JPH04351735A - 光素子 - Google Patents
光素子Info
- Publication number
- JPH04351735A JPH04351735A JP3123677A JP12367791A JPH04351735A JP H04351735 A JPH04351735 A JP H04351735A JP 3123677 A JP3123677 A JP 3123677A JP 12367791 A JP12367791 A JP 12367791A JP H04351735 A JPH04351735 A JP H04351735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- analyzer
- polarization axis
- axis direction
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記憶装置に用い
る光素子に関する。
る光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記憶装置では、特に信号を
検出する光学系を構成する光学部品が多く、光磁気記憶
装置が大型でかつ高価になるという問題点があった。こ
の問題を解決するために、半導体レーザとその外部反射
光を検出する受光素子を有する光素子及び前記光素子を
用いた光磁気記憶装置の駆動原理が提案されている。こ
こで検光子としては一般的に正方形等の対称形をなすも
のが用いられていた。
検出する光学系を構成する光学部品が多く、光磁気記憶
装置が大型でかつ高価になるという問題点があった。こ
の問題を解決するために、半導体レーザとその外部反射
光を検出する受光素子を有する光素子及び前記光素子を
用いた光磁気記憶装置の駆動原理が提案されている。こ
こで検光子としては一般的に正方形等の対称形をなすも
のが用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、受光素
子の前方に配置する検光子には、前記請求項１にある通
り、それぞれの検光子の偏光軸方向が互いに直行すると
いう制約がある。この光素子は４つの受光素子に入射し
た検光子透過後の光強度の和及び差信号をもとに、光磁
気記憶媒体からの情報を検出し補正駆動するという原理
をもつため、検光子の偏光軸方向を間違えて実装した場
合、この受光素子による検出が正常に動作しなくなって
しまう。
子の前方に配置する検光子には、前記請求項１にある通
り、それぞれの検光子の偏光軸方向が互いに直行すると
いう制約がある。この光素子は４つの受光素子に入射し
た検光子透過後の光強度の和及び差信号をもとに、光磁
気記憶媒体からの情報を検出し補正駆動するという原理
をもつため、検光子の偏光軸方向を間違えて実装した場
合、この受光素子による検出が正常に動作しなくなって
しまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上の説明のように、検
光子と受光素子との接着媒質を選ぶ必要があり、本発明
ではこの問題を解決するために、半導体レーザと、光磁
気記憶媒体からの光を４つの受光素子の方向へ分割する
２つの不等周期回折格子領域から成る回折手段と、前記
回折手段と集光レンズとから成る非点収差発生手段と、
前記回折手段の０次回折光の光軸に対して垂直面内にあ
り、かつ前記光軸を中心として放射状に長軸方向が配置
された帯状の４つの前記受光素子と、４つの前記受光素
子の前方に配置され、それぞれの偏光軸方向が直行した
少なくとも２分割された検光子とを有する光素子におい
て、前記検光子に偏光軸方向を示す識別子を形成するこ
とを特徴とする。
光子と受光素子との接着媒質を選ぶ必要があり、本発明
ではこの問題を解決するために、半導体レーザと、光磁
気記憶媒体からの光を４つの受光素子の方向へ分割する
２つの不等周期回折格子領域から成る回折手段と、前記
回折手段と集光レンズとから成る非点収差発生手段と、
前記回折手段の０次回折光の光軸に対して垂直面内にあ
り、かつ前記光軸を中心として放射状に長軸方向が配置
された帯状の４つの前記受光素子と、４つの前記受光素
子の前方に配置され、それぞれの偏光軸方向が直行した
少なくとも２分割された検光子とを有する光素子におい
て、前記検光子に偏光軸方向を示す識別子を形成するこ
とを特徴とする。
【０００５】
【実施例】まず本発明を用いた光磁気記憶装置の構成の
詳細を図１によって示す。図中のｘ軸は任意の座標を表
わす。台座１６の前端中央にヒートシンク１５が配置さ
れ、さらにこのヒートシンク１５の前端中央には例えば
出射波長が７８０ｎｍでｘ軸方向に偏光したの半導体レ
ーザ１４がダイボンディングされている。また台座１６
の前面両端部分に奥行きの異なる段差がそれぞれ形成さ
れ、これら段差部分前面に受光素子が形成された基板１
３Ａ及び１３Ｂがそれぞれ実装されている。これらヒー
トシンク１５、半導体レーザ１４、受光素子が成された
基板１３Ａ及び１３Ｂが台座１６に実装された段階を前
面から示したのが図２である。基板１３Ａ及び１３Ｂに
はそれぞれ２つずつの受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ
及び２１Ｄが形成されており、これらの受光素子２１Ａ
、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄは台座１６に実装したとき
に１点から放射状に配列するように形成されている。
詳細を図１によって示す。図中のｘ軸は任意の座標を表
わす。台座１６の前端中央にヒートシンク１５が配置さ
れ、さらにこのヒートシンク１５の前端中央には例えば
出射波長が７８０ｎｍでｘ軸方向に偏光したの半導体レ
ーザ１４がダイボンディングされている。また台座１６
の前面両端部分に奥行きの異なる段差がそれぞれ形成さ
れ、これら段差部分前面に受光素子が形成された基板１
３Ａ及び１３Ｂがそれぞれ実装されている。これらヒー
トシンク１５、半導体レーザ１４、受光素子が成された
基板１３Ａ及び１３Ｂが台座１６に実装された段階を前
面から示したのが図２である。基板１３Ａ及び１３Ｂに
はそれぞれ２つずつの受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ
及び２１Ｄが形成されており、これらの受光素子２１Ａ
、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄは台座１６に実装したとき
に１点から放射状に配列するように形成されている。
【０００６】さらに前記受光素子が形成された基板１３
Ａ及び１３Ｂの前面に、２つずつ形成された受光素子２
１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの受光面を被覆するよ
うな形状に形成された検光子１１Ａ及び１１Ｂが、紫外
線硬化樹脂１２によって接着されている。これら検光子
１１Ａ及び１１Ｂは、例えば矩形状の形状の形成されて
おり、半導体レーザ１４の偏光軸方向と４５度をなす偏
光軸方向をもち、その偏光軸方向と平行に少なくとも１
つの角が切断されている。さらにこれらの偏光軸方向１
８Ａ及び１８Ｂは互いに偏光軸方向は直行している。
Ａ及び１３Ｂの前面に、２つずつ形成された受光素子２
１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの受光面を被覆するよ
うな形状に形成された検光子１１Ａ及び１１Ｂが、紫外
線硬化樹脂１２によって接着されている。これら検光子
１１Ａ及び１１Ｂは、例えば矩形状の形状の形成されて
おり、半導体レーザ１４の偏光軸方向と４５度をなす偏
光軸方向をもち、その偏光軸方向と平行に少なくとも１
つの角が切断されている。さらにこれらの偏光軸方向１
８Ａ及び１８Ｂは互いに偏光軸方向は直行している。
【０００７】続いて磁気記憶媒体からの反射光を前記４
つの受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの方向
に分割するための回折手段１７Ａ及び１７Ｂが半導体レ
ーザ１４の前方に位置し、これら回折手段１７Ａ及び１
７Ｂの０次回折光軸が受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ
及び２１Ｄの受光面と垂直になるように配置されている
。
つの受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの方向
に分割するための回折手段１７Ａ及び１７Ｂが半導体レ
ーザ１４の前方に位置し、これら回折手段１７Ａ及び１
７Ｂの０次回折光軸が受光素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ
及び２１Ｄの受光面と垂直になるように配置されている
。
【０００８】この光素子を用いた光磁気記憶装置では、
光源である半導体レーザ１４から出射された波長７８０
ｎｍの光は磁気記憶媒体によって反射された後に、前記
回折手段１７Ａ及び１７Ｂによって受光素子２１Ａ、２
１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの４方向に回折光が分割され検
出される。そしてこの装置による光磁気記憶媒体の情報
再生方法としては、受光素子２１Ａ、２１Ｂからの出力
の和から、受光素子２１Ｃ、２１Ｄからの出力の和を引
いた差信号によって、光磁気記憶媒体での反射による偏
光軸方向の回転を検出して、情報を再生する。
光源である半導体レーザ１４から出射された波長７８０
ｎｍの光は磁気記憶媒体によって反射された後に、前記
回折手段１７Ａ及び１７Ｂによって受光素子２１Ａ、２
１Ｂ、２１Ｃ及び２１Ｄの４方向に回折光が分割され検
出される。そしてこの装置による光磁気記憶媒体の情報
再生方法としては、受光素子２１Ａ、２１Ｂからの出力
の和から、受光素子２１Ｃ、２１Ｄからの出力の和を引
いた差信号によって、光磁気記憶媒体での反射による偏
光軸方向の回転を検出して、情報を再生する。
【０００９】以上の例では、半導体レーザ１４の偏光方
向がｘ軸方向であり、検光子１１Ａ及び１１Ｂの偏光軸
方向が半導体レーザ１４の偏光方向に対してそれぞれ４
５度に傾いていたが、この例に限られず、前記光磁気記
憶装置の再生方法によって情報再生可能であればよい。
向がｘ軸方向であり、検光子１１Ａ及び１１Ｂの偏光軸
方向が半導体レーザ１４の偏光方向に対してそれぞれ４
５度に傾いていたが、この例に限られず、前記光磁気記
憶装置の再生方法によって情報再生可能であればよい。
【００１０】図３は前記図１で用いられている検光子の
実施例である。検光子３１は最初矩形状の形状をしてお
り、各辺に対して例えば４５度に傾いた偏光軸方向３３
を有する。この検光子の少なくとも１つの角を偏光軸方
向３３に平行に切断することで、切断面３２は偏光軸方
向３３を示す識別子として作用し、偏光方向を誤ること
がなくなる。
実施例である。検光子３１は最初矩形状の形状をしてお
り、各辺に対して例えば４５度に傾いた偏光軸方向３３
を有する。この検光子の少なくとも１つの角を偏光軸方
向３３に平行に切断することで、切断面３２は偏光軸方
向３３を示す識別子として作用し、偏光方向を誤ること
がなくなる。
【００１１】図４は本発明の他の１つの実施例である。
検光子４１は最初円盤状の形状をしており、任意方向に
偏光軸方向４３を有している。前記図３と同様に偏光軸
方向４３に平行に円周上を切断することで、切断面４２
は偏光軸方向を示す識別子として作用する。
偏光軸方向４３を有している。前記図３と同様に偏光軸
方向４３に平行に円周上を切断することで、切断面４２
は偏光軸方向を示す識別子として作用する。
【００１２】図５は本発明のもう１つの実施例である。
検光子５１は前記図３と同様矩形状をし、各辺に対して
４５度傾いた偏光軸方向５３を有する。この検光子５１
の表裏面のうちで少なくとも一方の面に偏光軸方向５３
と平行にスクライブ跡５２を形成されており、このスク
ライブ跡５２が偏光軸方向５３を示す。
４５度傾いた偏光軸方向５３を有する。この検光子５１
の表裏面のうちで少なくとも一方の面に偏光軸方向５３
と平行にスクライブ跡５２を形成されており、このスク
ライブ跡５２が偏光軸方向５３を示す。
【００１３】以上検光子の実施例として、矩形状および
円盤状の検光子を用いたが、切断面やスクライブ跡によ
って偏光軸方向が示される形状であればよい。しかしい
ずれの場合であっても検光子の偏光軸方向が明示されて
いるため、偏光軸方向を誤って実装することがなくなる
。
円盤状の検光子を用いたが、切断面やスクライブ跡によ
って偏光軸方向が示される形状であればよい。しかしい
ずれの場合であっても検光子の偏光軸方向が明示されて
いるため、偏光軸方向を誤って実装することがなくなる
。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明によって、切断
面及びスクライブ跡が検光子の偏光軸方向を示す識別子
として作用するため、検光子を実装するときに偏光軸方
向を認知することが非常に簡単になり、実装時に偏光軸
方向を誤るということがなくなる。そのため偏光軸方向
が誤って実装された場合に発生する情報再生時の検出不
良が防止できる。
面及びスクライブ跡が検光子の偏光軸方向を示す識別子
として作用するため、検光子を実装するときに偏光軸方
向を認知することが非常に簡単になり、実装時に偏光軸
方向を誤るということがなくなる。そのため偏光軸方向
が誤って実装された場合に発生する情報再生時の検出不
良が防止できる。
【００１５】また識別子を形成した検光子は非対称形を
なすので、コンピュータによる画像認識装置等によって
検光子の配置制御及び配置エラーの検出が可能となり、
工程の省力化が行え量産が容易になる。
なすので、コンピュータによる画像認識装置等によって
検光子の配置制御及び配置エラーの検出が可能となり、
工程の省力化が行え量産が容易になる。
【図１】 本発明を用いた光磁気記憶装置の構成の実
施例を示した図。
施例を示した図。
【図２】 検光子の実装直前の前面を示した図。
【図３】 矩形状の検光子の実施例を示した図。
【図４】 円盤状の検光子の実施例を示した図。
【図５】 矩形状の検光子の実施例を示した図。
１１Ａ、１１Ｂ．検光子
１２．紫外線硬化樹脂
１３Ａ、１３Ｂ．受光素子の形成された基板１４．半導
体レーザ １５．ヒートシンク １６．台座 １７Ａ、１７Ｂ．回折手段 １８Ａ、１８Ｂ．偏光軸方向 ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ．受光素子３１、４１
、５１．検光子 ３２、４２．切断面 ３３、４３．偏光軸方向 ５３．スクライブ跡
体レーザ １５．ヒートシンク １６．台座 １７Ａ、１７Ｂ．回折手段 １８Ａ、１８Ｂ．偏光軸方向 ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ．受光素子３１、４１
、５１．検光子 ３２、４２．切断面 ３３、４３．偏光軸方向 ５３．スクライブ跡
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザと、光磁気記憶媒体から
の光を４つの受光素子の方向へ分割する２つの不等周期
回折格子領域から成る回折手段と、前記回折手段と集光
レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手段の
０次回折光の光軸に対して垂直面内にあり、かつ前記光
軸を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４
つの前記受光素子と、４つの前記受光素子の前方に配置
され、それぞれの偏光軸方向が直行した少なくとも２分
割された検光子とを有する光素子において、前記検光子
に偏光軸方向を示す識別子を形成することを特徴とする
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123677A JPH04351735A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123677A JPH04351735A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04351735A true JPH04351735A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14866573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3123677A Pending JPH04351735A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04351735A (ja) |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP3123677A patent/JPH04351735A/ja active Pending
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