JPH04354143A - 厚膜多層回路基板 - Google Patents
厚膜多層回路基板Info
- Publication number
- JPH04354143A JPH04354143A JP3128975A JP12897591A JPH04354143A JP H04354143 A JPH04354143 A JP H04354143A JP 3128975 A JP3128975 A JP 3128975A JP 12897591 A JP12897591 A JP 12897591A JP H04354143 A JPH04354143 A JP H04354143A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- circuit board
- electrodes
- multilayer circuit
- conductor paste
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをワイヤ
ボンディング方式にて実装する場合に用いることができ
る電子機器実装用の厚膜多層回路基板に関する。
ボンディング方式にて実装する場合に用いることができ
る電子機器実装用の厚膜多層回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は半導体チップを従来の厚膜回路基
板に実装したときの構造を示す平面図であり、図におい
て1はアルミナ基板、3はアルミナ基板1の上に形成さ
れている電極、4はアルミナ基板1の上に形成されてい
る半導体チップ、5は電極3と半導体チップ4のパット
6を接続されているワイヤ線である。
板に実装したときの構造を示す平面図であり、図におい
て1はアルミナ基板、3はアルミナ基板1の上に形成さ
れている電極、4はアルミナ基板1の上に形成されてい
る半導体チップ、5は電極3と半導体チップ4のパット
6を接続されているワイヤ線である。
【0003】図に示すように、半導体チップ4はアルミ
ナ基板1上に厚膜導体ペーストより放射状に形成された
電極3の一部を半導体チップ4のパット6とワイヤ線5
にて接続されているのが一般的であった。
ナ基板1上に厚膜導体ペーストより放射状に形成された
電極3の一部を半導体チップ4のパット6とワイヤ線5
にて接続されているのが一般的であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の構
成では、厚膜導体ペーストより放射状に形成された電極
3と半導体チップ4をワイヤ線5にて接続された場合、
半導体チップ4のパット6の数の増大に伴って電極3の
数も増し、非常に面積が大きくなり基板の小型化に寄与
しないという課題があり、一方、半導体チップ4と電極
3との間のワイヤ線5が長くなり、コストが高価になる
という課題があった。
成では、厚膜導体ペーストより放射状に形成された電極
3と半導体チップ4をワイヤ線5にて接続された場合、
半導体チップ4のパット6の数の増大に伴って電極3の
数も増し、非常に面積が大きくなり基板の小型化に寄与
しないという課題があり、一方、半導体チップ4と電極
3との間のワイヤ線5が長くなり、コストが高価になる
という課題があった。
【0005】本発明は、このような従来の課題を解決す
るものであり、厚膜導体ペーストより形成される電極を
千鳥状に2列以上配列でワイヤボンディングする場合に
用いることのできる非常に面積が小型化で優れた厚膜多
層回路基板を提供することを目的とするものである。
るものであり、厚膜導体ペーストより形成される電極を
千鳥状に2列以上配列でワイヤボンディングする場合に
用いることのできる非常に面積が小型化で優れた厚膜多
層回路基板を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、アルミナ基板の表面に厚膜導体ペーストを
用いて形成された内部電極上に絶縁ペーストを用いて絶
縁層を形成され、且つ前記絶縁層上に厚膜導体ペースト
を用いて形成された外部電極からなるものである。
するために、アルミナ基板の表面に厚膜導体ペーストを
用いて形成された内部電極上に絶縁ペーストを用いて絶
縁層を形成され、且つ前記絶縁層上に厚膜導体ペースト
を用いて形成された外部電極からなるものである。
【0007】
【作用】したがって本発明によれば、アルミナ基板上に
厚膜導体ペーストを用いて形成された内部電極上に絶縁
ペーストを用いて絶縁層を形成した後に、厚膜導体ペー
ストを用いて絶縁物上に外部電極を形成するものであり
、このようにすれば、従来と比較して非常に基板面積が
小型化になる。
厚膜導体ペーストを用いて形成された内部電極上に絶縁
ペーストを用いて絶縁層を形成した後に、厚膜導体ペー
ストを用いて絶縁物上に外部電極を形成するものであり
、このようにすれば、従来と比較して非常に基板面積が
小型化になる。
【0008】さらに本発明によれば、半導体チップと電
極の距離が短いためワイヤ線が少量しか使用しないため
に製品のコストパフォーマンスに有利であり、またワイ
ヤ線の上下または左右蛇行を少なくでき、電気的に接触
するという不良を低減するものである。
極の距離が短いためワイヤ線が少量しか使用しないため
に製品のコストパフォーマンスに有利であり、またワイ
ヤ線の上下または左右蛇行を少なくでき、電気的に接触
するという不良を低減するものである。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1およ
び図2を参照しながら説明する。
び図2を参照しながら説明する。
【0010】図1は本発明の一実施例の厚膜多層回路基
板に半導体チップを実装したときの平面図であり、図2
は図1に示す実施例の部分拡大断面図である。
板に半導体チップを実装したときの平面図であり、図2
は図1に示す実施例の部分拡大断面図である。
【0011】図に示すように、アルミナ基板1上に厚膜
導体ペーストを用いて形成された内部電極2上に絶縁ペ
ーストを用いて絶縁層7を形成した後、絶縁層7上に厚
膜導体ペーストを用いて外部電極3を形成する。
導体ペーストを用いて形成された内部電極2上に絶縁ペ
ーストを用いて絶縁層7を形成した後、絶縁層7上に厚
膜導体ペーストを用いて外部電極3を形成する。
【0012】このようにすれば、電極2,3の一部を半
導体チップ4のパット6をワイヤボンディングでワイヤ
線5を接続したときに、半導体チップ4と電極2,3の
距離が短いためワイヤ線5の上下または左右蛇行を少な
くでき、電気的に接触しないという信頼性向上に大きな
効果を得ることができ、またワイヤ線5使用量が少量で
済むことができる。また電極2,3を2列以上配列で用
いることのできるため基板の小型化ができ、製品のコス
トを低減する上においても有利である。
導体チップ4のパット6をワイヤボンディングでワイヤ
線5を接続したときに、半導体チップ4と電極2,3の
距離が短いためワイヤ線5の上下または左右蛇行を少な
くでき、電気的に接触しないという信頼性向上に大きな
効果を得ることができ、またワイヤ線5使用量が少量で
済むことができる。また電極2,3を2列以上配列で用
いることのできるため基板の小型化ができ、製品のコス
トを低減する上においても有利である。
【0013】
【発明の効果】本発明は上記実施例よりあきらかなよう
に、電極を2列以上配列で用いる構成とすることにより
、ワイヤ線の上下または左右蛇行を少なくでき、また電
極を2列以上配列で用いることのできるため基板の小型
化ができるため、信頼性に優れ、かつ安価な厚膜多層回
路基板を得ることができる。
に、電極を2列以上配列で用いる構成とすることにより
、ワイヤ線の上下または左右蛇行を少なくでき、また電
極を2列以上配列で用いることのできるため基板の小型
化ができるため、信頼性に優れ、かつ安価な厚膜多層回
路基板を得ることができる。
【図1】本発明の一実施例における厚膜多層基板に半導
体チップを実装した平面図
体チップを実装した平面図
【図2】同実施例における部分拡大断面図
【図3】従来
の厚膜回路基板に半導体チップを実装した平面図
の厚膜回路基板に半導体チップを実装した平面図
1 アルミナ基板
2 内部電極
3 外部電極
4 半導体チップ
5 ワイヤ線
6 パット
7 絶縁層
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップを実装する場合に用いる厚膜
多層回路基板であって、半導体チップを接続するワイヤ
ボンディング用電極を千鳥状に2列以上配列したことを
特徴とする厚膜多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128975A JPH04354143A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 厚膜多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128975A JPH04354143A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 厚膜多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354143A true JPH04354143A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=14998036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128975A Pending JPH04354143A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 厚膜多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354143A (ja) |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3128975A patent/JPH04354143A/ja active Pending
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