JPH04353745A - 半導体装置の接合強度検査方法 - Google Patents

半導体装置の接合強度検査方法

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Publication number
JPH04353745A
JPH04353745A JP15552291A JP15552291A JPH04353745A JP H04353745 A JPH04353745 A JP H04353745A JP 15552291 A JP15552291 A JP 15552291A JP 15552291 A JP15552291 A JP 15552291A JP H04353745 A JPH04353745 A JP H04353745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
bonding strength
lead
semiconductor device
inner lead
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP15552291A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Yamamoto
利夫 山本
Yoshiaki Emoto
江本 義明
Yoshimasa Saito
斎藤 吉正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
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Publication of JPH04353745A publication Critical patent/JPH04353745A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばICチップの
電極とフィルムキャリアのリードとを接合する際に、そ
の接合強度を検する半導体装置の接合強度検査方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】TAB(Tape Automated
 Bonding)技術はICチップの実装技術の一つ
であり、他の実装技術に比べて多ピン狭ピッチのリード
形成が可能であり、またテープ状態で電気的特性検査が
できる等の特徴がある。 このため、TAB技術は、近年、特に注目されている。
【0003】インナーリードボンディング工程はTAB
パッケージ工程の第1段階の工程であり、ICチップの
電極とフィルムキャリアのリードとを接合するものであ
る。通常は、予めフィルムキャリアのリード先端部にバ
ンプを転写した後、バンプとICチップの電極を加圧・
加熱して接合する転写バンプ方式が採用されている。こ
の方式はバンプを形成するプロセスが簡単になり、製造
設備も簡易なもので済むので、実装コストを低くするこ
とができる。
【0004】インナーリードボンディング工程では、リ
ード、電極及びパンプのうちどれか一つでも、不良品が
あれば、接合不良が生じ、また多数のリードと電極とを
バンプを介して一度に接合するので、接合後に全ての接
合が確実に行われたか否かを検査する必要がある。検査
には電気検査とインナーリードの接合強度の検査等があ
り、これらの検査はICチップをフィルム上に搭載した
ままで行なわれる。電気検査はアウターリードから伸び
た領域に形成されたテストパッドに専用の針を押しあて
て電気的機能試験を行うものである。この検査を各IC
チップ毎に行うことにより、確実に良品のICチップの
みを選別することができ、したがってICチップを実装
基板に搭載する際の歩留りの低下を防ぐことができる。 一方、インナーリードの接合強度検査はこの電気検査で
は調べられない接合不良、たとえば電気的にはリードと
電極とが接続されているが機械的強度が不足しているも
の等を検査するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
インナーリードの接合強度検査では、テープから無作為
にICチップを抽出し、ICチップを実際に引っ張るこ
とにより、どの位の力でICチップがインナーリードか
ら引き離されるかを測定していた。このため、インナー
リードとICチップとの接合が良好な場合でも検査を行
えばインナーリードとICチップとの接合が壊されるの
で、製品の歩留りが低下するという問題がある。しかも
、特定のICチップしか検査を行わないので製品の信頼
性が低いという問題もある。
【0006】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、フィルムキャリアのリードとICチップの電極
との機械的な接合不良を、効率よくしかも確実に検査す
ることができる半導体装置の接合強度検査方法を提供す
ることを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係る半導体装置の接合強度検査方法は、リ
ードと半導体装置の電極とを接合した半導体装置の接合
強度検査方法であって、前記接合した部分に風を吹きつ
けて、該接合した部分の接合強度を非接触で検査するよ
うにしたものである。
【0008】
【作用】本発明は前記の構成によって、たとえば転写バ
ンプ方式を用いてフィルムキャリアのインナーリードと
半導体素子の電極とをバンプを介して接合した後、所望
の接合強度に対応する風圧の風を半導体素子の側からイ
ンナーリードに吹きつけることにより、接合不良のイン
ナーリードを半導体素子から引き離す。この状態を目視
又は検知器等で検知して、接合不良箇所の検査を行う。
【0009】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図1を参照して説
明する。図1は本発明の一実施例である半導体装置の接
合強度検査方法を説明するための概略構成図である。
【0010】図1に示すTABテープは、ICチップ3
2と、フィルム34の表面にリード36を形成したフィ
ルムキャリアとを備えるものである。リード36はIC
チップ32の表面に形成した電極38に接合されるイン
ナーリード36aと、後工程において実装基板の電極と
接続されるアウターリードの部分からなり、図示しない
がTABテープの一コマ毎に4つのリード群に分けられ
、4つの方向に引き出されている。尚、フィルム34に
は、耐熱性及び耐伸縮性が良好なポリイミドを用いる。
【0011】ICチップ32とインナーリード36aと
の接合には、いわゆる転写バンプ方式を用いており、イ
ンナーリード36aとICチップ32の表面に形成した
電極38とをバンプ42を介して接合する。ICチップ
32やリード36はTABテープの片面にだけ設けてい
る。
【0012】本実施例で使用するインナーリードの接合
強度を検査するための装置は、ICチップ32を載置す
る受け台12と、風を送り出すノズル16とを有するも
のである。受け台12には真空孔14が設けられ、真空
吸着によりICチップ32を載置面12aに固定する。 ICチップ32の載置面12aは、図1に示すようにI
Cチップ32とほぼ同形状に形成されている。ノズル1
6は受け台12の周りにTABテープのリード群に対応
して口字状に形成され、またノズル16から噴出される
風は、図示しない制御装置により数段階に風圧を調整す
ることができる。
【0013】次に、インナーリード36aとICチップ
32の接合強度を検査する手順について説明する。まず
、インナーリードボンディング工程を終了したTABテ
ープをテープ送り機構(不図示)で搬送し、図1に示す
ようにICチップ32を受け台12に載せる。そして、
真空孔14から空気を吸引しICチップを固定する。そ
の後、ノズル16から所定の風圧の風を送りTABテー
プのインナーリード36aに風を当てる。この風圧は所
望の接合強度に対応するものである。ICチップ32と
接合されていないインナーリード36aや接合強度が不
足しているインナーリード36aはこの風により浮き上
がる。このインナーリード36aの部分が浮き上がるか
どうかを目視で確認することによりインナーリード32
の接合強度の検査を行う。
【0014】接合不良のものに対してはフィルム周辺の
所定位置に小孔をパンチングし、次工程ではこれを認識
し、良品と不良品の判定を行う。一つのICチップ32
の接合検査が終了すると、テープ送り機構によって次の
フィルム34の一コマが受け台12の上に搬送され、上
記と同様の検査工程が繰り返される。
【0015】本実施例の半導体装置の接合強度検査方法
では、所定風圧の風をインナーリードに当てて接合強度
を測定するので、インナーリードとICチップとの接合
を破壊することなく、インナーリードとICチップとの
接合状態を検査することができる。このため、従来はイ
ンナーリードの接合検査のために接合を破壊していたの
で、製品の歩留りが低かったが、本実施例によれば、歩
留りの向上を図ることができる。しかも、一回の検査に
かかる時間が短く、検査工程の自動化を図ることも容易
である。したがって、TABテープに搭載された全ての
ICチップについて検査することができ、製品の信頼性
が向上する。
【0016】尚、上記の実施例では、接合不良のインナ
ーリードを目視で確認する場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、検査の際にTA
Bテープのフィルム上面に近接スイッチ等を設けてイン
ナーリードの浮き上がりを検知してもよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、所
定風圧の風をインナーリードに当てて接合強度を測定す
ることにより、インナーリードと半導体素子との接合を
破壊することなく、接合状態の検査を行うことができ、
またフィルムキャリアの各コマ毎にインナーリードと半
導体素子との接合強度を検査することができるので、製
品の信頼性を向上させることができる半導体装置の接合
強度検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体装置の接合強度
検査方法を説明するための概略構成図である。
【符号の説明】
12    受け台 14    真空孔 16    ノズル 32    ICチップ 34    フィルム 36    リード 36a    インナーリード 38    電極 42    バンプ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  リードと半導体装置の電極とを接合し
    た半導体装置の接合強度検査方法であって、前記接合し
    た部分に風を吹きつけて、該接合した部分の接合強度を
    非接触で検査することを特徴とする半導体装置の接合強
    度検査方法。
JP15552291A 1991-05-30 1991-05-30 半導体装置の接合強度検査方法 Withdrawn JPH04353745A (ja)

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JPH04353745A true JPH04353745A (ja) 1992-12-08

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ID=15607908

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JP15552291A Withdrawn JPH04353745A (ja) 1991-05-30 1991-05-30 半導体装置の接合強度検査方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013051650A1 (ja) * 2011-10-06 2013-04-11 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 はんだの搭載性評価方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013051650A1 (ja) * 2011-10-06 2013-04-11 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 はんだの搭載性評価方法
JPWO2013051650A1 (ja) * 2011-10-06 2015-03-30 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 はんだの搭載性評価方法

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Effective date: 19980806