067424A1 (en) | Piezoelectric vibrator, ladder-type filter using this piezoelectric vibrator and double-mode piezoelectric filter | |
| JP3331574B2 (ja) | 高周波圧電振動デバイス | |
| JP3102872B2 (ja) | 超薄肉圧電振動子 | |
| JP2003273703A (ja) | 水晶振動子と水晶振動子の製造方法 | |
| JPH04115707A (ja) | 超薄板圧電共振子の電極リード構造 | |
| JP7725962B2 (ja) | 水晶振動板および水晶振動デバイス | |
| JP7725963B2 (ja) | 水晶振動板および水晶振動デバイス | |
| JPH04115706A (ja) | 超薄板圧電共振子の電極リード構造 | |
| JP3287383B2 (ja) | モノリシック水晶フィルタ | |
| JP2001060844A (ja) | 複合圧電振動子 | |
| JPH03243008A (ja) | 超薄板水晶共振子の固定方法 | |
| JP2007189579A (ja) | 圧電基板の製造方法、圧電基板、圧電振動素子、超薄板多重モード圧電フィルタ素子、圧電振動素子の製造方法、圧電振動子、及び圧電発振器 | |
| JP2004215205A (ja) | 水晶ユニットと水晶発振器 |